本發明涉及無機材料技術領域,具體說是一種電熔法生產鎂穩定鋯的方法。
背景技術:
鎂基穩定鋯的制取方法主要有燒結法和電熔法,目前耐火材料領域用鎂穩定鋯主要以二步電熔法生產為主。二步電熔法生產鎂穩定鋯,即先用鋯英砂爐內脫硅熔煉出氧化鋯后,再用氧化鋯加穩定劑進行二次熔煉生成穩定型氧化鋯。因氧化鋯有單斜、四方和立方三種晶相,氧化鋯隨著溫度的升高單斜相向四方相、立方相轉變,隨著溫度的降低立方相氧化鋯又逐漸向四方相和單斜相轉變。溫變過程同時伴隨有體積效應發生,所以單斜相氧化鋯無法制造成制品使用,必須引入適量的穩定劑。當前行業鎂基穩定鋯的生產方法主要以電熔法為主,其產品在結構陶瓷、功能陶瓷等領域中得到廣泛應用,但在某些功能陶瓷領域,如用于冶金連鑄用的鎂穩定鋯耐火材料,其抗侵蝕性和使用壽命等指標還存在較大提升空間。目前市場上的鎂穩定鋯普遍存在的缺陷為材料晶粒小,晶界多,晶界間雜質形成有害相,最終導致制品冷強度差,致密度偏低,熱穩定性波動大,不能滿足冶金、化工等行業對鎂基穩定鋯的材料指標的要求。
技術實現要素:
為了克服上述現有技術的缺陷,本發明所要解決的技術問題是提供一種電熔法生產鎂穩定鋯的方法,利用該方法可以生產得到晶體生長足夠大的鎂基穩定鋯,產品晶粒大,晶界少,晶界間生成的有害夾雜相減少,制品的冷強度好,致密度有效提升,熱穩定性好,能有效滿足冶金、化工等行業對鎂基穩定鋯的材料指標的要求。
為了解決上述技術問題,本發明采用的技術方案為:
一種電熔法生產鎂穩定鋯的方法,包括以下步驟:
步驟s1、將氧化鋯與碳素還原劑在電弧爐內脫硅后進行精煉,然后加入鎂穩定劑進行反應;
步驟s2、反應完成后,提升電極至熔池頂部,再向爐內加入氧化鋯繼續熔煉,待氧化鋯熔化后再加入鎂穩定劑進行反應;
步驟s3、重復執行n次步驟s2,n大于或等于1,以熔池液面不超過爐內頂部的安全線高度為宜;
步驟s4、熔煉完成后,用鎂穩定劑覆蓋爐內高溫熔坨表面,保溫120h以上出爐。
本發明的有益效果在于:采用本發明方法生產鎂基穩定鋯,不但可以提升單爐產量,降低產品生產成本,而且可以得到晶體生長足夠大的產品。產品晶粒大,晶界少,晶界間生成有害夾雜相的幾率減少,產品晶相檢測見實例1和實例2圖例,產品質量穩定。同時,此工藝生產出的制品通過檢測冷態抗壓強度達到150-170mpa,真密度為5.85-6.0g/cm3,冷強度好,致密度有效提升,熱穩定性好,能有效滿足冶金、化工等行業對鎂基穩定鋯的材料指標的要求,進一步推動了電熔法制備優質鎂基穩定鋯技術的發展。
附圖說明
圖1為本發明具體實施方式的實施例1的鎂基穩定鋯晶相檢測圖;
圖2為本發明具體實施方式的實施例2的鎂基穩定鋯晶相檢測圖。
具體實施方式
為詳細說明本發明的技術內容、所實現目的及效果,以下結合實施方式予以說明。
本發明最關鍵的構思在于:采用電極上升式分段熔煉技術進行單爐分批熔煉,在下層熔煉完成后,提升電極至熔池頂部再加入氧化鋯和鎂穩定劑進行上層熔煉,利用上層熔體對下層熔坨進行保溫,促進下層熔坨的晶體長大,減少晶界雜質相的形成。熔煉結束后用鎂穩定劑粉料覆蓋爐內的高溫熔坨表面,使熔坨頂部得以保溫,保證熔坨頂部的晶體也有足夠的生長時間,從而生產得到晶粒粗大、晶界少、晶界間生成的有害夾雜相少的鎂穩定鋯。
具體的,本發明提供的電熔法生產鎂穩定鋯的方法,包括以下步驟:
步驟s1、將氧化鋯與碳素還原劑在電弧爐內脫硅后進行精煉,然后加入鎂穩定劑進行反應;
步驟s2、反應完成后,提升電極至熔池頂部,再向爐內加入氧化鋯繼續熔煉,待氧化鋯熔化后再加入鎂穩定劑進行反應;
步驟s3、重復執行n次步驟s2,n大于或等于1,以熔池液面不超過爐內頂部的安全線高度為宜;
步驟s4、熔煉完成后,用鎂穩定劑覆蓋爐內高溫熔坨表面,保溫120h以上出爐。
在上述生產方法中,起初配入少量的碳素還原劑進行脫硅和精煉,可以使爐內殘留的硅、鋁、鐵、鈦等氧化物雜質高溫還原去除,避免雜質對產品的影響。隨后加入鎂穩定劑與氧化鋯進行反應得到鎂穩定鋯,采取電極上升式分段熔煉技術進行單爐分批熔煉,在下層熔煉完成后,提升電極至熔池頂部再加入氧化鋯和鎂穩定劑進行上層熔煉,上層熔體對下層熔坨起到保溫作用,促進下層熔坨的晶體長大,減少晶界雜質相形成作用,同時提高送電操作的連續性,提高單爐產量,降低產品物耗。熔煉結束后,用鎂穩定劑粉料覆蓋爐內高溫熔坨表面,使熔坨頂部得以保溫,降低熔坨頂部的冷卻速度,保證熔坨頂部的晶體有足夠的生長時間。
