鋯寶石加工工藝及鋯寶石的制作方法
【技術領域】
[0001 ]本發明屬于寶石技術領域，尤其設及一種錯寶石加工工藝及錯寶石。
【背景技術】
[0002] 目前，現有的多媒體裝置上多會設置一些觸控按鍵。觸控按鍵包括指紋解鎖鍵等 等。現有的指紋解鎖鍵，操作時在指紋解鎖鍵上會產生指紋、贓物和印跡等等，其次，抗劃傷 能力較低，使用壽命較短且實用性差。
[0003] 中國專利其公開號CN102707356A公開了一種彩色濾光片的制作方法、彩色濾光片 W及顯示裝置，設及顯示領域。所述的彩色濾光片的制作方法，包括:獲取一彩色濾光片基 板;在彩色濾光片基板上涂覆一層第一感光材料，形成第一感光材料的涂層;在第一感光材 料的涂層上涂覆第二感光材料，形成第二感光材料的涂層;對所述彩色濾光片基板上的所 述第一感光材料的涂層、所述第二感光材料的涂層進行曝光、顯影，在所述彩色濾光片基板 上形成隔墊物;所述隔墊物為臺階結構，并且所述第一感光材料形成的下臺階的寬度大于 所述第二感光材料形成的上臺階的寬度。
[0004] 可W看出，上述專利的濾光片能夠提高顯示裝置的顯示效果的穩定性。
[0005] 但是，上述的方案未能解決上述的技術問題，另外，其結構復雜且不易制造，折射 率較差。
【發明內容】
[0006] 本發明的目的是針對上述問題，提供一種能夠提高折射率且延長使用壽命，實用 性更強的可控娃安全控制電路。
[0007] 本發明的另外一個目的是針對上述問題，提供一種結構簡單且更實用的可控娃安 全控制電路。
[000引為達到上述目的，本發明采用了下列技術方案:本錯寶石加工工藝包括如下步驟：
[0009] A、備料:制備錯寶石本體、Zr02材料、Si02材料和AF材料；
[0010] B、抽真空:將錯寶石本體放入鍛膜腔體傘架中，關口抽真空，然后旋轉工件盤，鍛 膜腔體內在常溫下抽真空且鍛膜腔體內被抽真空后鍛膜腔體內的真空度為8.0E-4化;工件 盤設置在鍛膜腔體傘架內并與旋轉驅動機構連接。旋轉驅動機構為自動化驅動。
[0011] C、鍛層:將Zr02材料、Si02材料和AF材料分別放入相應的蒸發源中，蒸發源與鍛膜 腔體連通，相應的蒸發源分別通過蒸發工藝依次將Zr02材料、Si02材料和AF材料鍛在錯寶 石本體上，即，在錯寶石本體上形成Zr02材料鍛膜層、Si02材料鍛膜層和AF材料鍛膜層，審U 得錯寶石成品；設置了 Zr02材料鍛膜層、Si02材料鍛膜層和AF材料鍛膜層能夠使結構更加 緊湊，同時，進一步提高了牢靠度和防污能力。
[0012] Zr02材料鍛膜層的具體蒸發工藝條件為:Zr02材料在常溫和真空度為8.0E-4化的 條件下，通速率為1在/ S進行蒸發，蒸發時間為40-60S;
[0013] Si02材料鍛膜層的具體蒸發工藝條件為:Si02材料在常溫和真空度為8.0E-4化的 條件下，通速率為1 A/ s進行蒸發，蒸發時間為90-11 Os;
[0014] AF材料鍛膜層的具體蒸發工藝條件為:AF材料在常溫和真空度為8.0E-4化的條件 下，通速率為日A/s進行蒸發，蒸發時間為20-40S。！為長度單位:埃;S為時間單位秒。
[001引 D、取料:入氣開Π ，將制得錯寶石成品取出。
[0016] 通過上述的工藝可W具有W下優點：
[0017] 1、操作時不會產生指紋、贓物、印跡；
[001引2、如果有灰塵、贓物、印跡出現在表面時，很容易擦拭干凈；
[0019] 3、具有極強的抗劃傷效果，莫氏硬度高達9H。
[0020] 4、提高了光線透過率，透過率T > 98 % W上，亮度增強，成像清晰。
[0021] 在上述的錯寶石加工工藝中，在上述的A步驟中，所述的化02材料、Si02材料和AF 材料均呈固態結構。
[0022] 優化方案，在上述的錯寶石加工工藝中，在上述的C步驟中，在錯寶石本體上形成 Zr02材料鍛膜層后間隔Imin然后再在Zr02材料鍛膜層上形成Si02材料鍛膜層，Zr02材料鍛 膜層上形成Si02材料鍛膜層后間隔Imin然后再在Si02材料鍛膜層形成AF材料鍛膜層。
