膦硫基電子傳輸材料及其制備方法和應用的制作方法
【專利摘要】本發明屬于有機半導體材料領域，其公開了一種膦硫基電子傳輸材料及其制備方法和應用，該材料的結構式如下：本發明提供的膦硫基電子傳輸材料，電子遷移率較高、熱穩定性較好，作為電子傳輸層用于器件中能提高發光效率。
【專利說明】滕硫基電子傳輸材料及其制備方法和應用
【技術領域】
[0001] 本發明涉及有機半導體材料領域，尤其涉及一種膦硫基電子傳輸材料及其制備方 法和應用。
【背景技術】
[0002] 有機電致發光器件有輕、薄、自發光、低消耗功率、不需要光源、無視角限制、高反 應速率及可制作在軟性基板等優良特性，已被視為平面顯示器和軟性顯示器的明日之星。 傳統的電子傳輸材料的載流子遷移率是空穴傳輸材料的千分之一，且熱穩定性不佳，因此， 常導致發光效率不佳或是元件壽命不長等問題，根據相關文獻表示，電子傳輸材料所占電 荷消耗比率達35. 9%，是僅次于發光層的消耗（39. 8%)，因此現今開發高載流子的電子傳輸 材料是現今OLED才材料開發的重點。
[0003] Alq3因具有好的成膜性，因此，是目前常用的電子傳輸材料的主發光體，不過陸續 有一些載流子遷移率和T g高于Alq3的材料出現，如金屬（Be，Al, Zn)絡合物、1，2,4-膦硫 (TAZ)的衍生物、含氟化合物和含硅化合物等，然而，這些已知的材料載流子遷移率仍不佳， 且有著熱穩定性不佳或運用在器件上產生電流密度低等問題，因此，開發新的電子傳輸材 料是一個很重要的課題。
【發明內容】
[0004] 本發明所要解決的問題在于提供一種電子遷移率較高、熱穩定性較好的膦硫基電 子傳輸材料。
[0005] 本發明的技術方案如下：
[0006] 本發明提供的膦硫基電子傳輸材料，其結構如式所示：
【權利要求】
1. 一種麟硫基電子傳輸材料，其特征在于，該主體材料的結構式如下：
2. -種如權利要求1所述的麟硫基電子傳輸材料的制備方法，其特征在于，包括如下 步驟： 分別提供如下結構式表示的化合物A和B，
在無氧環境下，將摩爾比為1:1?1. 2的化合物A和B添加入含有催化劑和堿溶液的 有機溶劑溶解后，于70?13(TC下進行Suzuki禪合反應12?48小時，降溫后停止禪合 反應，向反應液中加入甲醇沉析，通過索氏提取器過濾之后依次用甲醇和正己焼抽提，然后 W氯仿為溶劑抽提至無色，收集氯仿溶液并旋干得到粉末，收集粉末后在真空下5(TC干燥 2化后，即得如下結構式表示的所述麟硫基電子傳輸材料：
3. 根據權利要求2所述的麟硫基電子傳輸材料的制備方法，其特征在于，所述催化劑 為雙H苯基麟二氯化把或四H苯基麟把，且所述催化劑與所述化合物A的摩爾比為1:20? 1:100。
4. 根據權利要求2所述的麟硫基電子傳輸材料的制備方法，其特征在于，所述催化劑 為摩爾比為1:4?8的有機把與有機麟配體的混合物，且所述催化劑與所述化合物A的摩 爾比為1:20?1:100。
5. 根據權利要求4所述的麟硫基電子傳輸材料的制備方法，其特征在于，所述有機把 為醋酸把或H二氮予基丙麗二把；所述有機麟配體為H鄰甲苯基麟混合物或2-雙環己基 麟-2'，6' -二甲氧基聯苯。
6. 根據權利要求2所述的麟硫基電子傳輸材料的制備方法，其特征在于，所述堿溶液 選自碳酸軸溶液、碳酸鐘溶液及碳酸氨軸溶液中的至少一種，且堿溶液中，堿溶質與化合物 A的摩爾比為20:1。
7. 根據權利要求2至6任一所述的麟硫基電子傳輸材料的制備方法，其特征在于，所述 有機溶劑選自甲苯、N，N-二甲基甲醜胺、四氨巧喃中的至少一種。
8. 根據權利要求2至6任一所述的麟硫基電子傳輸材料的制備方法，其特征在于， Suzuki禪合反應的反應溫度為90?120°C，反應時間為24?36小時。
9. 一種權利要求1所述的麟硫基電子傳輸材料在有機電致發光器件電子傳輸層中的 應用。
【文檔編號】C07F9/6506GK104418888SQ201310386313
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2013年8月29日 優先權日:2013年8月29日
【發明者】周明杰, 張振華, 王平, 陳吉星 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司