高分子化合物及用其形成的高分子發光元件的制作方法

專利名稱：：高分子化合物及用其形成的高分子發光元件的制作方法
技術領域：
：本發明涉及高分子化合物、該高分子化合物的制造方法、用作該高分子化合物的合成原料的化合物，以及含有該高分子化合物的溶液、含有高分子化合物的薄膜、含有該高分子化合物的高分子發光元件。腎景技術對于高分子量的發光材料和電荷輸送材料在溶劑中可溶，能夠通過涂布法形成發光元件中的有機層，人們進行了各種研究，作為例子，己知的是主鏈骨架中具有吩噁嗪作為重復單元的高分子化合物(專利文獻1:日本特開2003-165829)及主鏈中引入了吩噁嗪單元的藍色電場發光高分子(專利文獻2:日本特開2004-137456)。但是，將上述高分子化合物用于高分子發光元件(高分子LED)時，存在以下問題發射波長長，作為藍色發光材料使用時的色度及作為藍色、綠色、紅色、白色等發光材料使用時的壽命等元件特性不一定充足。
發明內容本發明的目的是提供可作為發光材料和電荷輸送材料使用，用于高分子發光元件時，發射波長短，作為藍色發光材料使用時的色度及作為藍色、綠色、紅色、白色等發光材料使用時的壽命等元件特性優異的高分子化合物。艮口，本發明提供含有下述式(1)表示的化合物殘基的高分子化合物。(1)(式中，C'環、(32環及d環各自獨立地表示芳香烴環或雜環。A'表示含有選自硼原子、碳原子、氮原子、氧原子、磷原子、硫原子及硒原子的一種以上原子的2價基團。r'表示垸基、烷氧基、垸硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、烯基、炔基、二取代氨基、三取代甲硅烷基、酰基、酰氧基、亞胺殘基、酰胺基、酰亞胺基、1價雜環基、取代羧基、雜芳氧基或雜芳硫基，或與r'連接的d環上的原子的相鄰原子結合形成環。)一般認為上述式(1)表示的化合物殘基起著高分子led中的發光部分的作用，由于r'的立體位阻，c1、0:2環平面和(:3環發生扭轉，發射波長變短。另外，一般認為引入r'提高了n原子附近的立體體積，從而抑制了鍵能比碳-碳鍵小的碳-氮鍵的裂解，可以改善高分子led的壽命。最佳實施方式本發明的高分子化合物含有上述式(1)表示的化合物殘基。在式(i)中，c'環、d環及d環各自獨立地表示芳香烴環或雜環，這些環還可以具有取代基。此處，作為芳香烴環，碳數為630左右，優選為6~15左右，表示苯環或縮合的芳香烴環。還有，芳香烴基的碳數不包含取代基的碳數。具體來說，可以例示苯環、萘環、蒽環、菲環、l，8-苯嵌萘(phenalene)環、并四苯環、三亞苯環、芘環、萠環、并五苯環、二萘嵌苯環、并環戊二烯環、茚環、甘菊環、聯苯撐環、芴環、苊烯環等。作為雜環，碳數通常為230左右，優選為215左右。還有，雜環基的碳數中不包含取代基的碳數。此處的雜環是指具有環式結構的有機化合物中，構成環的元素不僅有碳原子，環內還含有氧、硫、氮、磷、硼等雜原子的環。在雜環中，優選芳香族雜環。具體來說，可以例示呋喃環、噻吩環、吡咯環、咪唑環、吡唑環、噁唑環、噻唑環、吡啶環、吡嗪環、嘧啶環、噠嗪環、苯并呋喃環、苯并噻吩環、吲哚環、喹啉環、喹喔啉環、二苯并呋喃環、二苯并噻吩環、咔唑環、吖啶環等。^環為芳香烴環或芳香族雜環時，d環的雙鍵與環內的其它不飽和鍵一起構成共軛結構。另外，c^環為非芳香族雜環的雜環時，^環上的鍵合有n原子的碳和鍵合有r1的碳原子之間結合的鍵為雙鍵。作為芳香烴環或雜環，優選苯環或單環型雜環，更優選苯環。作為c'環、d環及d環上的取代基，可以例示卣素原子、烷基、烷氧基、垸硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳垸基、芳垸氧基、芳烷硫基、烯基、炔基、二取代氨基、三取代甲硅烷基、酰基、酰氧基、亞胺殘基、酰胺基、酰亞胺基、1價雜環基、取代羧基、雜芳氧基或雜芳硫基。此處，作為鹵素原子，可以例示氟原子、氯原子、溴原子、碘原子。烷基可以是直鏈狀、支化鏈狀或環狀中的任一種，碳數通常為1~30左右，從對溶劑的溶解性來看，優選碳數為3~15左右，作為其具體例子，可以列舉甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、叔丁基、戊基、異戊基、已基、環己基、庚基、辛基、2-乙基己基、壬基、癸基、3，7-二甲基辛基、月桂基、三氟甲基、五氟乙基、全氟丁基、全氟己基、全氟辛基等，從對有機溶劑的溶解性、元件特性、合成的容易性等方面與耐熱性的平衡考慮，優選戊基、異戊基、己基、辛基、2-乙基己基、癸基、3,7-二甲基辛基。烷氧基可以是直鏈狀、支化鏈狀或環狀中的任一種，碳數通常為1~30左右，從對溶劑的溶解性來看，優選碳數為3~15左右，作為其具體例子，可以列舉甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、異丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、環己氧基、庚氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3,7-二甲基辛氧基、月桂氧基、三氟甲氧基、五氟乙氧基、全氟丁氧基、全氟己氧基、全氟辛氧基、甲氧基甲氧基、2-甲氧基乙氧基等，從對有機溶劑的溶解性、元件特性、合成的容易性等方面與耐熱性的平衡考慮，優選戊氧基、己氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、癸氧基、3，7-二甲基辛氧基。烷硫基可以是直鏈狀、支化鏈狀或環狀中的任一種，碳數通常為1~30左右，從對溶劑的溶解性來看，優選碳數為3~15左右，作為其具體例子，可以列舉甲硫基、乙硫基、丙硫基、異丙硫基、丁硫基、異丁硫基、叔丁硫基、戊硫基、己硫基、環己硫基、庚硫基、辛硫基、2-乙基己硫基、壬硫基、癸硫基、3,7-二甲基辛硫基、月桂硫基、三氟甲硫基等，從對有機溶劑的溶解性、元件特性、合成的容易性等方面與耐熱性的平衡考慮，優選戊硫基、己硫基、辛硫基、2-乙基己硫基、癸硫基、3，7-二甲基辛硫基。芳基是從芳香烴基上除去一個氫原子而形成的原子團，還包括具有稠環的芳基、由兩個以上獨立苯環或稠環直接結合或通過亞乙烯基結合而形成的芳基。芳基碳數通常為660左右，優選為630左右，作為其具體例子，可以例示苯基、C,C,2烷氧基苯基(C廣C,2表示碳數為卜12，以下相同。)、C廣C,2烷基苯基、l-萘基、2-萘基、l-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、五氟苯基等，從對有機溶劑的溶解性、元件特性、合成的容易性等方面考慮，優選C廣C,2垸氧基苯基、C,C,2烷基苯基。作為C廣C,2烷氧基，可以具體列舉甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、異丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、環己氧基、庚氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3,7-二甲基辛氧基、月桂氧基等。i作為dC,2垸基苯基，可以具體例示甲苯基、乙苯基、二甲苯基、丙苯基、2,4,6-三甲苯基(mesityl)、甲基乙基苯基、異丙苯基、丁苯基、異丁苯基、叔丁苯基、戊苯基、異戊苯基、己苯基、庚苯基、辛苯基、壬苯基、癸苯基、十二烷基苯基等o芳氧基碳數通常為660左右，優選為630左右，作為其具體例子，可以例示苯氧基、C廣Cn烷氧基苯氧基、dC12烷基苯氧基、l-萘氧基、2-萘氧基、五氟苯氧基等，從對有機溶劑的溶解性、元件特性、合成的容易性等方面考慮，優選C廣C，2垸氧基苯氧基、C廣d2烷基苯氧基。作為C,d2烷氧基，具體可以例示甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、異丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、環己氧基、庚氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3,7-二甲基辛氧基、月桂氧基等。作為C廣C,2烷基苯氧基，具體可以例示甲基苯氧基、乙基苯氧基、二甲基苯氧基、丙基苯氧基、1，3，5-三甲基苯氧基、甲基乙基苯氧基、異丙基苯氧基、丁基苯氧基、異丁基苯氧基、叔丁基苯氧基、戊基苯氧基、異戊基苯氧基、己基苯氧基、庚基苯氧基、辛基苯氧基、壬基苯氧基、癸基苯氧基、十二烷基苯氧基等。芳硫基碳數通常為660左右，優選為630左右，作為其具體例子，可以例示苯硫基、C,~C12烷氧基苯硫基、C,C,2烷基苯硫基、l-萘硫基、2-萘硫基、五氟苯硫基等，從對有機溶劑的溶解性、元件特性、合成的容易性等方面考慮，優選C廣C,2烷氧基苯硫基、Qd2垸基苯硫基。芳垸基碳數通常為760左右，優選為730左右，作為其具體例子，可以例不苯基-C廣C,2烷基、CiC'2烷氧基苯基-C'Ci2烷基、C廣C'2烷基苯基-C,Cu烷基、l-萘基-C,d2烷基、2-萘基-C廣d2烷基等，從對有機溶劑的溶解性、元件特性、合成的容易性等方面考慮，優選Qd2垸氧基苯基-dd2烷基、Ci~C12綜基苯基-CCi2烷基°芳烷氧基碳數通常為760左右，優選為730左右，作為其具體例子，可以例示苯基甲氧基、苯基乙氧基、苯基丁氧基、苯基戊氧基、苯基己氧基、苯基庚氧基、苯基辛氧基等苯基-C,Q2烷氧基、C廣C,2烷氧基苯基-dC,2垸氧基、C,d2垸基苯基-C廣C,2垸氧基、l-萘基-C!C'2烷氧基、2-萘基-C,d2烷氧基等，從對有機溶劑的溶解性、元件特性、合成的容易性等方面考慮，優選C,C,2烷氧基苯基-C,C,2烷氧基、C,C,2烷基苯基-C廣C,2垸氧基。芳垸硫基碳數通常為760左右，優選為730左右，作為其具體例子，可以例示苯基-Qd2烷硫基、C廣d2垸氧基苯基-C廣C2垸硫基、C廣C。垸基苯基-C廣C,2垸硫基、l-萘基-CH^2垸硫基、2-萘基-C,C,2垸硫基等，從對有機溶劑的溶解性、元件特性、合成的容易性等方面考慮，優選C,C12烷氧基苯基-C廣d2烷硫基、C廣C)2烷基苯基-CC2烷硫基。烯基碳數通常為230左右，優選為215左右。具體來說，可以例示乙烯基、l-丙烯基、2-丙烯基、丁烯基、戊烯基、己烯基、庚烯基、辛烯基、環己烯基。還包括l，3-丁二烯基、環己-l,3-二烯基、1,3,5-己三烯基等二烯基或三烯基。炔基碳數通常為230左右，優選為215左右。具體來說，可以例示乙炔基、l-丙炔基、2-丙炔基、丁炔基、戊炔基、己炔基、庚炔基、辛炔基、環己基乙炔基等，還包括1,3-丁二炔基等二炔基。作為二取代氨基，可以列舉用選自烷基、芳基、芳垸基或l價雜環基中的兩個基團取代的氨基，所述垸基、芳基、芳垸基或l價雜環基也可以具有取代基。二取代氨基的碳數不包含所述取代基的碳數時通常為260左右，優選為230左右。具體來說，可以例示二甲氨基、二乙氨基、二丙氨基、二異丙氨基、二丁氨基、二異丁氨基、二叔丁氨基、二戊氨基、二己氨基、二環己氨基、二庚氨基、二辛氨基、二2-乙基己基氨基、二壬氨基、二癸氨基、二3，7-二甲基辛氨基、二月桂氨基、二環戊氨基、二環己氨基、吡咯烷基、哌啶基、二三氟甲基氨基苯氨基、二苯基氨基、二(C廣d2垸氧基苯基)氨基、二(C廣C,2烷基苯基)氨基、二-l-萘氨基、二-2-萘氨基、二五氟苯基氨基、二吡啶基氨基、二噠嗪基氨基、二嘧啶基氨基、二吡嗪基氨基、二三嗪基氨基、二(苯基-C廣d2烷基)氨基、二(C廣d2烷氧基苯基-C,d2烷基)氨基、二(C,C,2烷基苯基-C廣Ci2烷基)氨基等。作為三取代甲硅垸基，可以列舉用選自烷基、芳基、芳烷基或l價雜環基中的三個基團取代的甲硅烷基。取代甲硅垸基的碳數通常為3~90左右，優選為345左右。還有，上述垸基、芳基、芳烷基或1價雜環基還可以具有取代基。具體來說，可以例示三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三丙基甲硅垸基、三異丙基甲硅垸基、二甲基-異丙基甲硅烷基、二乙基-異丙基甲硅烷基、釵丁基甲硅烷基二甲基甲硅垸基、戊基二甲基甲硅垸基、己基二甲基甲硅烷基、庚基二甲基甲硅烷基、辛基二甲基甲硅烷基、2-乙基己基-二甲基甲硅烷基、壬基二甲基甲硅烷基、癸基二甲基甲硅垸基、3,7-二甲基辛基-二甲基甲硅烷基、月桂基二甲基甲硅烷基、苯基-C廣d2烷基甲硅烷基、C廣C,2垸氧基苯基-C廣C,2烷基甲硅烷基、C,C,2烷基苯基-C廣d2烷基甲硅烷基、1-萘基《1012烷基甲硅烷基、2-萘基-C廣d2垸基甲硅烷基、苯基-C廣d2烷基二甲基甲硅垸基、三苯基甲硅烷基、三對二甲苯基甲硅烷基、三芐基甲硅烷基、二苯基甲基甲硅烷基、叔丁基二苯基甲硅烷基、二甲基苯基甲硅烷基等。酰基碳數通常為230左右，優選為215左右，作為其具體例子，可以例示乙酰基、丙酰基、丁酰基、異丁酰基、特戊酰基、苯甲酰基、三氟乙酰基、五氟苯甲酰基等。酰氧基碳數通常為230左右，優選為215左右，作為其具體例子，可以例示乙酰氧基、丙酰氧基、丁酰氧基、異丁酰氧基、特戊酰氧基、苯甲酰氧基、三氟乙酰氧基、五氟乙酰氧基等。亞胺殘基碳數通常為230左右，優選為215左右，作為其具體例子，可以例示用以下結構式表示的基團等。波浪線表示syn或anti，可以是syn也可以是anti。酰胺基碳數通常為230左右，優選為215左右，作為其具體例子，可以例示甲酰胺基、乙酰胺基、丙酰胺基、丁酰胺基、苯甲酰胺基、三氟乙酰胺基、五氟苯甲酰胺基、二甲酰胺基、二乙酰胺基、二丙酰胺基、二丁酰胺基、二苯甲酰胺基、二三氟乙酰胺基、二五氟乙酰胺基等。酰亞胺基可以列舉從酰胺基上除去結合在氮原子上的氫原子而得到的殘基，碳數為4~30左右，優選為415左右。可以具體例示以下所示基團等。1價雜環基是指從雜環化合物上除去1個氫原子后殘留的原子團，碳數通常為230左右，優選215左右。還有，雜環基上也可以具有取代基，但是碳數中不包含取代基的碳數。此處的雜環化合物是指在具有環式結構的有機化合物中，構成環的元素不僅是碳原子，環中還含有氧、硫、氮、磷、硼等雜原子的化合物。具體來說，可以例示噻吩基、C,C,2烷基噻吩基、吡咯基、呋喃基、吡啶基、C廣C,2垸基吡啶基、哌啶基、喹啉基、異喹啉基等，優選噻吩基、C廣C,2烷基噻吩基、吡啶基、dC,2烷基吡啶基。作為取代羧基，可以列舉被烷基、芳基、芳垸基或1價雜環基取代的羧基，碳數通常為230左右，優選為215左右，作為其具體例子，可以列舉甲氧羰基、乙氧羰基、丙氧羰基、異丙氧羰基、丁氧羰基、異丁氧羰基、叔丁氧羰基、戊氧羰基、己氧羰基、環己氧羰基、庚氧羰基、辛氧羰基、2-乙基己氧基羰基、壬氧羰基、癸氧羰基、3,7-二甲基辛氧羰基、十二烷氧羰基、三氟甲氧羰基、五氟乙氧羰基、全氟丁氧羰基、全氟己氧羰基、全氟辛氧羰基、苯氧羰基、萘氧羰基、吡啶氧羰基等。