[0023] 在上述的錯寶石加工工藝中，在上述的C步驟中，當將化02材料、Si02材料和AF材 料分別放入相應的蒸發源中后，蒸發源內的相應電子槍打擊所述的化02材料、Si02材料和 AF材料，通過蒸發源使均呈固態的Zr02材料、Si02材料和AF材料轉變為液態Zr02材料、液態 Si02材料與液態AF材料，然后又轉變為氣態化02材料、氣態Si02材料與氣態AF材料，再然后 轉變為液態Zr02材料、液態Si02材料與液態AF材料，最后轉變為鍛在錯寶石本體上的Zr02 材料鍛膜層、Si02材料鍛膜層和AF材料鍛膜層。
[0024] 在上述的錯寶石加工工藝中，在上述的C步驟中，所述的Zr02材料鍛膜層厚度為 50 ko
[00巧]在上述的錯寶石加工工藝中，在上述的C步驟中，所述的Si02材料鍛膜層厚度為 100 Ao
[0026] 在上述的錯寶石加工工藝中，在上述的C步驟中，所述的AF材料鍛膜層厚度為 150 A。
[0027] 在上述的錯寶石加工工藝中，在上述的C步驟中，
[00%] Zr02材料鍛膜層的具體蒸發工藝條件為:Zr02材料在常溫和真空度為8.0E-4化的 條件下，通速率為li/s進行蒸發，蒸發時間為50s;
[0029] Si02材料鍛膜層的具體蒸發工藝條件為:Si02材料在常溫和真空度為8.0E-4化的 條件下，通速率為lA/s進行蒸發，蒸發時間為100s;
[0030] AF材料鍛膜層的具體蒸發工藝條件為:AF材料在常溫和真空度為8.0E-4化的條件 下，通速率為5A/s進行蒸發，蒸發時間為30s。
[0031] 本錯寶石包括錯寶石本體，在錯寶石本體的一面設有化02材料鍛膜層，在化02材 料鍛膜層遠離錯寶石本體的一面設有Si02材料鍛膜層，在Si02材料鍛膜層遠離化02材料鍛 膜層的一面設有AF材料鍛膜層
[0032] 在上述的錯寶石中，
[0033] 在上述的錯寶石加工工藝中，所述的Si02材料鍛膜層厚度小于Si02材料鍛膜層的 厚度，所述的Si02材料鍛膜層厚度小于AF材料鍛膜層的厚度。
[0034] 與現有的技術相比，本錯寶石加工工藝的優點在于：1、設計更合理，結構簡單且易 于加工制造。2、工藝簡單且易于操控，大幅提高了產品的適用范圍和實用性。操作時不會產 生指紋、贓物、印跡;如果有灰塵、贓物、印跡出現在表面時，很容易擦拭干凈;3、具有極強的 抗劃傷效果。
【附圖說明】
[0035] 圖1是本發明提供的結構示意圖。
[0036] 圖中，錯寶石本體1、Zr02材料鍛膜層2、Si02材料鍛膜層3、AF材料鍛膜層4。
【具體實施方式】
[0037] W下是發明的具體實施例并結合附圖，對本發明的技術方案作進一步的描述，但 本發明并不限于運些實施例。
[003引實施例一
[0039] 如圖1所示，本錯寶石加工工藝包括如下步驟：
[0040] A、備料:制備錯寶石本體1、Zr02材料、Si02材料和AF材料；
[0041] B、抽真空:將錯寶石本體1放入鍛膜腔體傘架中，關口抽真空，然后旋轉工件盤，鍛 膜腔體內在常溫下抽真空且鍛膜腔體內被抽真空后鍛膜腔體內的真空度為8.0E-4化；
[0042] C、鍛層:將Zr02材料、Si02材料和AF材料分別放入相應的蒸發源中，蒸發源與鍛膜 腔體連通，相應的蒸發源分別通過蒸發工藝依次將Zr02材料、Si02材料和AF材料鍛在錯寶 石本體1上，即，在錯寶石本體1上形成Zr02材料鍛膜層2、Si02材料鍛膜層3和AF材料鍛膜層 4,制得錯寶石成品；
[0043] 化02材料鍛膜層2的具體蒸發工藝條件為:Zr02材料在常溫和真空度為8.0E-4化 的條件下，通速率為1A/ S進行蒸發，蒸發時間為40-60S;
[0044] Si02材料鍛膜層3的具體蒸發工藝條件為:Si02材料在常溫和真空度為8.0E-4化 的條件下，通速率為1復/s進行蒸發，蒸發時間為90-llOs;
[0045] AF材料鍛膜層4的具體蒸發工藝條件為:AF材料在常溫和真空度為8.0E-4化的條 件下，通速率為日A/s進行蒸發，蒸發時間為20-40S。
[0046] D、取料:入氣開口，將制得錯寶石成品取出。
[0047] 在上述的A步驟中，所述的Zr02材料、Si02材料和AF材料均呈固態結構。
[0048] 在上述的C步驟中，在錯寶石本體1上形成Zr02材料鍛膜層2后間隔Imin然后再在 Zr02材料鍛膜層2上形成Si02材料鍛膜層3，Zr02材料鍛膜層2上形成Si02材料鍛膜層3后間 隔Imin然后再在Si02材料鍛膜層3形成AF材料鍛膜層4。進一步地，在上述的C步驟中，當將 Zr02材料、Si02材料和AF材料分別放入相應的蒸發