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氨氣還原氮化法制備TiN薄膜的方法與流程

文檔序號:12393579閱讀:754來源:國知局

本發明涉及TiN薄膜制備技術領域,具體涉及一種氨氣還原氮化法制備TiN薄膜的方法。



背景技術:

表面增強拉曼光譜(SERS)是一種潛力巨大的高靈敏光譜分析技術。常規拉曼光譜法靈敏度低,表面增強拉曼光譜可提供吸附在或是靠近活性基底表面的分子信號,從而得到更多的結構信息。因而新型高效SERS活性基底的研究和制備已成為國內外學者研究的重點。目前制備方法主要集中在粗糙化處理的金屬電極、貴金屬納米粒子、膜等。采用金屬電極,貴金屬納米粒子作為基底,存在形貌不均、穩定性差、成本高等缺陷。



技術實現要素:

本發明旨在針對上述問題,提出一種氨氣還原氮化法制備TiN薄膜的方法。本發明的技術方案在于:

氨氣還原氮化法制備TiN薄膜的方法,包括如下步驟:

(1)制備TiO2前驅體:

在真空手套箱中,量取110 mL無水乙醇放入廣口瓶內,再加入10 mL四氯化鈦,得到四氯化鈦乙醇溶液;取6 mL四氯化鈦乙醇溶液加入燒杯,向其中加入1g PVP后加入10 mL無水乙醇及2.5 mL DMF,溶解后制得TiO2前驅體溶液;

(2)制備TiN薄膜:

以上述TiO2前驅體溶液為鈦源,在石英玻璃基片上鍍膜,轉速為3500 r/min,鍍膜20s,然后在80℃加熱24 h引發非水解凝膠化反應,得到TiO2凝膠前驅體薄膜,以5℃/min升溫至400℃,預燒30 min;

重復(2)3次,共鍍膜3層;其放在管式氣氛爐中,在流量為800 mL/min的氨氣中,以5℃/min升溫至1000℃碳熱還原氮化反應2 h,隨爐冷卻后得到TiN薄膜。

所述的加入10 mL四氯化鈦采用移液管。

所述的量取110 mL無水乙醇放入廣口瓶時采用量筒。

所述的在石英玻璃基片上鍍膜時使用勻膠機。

本發明的技術效果在于:

本發明通過氨氣氮化還原法制備出TiN薄膜,該TiN薄膜為NaCl型面心立方TiN晶體,薄膜厚度在250 nm左右。TiN薄膜不僅具有與金類似的光學特性,還具有其它材料難以比擬的高硬度、耐酸堿侵蝕、耐磨損、耐高溫以及良好的生物相容特性。

具體實施方式

實施例1

氨氣還原氮化法制備TiN薄膜的方法,包括如下步驟:

(1)制備TiO2前驅體:

在真空手套箱中,用量筒量取110 mL無水乙醇放入廣口瓶內,再用移液管加入10 mL四氯化鈦,得到四氯化鈦乙醇溶液;取6 mL四氯化鈦乙醇溶液加入燒杯,向其中加入1g PVP后加入10 mL無水乙醇及2.5 mL DMF,溶解后制得TiO2前驅體溶液;

(2)制備TiN薄膜:

以上述TiO2前驅體溶液為鈦源,使用勻膠機在石英玻璃基片上鍍膜,轉速為3500 r/min,鍍膜20s,然后在80℃加熱24 h引發非水解凝膠化反應,得到TiO2凝膠前驅體薄膜,以5℃/min升溫至400℃,預燒30 min;

重復(2)3次,共鍍膜3層;其放在管式氣氛爐中,在流量為800 mL/min的氨氣中,以5℃/min升溫至1000℃碳熱還原氮化反應2 h,隨爐冷卻后得到TiN薄膜。

實施例2

氨氣還原氮化法制備TiN薄膜的方法,包括如下步驟:

(1)制備TiO2前驅體:

在真空手套箱中,用量筒量取200 mL無水乙醇放入廣口瓶內,再用移液管加入20mL四氯化鈦,得到四氯化鈦乙醇溶液;取5 mL四氯化鈦乙醇溶液加入燒杯,向其中加入2g PVP后加入15mL無水乙醇及3 mL DMF,溶解后制得TiO2前驅體溶液;

(2)制備TiN薄膜:

以上述TiO2前驅體溶液為鈦源,使用勻膠機在石英玻璃基片上鍍膜,轉速為4000 r/min,鍍膜20s,然后在80℃加熱24 h引發非水解凝膠化反應,得到TiO2凝膠前驅體薄膜,以10℃/min升溫至400℃,預燒30 min;

重復(2)3次,共鍍膜4層;其放在管式氣氛爐中,在流量為1000 mL/min的氨氣中,以5℃/min升溫至1000℃碳熱還原氮化反應2 h,隨爐冷卻后得到TiN薄膜。

實施例3

氨氣還原氮化法制備TiN薄膜的方法,包括如下步驟:

(1)制備TiO2前驅體:

在真空手套箱中,用量筒量取150 mL無水乙醇放入廣口瓶內,再用移液管加入20mL四氯化鈦,得到四氯化鈦乙醇溶液;取8mL四氯化鈦乙醇溶液加入燒杯,向其中加入2g PVP后加入20mL無水乙醇及3 mL DMF,溶解后制得TiO2前驅體溶液;

(2)制備TiN薄膜:

以上述TiO2前驅體溶液為鈦源,使用勻膠機在石英玻璃基片上鍍膜,轉速為4000 r/min,鍍膜20s,然后在80℃加熱24 h引發非水解凝膠化反應,得到TiO2凝膠前驅體薄膜,以10℃/min升溫至400℃,預燒30 min;

重復(2)3次,共鍍膜3層;其放在管式氣氛爐中,在流量為1000 mL/min的氨氣中,以5℃/min升溫至1000℃碳熱還原氮化反應2 h,隨爐冷卻后得到TiN薄膜。

本發明通過氨氣氮化還原法制備出TiN薄膜,該TiN薄膜為NaCl型面心立方TiN晶體,薄膜厚度在250 nm左右。TiN薄膜不僅具有與金類似的光學特性,還具有其它材料難以比擬的高硬度、耐酸堿侵蝕、耐磨損、耐高溫以及良好的生物相容特性。

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