還有，上述烷基、芳基、芳烷基或1價雜環基也可以具有取代基。取代羧基的碳數不包括上述取代基的碳數。雜芳氧基(用Q'-0-表示的基團，Q'表示1價雜環基)碳數通常為2~30左右，優選為2~15左右。還有，雜環基上也可以具有取代基，但碳數中不包括取代基的碳數。作為其具體例子，可以例示噻吩氧基、C,C，2烷基噻吩氧基、吡咯氧基、呋喃氧基、吡啶氧基、C廣d2烷基吡啶氧基、咪唑氧基、吡唑氧基、三唑氧基、噁唑氧基、噻唑氧基、噻二唑氧基等。Q'優選為l價芳香雜環基。雜芳硫基(用Q、S-表示的基團，(52表示1價雜環基)碳數通常為230左右，優選為2~15左右。還有，雜環基上也可以具有取代基，但碳數中不包括取代基的碳數。作為其具體例子，可以例示噻吩巰基、C廣C,2烷基噻吩巰基、吡咯巰基、呋喃巰基、吡啶巰基、C廣C,2烷基吡啶巰基、咪唑巰基、吡唑巰基、三唑巰基、噁唑巰基、噻唑巰基、噻二唑巰基等。(52優選為1價芳香雜環基。在上述式(1)中，Ai表示含有選自硼原子、碳原子、氮原子、氧原子、瞵原子、硫原子及硒原子的一種以上原子的2價基團。在A'表示的2價基團中，優選以N原子和C'環、^環形成6元環或7元環的基團，更優選形成6元環的基團。可以具體例示下述基團。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage17</formula>式中，R各自獨立地表示氫原子、鹵素原子、垸基、烷氧基、垸硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、烯基、炔基、雜芳用R表示的鹵素原子、垸基、烷氧基、垸硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳垸氧基、芳垸硫基、烯基、炔基、雜芳氧基及雜芳硫基的定義、例子與對上述C1環、C^環或d環上的取代基的記載內容相同。作為用A'表示的2價基團，從化合物的穩定性上考慮，優選用-C(R)2匿、-O-、-S-、-S(=0)-、-S(=0)2-、陽Se-、畫Se(=0)-、-Se(=0)2-表示，更優選-C(R)2-、-O-、隱S-。上述式(1)中，W表示烷基、烷氧基、垸硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳垸氧基、芳烷硫基、烯基、炔基、二取代氨基、三取代甲硅烷基、酰基、酰氧基、亞胺殘基、酰胺基、酰亞胺基、1價雜環基、取代羧<formula>formulaseeoriginaldocumentpage17</formula>基、雜芳氧基或雜芳硫基，或與R'連接的^環上的原子的相鄰原子結合形成環。R'優選為烷基、芳基、芳烷基或l價雜環基，更優選為垸基，最優選為甲基。用R'表示的烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳垸氧基、芳垸硫基、烯基、炔基、二取代氨基、三取代甲硅烷基、酰基、酰氧基、亞胺殘基、酰胺基、酰亞胺基、1價雜環基、取代羧基、雜芳氧基或雜芳硫基的定義與例示的上述C'環、02環或(:3環上的取代基的記載內容相同。'R1、和W連接的d環上的原子的相鄰原子結合形成環時，C^環可以例示下述結構。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage18</formula>式中，結合位置表示與氮原子的結合位置。另外，稠環上還可以具有選自鹵素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳垸氧基、芳烷硫基、烯基、炔基、二取代氨基、三取代甲硅烷基、酰基、酰氧基、亞胺殘基、酰胺基、酰亞胺基、1價雜環基、取代羧基、雜芳氧基及雜芳硫基的取代基。在上述式(1)表示的化合物殘基中，從化合物的穩定性上考慮，C'環及(:2環為苯環或單環性雜環時是優選的。另外，更優選C'環及e環為6元環，進一步優選為苯環。在上述式(1)表示的化合物殘基中，作為C^環，優選為芳香烴環，更優選為苯環，最優選為下述式(3)表示的環。式中，R'與上述含義相同。W及W各自獨立地表示烷基、烷氧基、垸硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳垸基、芳垸氧基、芳烷硫基、烯基、炔基、二取代氨基、三取代甲硅烷基、酰基、酰氧基、亞胺殘基、酰胺基、酰亞胺基、l價雜環基、取代羧基、雜芳氧基或雜芳硫基，RS與R'或W相鄰時，也可以與^或!12結合形成環。W優選為烷基、芳基、芳烷基或l價雜環基，更優選為烷基，最優選為甲基。用W及RS表示的烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳垸氧基、芳烷硫基、烯基、炔基、二取代氨基、三取代甲硅烷基、酰基、酰氧基、亞胺殘基、酰胺基、酰亞胺基、1價雜環基、取代羧基、雜芳氧基或雜芳硫基的定義與例示的上述c'環、e環或^環上的取代基的記載內容相同。n表示0、1、2或3。n為2以上時，多個R可以相同或不同。作為上述式(3)表示的取代基，可以例示下述結構。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage20</formula>在這些結構中，優選下述式(3-1)表示的結構，更優選下述式(3-2)表示的結構。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage21</formula>(3-2)式中，R1、尺2及113與上述含義相同。在上述式(1)表示的化合物殘基中，從化合物的穩定性方面考慮，A1優選為氧原子、硫原子、-S(=0)-、-S(=0)2-、硒原子、-Se(=0)-或-Se(=0)2-，更優選氧原子、硫原子或硒原子，最優選為氧原子或硫原子。作為含有上述式(1)表示的化合物殘基的結構單元的例子，可以列舉主鏈上含有該化合物殘基的單元、主鏈末端含有該化合物殘基的單元、側鏈i上含有該化合物殘基的單元。作為主鏈上含有該化合物殘基的單元，可以例示下述式(2)表示的結構單元。作為本發明的高分子化合物，可以列舉具有下述式(2)表示的結構單元的高分子化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage21</formula>(2)式中，d環、(:2環、d環、V及R'表示與上述相同的含義。具體來說，可以列舉以下結構單元、以下結構單元的苯環或雜環上具有取代基的結構單元等。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage22</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage23</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage24</formula>(^r1(^y(^y"^yc作為c，環及d環，優選d環及d環為苯環及單環性雜環，更優選c1環及e環為6六元環，進一步優選為苯環，最優選為下述式(2-1)表示的情況。(2-1)式中，A1、^環及W表示與上述相同的含義。另外，苯環上還可以具有取代基。作為上述式(2)表示的重復單元，以下例示下述結構。苯環或雜環上也可以具有取代基。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage26</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage27</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage28</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage29</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage30</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage31</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage32</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage33</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage34</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage2</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage36</formula>在含有上述式(1)表示的化合物殘基的結構單元中，當主鏈末端含有該化合物殘基或側鏈含有該化合物殘基時，用下述式(1-1)或(1-2)表示。(1一2)側鏈含有上述式(l-l)或(1-2)表示的結構時，主鏈和該結構也可以通過氧原子、硫原子、亞烷基、亞芳基、亞烯基、亞炔基或2價雜環基進行結合。另外，也可以通過這些基團中的兩個以上組合形成的2價基團進行結no此處的亞垸基碳數為1~30左右，優選為115左右。具體來說，可以例示亞甲基、亞乙基、亞丙基、三亞甲基、四亞甲基、五亞甲基、1,3-亞環戊基、1,4-亞環己基等。亞烯基碳數通常為230左右，優選為215左右。具體來說，可以列舉亞乙烯基、亞丙基等。另外，亞烯基中包含1,3-亞丁二烯基等亞二烯基。亞炔基碳數通常為230左右，優選為215左右。具體來說，可以例示亞乙炔基等。另外，亞炔基還包含具有兩個三鍵的基團，例如可以列舉1，3-亞丁二炔基。亞芳基表示從芳香烴化合物上除去兩個氫原子后的基團，構成芳香環的碳數通常為630左右，優選為615左右。作為其具體例子，可以列舉亞苯基、亞聯苯基、亞三聯苯基、亞萘基、亞蒽基、亞菲基、亞并環戊二烯基、亞茚基、亞庚搭烯基、亞苯并二茚基、亞苯并菲基、亞聯萘基、苯基萘二基、亞芪基、亞芴基等。2價雜環基表示從雜環化合物上除去兩個氫原子后的基團，構成雜環基的環的碳原子通常為230左右，優選為215左右。作為具體例子，可以列舉亞吡啶基、亞二氮雜苯基、亞喹啉基、亞喹喔啉基、亞吖啶基、亞聯吡啶基、亞菲咯啉基。作為上述式(1-1)表示的結構，可以例示下述基團。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage39</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage40</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage41</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage42</formula>QrQ廣QQQcQQSQsstyct>tf6力力力。力。力。^。wC5Lin々3n々o"C3《oC3。"UN"C。*>=(AJ-1Jrz>=<o*T、。*IM訪，^「。T(c1QyQ,pQto5N人,、)o=sN—1-、>QsN-^、9。^。V。力5On9。wk1'3力力力力々wo廣u力々s々。K々<formula>formulaseeoriginaldocumentpage44</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage45</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage46</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage47</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage48</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage49</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage50</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage51</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage52</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage2</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage54</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage55</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage56</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage57</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage58</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage59</formula>高分子化合物中含有(1)表示的化合物殘基時，可以僅在主鏈中含有，也可以僅在主鏈末端含有，也可以僅在側鏈上含有，也可以在其中兩個以上部分含有，但優選至少在主鏈中含有。對于上述式(1)表示的化合物殘基，也可以通過計算限定優選范圍。即，可以認為，在上述式(1)表示的化合物殘基中，通過抑制鍵能比碳-碳鍵小的碳-氮鍵的分裂，可以改善形成高分子LED時的壽命。作為與碳-氮鍵的分裂相關的參數，使用N原子的屏蔽率及電子密度，滿足下述式(11)時，就呈現出長壽命。可以認為，屏蔽率越大，越能抑制分子接近，分子接近是因為N原子上產生副反應，N原子上的電子密度越小，N原子的親核反應性越小，可以抑制副反應。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage60</formula>式中，A表示與d環結合的氮原子的屏蔽率，B表示與(^環結合的氮原子的電子密度。