技術總結
本申請公開了一種晶體材料、其制備方法、包含其的非線性光學晶體材料及其在激光器中的應用。所述晶體材料化學式為[A2M4Q7]n或[AM3Q5]n；A代表Na、K、Rb、Cs中的至少一種；M代表Ga和/或In；Q代表S和/或Se；1≤n≤4。該晶體材料具有優良的紅外非線性光學性能，倍頻強度可達同粒度商用AgGaS2的7.0倍，激光損傷閾值可達商用AgGaS2(可簡寫為AGS)的11倍。在中遠紅外波段激光倍頻、和頻、差頻、光參量振蕩等變頻器件方面，具有重要的應用價值。
技術研發人員：李淑芳;郭國聰;姜小明;徐忠寧;曾卉一
受保護的技術使用者：中國科學院福建物質結構研究所
文檔號碼：201611108475
技術研發日：2016.12.06
技術公布日：2017.05.31