一種能提高多晶鑄錠爐半融工藝籽晶面積的多晶鑄錠爐的制作方法

本實用新型涉及一種能提高多晶鑄錠爐半融工藝籽晶面積的多晶鑄錠爐。

背景技術：

多晶鑄錠領域目前被廣泛應用的是底部鋪小碎料的半熔工藝，此工藝是硅料在多晶鑄錠爐內熔化時，使硅料從上往下逐步熔化，熔化到達底部鋪底的碎料層時停止熔化進入晶體生長階段，有了細碎硅料充當籽晶的引晶作用，定向生長的晶體晶粒大小均勻，很好的保證多晶硅片的光電裝換效率。然而此種工藝技術十分依賴底部籽晶面積的保有大小，一般情況下，降低主熔溫度或者提升鑄錠爐熱屏加大散熱可以減少底部籽晶邊緣的受熱，可以保證籽晶合格的籽晶面積，但部分G6多晶鑄錠爐側部加熱器發熱功率較大，導致及時打開熱屏或降低主熔溫度后，底部籽晶邊緣仍然被熔，籽晶面積保有不足，邊緣硅塊沒有籽晶引晶，晶粒雜亂，位錯高，所處硅片的轉換效率低。

技術實現要素：

本實用新型其目的就在于提供一種能提高多晶鑄錠爐半融工藝籽晶面積的多晶鑄錠爐，解決了多晶鑄錠爐側部加熱器發熱量過大時對底部邊緣籽晶輻射熱量過多、以及熱量不能及時散出導致籽晶面積不足的問題，具有提高晶錠底部高溫區的籽晶面積、引晶效果良好的特點。

實現上述目的而采取的技術方案，包括隔熱籠框架，所述隔熱籠框架下端設有加高保溫條，加高保溫條下端設有底部石墨板，所述底部石墨板上端設有石墨立柱，石墨立柱上端設有正方形凸臺結構的定向凝注塊，所述定向凝注塊的凸臺四周的三個面上均設有定向凝注塊保溫板，定向凝注塊上端設有石墨底板，石墨底板上端設有坩堝，坩堝外側設有隔熱籠保溫板，所述坩堝上端設有C-C蓋板，C-C蓋板上端設有隔熱籠C-C板。

有益效果

與現有技術相比本實用新型具有以下優點。

1.提高晶錠底部高溫區的籽晶面積。

2.引晶效果良好。

附圖說明

下面結合附圖對本實用新型作進一步詳述。

圖1為本實用新型的結構示意圖；

圖2為本實用新型中加高保溫條結構示意圖；

圖3為本實用新型中加高保溫條結構三視圖。

具體實施方式

本裝置包括隔熱籠框架1，如圖1所示，所述隔熱籠框架1下端設有加高保溫條12，加高保溫條12下端設有底部石墨板10，所述底部石墨板10上端設有石墨立柱9，石墨立柱9上端設有正方形凸臺結構的定向凝注塊11，所述定向凝注塊11的凸臺四周的三個面上均設有定向凝注塊保溫板8，定向凝注塊11上端設有石墨底板7，石墨底板7上端設有坩堝5，坩堝5外側設有隔熱籠保溫板4，所述坩堝5上端設有C-C蓋板3，C-C蓋板3上端設有隔熱籠C-C板2。

所述加高保溫條12為4條，且其橫截面為“L”型，加高保溫條12垂直面位于隔熱籠框架1內側，加高保溫條12垂直面一端高于另一端。

本實用新型中加高保溫條12設計為三部分，如圖2、圖3所示，第一部分：將加高保溫條12的A1面高度從原來的40mm更改為40-120mm高，靠近A1面(長邊)的高度為40--120mm，靠近A3面(短邊)的高度為40--80mm,A4面加高保溫條高度更改為40--120cm；將組成定向凝注塊保溫板8的A1、A2、A3、A4面中的A1面定向凝注塊保溫板8撤銷，俯視變為”凹”型。第二部分：增加A1面加高保溫條12的高度能夠有效的阻擋A1側部加熱器對邊緣熱量輻射過大的問題，A2、A4面加高保溫條的傾斜設計能夠引導熱量向A3面集中，平衡A1、A3面的熱量；由于熔化階段隔熱籠是處于開屏狀態，將定向凝注塊保溫板8由“回”型變為“凹”型，使得底部散熱位置向高溫區(A1面)偏移，A1面高溫區積存更少的熱量，平衡高低溫區的熱量輻射配合增加高溫區的熱量散失，從而有效的改善底部籽晶面積。第三部分：將隔熱籠加高保溫條12拆除， A2、A4面更換為均是高度長的一邊對A1面，A3面部安裝加高保溫條12，用鉬絲將3根保溫條固定在隔熱籠上，且不向隔熱籠內部凸出，將向凝注塊保溫板8的A1面底部保溫板拆除。