此處的屏蔽率用以下式定義。A=l_(Of/4兀)①f是在化合物最穩定的立體構象中，以該氮原子的中心為原點，將從原點到最遠的化合物內原子的中心的距離作為L，將各化合物內原子的VanderWaals半徑作為a，假定在原點放置光源時，從點光源發出的光不被氮原子以外的化合物內原子遮擋地在以原點為中心、半徑為L+a的球面內部照亮的部分的立體角的總和。還有，此處用所述點光源的光表示是為了方便，無需考慮光之間的干涉、衍射等。另外，在從氮原子以外的化合物內各原子的中心為起點，各原子的VanderWaals半徑內的區域，上述光不被遮擋。為了求出Of，可以在由原點和半徑L+a的球面內表面微小區域連接形成的空間區域中，求出不存在氮原子以外的其它原子時的立體角，通過求出該立體角總和確定①f。不存在氮原子以外的其它原子的情況是指在該空間區域中，以該其它原子為中心的該原子的VanderWaals半徑內的區域不存在的情況。B是在化合物最穩定的立體構象中，選擇由分子軌道法求出的最高占有分子軌道(HOMO)中的任意一個，是該最高占有分子軌道對應于該氮原子的原子軌道系數平方的值，通過下式求出。B=(ch,)2此處，C^目表示該氮原子的HOMO的原子軌道系數。另外，原子軌道系數平方的值的計算按有效數字3位數進行。還有，用于計算立體角的總和Of和分子軌道的化合物的最穩定立體構象，以及最高占有分子軌道的原子軌道系數可以通過利用作為半經驗性分子軌道法的AMI法(Dewar，M.J.S.etal,J.Am.Chem.Soc.,107，3902(1985))進行結構最優化來求出。對計算方法進行具體說明。即，對于化合物單體，使用分子軌道計算程序WinMOPAC3.0Professional(MOPAC2000V1.3)，一邊用AMI法進行結構最優化，一邊進行計算(關鍵詞AMIPRECISEEFVECTORS)。含有上述式(1)表示的化合物殘基的高分子化合物(優選含有式(2)表示的重復單元的高分子化合物)進一步含有下述式(4)表示的重復單元時，被用于高分子發光元件時發光效率及壽命等元件特性優異，就此而言是優選的。，、<formula>formulaseeoriginaldocumentpage62</formula>(4)式中，Ar1的表示亞芳基、2價雜環基或具有金屬絡合物結構的2價基團。R"及RS各自獨立地表示氫原子、烷基、芳基、l價雜環基或氰基。n表示0或l。作為Ar1中的亞芳基，碳數通常為6~60，優選為6~20，可以例示亞苯基(下圖的式1~3)、亞萘基(下圖的式413)、亞蒽基(下圖的式14~19)、亞聯苯基(下圖的式2025)、亞聯三苯基(下圖的式2628)、稠環化合物基(下圖的式2938)。式中，R各自獨立地表示氫原子、鹵素原子、烷基、垸氧基、垸硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳垸基、芳烷氧基、芳烷硫基、烯基、炔基、雜芳氧基或雜芳硫基。還有，亞芳基的碳數中不包括取代基R的碳數。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage62</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage63</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage64</formula>在本發明中，2價雜環基是指從雜環化合物上除去兩個氫原子后殘留的原子團，碳數通常為460，優選為420。式中，R各自獨立地表示氫原子、鹵素原子、垸基、烷氧基、垸硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳垸基、芳烷氧基、芳烷硫基、烯基、炔基、雜芳氧基或雜芳硫基。還有，2價雜環基的碳數中不包括取代基的碳數。在本發明中，2價雜環基是指從雜環化合物上除去兩個氫原子后殘留的原子團，碳數通常為460，優選為4~20。式中，R各自獨立地表示氫原子、鹵素原子、垸基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳垸硫基、烯基、炔基、雜芳氧基或雜芳硫基。還有，2價雜環基的碳數中不包括取代基的碳數。此處的雜環化合物是指在具有環式結構的有機化合物中，構成環的元素不僅是碳原子，環中還含有氧、硫、氮、磷、硼等雜原子的化合物。作為2價雜環基，例如可以列舉以下基團。含有氮作為雜原子的2價雜環基亞吡啶基(下圖的式3944)、亞二氮雜苯基(下圖的式4548)、亞喹啉基(下圖的式4963)、亞喹喔啉基(下圖的式64~68)、亞吖啶基(下圖的式6972)、亞聯吡啶基(下圖的式73~75)、亞菲咯啉基(下圖的式7678)等。具有含硅、氮、硫、硒等雜原子的芴結構的基團(下圖的7993)。另外，具有含氮原子的式82~84的咔唑及三苯胺二基等芳香胺單體時，從發光效率上來看是被期望的。含有硅、氮、硫、硒等雜原子的5元環雜環基:可以列舉(下圖的式9498)。含有硅、氮、硫、硒等雜原子的5元環縮合雜環基(下圖的式99~109)，可以列舉苯并噻二唑基-4,7-二基或苯并噁二唑-4,7-二基等。含有硅、氮、硫、硒等雜原子的5元環雜環基上，與其雜原子的a位結合形成二聚體和低聚物的基團可以列舉(下圖的式110~118)。含有硅、氮、硫、硒等雜原子的5元環雜環基上，用其雜原子的a位結合苯基而形成的基團可以列舉(下圖的式112118)。含有硅、氮、硫、硒等雜原子的縮合雜環基和苯環或單環性雜環基結合而形成的3環性基團可以列舉(下圖的式120~125)。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage66</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage67</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage68</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage69</formula>具有金屬絡合物結構的2價基團是指從具有有機配位體的金屬絡合物的有機配位體上除去兩個氫原子后殘留的2價基團。該有機配位體的碳數通常為4~60左右，作為其例子，可以列舉8-羥基喹啉醇及其衍生物、苯并羥基喹啉及其衍生物、2-苯基吡啶及其衍生物、2-苯基-苯并噻唑及其衍生物、2-苯基-苯并噁唑及其衍生物、P卜啉及其衍生物等。另外，作為該絡合物的中心金屬，例如可以列舉鋁、鋅、鈹、銥、鉑、金、銪、鋱等。作為具有有機配位體的金屬絡合物，可以列舉作為低分子熒光材料、磷光材料的公知金屬絡合物、三重態發光絡合物等。作為具有金屬絡合物結構的2價基團，可以具體地例示以下(126-132)。式中，R各自獨立地表示氫原子、鹵素原子、垸基、烷氧基、垸硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、烯基、炔基、雜芳氧基或雜芳硫基。還有，具有金屬絡合物結構的2價基團的碳數不包括取代基的碳數。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage70</formula>作為上述式(4)表示的重復單元，優選n為0，更優選為Ar1為亞芳基。作為上述式(4)表示的重復單元，更優選下述式(4-1)表示的結構。(4-1)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage71</formula>式中，d環及CS環各自獨立地表示可以具有取代基的芳香烴環，兩個鍵合位置分別存在于C4環和/或C5環上，Rw及Rx各自獨立地表示氫原子、烷基、烷氧基、垸硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳垸基、芳烷氧基、芳垸硫基、烯基、炔基、二取代氨基、三取代甲硅烷基、酰基、酰氧基、亞胺殘基、酰胺基、酰亞胺基、1價雜環基、取代羧基、雜芳氧基或雜芳硫基，Rw及RX也可以分別相互結合形成環。芳香烴環碳數為6~30左右，優選為6~15左右，表示苯環或縮合芳香烴環。還有，芳香烴基的碳數不包括取代基的碳數。可具體地例示苯環、萘環、蒽環、菲環、1，8-苯嵌萘(phenalene)環、并四苯環、三亞苯環、芘環、苗環、并五苯環、二萘嵌苯環、并環戊二烯環、茚環、甘菊環、聯苯撐環、芴環、苊烯環等。作為Rw及Rx上的烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、烯基、炔基、二取代氨基、三取代甲硅烷基、酰基、酰氧基、亞胺殘基、酰胺基、酰亞胺基、1價雜環基、取代羧基、雜芳氧基或雜芳硫基，與對上述C1、d及d環上的取代基的記載相同。作為上述式(4-1)表示的重復單元，可以具體列舉下述基團及下述基團上帶有選自烷基、烷氧基、垸硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷ft基、芳烷硫基、烯基、炔基、二取代氨基、三取代甲硅垸基、酰基、酰氧基、亞胺殘基、酰胺基、酰亞胺基、1價雜環基、取代羧基、雜芳氧基、雜芳硫基及鹵素原子的取代基而形成的基團。還有，在以下內容中，芳香烴上的結合位置表示可采取任意位置。其中，優選IA-O、1A-1、1A-2及1A-3表示的重復單元，最優選IA-O。另外，從提高耐熱性、改善電荷輸送性、提高發光效率等改善元件特性方面考慮，本發明的高分子化合物優選含有1種以上下述式(5)表示的重復單元，更優選含有1種或2種。式中，Ar2、Ar3、A/及A一各自獨立地表示亞芳基或2價雜環基。Ar6、A,及AfS各自獨立地表示芳基或1價雜環基。a及b各自獨立地表示0或正整數。Ar2、Ar3、Ar4、Ar5、Ar6、Ar^及Ar8還可以具有取代基。在本發明中，從發光強度、元件壽命特性等元件特性考慮，上述式(5)表示的重復單元相對于全部重復單元的含量優選為2摩爾％以上40摩爾％以下，更優選為5摩爾％以上30摩爾％以下。作為上述式(5)表示的重復單元的具體例子，可以列舉以下的(式133140)表示的重復單元。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage75</formula>在上述式中，R各自獨立地表示氫原子、垸基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、氨基、取代氨基、甲硅垸基、取代甲硅垸基、鹵素原子、酰基、酰氧基、亞胺殘基、酰胺基、酰亞胺基、1價雜環基、羧基、取代羧基或氰基。在上述式中，R是含垸基的取代基時，為了提高高分子化合物對有機溶劑的溶解性，優選含有1個以上環狀垸基或帶支鏈的烷基。而且，在上述式中，R部分含有芳基或雜環基時，它們還可以進一步具有一個以上的取代基。在上述式133140表示的結構中，從調節發射波長上考慮，優選上述式134及上述式137表示的結構。在上述式(5)表示的重復單元中，從調節發射波長、元件壽命等元件特性上考慮，優選Ar2、Ar3、A,及A—各自獨立地表示亞芳基，Ar6、A,及ArS各自獨立地表示芳基。作為Ar2、A—及Ar4，優選各自獨立地為無取代亞苯基、無取代聯苯基、無取代亞萘基、無取代亞蒽基。作為Ar6、A^及Ar8，從對有機溶劑的溶解性、元件特性等方面考慮，優選各自獨立地為具有l個以上取代基的芳基，更優選具有3個以上取代基的芳基。更優選Ar6、A一及ArS是具有3個以上取代基的苯基、具有3個以上取代基的萘基或具有3個以上取代基的蒽基，進一步優選Ar6、A,及Ar8是具有3個以上取代基的苯基。其中，優選Ar6、Ai^及ArS各自獨立地為下述式(5-1)，且a+b《3，更優選a+b-l，進一步優選a-l，b=0。[式中，Re、Rf及Rg各自獨立地表示烷基、烷氧基、垸硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、氨基、取代氨基、甲硅垸基、取代甲硅垸基、甲硅烷氧基、取代甲硅垸氧基、1價雜環基或鹵素原子。Re、Rf及Rg中所含的氫原子還可以被氟原子取代。Rh及Ri各自獨立地表示氫原子、烷基、垸氧基、垸硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳垸氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、氨基、取代氨基、甲硅垸基、取代甲硅烷基、甲硅烷氧基、取代甲硅烷氧基、1價雜環基或鹵素原子。Re、Rf及Rg中所含的氫原子還可以被氟原子取代。苯環上相鄰的兩個取代基也可以相互結合成環。]更優選列舉上述式(5-l)中Re及Rf各自獨立地為碳數為3以下的烷基、碳數為3以下的烷氧基、碳數為3以下的垸硫基，并且Rg為碳數為1~30的垸基、碳數為1~30的烷氧基、碳數為1~30的垸硫基的基團。在上述式(5)表示的重復單元中，優選A—為下述式(5-2)或(5-3)。[此處，(5-2)、(5-3)表示的結構中所含的苯環優選是無取代的，但也可以各自獨立地具有1個以上4個以下的取代基。這些取代基可以相同，也可以不同。另外，也可以是多個取代基連接成環。另外，該苯環上的其它芳香烴環或雜環也可以進行縮合。]作為上述式(5)表示的重復單元，特別優選的具體例子可以列舉以下的(式141-143)。式中，Re、Rf、RgRh及Ri與上述相同。作為上述式(5)的優選具體例子，從熒光強度、調節發射波長、耐熱性等元件特性上考慮，優選下述式(22)、(23)、(24)表示的重復單元。在本發明的高分子化合物中，從形成薄膜時的電荷輸送性、被用于高分子發光元件時的發光效率及壽命等元件特性上考慮，優選共軛類高分子。此處的共軛類高分子是指沿聚合物主鏈骨架存在非定域化7U電子對的高分子。作為該非定域化電子，有時不是雙鍵，而是由不成對電子或孤對電子進行共振疊加。在不損害發光特性和電荷輸送性的范圍內，也可以用非共軛單元進行連接，重復單元上也可以含有這些非共軛部分。作為非共軛鍵合結構，可以例示以下所示結構或以下所示結構中的2種以上的組合等。此處，R表示氫原子、鹵素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳垸硫基、烯基、炔基、雜芳氧基或雜芳硫基。Ar表示芳香烴環或雜環。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage79</formula>_另外，本發明的高分子化合物也可以是無規、嵌段或接枝共聚物，也可以是具有它們的中間結構的高分子，例如帶有嵌段性的無規共聚物。