在上述生產方法中,氧化鋯熔化后再加入鎂穩定劑,可以有效避免鎂穩定劑直接與電極等碳素接觸,防止鎂穩定劑被電極等炭素還原消耗。
從上述描述可知,本發明的有益效果在于:采用本發明方法生產鎂基穩定鋯,不但可以提升單爐產量,降低產品生產成本,而且可以得到晶體生長足夠大的產品。產品晶粒大,晶界少,晶界間生成有害夾雜相的幾率減少,產品質量穩定。同時,此工藝生產出的制品冷強度好,致密度有效提升,熱穩定性好,能有效滿足冶金、化工等行業對鎂基穩定鋯的材料指標的要求,進一步推動了電熔法制備優質鎂基穩定鋯技術的發展。
進一步的,在步驟s1中,電弧爐在精煉時的電壓為160~260v,電流為5~13ka。
進一步的,在步驟s1中,精煉時間為10~40min,以控制爐內熔體為微氧化性氣氛,然后再加入鎂穩定劑進行反應。
從上述描述可知,本發明的有益效果在于:調控爐內熔體為微氧化性氣氛后再加入鎂穩定劑進行穩定化反應,可以有效減少鎂穩定劑與電極等炭素反應的損耗。
進一步的,鎂穩定劑與氧化鋯的反應時間為5~15min。
進一步的,所述氧化鋯為品位≥99wt%的高純電熔氧化鋯,所述碳素還原劑選自石墨電極、石油焦、瀝青焦和木炭中的一種或多種,氧化鋯與碳素還原劑的重量比為氧化鋯∶碳素還原劑=45~90∶1。
進一步的,所述鎂穩定劑的配入量為氧化鋯重量的2.75%~3.75%。
進一步的,在步驟s2中,緩慢提升電極至熔池頂部后,降低電極的功率使熔池的頂部保持有熔區,待氧化鋯加入后再提升至原功率進行熔煉。
從上述描述可知,本發明的有益效果在于:緩慢提升電極至熔池頂部后,降低電極的功率使熔池僅在頂部保持有熔區,一方面可以使熔池的其他部分進行緩慢冷卻結晶,延長晶體的生長時間,促進晶體長大,另一方面熔池頂部保持的熔區也可以有效避免發生過流、斷相等問題而二次起弧。
進一步的,所述鎂穩定劑選自電熔氧化鎂、氫氧化鎂和菱鎂石中的一種或多種。
實施例1
1、將氧化鋯與石墨電極按質量比86:1比例混勻后加入電弧爐內進行脫硅反應后,提升電壓至220v精煉11min,以調控爐內熔體為氧化性氣氛;
2、然后向爐內高溫熔體中加入質量百分比例為3.2%的電熔氧化鎂繼續進行高溫熔煉6min,使電熔氧化鎂與氧化鋯充分熔合穩定;
3、緩慢提升電極至熔池頂部,用小功率保持熔池頂部小區域熔煉,向爐內加入事先備好的氧化鋯原料,提升功率進行高溫熔煉;
4、待氧化鋯熔化后向爐內高溫熔體中加入3.2%比例的電熔氧化鎂繼續進行高溫熔煉8min;
5、按步驟3所述重復操作,直到熔池液面接近爐內頂部安全線高度,斷電停止熔煉;
6、提升起電極后,迅速將事先準備好的電熔氧化鎂粉料鋪入爐內高溫熔坨表面,以保溫讓熔坨在爐內隨爐緩慢冷卻;
7、隨爐冷卻150h后出爐,得到鎂基穩定鋯產品,檢測產品冷態抗壓強度達到164mpa,真密度為5.93g/cm3產品晶相檢測見下圖1。
實施例2
1、將氧化鋯與石墨電極按質量比78:1比例混勻后加入電弧爐內進行脫硅反應后,提升電壓至240v精煉20min,以調控爐內熔體為氧化性氣氛;
2、然后向爐內高溫熔體中加入質量百分比例為3.6%的氫氧化鎂繼續進行高溫熔煉5min,使氫氧化鎂與氧化鋯充分熔合穩定;
3、緩慢提升電極至熔池頂部,用小功率保持熔池頂部部分熔區,向爐內加入事先備好的二氧化鋯原料,提升功率進行高溫熔煉;
4、待氧化鋯熔化后向爐內高溫熔體中加入3.5%比例的氫氧化鎂繼續進行高溫熔煉6.5min;
5、按步驟3所述重復操作,直到熔池液面接近爐內頂部安全線高度,斷電停止熔煉;
6、提升起電極后,迅速將事先準備好的氫氧化鎂粉料鋪入爐內高溫熔坨表面,以保溫讓熔坨在爐內隨爐緩慢冷卻;
7、隨爐冷卻130h后出爐,得到鎂基穩定鋯產品。檢測產品冷態抗壓強度達到158mpa,真密度為5.86g/cm3產品晶相檢測見圖2。
以上所述僅為本發明的實施例,并非因此限制本發明的專利范圍,凡是利用本發明說明書及附圖內容所作的等同變換,或直接或間接運用在相關的技術領域,均同理包括在本發明的專利保護范圍內。