1.一種蒸發法孕育碳化硅晶體生長裝置，包括反應釜本體、轉軸、碳化硅晶體盛放盒、換熱器，其特征在于，所述反應釜本體的頂部設置有開口，并在開口上安裝有液封蓋，所述的轉軸貫穿過液封蓋設置于反應釜本體內部，并在轉軸前端設置有若干攪拌槳，在攪拌槳的底部再安裝有碳化硅晶體盛放盒，所述換熱器設置在反應釜本體的側邊，在反應釜本體底部設置有加熱管，所述的反應釜本體內設置有溫度感應裝置。
2.如權利要求1所述的蒸發法孕育碳化硅晶體生長裝置，其特征在于，所述反應釜本體的側壁設置若干限位槽孔。
3.如權利要求1所述的蒸發法孕育碳化硅晶體生長裝置，其特征在于，所述的反應釜本體上安裝有控制開關。
4.如權利要求1所述的蒸發法孕育碳化硅晶體生長裝置，其特征在于，所述的攪拌槳與碳化硅晶體盛放盒可拆卸連接。
5.如權利要求2所述的蒸發法孕育碳化硅晶體生長裝置，其特征在于，所述的反應釜本體與限位槽孔相互焊接。