從得到熒光或磷光量子收率高的高分子發光體方面考慮，相對于完全無規共聚物，更優選帶有嵌段性的無規共聚物、嵌段共聚物或接枝共聚物。還包括主鏈上具有分枝，末端為3個以上的情況及樹枝狀聚合物。在本發明的高分子化合物中，從被用于高分子發光元件時的發光效率及壽命等元件特性考慮，優選含有上述式(1)表示的結構的結構單元相對于全部結構單元的含量為0.1摩爾％以上40摩爾％以下，更優選為1摩爾％以上30摩爾％以下。從被用于高分子發光元件時的發光效率和壽命等元件特性考慮，本發明的高分子化合物的經過聚苯乙烯換算的數均分子量優選為103~108，經過聚苯乙烯換算的重均分子量更優選為5X104107。本發明的高分子化合物可通過使用下述式(6)表示的化合物作為原料進行聚合的方法進行制造。(6)式中，C"環、d環、^環、A'及R1表示與上述相同的含義。X'、X2各自獨立地表示能參與聚合的取代基。作為能參與聚合的取代基，可以列舉鹵素原子、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基、芳基烷基磺酸酯基、硼酸酯基、锍甲基、轔甲基、膦酸酯甲基、單鹵化甲基、鹵化鎂基、甲錫垸基、-B(OH)2、甲酰基、氰基、乙烯基等。其中，優選-B(0H)2、硼酸酯基、鹵化鎂、甲錫烷基、鹵素原子、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基或芳基垸基磺酸酯基。此處，作為鹵素原子，可以列舉氟原子、氯原子、溴原子、碘原子，優選氯原子、溴原子或碘原子，更優選溴原子。作為垸基磺酸酯基，可以例示甲基磺酸酯基、乙基磺酸酯基、三氟甲基磺酸酯基等，作為芳基磺酸酯基，可以例示苯磺酸酯基、對甲苯磺酸酯基等，作為芳基垸基磺酸酯基，可以例示芐基磺酸酯基等。作為硼酸酯基，可以列舉二烷基酯、二芳基酯、二芳烷基酯，可以例示下述式所示的基團。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage80</formula>作為锍甲基，可以例示下述式所示的的基團。-CH2S+Me2X—、-CH2S+Ph2X—(X表示鹵素原子，Ph表示苯基。)作為轔甲基，可以例示下述式所示的的基團。-CH2P+Ph3X—(X表示鹵素原子。)作為膦酸酯甲基，可以例示下述式所示的的基團。-CH2PO(OR')2(X表示卣素原子，R'表示烷基、芳基、芳烷基。)作為單卣化甲基，可以例示氟化甲基、氯化甲基、溴化甲基、碘化甲基。作為鹵化鎂基，可以例示氯化鎂基、溴化鎂基、碘化鎂基。甲錫烷基表示具有選自氫原子、鹵素原子、烷基、芳基及芳烷基的三個取代基的甲錫垸基，可以例示甲錫烷基、三氯甲錫垸基、三甲基甲錫烷基、三乙基甲錫烷基、三正丁基甲錫烷基、三苯基甲錫垸基、三芐基甲錫烷基。作為能參與聚合的取代基，優選的取代基隨聚合反應種類而異，例如在Yamamoto偶聯反應等使用0價鎳絡合物的情況下，可以列舉鹵素原子、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基或芳基垸基磺酸酯基。另外，在Suzuki偶聯反應等使用鎳催化劑或鈀催化劑的情況下，可以列舉烷基磺酸酯基、鹵素原子、硼酸酯基、3(0印2等。作為本發明的制造方法，具體來說，可以將作為單體的具有多個能參與聚合的取代基的化合物必要時溶解在有機溶劑中，例如使用適當的催化劑，在有機溶劑的熔點以上沸點以下進行。例如可以使用以下文獻中記載的公知方法OrganicReactions,第14巻，270-490頁，JohnWiley&Sons,Inc.,1965年；OrganicSyntheses,CollectiveVolumeVI，第6巻，407-411頁，JohnWiley&Sons,Tnc.，1988年；Chem.Rev.,第95巻,2457頁(1995年)；J.Organomet.Chem.,第576巻，147頁(1999年)；Makromol.Chem"Macromol.Symp.，第12巻，229頁(1987年)等。在本發明的高分子化合物的制造方法中，作為聚合方法，可以根據上述式(5)表示的化合物的能參與聚合的取代基，使用已知的縮合反應進行制造。另外，通過在具有2個以上能參與聚合的取代基的化合物共存下實施聚合，可以制造共聚物。通過共聚具有3個以上能參與聚合的取代基的化合物，可以制造具有支化結構的高分子化合物。在本發明的高分子化合物的聚合中，生成雙鍵時，例如可以列舉日本特開平5-202355號公報中記載的方法。即，可以例示通過具有甲酰基的化合物和具有轔甲基的化合物的、或具有甲酰基和鱗甲基的化合物的化合物的Wittig反應聚合；具有乙烯基的化合物和具有鹵素原子的化合物的Heck反應聚合；具有2個或2個以上單鹵化甲基的化合物的脫鹵化氫法縮聚；具有2個或2個以上锍甲基的化合物的锍鹽分解法縮聚；具有甲酰基的化合物和具有氰基的化合物的Knoevenagd反應聚合等方法；具有2個或2個以上甲酰基的化合物的McMurry反應聚合等方法。在本發明的高分子化合物通過縮聚在主鏈上生成三鍵的情況下，例如可以利用Heck反應、Sonogashira反應。另外，在不生成雙鍵及三鍵的情況下，例如可以列舉通過該單體的Suzuki偶聯反應進行聚合的方法、通過Grignard反應進行聚合的方法、通過Ni(0)絡合物進行聚合的方法、通過FeCl3等氧化劑進行聚合的方法、進行電化學氧化聚合的方法、或利用具有適當脫離基的中間體高分子的分解的方法等。在這些方法中，從分子量控制的容易性、共聚合時組成比控制的容易性上考慮，優選Wittig反應聚合、Heck反應聚合、Knoevenagel反應聚合、以及利用Suzuki偶聯反應的聚合方法、通過Grignard反應進行聚合的方法及利用0價鎳絡合物進行聚合的方法。其中，更優選利用Suzuki偶聯反應的聚合方法及利用0價鎳絡合物進行聚合的方法，最優選利用Suzuki偶聯反應的聚合方法。在本發明的制造方法中，優選能參與聚合的取代基各自獨立地選自鹵素原子、烷基磺酸酯、芳基磺酸酯基或芳基垸基磺酸酯基，在O價鎳絡合物或鈀催化劑存在下進行縮聚的制造方法。作為原料化合物，可以列舉二鹵化化合物、雙(垸基磺酸酯)化合物、雙(芳基磺酸酯)化合物、雙(芳基烷基磺酸酯)化合物或鹵-垸基磺酸酯化合物、鹵-芳基磺酸酯化合物、鹵-芳基垸基磺酸酯化合物、烷基磺酸酯-芳基磺酸酯化合物、烷基磺酸酯-芳基垸基磺酸酯化合物、芳基磺酸酯-芳基烷基磺酸酯化合物。在這種情況下，例如可以列舉通過使用鹵-烷基磺酸酯化合物、鹵-芳基磺酸酯化合物、鹵-芳基烷基磺酸酯化合物、垸基磺酸酯-芳基磺酸酯化合物、垸基磺酸酯-芳基烷基磺酸酯化合物、芳基磺酸酯-芳基烷基磺酸酯化合物作為原料化合物，制造重復單元的方向和順序得到控制的高分子化合物的方法。另外，在本發明的制造方法中，優選以下制造方法能參與聚合的取代基各自獨立地選自鹵素原子、垸基磺酸酯基、芳基磺酸酯基、芳基烷基磺酸酯基、-B(OH)2、或硼酸酯基，全部原料化合物中具有的鹵素原子、垸基磺酸酯基、芳基磺酸酯基及芳基垸基磺酸酯基的摩爾數合計G)，-B(0H)2及硼酸酯基的摩爾數的合計(K)的比實質為l(通常K/J為0.71.2)，使用鎳催化劑或鈀催化劑進行縮聚。作為具體的原料化合物的組合，可以列舉二鹵化化合物、雙(垸基磺酸酯)化合物、雙(芳基磺酸酯)化合物或雙(芳基烷基磺酸酯)化合物和二硼酸化合物或二硼酸酯化合物的組合。另外，還可列舉鹵-硼酸化合物、鹵-硼酸酯化合物、垸基磺酸酯-硼酸化合物、烷基磺酸酯-硼酸酯化合物、芳基磺酸酯-硼酸化合物、芳基磺酸酯-硼酸酯化合物、芳基烷基磺酸酯-硼酸化合物、芳基烷基磺酸酯-硼酸化合物、芳基烷基磺酸酯-硼酸酯化合物。在這種情況下，例如可以列舉通過使用卣-硼酸化合物、鹵-硼酸酯化合物、垸基磺酸酯-硼酸化合物、垸基磺酸酯-硼酸酯化合物、芳基磺酸酯-硼酸化合物、芳基磺酸酯-硼酸酯化合物、芳基烷基磺酸酯-硼酸化合物、芳基烷基磺酸酯-硼酸酯化合物作為原料化合物，制造重復單元的方向和順序得到控制的高分子化合物的方法。有機溶劑隨使用的化合物及反應而異，通常為了抑制副反應，優選對使用的溶劑施加脫氧處理，在惰性氣氛下進行反應。另外，優選同樣進行脫水處理。但是，在像Suzuki偶聯反應這種與水相形成兩相體系的反應的情況下，沒有這種限制。溶劑隨所使用的化合物及反應而異，可以例示戊烷、己烷、庚垸、環己烷等飽和烴；苯、甲苯、乙苯、二甲苯等不飽和烴；四氯化碳、氯仿、二氯甲烷、氯丁烷、溴丁烷、氯戊烷、溴戊烷、氯己垸、溴己烷、氯代環己垸、溴代環己烷等鹵化飽和烴；氯苯、二氯苯、三氯苯等鹵化不飽和烴；甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、丁醇、叔丁醇等醇類；甲酸、醋酸、丙酸等羧酸類；二甲醚、二乙醚、乙基叔丁基醚、四氫呋喃、四氫吡喃、二噁垸等醚類；三甲胺、三乙胺、N，N,N，,N，-四甲基乙二胺、吡啶等胺類、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N,N-二乙基乙酰胺、N-甲基氧化嗎啉等酰胺類等，可以使用單一溶劑或它們的混合溶劑。為了使反應進行，要添加適宜的堿或適當的催化劑。它們可根據所采用的反應進行選擇。優選該堿或催化劑是在反應中使用的溶劑中充分溶解的物質。作為堿或催化劑的混合方法，可以例示一邊在氬或氮等惰性氣體氛圍中攪拌反應液，一邊緩慢添加堿或催化劑的溶液，或相反在堿或催化劑的溶液中緩慢添加反應液的方法。將本發明的高分子化合物用于高分子LED等中時，由于其純度會影響發光特性等元件性能，因此優選用蒸餾、升華精制、重結晶等方法對聚合前的單體進行精制，然后進行聚合。另外，優選在聚合后通過再沉淀精制、色譜分級等進行純化處理。在本發明的高分子化合物的制造中，優選使用由下述式(7)、(8)或(9)表示的化合物進行聚合。式中，c'環、<:2環、d環及W表示與上述相同的含義。az表示用-br'-、-C(R，)2隱、-NR，-、-O-、-PR，-、-P(=0)R，-、-Se-、-Se00)-或-Se(=0)r表示的基團。R'各自獨立地表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳垸基、芳烷氧基、芳烷硫基、烯基、炔基、二取代氨基、三取代甲硅烷基、酰基、酰氧基、1價雜環基、取代羧基、雜芳氧基或雜芳硫基。^及X"各自獨立地表示鹵素原子、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基、芳基垸基磺酸酯基、硼酸酯基、锍甲基、鱗甲基、磷酸酯甲基、單鹵化甲基、鹵化鎂基、取代甲硅烷基、甲錫烷基、-B(OH)2、甲酰基、氰基或乙烯基。在上述式(7)中，C'環及(^環為苯環或單環性雜環時，從化合物的穩定性上考慮是優選的。更優選c'環及d環為六元環，進一步優選為苯環。作為<33環，優選d環為芳香烴環，更優選為苯環，最優選為上述式(3)表示的結構。八2優選為氧原子、硒原子、-Se(=0)-或-Se(=0)2-，更優選為氧原子或硒原子，最優選為氧原子。作為^及X4，優選各自獨立地為-B(OH)2、硼酸酯基、鹵素原子、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基或芳基垸基磺酸酯基，更優選為-B(0H)2、硼酸酯基或鹵素原子，進一步優選為鹵素原子，其中再優選氯原子、溴原子或碘原子，最優選溴原子。式中，C)環、<:2環、^環、R1、y及X"表示與上述相同的含義。A3包含硼原子、碳原子、氮原子、氧原子、磷原子、硫原子或硒原子，表示利用C'環、N原子和e環形成7元環或8元環的2價基團。在上述式(8)中，d環及(^環為苯環或單環性雜環時，從化合物的穩定性上考慮是優選的。更優選^環及C^環為6元環，更優選為苯環。作為^環，優選^環為芳香烴環，更優選為苯環，最優選為上述式(3)表示的結構。AM尤選利用C'環、N原子和d環形成7元環，從化合物的穩定性上考慮，更優選用2個碳原子進行橋接。作為^及X4，優選各自獨立地為-B(0H)2、硼酸酯基、鹵素原子、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基或芳基烷基磺酸酯基，更優選為-B(OH)2、硼酸酯基或鹵素原子，進一步優選為鹵素原子，其中再優選氯原子、溴原子或碘原子，最優選溴原子。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage85</formula>式中，^環、C2環、R1、R2、R3、n、X3及X4表示與上述相同的含義。A4表示用-C(=0)-、-C(=CR，2)-、-S-、陽S(=0)畫或-S(=0)2-表示的基團。在上述式(9)中，C、環及d環為苯環或單環性雜環時，從化合物的穩定性上考慮是優選的。更優選C'環及(^環為6元環，更優選為苯環。R'及W優選為烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、二取代氨基、1價雜環基、雜芳氧基或雜芳硫基。更優選為垸基、芳基、芳烷基或1價雜環基，更優選為烷基。AM尤選為硫原子、-S(=0)-或-S(=0)2-，更優選為硫原子。作為《及X4，優選各自獨立地為-B(OH)2、硼酸酯基、鹵素原子、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基或芳基烷基磺酸酯基，更優選為-B(OH)2、硼酸酯基或鹵素原子，進一步優選為鹵素原子，其中再優選氯原子、溴原子或碘原子，最優選溴原子。作為上述式(7)表示的化合物，可以例示下述式的結構。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage86</formula>式中，R，、y及X"表示與上述相同的含義。上述式表示的結構中還可以具有取代基。X3及X4優選各自獨立地為鹵素原子、垸基磺酸酯基、芳基磺酸酯基、芳基烷基磺酸酯基、-B(OH)2、或硼酸酯基。其中，XS及X纟為鹵素原子時，容易變換為烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基、芳基烷基磺酸酯基、-B(OH)2、或硼酸酯基，因此XS及XA優選為鹵素原子。最優選為溴原子。作為上述式(8)表示的化合物，可以例示下述式的結構。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage87</formula>式中，^及乂4表示與上述相同的含義。上述式表示的結構中還可以具有取代基。