本實用新型屬于化工機械技術領域，特別涉及一種制備鈷氧化物的裝置。
背景技術：
鈷氧化物一般用作揮發性有機化合物（VOCs）催化燃燒的催化劑，與傳統的貴金屬催化劑相比具有催化活性高、成本低廉的特性，在VOCs的深度催化燃燒過程中表現出良好的催化性能，鈷氧化物有四氧化三鈷和氧化亞鈷等。
目前技術中鈷氧化物制備方法包括噴霧熱解法、溶膠-凝膠法、過量浸漬法等，這些方法得到的產品純度難以保證，而且有些方法需要昂貴的設備或復雜的后處理技術，限制了在制備鈷氧化物方面的應用。
技術實現要素：
本實用新型就是提供一種制備鈷氧化物的裝置，以得到質量高、成本低的鈷氧化物。
本實用新型的解決方案是這樣的：
一種制備鈷氧化物的裝置，包括蒸發室、溶液罐、氣體進口，與蒸發室連接的沉降室，以及與沉降室相連接的三通管，其特征在于，還包括溫控儀、冷肼，蒸發室與溶液罐通過脈沖噴咀連接，蒸發室與壓力表通過壓力傳感器連接，蒸發室與氣體進口通過流量計連接；脈沖噴咀與脈沖發生器連接；沉降室內設加熱臺，加熱臺上放置襯底；蒸發室外側包覆加熱帶，溫控儀分別與加熱帶連接，還與加熱臺通過熱電偶連接；三通管一端放于冷肼內，另一端與沉降室相連接。
作為一種優選的，所述加熱臺放于設在沉降室的架子上。
作為一種優選的，所述流量計為質量流量計。
作為一種優選的，所述冷肼為液氮冷肼。
作為一種優選的，所述襯底為不銹鋼網。
本實用新型的優點是裝置的重復性好，產品在襯底表面各處分布均勻，純度高。
附圖說明
為了更清楚地說明本實用新型實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹。
圖1是本實用新型的結構示意圖。
圖中的數字分別表示：1、蒸發室；2、沉降室；3、冷肼；4、溶液罐；5、流量計； 6、襯底；7、加熱臺； 8、熱電偶；9、溫控儀；10、加熱帶；11、壓力表；12、壓力傳感器；13、脈沖發生器；14、脈沖噴咀；15、三通管。
具體實施方式
附圖1中給出了本實用新型的首選實施例。但是，本實用新型可以以許多不同的形式來實現，并不限于本文所描述的實施例。相反地，提供這些實施例的目的是使對本實用新型的公開內容的理解更加透徹全面。
需要說明的是，當元件被稱為“固設于”另一個元件，它可以直接在另一個元件上或者也可以存在居中的元件。當一個元件被認為是“連接”另一個元件，它可以是直接連接到另一個元件或者可能同時存在居中元件。本文所使用的術語“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及類似的表述只是為了說明的目的。
除非另有定義，本文所使用的所有的技術和科學術語與屬于本實用新型的技術領域的技術人員通常理解的含義相同。本文中在本實用新型的說明書中所使用的術語只是為了描述具體的實施例的目的，不是旨在于限制本實用新型。本文所使用的術語“及／或”包括一個或多個相關的所列項目的任意的和所有的組合。
下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述。
一種制備鈷氧化物的裝置，包括蒸發室1、溶液罐4、氣體進口，與蒸發室1連接的沉降室2，以及與沉降室（2）相連接的三通管15，蒸發室1上蓋與溶液罐4通過脈沖噴咀14連接，溶液罐4內裝有前驅體Co（acac）2的乙醇溶液，摩爾濃度為2.8mmol/L。
蒸發室1與壓力表11通過壓力傳感器12連接，系統壓力控制在3.5kPa，蒸發室1與氣體進口通過流量計5連接，流量計5為質量流量計，N2氣體和O2氣體通過流量計5通入蒸發室1，以準確控制氣體流量，N2流量為0.35L/min，O2流量為0.8L/min。
脈沖噴咀14與脈沖發生器13連接，脈沖頻率控制在5HZ，脈沖寬度控制在1.3ms。
沉降室2內設加熱臺7，加熱臺7放于設在沉降室2的架子上，加熱臺7上放置襯底6，襯底6采用400目平紋不銹鋼網材料；
還包括溫控儀9，蒸發室1外側包覆加熱帶10，溫控儀9分別與加熱帶10連接，還與加熱臺7通過熱電偶8連接，分別控制蒸發室1溫度為240℃，襯底6溫度340℃；
還包括冷肼3，所述冷肼3為液氮冷肼，三通管15一端放于冷肼3內，另一端與沉降室2相連接，還有一端與真空泵相連接。
操作時，首先啟動真空泵和溫控儀9并通入N2和O2，N2和O2通過質量流量計準確控制，等待真空腔壓力、蒸發室1溫度、襯底6溫度達到設定值以后（系統壓力控制在3.5kPa，蒸發室溫度為240℃，襯底溫度340℃），啟動脈沖發生器13和脈沖噴咀14，脈沖噴咀14將溶液罐4中的溶液噴入蒸發室1進行蒸發。
蒸汽由N2和O2帶入沉降室2，并在加熱的襯底6表面反應形成鈷氧化物的薄膜，多余的氣體通過三通管15被真空泵抽走，另外未參加薄膜反應的蒸汽，通過管道進入插在冷肼3的三通管15，被液氮冷凝成液體。
經過在同樣的試驗條件下制備多個樣品進行分析，發現譜峰基本一致，沒有明顯的雜質波，說明薄膜重復性好、純度好。經過放大觀察，不銹鋼網上樣品均勻密布尺寸相近，晶體直徑分布在10～20nm之間。
最后應當指出，以上實施例僅是本實用新型較有代表性的例子。顯然本實用新型不限于上述實施例，還可以有許多變形。凡是依據本實用新型的技術實質對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均應認為屬于本實用新型的保護范圍。