人造石墨散熱片的制造方法
【技術領域】
[0001]本發明是有關于一種人造石墨散熱片的制造方法，特別是指一種PI膜于同一石墨化爐中，進行碳化及石墨化的制造方法。
【背景技術】
[0002]目前，一般現有的石墨散熱片的制造方法，其先將一PI (Polyimide)膜(聚酰亞胺膜)送入一碳化爐中，以1100°C -1300°C的加熱溫度，對該PI膜進行加熱碳化，令該PI膜碳化后形成一 PI碳化片；接著，再將該PI碳化片冷卻，冷卻至室溫后，再將該PI碳化片送入一石墨化爐中，以2800°C -3000°C的加熱溫度，對該PI碳化片進行加熱石墨化，使該PI碳化片石墨化后形成一 PI石墨散熱片；之后，再將該PI石墨散熱片冷卻，冷卻至室溫后，以一壓延裝置壓延其厚度，使該PI石墨散熱片經壓延后，形成厚度15-30 μ m得石墨散熱片成品。
[0003]然而，該現有的石墨散熱片的制造方法雖可制造出熱傳導系數K = 1300-1500w/mk的人造石墨散熱片，但是其制造過程中，需要碳化爐及石墨化爐二種爐體，且碳化后需半天(約6小時)的時間，方可完全冷卻,才能再進行石墨化,石墨化后亦需半天(約6小時)的時間，方可完全冷卻，才能再進行壓延厚度的程序，如此一來，不但增加制作成本，制作程序復雜，而且相當耗費時間，而且石墨化爐為高周波誘導式，利用銅通電誘導發熱對該PI碳化片進行加熱石墨化，高周波誘導式加熱方式容易只加熱至物體的表面，使加熱不均勻，導致成品良率低，產品質量不穩定，相當不便利。
[0004]由此可見，上述現有的物品仍有諸多缺失，實非一良善的設計者，而亟待加以改良。
【發明內容】
[0005]有鑒于此，發明人本于多年從事相關產品的制造開發與設計經驗，針對上述的目標，詳加設計與審慎評估后，終得一確具實用性的發明。
[0006]本發明的主要目的在于提供一種人造石墨散熱片的制造方法，一 PI膜于同一石墨化爐中，進行碳化及石墨化，使大幅降低制作成本，制作程序簡單，而且制造出的石墨散熱片成品，成品良率聞，廣品質量穩定。
[0007]為達上述目的，本發明提供一種人造石墨散熱片的制造方法，包括以下步驟: 步驟一:先將一PI (Polyimide)膜送入一熱阻式石墨化爐中，以1100°C-1300°C的加熱溫度，對該PI膜進行加熱碳化，使該PI膜碳化后形成一 PI碳化片；
步驟二:再以2800°C -3000°C的加熱溫度，對該PI碳化片進行加熱石墨化，使該PI碳化片石墨化后形成一 PI石墨散熱片；
步驟三:再將該PI石墨散熱片冷卻，冷卻至室溫；
步驟四:再以一壓延裝置壓延其厚度，使該PI石墨散熱片經壓延后，形成厚度15-30 μ m得石墨散熱片成品。
[0008]本發明的一個實施例中，其中該熱阻式石墨化爐的加熱方式，將PI膜作為熱阻體，對該PI膜通電加熱。
[0009]為便于貴審查委員能對本發明的目的、形狀、構造裝置特征及其功效，做更進一步之認識與了解，茲舉實施例配合圖式，詳細說明如下。
【附圖說明】
[0010]圖1為本發明人造石墨散熱片的制造方法的制造流程圖。
【具體實施方式】
[0011]本發明是有關一種人造石墨散熱片的制造方法，請參閱圖1所示，本發明的人造石墨散熱片的制造方法，其依下列步驟進行處理:
步驟1:先將一 PI(Polyimide)膜(聚酰亞胺膜)送入一熱阻式石墨化爐中，以IlOO0C -130(TC的加熱溫度，對該PI膜進行加熱碳化，使該PI膜碳化后形成一 PI碳化片。
[0012]步驟2:再以2800°C -3000°C的加熱溫度，對該PI碳化片進行加熱石墨化，使該PI碳化片石墨化后形成一 PI石墨散熱片。
[0013]步驟3:再將該PI石墨散熱片冷卻，冷卻至室溫。
[0014]步驟4:再以一壓延裝置壓延其厚度，使該PI石墨散熱片經壓延后，形成厚度15-30 μ m的石墨散熱片成品。
[0015]上述熱阻式石墨化爐的加熱方式，是將PI膜作為熱阻體，對該PI膜通電加熱。
[0016]如此一來，于同一石墨化爐中，進行碳化及石墨化，可簡化制作程序，使大幅降低制作成本，而且利用熱阻式石墨化爐對該PI膜進行加熱，可加熱均勻，使制造出的石墨散熱片成品，成品良率聞，廣品質量穩定。
[0017]請再參閱第I圖所示，該熱阻式石墨化爐的加熱方式，將PI膜作為熱阻體，對該PI膜通電加熱，因此，可加熱均勻，使制造出的石墨散熱片成品，成品良率高，產品質量穩定。
[0018]綜上所述，本發明所揭示的構造，為昔所無，且確能達到功效的增進，并具可供產業利用性。
[0019]由以上詳細說明，可使熟知本項技藝者明了本發明的確可達成前述目的，以上所述者，僅為本發明的較佳實施例而已，當不能以此限定本發明實施的范圍；故，凡依本發明申請專利范圍及發明說明書內容所作的簡單的等效變化與修飾，皆應仍屬本發明專利涵蓋的范圍內。
【主權項】
1.一種人造石墨散熱片的制造方法，其特征在于包括以下步驟: 步驟一:先將一 PI膜送入一熱阻式石墨化爐中，以1100°c -1300°C的加熱溫度，對該PI膜進行加熱碳化，使該PI膜碳化后形成一 PI碳化片； 步驟二:以2800°C -3000°C的加熱溫度，對該PI碳化片進行加熱石墨化，使該PI碳化片石墨化后形成一 PI石墨散熱片； 步驟三:將該PI石墨散熱片冷卻，冷卻至室溫； 步驟四:以一壓延裝置壓延其厚度，使該PI石墨散熱片經壓延后，形成厚度15-30 μ m得石墨散熱片成品。2.如權利要求1所述的人造石墨散熱片的制造方法，其特征在于，其中該熱阻式石墨化爐的加熱方式，將PI膜作為熱阻體，對該PI膜通電加熱。
【專利摘要】本發明公開了一種人造石墨散熱片的制造方法，其先將一PI(Polyimide)膜送入一熱阻式石墨化爐中，以1100℃-1300℃的加熱溫度，對該PI膜進行加熱碳化，令該PI膜碳化后形成一PI碳化片；接著，再以2800℃-3000℃的加熱溫度，對該PI碳化片進行加熱石墨化，使該PI碳化片石墨化后形成一PI石墨散熱片；之后，再將該PI石墨散熱片冷卻，冷卻至室溫后，以一壓延裝置壓延其厚度，使該PI石墨散熱片經壓延后，形成厚度15-30μm的石墨散熱片成品。
【IPC分類】C01B31/04
【公開號】CN105502348
【申請號】CN201410489431
【發明人】吳玉祥, 周憲聰, 陳伯坤
【申請人】江門市榮炭電子材料有限公司
【公開日】2016年4月20日
【申請日】2014年9月23日