^及乂4優選各自獨立地為鹵素原子、垸基磺酸酯基、芳基磺酸酯基、芳基垸基磺酸酯基、-B(OH)2、或硼酸酯基。其中，乂3及乂4為卣素原子時，容易變換為烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基、芳基烷基磺酸酯基、-B(OH)2、或硼酸酯基，因此xs及xM尤選為鹵素原子。最優選為溴原子。作為上述式(9)表示的化合物，可以例示下述式的結構。式中，R，、^及X"表示與上述相同的含義。上述式表示的結構中還可以具有取代基。^及^優選各自獨立地為鹵素原子、垸基磺酸酯基、芳基磺酸酯基、芳基烷基磺酸酯基、-B(OH)2、或硼酸酯基。其中，XS及X"為鹵素原子時，容易變換為垸基磺酸酯基、芳基磺酸酯基、芳基烷基磺酸酯基、-B(OH)2、或硼酸酯基，因此^及XM尤選為鹵素原子。最優選為溴原子。以下，對本發明的高分子化合物的用途進行說明。本發明的高分子化合物通常在固體狀態下發熒光或磷光，可用作高分子發光體(高分子量發光材料)。另外，該高分子化合物具有優異的電荷輸送能力，適合用于高分子LED用材料及電荷輸送材料。使用該高分子發光體形成的高分子LED是可以在低電壓下進行高效率驅動的高性能高分子LED。因此，該高分子LED優選被用于液晶顯示器的背光燈、或照明用的曲面狀或平面狀光源、組合型顯示元件、點陣型平板顯示器等裝置。另外，本發明的高分子化合物還可以用作激光用色素、有機太陽電池用材料、有機晶體管用有機半導體、導電性薄膜、有機半導體薄膜等傳導性薄膜用材料。而且，還可以用作發熒光、磷光的發光性薄膜材料。以下，對本發明的高分子LED進行說明。本發明的高分子LED的特征在于由陽極及陰極構成的電極間具有有機層，該有機層含有本發明的高分子化合物。有機層可以是發光層、空穴輸送層、空穴注入層、電子輸送層、電子注入層、夾層等中的任意層，但優選有機層為發光層。此處，發光層是指具有發光功能的層，空穴輸送層是指具有輸送空穴功能的層，電子輸送層是具有電子輸送功能的層。另外，夾層是指在發光層和陽極間鄰近發光層而存在的、起著隔離發光層和陽極或隔離發光層、空穴注入層或空穴輸送層的功能的層。還有，電子輸送層和空穴輸送層統稱為電荷輸送層。另外，電子注入層和空穴注入層統稱為電荷注入層。發光層、空穴輸送層、空穴注入層、電子輸送層、電子注入層可以各自獨立地使用2層以上。有機層為發光層時，作為有機層的發光層也可以進一步含有空穴輸送性材料、電子輸送性材料或發光性材料。此處的發光性材料是指顯示熒光和/或磷光的材料。將本發明的高分子化合物和空穴輸送性材料進行混合時，相對于全部混合物，空穴輸送性材料的混合比例為lwt%80wt%，優選為5wt%60wt%。將本發明的高分子材料與電子輸送性材料進行混合時，相對于全部混合物，電子輸送性材料的混合比例為lwt%~80wt%，優選為5wt%~60wt%。而且，將本發明的高分子化合物和發光性材料混合時，相對于全部混合物，發光性材料的混合比例為lwt%~80wt%，優選為5wt%60wt%。本發明的高分子化合物和發光性材料、空穴輸送性材料和/或電子輸送性材料混合時，相對于全部混合物，發光性材料的混合比例為lwt%~50wt%，優選為5wt%40wt%,空穴輸送性材料和電子輸送性材料的混合比例，合計為lwt%~50wt%，優選為5wt°/Q40wt°/。。因此，本發明的高分子化合物的含量為98wt%~lwt%，優選為90wt%20wt%。所混合的空穴輸送性材料、電子輸送性材料、發光性材料可以使用公知酌低分子化合物、三重態發光絡合物或高分子化合物，但優選使用高分子化合物。作為高分子化合物型的空穴輸送性材料、電子輸送性材料及發光性材料，可以例示W099/13692、WO99/48160、GB2340304A、WO00/53656、WO01/19834、WO00/55927、GB2348316、WO00/46321、WOOO/06665、W099/54943、W099/54385、US5777070、WO98/06773、WO97/05184、WO00/35987、WO00/53655、WO01/34722、W099/24526、WO00/22027、WO00/22026、W098/27136、US573636、W098/21262、US5741921、WO97/09394、W096/29356、WO96/10617、EP0707020、WO95/07955、日本特開平2001-181618、特開平2001-123156、特開平2001-3045、特開平2000-351967、特開平2000-303066、特開平2000-299189、特開平2000-252065、特開平2000-136379、特開平2000-104057、特開平2000-80167、特開平10-324870、特開平10-114891、特開平9-111233、特開平9-45478等中公開的聚芴、其衍生物及共聚物、聚亞芳基化物、其衍生物及共聚物、聚芳乙烯、其衍生物及共聚物、芳香胺及其衍生物的(共)聚合物。作為低分子化合物熒光性材料，例如可以使用萘衍生物、蒽或其衍生物、芘或其衍生物、多次甲基類、口占噸類、香豆素類、花青類等色素類、8-羥基喹啉類或其衍生物的金屬絡合物、芳香胺、四苯基環戊二烯或其衍生物、或四苯基丁二烯或其衍生物等。具體來說，例如可以使用日本特開昭57-51781號、特開昭59-194393號公報中記載的物質、公知物質。作為三重態發光絡合物，例如可以列舉以銥為中心金屬的Ir(ppy)3、Btp2Ir(acac)、以鉬為中心金屬的PtOEP、以銪為中心金屬的Eu(TTA)3phen等。PtOEP作為三重態發光絡合物，例如記載于Nature,(1998)，395，151、Appl.Phys.Lett.(1999)，75(1),4、Proc.SP正-Int.Soc.Ot.Eng.(2001),4105(OrganicLight-EmittingMaterialsandDevicesIV)，119、J.Am.Chem.Soc.，(2001),123,4304、Appl.Phys.Lett"(1997),71(18),2596、Syn.Met"(1998)，94(1)，103、Syn.Met.,(1999),99(2),1361、Adv.Mater"(1999),11(10)，852、Jpn,J.Appl.Phys.,34,1883(1995)等中。含有選自空穴輸送材料、電子輸送材料、發光材料的至少一種材料和本發明的高分子化合物的組合物可以作為發光材料及電荷輸送材料使用。選自該空穴輸送材料、電子輸送材料、發光材料的至少一種材料和本發明的高分子化合物的含有比率根據用途確定，但是作為發光材料用途時，優選與上光層具有相同的含有比率。可以將兩種以上本發明的高分子化合物進行混合，作為組合物使用。為了提高高分子LED的特性，優選包含選自側鏈上含有空穴注入輸送基團的高分子化合物、側鏈上含有電子注入輸送基團的高分子化合物、側鏈上含有發光基團的高分子化合物中的兩種以上高分子化合物的組合物。作為具有本發明的高分子LED的發光層的膜厚，最佳值隨所使用的材料而異，可以按照使驅動電壓和發光效率達到適度值的方式進行選擇，例如lnm至l(am，優選2nm500nm，更優選5nm200nm。作為發光層的形成方法，例如可以列舉從溶液成膜的方法。作為從溶液成膜的方法，可以使用旋涂法、澆鑄法、微凹版印刷涂布法、凹版印刷涂布法、棒涂法、輥涂法、線棒涂布法、浸涂法、噴涂法、絲網印刷法、柔性版印刷法、膠版印刷法、噴墨印刷法等涂布法。從容易形成圖案及多種顏色組合涂布方面考慮，優選絲網印刷法、柔性版印刷法、膠版印刷法、噴墨印刷法等印刷法。作為印刷法中使用的墨液組合物(溶液)，至少含有一種本發明的高分子化合物即可，另外，還可含有本發明的高分子化合物以外的空穴輸送材料、電子輸送材料、發光材料、溶劑、穩定劑等添加劑。該墨液組合物中的本發明的高分子化合物的比例，通常相對于除溶劑外的組合物的總重量為20wt%~100wt%，優選為40wt%~100wt%。另外，墨液組合物中含有溶劑時，溶劑的比例相對于組合物總重量為1wt%~99.9wt%，優選為60wt%~99.5wt%，更優選為80wt%~99.0%。墨液組合物的粘度隨印刷方法而異，在噴墨法等墨液組合物經過排出裝置的情況下，為了防止噴出時的孔道堵塞和飛行彎曲，粘度優選在25。C下為120mPas。本發明的溶液中除了本發明的高分子化合物外，還可含有用于調節粘度和/或表面張力的添加劑。作為該添加劑，適當地組合使用用于提高粘度的高分子量高分子化合物(增粘劑)及不良溶劑、用于降低粘度的低分子量化合物、用于降低表面張力的表面活性劑等即可。作為上述高分子量的高分子化合物，只要是與本發明的高分子化合物在相同的溶劑中具有可溶性、不阻礙發光及電荷輸送的高分子化合物即可。例如可以使用高分子量聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、或本發明的高分子化合物中分子量大的品種等。重均分子量優選為50萬以上，更優選為100萬以上。也可以使用不良溶劑作為增粘劑。即，可以通過添加少量對于溶液中的固形物為不良溶劑的物質，可以提高粘度。在以該目的添加不良溶劑時，在溶液中的固形物不析出的范圍內選擇溶劑種類和添加量即可。如果考慮貯存時的穩定性，則優選不良溶劑的添加量相對于全部溶液為50wtM以下，更優選為30wte/。以下。另外，為了改善本發明的溶液的貯存穩定性，除本發明的高分子化合物外，還可以含有抗氧化劑。作為抗氧化劑，只要是與本發明的高分子化合物在相同的溶劑中具有可溶性、不阻礙發光及電荷輸送的抗氧化劑即可，可以例示酚類抗氧化劑、磷類抗氧化劑等。使用本發明的溶液作為墨液組合物時，所使用的溶劑沒有特別的限定，優選可以使構成該組合物的溶劑以外的材料進行溶解或均勻分散的溶劑。作為該溶劑，可以例示氯仿、二氯甲垸、1，2-二氯乙垸、1,1,2-三氯乙烷、氯苯、鄰二氯苯等氯類溶劑；四氫呋喃、二噁垸、茴香醚等醚類溶劑；甲苯、二甲苯等芳香烴類溶劑；環己烷、甲基環己烷、正戊垸、正己烷、正庚烷、正辛垸、正壬烷、正癸烷等脂肪烴類溶劑；丙酮、甲乙酮、環己酮、二苯甲酮、苯乙酮等酮類溶劑；醋酸乙酯、醋酸丁酯、乙基溶纖劑醋酸酯、苯甲酸甲酯、醋酸苯酯等酯類溶劑；乙二醇、乙二醇單丁基醚、乙二醇單乙基醚、乙二醇單甲基醚、二甲氧基乙垸、丙二醇、二乙氧基甲垸、三乙二醇單乙基醚、甘油、1,2-己二醇等多元醇及其衍生物；甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、環己醇等醇類溶劑；二甲基亞砜等亞砜類溶劑；N-甲基-2-吡咯烷酮、N,N-二甲基甲酰胺等酰胺類溶劑。另外，這些有機溶劑可以單獨使用，也可以是幾種組合使用。從高分子化合物等的溶解性、成膜時的均勻性、粘度特性等方面考慮，在這些溶劑中優選芳香烴類溶劑、脂肪烴類溶劑、酯類溶劑、酮類溶劑，可以是甲苯、二甲苯、乙苯、二乙苯、三甲苯、正丙苯、異丙苯、正丁苯、異丁苯、仲丁苯、茴香醚、乙氧基苯、l-甲基萘、環己烷、環己酮、環己苯、二環己基、環己烯基環己酮、正庚基環己烷、正己基環己垸、2-丙基環己酮、2-庚酮、3-庚酮、4-庚酮、2-辛酮、2-壬酮、2-癸酮、二環己酮、苯乙酮、二苯甲酮。從成膜性及元件特性考慮，溶液中的溶劑的種類優選為2種以上，更優選為23種，進一步優選為2種。從成膜性及元件特性考慮，溶液中的溶劑的種類優選為2種以上，更優選為23種，進一步優選為2種。溶液中含有2種溶劑時，其中一種溶劑也可以在25'C下為固態。從成膜性考慮，優選1種溶劑為沸點在180'C以上的溶劑，更優選沸點在200'C以上的溶劑。另外，從粘度方面考慮，優選兩種溶劑均能在60。C下溶解lwt。/。以上的芳香族聚合物，優選兩種溶劑中的一種溶劑能在25。C下溶解lwt。/。以上的芳香族聚合物。溶液中含有兩種以上溶劑時，從粘度及成膜性來看，沸點最高的溶劑優選為溶液中的全部溶劑重量的4090wt。/。，更優選為50~90wt%，進一步優選為6585wt%。溶液中所含的本發明的高分子化合物可以為l種，也可以為2種以上，還可以在不損害元件特性等的范圍內含有本發明的高分子化合物以外的高分子化合物。本發明的溶液中還可以含有水、l-1000ppm的金屬及其鹽。作為金屬，可以具體列舉鋰、鈉、鈣、鉀、鐵、銅、鎳、鋁、鋅、鉻、錳、鈷、鉑、銥等。另外，還可含有11000ppm的硅、磷、氟、氯、溴。可以使用本發明的溶液，通過旋涂法、澆鑄法、微凹版印刷涂布法、凹版印刷涂布法、棒涂法、輥涂法、線棒涂布法、浸涂法、噴涂法、絲網印刷法、柔性版印刷法、膠版印刷法、噴墨印刷法等制作薄膜。其中，優選將本發明的溶液用于采用絲網印刷法、柔性版印刷法、膠版印刷法、噴墨印刷法等成膜的用途，更優選被用于采用噴墨法成膜的用途。含有本發明的高分子化合物的薄膜例如可以使用本發明的溶液進行制作。作為該例，可例示發光性薄膜、導電性薄膜、有機半導體薄膜。本發明的導電性薄膜的表面電阻優選為1KQ/口以下。通過在薄膜中摻雜路易斯酸、離子性化合物等，可以提高電導率。更優選表面電阻為100Q/口以下，進一步優選為10Q/口以下。本發明的有機半導體薄膜的電子遷移度或空穴遷移度均是越大越好，優選為10-ScmVW秒以上。更優選為10-Vn^/V/秒以上，進一步優選為10"cr^/V/秒以上。在形成了Si02等絕緣膜和門電極的Si基板上形成該有機半導體膜，通過用Au等形成源電極和漏極電極，可以制成有機晶體管。另外，作為本發明的高分子LED，可以列舉在陰極和發光層之間設置電子輸送層的高分子LED、在陽極和發光層之間設置空穴輸送層的高分子LED、在陰極和發光層之間設置電子輸送層，并且在陽極和發光層之間設置空穴輸送層的高分子LED等。例如，可以具體地列舉以下a)d)的結構。a)陽極/發光層/陰極b)陽極/空穴輸送層/發光層/陰極c)陽極/發光層/電子輸送層/陰極d)陽極/空穴輸送層/發光層/電子輸送層/陰極(此處的/表示各層相鄰層合。以下相同)另外，關于這些結構中的每一種，還可以例示在發光層和陽極間，與發光層相鄰設置夾層的結構。艮口，a')陽極/夾層/發光層/陰極b')陽極/空穴輸送層/夾層/發光層/陰極c')陽極/夾層/發光層/電子輸送層/陰極d')陽極/空穴輸送層/夾層/發光層/電子輸送層/陰極本發明的高分子LED具有空穴輸送層時，所使用的空穴輸送性材料可以例示聚乙烯基咔唑或其衍生物、聚硅烷或其衍生物、側鏈或主鏈上具有芳香胺的聚硅氧垸衍生物、吡唑啉衍生物、芳胺衍生物、芪衍生物、三苯基二胺衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚吡咯或其衍生物、聚(對苯乙炔)或其衍生物、或聚(2,5-噻吩乙炔)(poly(2,5-thienylenevinylene))或其衍生物等。具體來說，作為該空穴輸送材料，可以例示日本特開昭63-70257號公報、特開昭63-175860號公報、特開平2-135359號公報、特開平2-135361號公報、特開平2-209988號公報、特開平3-37992號公報、特開平3-152184號公報中記載的材料等。其中，作為用于空穴輸送層的空穴輸送材料，優選聚乙烯基咔唑或其衍生物、聚硅垸或其衍生物、側鏈或主鏈上具有芳香胺化合物基團的聚硅氧烷衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚(對苯乙炔)或其衍生物、或聚(2,5-噻吩乙炔)或其衍生物等高分子空穴輸送性材料，更優選聚乙烯基咔唑或其衍生物、聚硅烷或其衍生物、側鏈或主鏈上具有芳香胺的聚眭氧垸衍生物。另外，作為低分子化合物空穴輸送材料，可以例示吡唑啉衍生物、芳胺衍生物、芪衍生物、三苯基二胺衍生物。在低分子空穴輸送性材料的情況下，優選使其分散于高分子粘結劑中。作為混合的高分子粘結劑，優選不會極度阻礙電荷輸送性的品種，另外，也最好使用不對可見光產生強烈吸收的品種。作為該高分子粘結劑，可以例示聚(N-乙烯基咔唑)、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚(對苯乙炔)或其衍生物、聚(2，5-噻吩乙炔)或其衍生物、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚硅氧垸等。聚乙烯基咔唑或其衍生物可以通過例如由乙烯基單體進行陽離子聚合或自由基聚合而得到。作為聚硅院或其衍生物，可以例示Chem.Rev.,第89巻，1359頁(1989年)、英國專利GB2300196號公開說明書中記載的化合物等。合成方法也可以使用這些文獻中記載的方法，特別優選使用Kipping法。聚硅氧烷或其衍生物在硅氧垸骨架中基本沒有空穴輸送性，因此最好使用側鏈或主鏈上具有上述低分子空穴輸送性材料的結構的品種。可特別地例示側鏈或主鏈上具有空穴輸送性芳香胺的聚硅氧垸。空穴輸送層的成膜方法沒有限制，對于低分子空穴輸送性材料，可以例示由其與高分子粘結劑的混合溶液成膜的方法。另外，對于高分子空穴輸送性材料，可以例示由溶液成膜的方法。作為由溶液的成膜中使用的溶劑，優選可以溶解或均勻地分散空穴輸送性材料的溶劑。作為該溶劑，可以例示氯仿、二氯甲烷、1,2-二氯乙烷、1,1,2-三氯乙烷、氯苯、鄰二氯苯等氯類溶劑；四氫呋喃、二噁烷等醚類溶劑；甲苯、二甲苯等芳香烴類溶劑；環己烷、甲基環己烷、正戊垸、正己垸、正庚垸、正辛烷、正壬烷、正癸烷等脂肪烴類溶劑；丙酮、甲乙酮、環己酮等酮類溶劑；醋酸乙酯、醋酸丁酯、乙基溶纖劑醋酸酯等酯類溶劑；乙二醇、乙二醇單丁基醚、乙二醇單乙基醚、乙二醇單甲基醚、二甲氧基乙垸、丙二醇、二乙氧基甲烷、三乙二醇單乙基醚、甘油、1，2-己二醇等多元醇及其衍生物、甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、環己醇等醇類溶劑、二甲基亞砜等亞砜類溶劑、N-甲基-2-吡咯烷酮、N,N-二甲基甲酰胺等酰胺類溶劑。另夕卜，這些有機溶劑可以單獨使用，也可以是幾種組合使用。作為由溶液成膜的方法，可以使用基于溶液的旋涂法、澆鑄法、微凹版印刷涂布法、凹版印刷涂布法、棒涂法、輥涂法、線棒涂布法、浸涂法、噴涂法、絲網印刷法、柔性版印刷法、膠版印刷法、噴墨印刷法等涂布法。作為空穴輸送層的膜厚，最佳值隨所使用的材料而異，按照使驅動電壓和發光效率達到適度值的方式進行選擇即可，必須具有至少不發生針孔的那種厚度，如果太厚，則元件的驅動電壓高，是不可取的。因此，作為該空穴輸送層的厚度，例如為lnm至lpm，優選為2nm500nm，更優選為5nm200nm。本發明的高分子LED具有電子輸送層時，作為使用的電子輸送性材料，可以使用公知的材料，可以例示噁二唑衍生物、蒽醌二甲垸或其衍生物、苯醌或其衍生物、萘醌或其衍生物、蒽醌或其衍生物、四氰基蒽醌二甲垸或其衍生物、芴酮衍生物、二苯基二氰基乙烯或其衍生物、二苯酚合苯醌衍生物、或8-羥基喹啉或其衍生物的金屬絡合物、聚喹啉或其衍生物、聚喹喔啉或其衍生物、聚芴或其衍生物等。具體來說，可以例示日本特開昭63-70257號公報、特開昭63-175860號公報、特開平2-135359號公報、特開平2-135361號公報、特開平2-209988號公報、特開平3-37992號公報、特開平3-152184號公報中記載的材料等。其中，優選噁二唑衍生物、苯醌或其衍生物、蒽醌或其衍生物、或8-羥基喹啉或其衍生物的金屬絡合物、聚喹啉或其衍生物、聚喹喔啉或其衍生物、聚芴或其衍生物，更優選2-(4-聯苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑、苯醌、蒽醌、三(8-羥基喹啉)鋁、聚喹啉。電子輸送層的成膜方法沒有特別限制，對于低分子電子輸送性材料，可以例示基于粉末的真空蒸鍍法、或從溶液或熔融狀態成膜的方法，對于高分子電子輸送材料，可以例示由溶液或熔融狀態成膜的方法。由溶液或熔融狀態成膜時，也可以同時合用上述高分子粘結劑。作為由溶液成膜的溶劑，優選可以溶解或均勻地分散電子輸送材料和/或高分子粘結劑的溶劑。作為該溶劑，可以例示氯仿、二氯甲垸、1,2-二氯乙烷、1,1，2-三氯乙烷、氯苯、鄰二氯苯等氯類溶劑；四氫呋喃、二噁烷等醚類溶劑；甲苯、二甲苯等芳香烴類溶劑；環己烷、甲基環己垸、正戊烷、正己烷、正庚烷、正辛烷、正壬垸、正癸烷等脂肪烴類溶劑；丙酮、甲乙酮、環己酮等酮類溶劑；醋酸乙酯、醋酸丁酯、乙基溶纖劑醋酸酯等酯類溶劑；乙二醇、乙二醇單丁基醚、乙二醇單乙基醚、乙二醇單甲基醚、二甲氧基乙垸、丙二醇、二乙氧基甲烷、三乙二醇單乙基醚、甘油、1,2-己二醇等多元醇及其衍生物、甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、環己醇等醇類溶劑；二甲基亞砜等亞砜類溶劑、N-甲基-2-吡咯烷酮、N,N-二甲基甲酰胺等酰胺類溶劑。另外，這些有機溶劑可以單獨使用，也可以是幾種組合使用。作為由溶液或熔融狀態成膜的方法，可以使用旋涂法、澆鑄法、微凹版印刷涂布法、凹版印刷涂布法、棒涂法、輥涂法、線棒涂布法、浸涂法、噴涂法、絲網印刷法、柔性版印刷法、膠版印刷法、噴墨印刷法等涂布法。作為電子輸送層的膜厚，最佳值隨所使用的材料而異，按照使驅動電壓和發光效率達到適度值的方式進行選擇即可，必須具有至少不發生針孔的那種厚度，如果太厚，則元件的驅動電壓高，是不可取的。因此，作為該電子輸送層的厚度，例如為lnm至l|im，優選為2nm500nm，更優選為另外，與電極相鄰設置的電荷輸送層中，具有改善從電極注入電荷的效率的功能、具有降低元件的驅動電壓效果的部分有時一般被特別稱為電荷注入層(空穴注入層、電子注入層)。為了進一步改善與電極的粘合性及從電極注入電荷，也可以與電極相鄰地設置上述電荷注入層或膜厚為2nm以下的絕緣層，另外，為了提高界面的粘附性及防止混合等，也可以在電荷輸送層及發光層的界面上插入薄的緩沖層。關于所層合的層的順序及數量，以及各層的厚度，可以考慮發光效率及元件壽命進行適當地使用。在本發明中，作為設置電荷注入層(空穴注入層、電子注入層)的高分子LED，可以列舉與陰極相鄰設置電荷注入層的高分子LED、與陽極相鄰設置電荷注入層的高分子LED。例如，可以具體列舉以下的e)~p)的結構。e)陽極/電荷注入層/發光層/陰極f)陽極/發光層/電荷注入層/陰極g)陽極/電荷注入層/發光層/電荷注入層/陰極h)陽極/電荷注入層/空穴輸送層/發光層/陰極i)陽極/空穴輸送層/發光層/電荷注入層/陰極j)陽極/電荷注入層/空穴輸送層/發光層/電荷注入層/陰極k)陽極/電荷注入層/發光層/電子輸送層/陰極)陽極/發光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極m)陽極/電荷注入層/發光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極n)陽極/電荷注入層/空穴輸送層/發光層/電子輸送層/陰極o)陽極/空穴輸送層/發光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極p)陽極/電荷注入層/空穴輸送層/發光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極另外，關于這些結構中的每一種，還可以例示在發光層和陽極間，與發光層相鄰設置夾層的結構。還有，在這種情況下，夾層還兼作正孔注入層和/或空穴輸送層。作為電荷注入層的具體例子，可以例示含導電高分子的層；設置于陽極和空穴輸送層之間，包含具有陽極材料、和含于空穴輸送層中的空穴輸送性材料的中間值離子化電勢的材料的層；設置于陰極和電子輸送層之間，包含具有陰極材料、和含于電子輸送層中的電子輸送材料的中間值電子親和力的材料的層等。上述電荷注入層為含有導電性高分子的層時，該導電性高分子的電導率優選為10—5S/cm以上103以下，為了減小發光像素之間的漏電流，更優選為10-5S/cm以上102以下，進一步優選為10-5S/cm以上101以下。上述電荷注入層為含有導電性高分子的層時，該導電性高分子的電導率優選為10—5S/cm以上I03S/cm以下，為了減小發光像素之間的漏電流，更優選為l(T5S/cm以上102S/cm以下，進一步優選為l(T5S/cm以上1(^S/cm以下。通常，為了使該導電性高分子的電導率達到10_5S/cm以上103以下，在該導電性高分子中摻雜適量的離子。所摻雜的離子的種類對于空穴注入層是陰離子，對于電子注入層是陽離子。作為陰離子的例子，可以列舉聚苯乙烯磺酸離子、烷基苯磺酸離子、樟腦磺酸離子等，作為陽離子的例子，可以列舉鋰離子、鈉離子、鉀離子、四丁基銨離子等。作為電荷注入層的厚度，例如為lnm100nm，優選2nm50nm。電荷注入層中使用的材料可以根據其與電極或相鄰層材料的關系進行適當選擇，可以例示聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚吡咯及其衍生物、聚苯乙炔及其衍生物、聚噻吩乙炔及其衍生物、聚喹啉及其衍生物、聚喹喔啉及其衍生物、主鏈或側鏈上具有芳香胺結構的聚合物等導電性高分子、金屬酞菁(銅酞菁等)、碳等。膜厚為2nm以下的絕緣層是具有使電荷注入變得容易的功能的層。作為上述絕緣層的材料，可以列舉金屬氟化物、金屬氧化物、有機絕緣材料等。作為設置膜厚為2nm以下的絕緣層的高分子LED，可以列舉與陰極相鄰設置膜厚為2nm以下的絕緣層的高分子LED、與陽極相鄰設置膜厚為2nm以下的絕緣層的高分子LED。具體來說，例如可列舉以下q)ab)的結構。q)陽極/膜厚為2nm以下的絕緣層/發光層/陰極r)陽極/發光層/膜厚為2nm以下的絕緣層/陰極s)陽極/膜厚為2nm以下的絕緣層/發光層/膜厚為2nm以下的絕緣層/陰極t)陽極/膜厚為2nm以下的絕緣層/空穴輸送層/發光層/陰極u)陽極/空穴輸送層/發光層/膜厚為2nm以下的絕緣層/陰極v)陽極/膜厚為2nm以下的絕緣層/空穴輸送層/發光層/膜厚為2nm以下的絕緣層/陰極w)陽極/膜厚為2nm以下的絕緣層/發光層/電子輸送層/陰極x)陽極/發光層/電子輸送層/膜厚為2nm以下的絕緣層/陰極y)陽極/膜厚為2nm以下的絕緣層/發光層/電子輸送層/膜厚為2nm以下的絕緣層/陰極z)陽極/膜厚為2nm以下的絕緣層/空穴輸送層/發光層/電子輸送層/陰極aa)陽極/空穴輸送層/發光層/電子輸送層/膜厚為2nm以下的絕緣層/陰極ab)陽極/膜厚為2nm以下的絕緣層/空穴輸送層/發光層/電子輸送層/膜厚為2nm以下的絕緣層/陰極另外，關于這些結構中的每一種，還可以例示在發光層和陽極間，與發光層相鄰設置夾層的結構。還有，在這種情況下，夾層還兼作空穴注入層和/或空穴輸送層。關于適合用于上述結構a)ab)中的夾層的結構，作為夾層，優選由以下材料構成，該材料具有設置于陽極和發光層之間的陽極或空穴注入層乃至空穴輸送層，和構成發光層的高分子化合物中間的離子化電勢。作為用于夾層的材料，可以例示聚乙烯基咔唑或其衍生物、側鏈或主鏈上具有芳香胺的聚亞芳基化物、芳胺衍生物、三苯基二胺衍生物等含芳香胺的聚合物。夾層的成膜方法沒有限制，例如在使用高分子材料時，可列舉由溶液成膜的方法。作為由溶液的成膜中使用的溶劑，優選可以溶解或均勻地分散空穴輸送性材料的溶劑。作為該溶劑，可以例示氯仿、二氯甲烷、1,2-二氯乙垸、U，2-三氯乙烷、氯苯、鄰二氯苯等氯類溶劑；四氫呋喃、二噁垸等醚類溶劑；甲苯、二甲苯等芳香烴類溶劑；環己垸、甲基環己垸、正戊垸、正己烷、正庚院、正辛烷、正壬烷、正癸烷等脂肪烴類溶劑；丙酮、甲乙酮、環己酮等酮類溶劑；醋酸乙酯、醋酸丁酯、乙基溶纖劑醋酸酯等酯類溶劑；乙二醇、乙二醇單丁基醚、乙二醇單乙基醚、乙二醇單甲基醚、二甲氧基乙烷、丙二醇、二乙氧基甲垸、三乙二醇單乙基醚、甘油、1,2-己二醇等多元醇及其衍生物；甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、環己醇等醇類溶劑；二甲基亞砜等亞砜類溶劑；N-甲基-2-吡咯烷酮、N,N-二甲基甲酰胺等酰胺類溶劑。另外，這些有機溶劑可以單獨使用，也可以是幾種組合使用。作為由溶液的成膜的方法，可以使用基于溶液的旋涂法、澆鑄法、微凹版印刷涂布法、凹版印刷涂布法、棒涂法、輥涂法、線棒涂布法、浸涂法、噴涂法、絲網印刷法、柔性版印刷法、膠版印刷法、噴墨印刷法等涂布法。作為夾層的膜厚，最佳值隨所使用的材料而異，可以按照使驅動電壓和發光效率達到適度值的方式進行選擇，例如lnm至l^im，優選2nm500nm，更優選5nm200nm。將該夾層與發光層相鄰設置時，特別是用涂布法形成兩種層時，有時兩種層的材料會混合而對元件特性造成不良影響。用涂布法形成夾層后，用涂布法形成發光層時，作為減少兩種層的材料混合的方法，可以列舉用涂布法形成夾層后，加熱該夾層使其達到相對于制作發光層中使用的有機溶劑不溶，然后形成發光層的方法。加熱溫度通常為15030(TC左右，時間通常為1分鐘1小時左右。在這種情況下，為了除去未因加熱而達到不溶于溶劑的成分，可以在加熱后，形成發光層之前，用形成發光層時使用的溶劑漂洗該夾層，從而進行去除。當利用加熱的溶劑不溶化充分地進行時，可以省略利用溶劑的漂洗。為了使利用加熱的溶劑不溶化充分地進行，作為用于夾層的高分子化合物，優選使用分子內含有至少一個可聚合基團的高分子化合物。而且可聚合基團的數目優選相對于分子內重復單元數為5%以上。形成本發明的高分子LED的基板只要是在形成電極、形成有機物層時不產生變化的基板即可，例如可以例示玻璃、塑料、高分子膜、硅基板等。在采用不透明基板的情況下，優選對置電極是透明或半透明的。通常，本發明的高分子LED所具有的陽極或陰極中的至少一方是透明或半透明的。優選陽極側是透明或半透明的。作為該陽極的材料，可以使用導電性金屬氧化物膜、半透明的金屬薄膜等。具體來說，可以使用由氧化銦、氧化鋅、氧化錫、以及作為它們的復合物的銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物等構成的導電性玻璃制成的膜(NESA等)，以及金、鉑、銀、銅等，優選ITO、銦《鋅《氧化物、氧化錫。作為制作方法，可以列舉真空蒸鍍法、濺射法、離子鍍、鍍敷法等。另外，作為該陽極，也可以使用聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物等有機透明導電膜。陽極的膜厚可以考慮透光性和電導率進行適當選擇，例如為lOnm至10pm，優選20nm至l(im，更優選50nm至500nm。另外，為了容易進行電荷注入，也可以在陽極上設置由酞菁衍生物、導電性高分子、碳構成的層，或由金屬氧化物或氟化物、有機絕緣材料等構成的平均膜厚為2nm以下的層。作為本發明的高分子LED中使用的陰極材料，優選功函數小的材料。例如可以列舉鋰、鈉、鉀、銣、銫、鈹、鎂、鈣、鍶、鋇、鋁、鈧、釩、鋅、釔、銦、鈽、釤、銪、鋱、鐿等金屬，以及其中2種以上金屬的合金，或其中l種以上金屬和金、銀、鉑、銅、錳、鈦、鈷、鎳、鎢、錫中的l種以上金屬的合金，石墨或石墨層狀化合物等。作為合金的例子，可以列舉鎂銀合金、鎂銦合金、鎂鋁合金、銦銀合金、鋰鋁合金、鋰鎂合金、鋰銦合金、鈣鋁合金等。也可以使陰極形成2層以上的層合結構。陰極的膜厚可以考慮電導率和耐久性進行適當選擇，例如為10nm至10pm，優選20nm至lpm，更優選50nm至500nm。作為陰極的制造方法，可以使用真空蒸鍍法、濺射法、或熱壓接金屬薄膜的層合法等。另外，也可以在陰極和有機物層之間設置由導電性高分子構成的層、或由金屬氧化物或金屬氟化物、有機絕緣材料等構成的平均膜厚為2nm以下的層，制作陰極后，還可以安裝保護該高分子LED的保護層。為了長期穩定地使用該高分子LED，從外部保護元件，優選安裝保護層和/或保護罩。作為該保護罩，可以使用高分子化合物、金屬氧化物、金屬氟化物金屬硼化物等。另外，作為保護罩，可以使用玻璃板、表面施加了低透水率處理的塑料板等，最好采用通過熱效樹脂或光固化樹脂將該罩體貼合在元件基板上進行密封的方法。如果用隔離物維持空間，則容易防止元件損傷。如果在該空間中封入氮氣或氬氣之類的惰性氣體，則可以防止陰極的氧化，而且通過在該空間中設置氧化鋇等干燥劑，就容易抑制在制造工序中吸附的水分對元件造成損壞。優選采用其中任意一種以上的方法。本發明的高分子LED可以作為面狀光源、組合顯示裝置、點陣顯示裝置等顯示裝置、液晶顯示裝置的背光燈使用。為了使用本發明的高分子LED得到面狀光源，只要使面狀陽極和陰極以疊合方式安裝即可。另外，為了得到圖案狀發光，有在上述面狀發光元件表面設置圖案狀窗戶的方法、使非發光部分的有機物層形成得極厚而使其達到實質不發光的方法、使陽極或陰極中的任一個或兩個電極形成圖案狀的方法。通過用其中的任意一種方法形成圖案，并按能夠獨立地進行開/關的方式設置幾個電極，可以得到能夠顯示數字或文字、簡單的符號的組合型顯示元件。而且，為了形成點陣元件，使陽極和陰極均形成條狀從而垂直地設置即可。通過分別涂布多種發光顏色不同的高分子熒光體的方法，以及使用彩色濾光器或熒光變換濾光器的方法，可以進行部分色彩顯示、多色彩顯示。點陣元件可以為無源驅動，也可以與TFT等組合進行有源驅動。這些顯示元件可以作為計算機、電視、便攜終端、便攜電話、汽車導航系統、攝像機的取景器等顯示裝置使用。而且，上述面狀發光元件是自發光薄層型，適合用于液晶顯示裝置的背光燈用面狀光源、或面狀照明用光源。另外，如果使用柔性基板，則也可以用作曲面狀光源或顯示裝置。以下，為了對本發明進行更詳細地說明，列出實施例，但本發明并不受這些實施例的限定。(數均分子量及重均分子量)此處，關于數均分子量和重均分子量，利用GPC(島津制作所制造，LC-10Avp)，通過聚苯乙烯換算求出數均分子量及重均分子量。使測定的聚合物溶解在四氫呋喃中形成約0.5wt。/。的濃度，向GPC中注入5(HiL。GPC的流動相使用四氫呋喃，按0.6mL/min的流速流動。柱是將TSKgelSuperHM-H(TOSOH-制)2根和TSKgelSuperH2000(TOSOH-制)1根串聯連接。檢測器使用差示折射率檢測器(島津制作所制，RID-10A)。<實施例1>化合物B及化合物B-l的合成(化合物A的合成)在三口燒瓶上安裝回流管。在氮氣氛下添加吩噁嗪10.0g、l-溴-4-叔丁基2,6-二甲基苯15.2g、叔丁醇鈉21.9g、甲苯345ml進行攪拌，然后添加三二亞芐基丙酮合二鈀0.25g、叔丁基膦四氟硼酸酯0.13g。在回流下攪拌9小時，冷卻至室溫。使反應溶液通過預涂了氧化鋁的玻璃過濾器進行過濾，用3.5%的鹽酸洗滌得到的溶液，濃縮甲苯溶液。在得到的固體中添加甲苯5ml和異丙醇50ml，加熱，攪拌l小時后冷卻至室溫。過濾生成的沉淀，用異丙醇洗滌，得到呈淡黃色固體的化合物A8.3g。'H畫NMR(CDC13,300MHz):51,36(s,9H),2.20(s,6H)，5.70-5.74(m,2H)，6.53-6.65(m,6H),7.21(s,2H).(化合物B的合成)在三口燒瓶上安裝回流管。在氮氣氛下添加上述合成的化合物A8.3g、二氯甲垸25ml，在0。C下攪拌。配制1，3-二溴-5，5-二甲基乙內酰脲6.8g的DMF(7.3ml)溶液，一邊在O"C下攪拌一邊添加。再添加0.02當量的1，3-二溴-5,5-二甲基乙內酰脲攪拌1小時，升溫到室溫。添加甲醇100ml進行攪拌，過濾得到的沉淀。在該沉淀中添加甲苯50ml、甲醇300ml，在7(TC下攪拌1小時，然后冷卻至室溫進行過濾。再向沉淀中添加甲苯100ml、活性炭lg進行加熱回流，通過預涂了鈰硅石的玻璃過濾器進行過濾，在得到的溶液中添加甲醇500ml。過濾生成的沉淀，用甲苯對得到的固體進行再結晶，得到呈淡黃色固體的目標化合物B4.3g。'H-NMR(CDCl3,300MHz):S1.35(s,9H),2.16(s，6H)，5,58(dd,8.46，1.5Hz，2H),6.68(ddd,8.7，2.1,1.5Hz,2H),6.79(dd，2.1，1.5Hz,2H),7.26(s,2H).MS(APPI-positive):M/zcalcdfor[M],499.01;found,499as[M+'].(含有兩個溴)(化合物B-1的合成)按照Bioorganic&MedicinalChemistryLetters(2003),13(18)，3059記載的方法，在二甲基亞砜溶劑中，在化合物B、雙戊酰二硼(bis(pinacolato)diborane)、[l,l，-二(二苯膦基)二茂鐵]二氯化鈀(11)、醋酸鉀的存在下，通過加熱可得到化合物B-1。<合成例P化合物D的合成(化合物C的合成)在3L的四口圓底燒瓶上安裝機械攪拌器、冷凝器。對反應容器內部進行氮氣置換，添加醋酸鈀(II)1.10g、三(鄰甲苯基)膦1.51g、甲苯368ml，在室溫下攪拌30分鐘。添加吩噁嗪143g、叔戊氧基鈉97.1g、甲苯800ml進行攪拌，將l-溴-4-丁基苯133.4ml溶解在甲苯60ml中，用滴液漏斗滴加到反應容器中。在105。C下攪拌5小時，然后冷卻至室溫。用預涂了2cm氧化鋁的玻璃過濾器進行過濾，用3.5%的鹽酸中和得到的溶液。濃縮甲苯溶液，再添加甲苯30ml，在75'C下攪拌30分鐘，然后緩慢添加異丙醇700ml。冷卻至室溫后，過濾析出的沉淀，用異丙醇洗滌。結果得到呈淡橙色固體的化合物C209g。'H-NMR(CDCl3,300MHz):57.38(d，8.07Hz,2H)，7.22(d,8,07Hz,2H),6.52畫6.70(m,6H),7.53(d，7.53Hz，2H),2.69(t,7.53Hz，2H)，1.68(m，2H)，1.42(m，2H)，0.98(t,7.17Hz,3H)(化合物D的合成)在3L的四口圓底燒瓶上安裝機械攪拌器、滴液漏斗、冷凝器。對反應容器內部進行氮氣置換，加入化合物C209g、二氯甲烷700ml，室溫下攪拌。將1,3-二溴-5,5-二甲基乙內酰脲l卯g溶解在DMF200ml中。在室溫下通過滴液漏斗添加配制的DMF溶液。在添加339ml的階段終止反應。在反應體系中注入甲醇，用水浴緩慢冷卻到l(TC。攪拌1小時后，過濾析出的沉淀，用甲醇洗滌，得到呈淡白綠色固體的化合物D284g。'H陽NMR(CDC13，300MHz):57.38(d，8.07Hz，2H),7.16(d，8.07Hz，2H),6,79(t，1.83Hz,2H)，6.69(ddd,8.64,1.83,1,65Hz，2H),5.76(dd,8.64，1.65Hz，2H)，2.69(t，7.71Hz，2H)，1.67(m,2H)，1.41(m，2H),0.97(t,6.03Hz，3H)<合成例2>化合物F的合成(化合物E的合成)在3L的三口圓底燒瓶上安裝機械攪拌器、冷凝器，進行氮氣置換。然后添加2，7-二溴-9-芴酮86.5g和用爐子加熱溶解的苯酚500g。一邊攪拌一邊升溫到105。C，在2，7-二溴-9-芴酮完全溶解的階段冷卻至65"C。在球形箱中量取3-巰基丙院-l-磺酸1.98g，一邊注意不使反應體系內的溫度上升一邊緩慢添加。添加催化劑后，在65。C下攪拌21小時，添加乙醇722ml，加熱溶解。然后冷卻至45'C，注入加熱到65。C的7.6L離子交換水，然后攪拌2小時。將過濾析出的橙色沉淀，用水洗滌后放置一晝夜進行干燥。將得到的橙色固體轉移到3L的三口燒瓶中，添加乙腈400ml，加熱回流l小時。冷卻到5CTC后，進行熱過濾除去不溶物。半濃縮得到的乙腈溶液，過濾析出的沉淀。用少量乙腈洗滌，用真空千燥機干燥一晝夜。結果得到呈淡黃色固體的化合物E92.2g。'H-NMR(CDCl3,300MHz):S7.57(m,2H),7,47(m，2H)，7.26(s,2H)，7.01(m，4H),6.71(m，4H),4.83(s，2H)3-巰基丙烷-l-磺酸的制備在500ml茄型燒瓶中添加3-巰基丙烷-l-磺酸的鈉鹽10.8g，室溫下添加濃鹽酸101ml。攪拌10分鐘后過濾。用蒸發器濃縮得到的水溶液，得到呈無色透明油狀的3-巰基丙烷-l-磺酸8.3g。(化合物F的合成)在500ml的三口燒瓶中添加化合物E50g、正溴己烷55ml、碳酸鉀53.6、乙醇238ml，在加熱回流下攪拌5小時。添加乙醇512ml，冷卻至50。C。在1L的燒杯中添加584ml的離子交換水，注入到反應溶液中。攪拌1小時后，通過傾析除去水層。在其中添加離子交換水487ml，再攪拌1小時，然后通過傾析除去水層。在其中添加乙醇292ml，攪拌1小時。過濾得到的結晶，用乙醇、水洗滌，得到呈白色固體的化合物F60.1g。'H-畫R(CDCl3,300MHz)57.56(m,2H),7.47(s,2H),7.45(m,2H)，7.04(d，4H)，6.76(d,4H),3"0(t,4H)，1.70-1.80(m，4H),1.25陽1.50(m,12H),0.89(t,6H)<合成例3>化合物H的合成(化合物G的合成)、/"B(0H)2對3L的四口燒瓶進行氮氣置換，取2，7-二溴-9，9-二辛基芴80g(0.15mo1)，溶解在1.08L的甲基-叔丁基醚中。冷卻至-78'C后，在20分鐘內緩慢滴加n-BuLi240ml(0.38mol)。滴加完成后，在(TC下攪拌2小時，再冷卻至-78。C。接著，在20分鐘內滴加B(OiPr)371.33g(0.38mol)，升溫至室溫，放置一個晚上。將反應液冷卻至0'C后，在30分鐘內邊攪拌邊滴加離子交換水(300ml)。滴加后，攪拌30分鐘靜置30分鐘，在3(TC和減壓下餾去溶劑。將殘渣冷卻至0°C，注入用離子交換水1L稀釋35%的HC180ml而形成的鹽酸水溶液，進行水解。用甲苯進行萃取。用硫酸鎂干燥有機層，過濾后，在3(TC和減壓下餾去溶劑。得到的殘渣(化合物G:39.37g)形成含甲苯的凝膠。在不進行以上精制的情況下，從理論收率確定加入量，用于以下工序。(化合物H的合成)對3L的四口燒瓶進行氮氣置換，將上述合成的化合物G39.37g溶解在甲苯800ml中，添加硫酸鎂164.06g(0.341mol)。然后在10分鐘內滴加乙二醇51.08g(0.823moD。將反應溶液在室溫下攪拌2小時。反應完成后通過過濾除去MgS04，在45'C和減壓下餾去溶劑，從而得到粘液狀的粗產物21.58g。在己烷/乙腈中進行重結晶，得到化合物H。'H國NMR(CDC13，300MHz):57.83-7.74(m,6H)，4.43(s,8H)，2.03-1.97(m,4H)，1.26-1.00(m,20H),0.8l(t，6H),0.54(brs,4H)<實施例2>高分子化合物1的合成在300ml的四口燒瓶中加入Aliquat3360.86g、化合物B0.43g、化合物F3.29g、化合物H3.10g，用氮氣置換。添加經過氬氣鼓泡的甲苯50，一邊攪拌一邊再鼓泡30分鐘。添加二氯雙(三苯膦)鈀(II)4.5mg、2M碳酸鈉水溶液12ml，在浴溫105。C下攪拌7小時后，在浴溫105"C下將苯基硼酸0.52g溶解在甲苯20ml、四氫呋喃25ml中，攪拌3小時。添加將N,N-二乙基二硫代氨基甲酸鈉5g溶解在40ml水中形成的水溶液，進而在浴溫9(TC下攪拌3小時。加入400ml甲苯，對反應液進行分液，用250ml水洗滌有機相4次，然后滴加甲醇2.5L，使聚合物再沉淀。過濾，減壓干燥后，將其溶解在150ml甲苯中，使得到的溶液通過硅膠-氧化鋁柱，用350ml的甲苯洗滌。將得到的甲苯溶液滴入2.5L甲醇中，使聚合物再沉淀。過濾、減壓千燥后，使其溶于il50ml的甲苯中，將溶液滴入2.5L甲醇中，使聚合物再沉淀。過濾、減壓干燥，得到4.08g高分子化合物A。Mn=98，000，Mw=210,000。<實施例4>高分子化合物2的合成用化合物D0.41g代替化合物B進行同樣的操作，得到高分子化合物B4.04g。Mn=81,000，Mw=200，000。<熒光譜〉按以下方法測定熒光譜。將聚合物的0.8wt。/。甲苯溶液旋轉涂布于石英上，制作聚合物膜。該薄膜在350nm的波長下激發，用熒光分光光度計(堀場制作所制造的Fluorolog)測定熒光譜。為了得到薄膜上的相對熒光強度，將用水的拉曼線強度作為基準，進行波數繪圖形成的熒光光譜在光譜的測定范圍內進行積分，求出用通過分光光度計(Varian公司制造的Cary5E)測定的、激發波長下的吸光度除后得到的值。[表l]高分子化合物熒光峰波長(nm)C正(x，y)熒光強度高分子化合物1(實施例2)458(0.144,0.182)1.4高分子化合物2(合成例4)460(0.144,0.196)1.4如表1所示，實施例的高分子化合物1的C.I.E.色坐標值的y值小于比較例，作為藍色發光材料的色純度高。<實施例3>溶液配制將上述得到的高分子化合物1溶解在二甲苯中，制成聚合物濃度為1.5重量％的二甲苯溶液。EL元件的制作在通過濺射法附著了150nni厚的ITO膜的玻璃基板上，使用用0.2pm膜濾器過濾聚(3,4)亞乙基二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸(Bayer制，BaytronPCH8000)的懸濁液而形成的液體，通過旋涂形成70nm厚的薄膜，在加熱板上于2(TC下干燥10分鐘。然后使用上述得到的二甲苯溶液，通過旋涂以2100rpm的轉度成膜。成膜后的厚度約為86nm。再于8(TC下減壓干燥1小時，然后蒸鍍約3nm的氟化鋰，蒸鍍約10nm作為陰極的鈣，然后蒸鍍約80nm的鋁，制成EL元件。還有，在真空度達到1Xl(^Pa以下后開始蒸鍍金屬。EL元件的性能通過在得到的元件上施加電壓，可以從該元件上得到在465nm處有峰的EL發光。如果用C.I.E.色坐標值表示施加6.0V時的EL發光色，則x=0.145，y=0.224。EL發光強度基本與電流密度成正比。另外，該元件從3.0V開始發光，最大發光效率為3.05cd/A。壽命測定對于上述得到的EL元件，設定使初始亮度為400cd/n^的電流值，進行驅動，當測定亮度隨時間的變化時，該元件亮度的半衰期為34小時。另外，關于驅動需要的電壓，初始為4.41V，亮度半衰后為4.60V，驅動中的電壓變化為0.19V。還有，利用這種換算半衰壽命計算電壓的上升率時，為5.6mV/小時。<比較例1>溶液配制將上述得到的高分子化合物2溶解在二甲苯中，制成聚合物濃度為1.5重量％的二甲苯溶液。EL元件的制作除使用上述得到的二甲苯溶液外，按與實施例1所記載的方法完全相同的方式制作EL元件。還有，此時的旋涂轉數為1800rpm，得到的聚合物膜厚為88nm。EL元件的性能通過在得到的元件上施加電壓，可以從該元件上得到在470nm處有峰的EL發光。如果用C.I.E.色坐標值表示施加6.0V時的EL發光色，則x=0.147，y=0.266。EL發光強度基本與電流密度成正比。另外，該元件從3.0V開始發光，最大發光效率為2.03cd/A。對于上述得到的EL元件，設定使初始亮度為400cd/n^的電流值，進行驅動，當測定亮度隨時間的變化時，該元件亮度的半衰期為19小時。另外，關于驅動需要的電壓，初始為4.19V，亮度半衰后為4.89V，驅動中的電壓變化為0.70V。還有，利用這種換算半衰壽命計算電壓的上升率時，為36.8mV/小時。如實施例3及比較例1的結果所示，實施例的高分子化合物1的C.I.E.色坐標值的y值小于比較例，作為藍色發光材料的色純度高。另外，在從初始亮度400cd/m2以恒定電流作為驅動EL元件進行驅動時，實施例3的元件的壽命比比較例1的元件的壽命長。<實施例4>(化合物J及化合物J-1的合成)(化合物I的合成)在三口燒瓶上安裝回流管、熱電偶。在氮氣氛下加入吩噻嗪(10.0g)、1_溴_4-叔丁基2,6-二甲基苯(14,0g)、叔丁醇鈉(20.1g)、甲苯(318ml)，然后加入三二亞芐基丙酮合二鈀(0.23g)、三叔丁基膦四氟硼酸酯(0.12g)。在加熱回流下攪拌10小時，冷卻至室溫。使反應溶液通過預涂了氧化鋁的玻璃壽命觀!l定過濾器進行過濾，用3.5%的鹽酸洗滌得到的溶液，濃縮甲苯溶液。在得到的固體中添加甲苯和異丙醇，加熱到75i:，攪拌1小時，然后冷卻至室溫。過濾生成的沉淀，用異丙醇(100ml)洗滌，得到呈淡黃色固體的化合物I(10-(4-叔丁基-2,6-二甲基-苯基)-lOH-吩噻嗪)16g。'H-畫R(THF-d8，300MHz):57.36(s，2H),6.87(d,6.9Hz,2H)，6.68-6.78(m,4H),5.87(d，8.1Hz,2H)，2.20(s，6H)，1.40(s,9H).(化合物J的合成)在三口燒瓶上安裝回流管、熱電偶。在氮氣氛下加入化合物I(10-(4-叔丁基-2,6-二甲基-苯基)-lOH-吩噻嗪)(16.0g)、二氯甲烷(47ml)，在0°C下攪拌。在(TC下滴加1，3-二溴-5,5-二甲基乙內酰脲(12.8g)的DMF(13.7ml)溶液。添加甲醇94.5ml進行攪拌，過濾得到的沉淀。將該沉淀溶解在甲苯30ml中，添加甲醇300ml，在70'C下攪拌1小時，然后冷卻至室溫，過濾生成的結晶。用甲苯(10ml)/甲醇(100ml)對該結晶進行三次重結晶，得到呈淡黃綠色結晶的化合物J(3,7-二溴-10-(4-叔丁基-2，5-二甲基苯基)-10H-吩噻嗪)9.76g。(化合物J-l的合成)按照Bioorganic&MedicinalChemistryLetters(2003),13(18),3059記載的方法，在二甲基亞砜溶劑中，在化合物b、雙戊酰二硼、[i，r-二(二苯膦基)二茂鐵]二氯化鈀(n)、醋酸鉀的存在下，通過加熱可得到化合物J-i。<實施例5〉對于化合物單體，使用分子軌道計算程序、WinMOPAC3.0Professional(MOPAC2000V1.3)，求出(1一A)X*的值。一邊用AMI法進行結構最優化一邊進行計算。另外，原子軌道系數平方之和的值的計算按3位有效數字進行。還有，用于計算立體角的總和①f和分子軌道的化合物的最穩定立體構象，以及最高占有分子軌道的原子軌道系數可以通過利用作為半經驗性分子軌道法的AMI法(Dewar,M.J.S.etal,J.Am.Chem.Soc.，107,3902(1985))進行結構最優化來求出。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage114</formula>[表2]<table>tableseeoriginaldocumentpage114</column></row><table>工業實用性本發明的高分子化合物可作為發光材料及電荷輸送材料使用，用于高分子發光元件時，發射波長短，作為藍色發光材料使用時的色度及作為藍色、綠色、紅色、白色等發光材料使用時的壽命等元件特性優異。因此，含有本發明的高分子化合物的高分子LED可被用于作為液晶顯示器的背光燈或照明用的曲面狀及平面狀光源、組合型顯示裝置、點陣平板顯示器等。權利要求1.一種高分子化合物，其中，含有由下述式(1)表示的化合物殘基，id="icf0001"file="S2006800376723C00011.gif"wi="48"he="23"top="63"left="42"img-content="drawing"img-format="tif"orientation="portrait"inline="no"/>式中，C1環、C2環及C3環各自獨立地表示芳香烴環或雜環，A1表示含有選自硼原子、碳原子、氮原子、氧原子、磷原子、硫原子及硒原子中的一種以上原子的2價基團，R1表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、烯基、炔基、二取代氨基、三取代甲硅烷基、酰基、酰氧基、亞胺殘基、酰胺基、酰亞胺基、1價雜環基、取代羧基、雜芳氧基或雜芳硫基，或與結合有R1的C3環上的原子的相鄰原子結合形成環。2、一種高分子化合物，其中，含有由下述式(2)表示的結構單元，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage2</formula>式中，C'環、(:2環、C^環、A1及R"表示與上述相同的含義。3、根據權利要求1或2所述的高分子化合物，其中，c1環及d環為苯環或單環型雜環。4、根據權利要求1~3中任一項所述的高分子化合物，其中，d環為芳香烴環。5、根據權利要求14中任一項所述的高分子化合物，其中，d環由下述式(3)表示，(3)式中，R'表示與上述相同的含義，112及113各自獨立地表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳垸硫基、烯基、炔基、二取代氨基、三取代甲硅烷基、酰基、酰氧基、亞胺殘基、酰胺基、酰亞胺基、1價雜環基、取代羧基、雜芳氧基或雜芳硫基，當W結合在與R1或R2結合的碳原子相鄰的碳原子上時，該R3也可以與R1或R2結合形成環，n表示0、1、2或3，n為2以上時，多個W可以相同或不同。6、根據權利要求1~5中任一項所述的高分子化合物，其中，A'為氧原子、硫原子、-S(=0)-、-S(=0)2-、硒原子、-Se(=0)-或-Se(=0)2-。7、根據權利要求1~6中任一項所述的高分子化合物，其中，A為氧原子、硫原子或硒原子。8、根據權利要求17中任一項所述的高分子化合物，其滿足下述式(11)，(1一A)X*《0扁(11)式中，A表示與d環結合的氮原子的屏蔽率，B表示與(^環結合的氮原子的電子密度。9、根據權利要求17中任一項所述的高分子化合物，其中，還含有由下述式(4)表示的重復單元，-Ar1"(cR4=CR5)"n(4)式中，Ar'表示亞芳基、2價雜環基或具有金屬絡合物結構的2價基團，W及RS各自獨立地表示氫原子、垸基、芳基、1價雜環基或氰基，n表示0或1。10、根據權利要求9所述的高分子化合物，其中，上述式(4)中的n為0。11、根據權利要求9或10所述的高分子化合物，其特征在于，上述式(4)中的Ar'為亞芳基。12、根據權利要求111中任一項所述的高分子化合物，其中，還含有由下述式(5)表示的重復單元，式中，Ar2、Ar3、A/及A一各自獨立地表示亞芳基或2價雜環基，Ar6、Af及ArS各自獨立地表示芳基或1價雜環基，a及b各自獨立地表示0或正整數。13、根據權利要求1~12中任一項所述的高分子化合物，其中，含有由上述式(1)表示的化合物殘基的結構單元相對于全部結構單元的含量為0.1摩爾％以上且40摩爾％以下。14、根據權利要求113中任一項所述的高分子化合物，其中，經聚苯乙烯換算的數均分子量為103108。15、一種由上述式(2)表示的高分子化合物的制造方法，其中，使用由下述式(6)表示的化合物作為原料進行聚合，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage4</formula>式中，C'環、(32環、d環、A'及R'表示與上述相同的含義，X1、乂2各自獨立地表示能參與聚合的取代基。16、根據權利要求15所述的制造方法，其中，上述式(6)中的X'及xZ各自獨立地表示-B(OH)2、硼酸酯基、鹵化鎂、甲錫烷基、鹵素原子、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基或芳基烷基磺酸酯基。17、根據權利要求15或16所述的制造方法，其中，^及f各自獨立地表示-B(OH)2、硼酸酯基、鹵素原子、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基或芳基垸基磺酸酯基。18、一種由下述式(7)表示的化合物，式中，C'環、d環、^環及R'表示與上述相同的含義，AZ表示由-BR'-、-C(R，)2-、-NR，-、-O-、-PR，隱、-P(=0)R，-、陽Se-、隱Se(=0)-或-Se(=0)2-表示的2價基團，R，各自獨立地表示垸基、垸氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳垸硫基、烯基、炔基、二取代氨基、三取代甲硅烷基、酰基、酰氧基、l價雜環基、取代羧基、雜芳氧基或雜芳硫基，乂3及乂4各自獨立地表示鹵素原子、垸基磺酸酯基、芳基磺酸酯基、芳基烷基磺酸酯基、硼酸酯基、锍甲基、鱗甲基、膦酸酯甲基、單鹵化甲基、鹵化鎂基、取代甲硅垸基、甲錫烷基、-B(OH)2、甲酰基、氰基或乙烯基。19、根據權利要求18所述的化合物，其中，上述式(7)中的d環及d環為苯環或單環型雜環。20、根據權利要求18或19所述的化合物，其中，上述式(7)中的d環為芳香烴環。21、根據權利要求1820中任一項所述的化合物，其中，上述式(7)中的d環由上述式(3)表示。22、根據權利要求18~21中任一項所述的化合物，其中，上述式(7)中的八2為氧原子、硒原子、-Se(=0)-或-Se(=0)2-。23、根據權利要求1822中任一項所述的化合物，其中，上述式(7)中的f及XA各自獨立地表示-B(OH)2、硼酸酯基、鹵素原子、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基或芳基烷基磺酸酯基。24、一種由下述式(8)表示的化合物，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage5</formula>式中，C'環、02環、d環、R1、XS及XA表示與上述相同的含義，八3包含硼原子、碳原子、氮原子、氧原子、磷原子、硫原子或硒原子，表示利用C'環、N原子與(^環形成7元環或8元環的2價基團。25、根據權利要求24所述的化合物，其中，上述式(8)中的C'環及C^環為苯環或單環型雜環。26、根據權利要求24或25所述的化合物，其中，上述式(8)中的^環為芳香烴環。27、根據權利要求2426中任一項所述的化合物，其中，上述式(8)中的C^環由上述式(3)表示。28、根據權利要求2427中任一項所述的化合物，其特征在于，上述式(8)中的^及XA各自獨立地表示-B(OH)2、硼酸酯基、鹵素原子、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基或芳基烷基磺酸酯基。29、一種由下述式(9)表示的化合物，式中，d環、C2環、R1、R2、R3、n、X3及X4表示與上述相同的含義，A4表示由-C(=0)-、-C(=CR,2)■、畫S畫、-S(=0)誦或-S(=0)2-表示的2價基團。30、根據權利要求29所述的化合物，其中，上述式(9)中的d環及e環為苯環或單環型雜環。31、根據權利要求29或30所述的化合物，其中，上述式(9)中的A4為-S-、-S(=0)-或-S(=0)2-。32、根據權利要求30-31中任一項所述的化合物，其中，上述式(9)中的XS及X"各自獨立地表示-B(0H)2、硼酸酯基、鹵素原子、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基或芳基烷基磺酸酯基。33、一種溶液，其含有權利要求1~14中任一項所述的高分子化合物。34、一種發光性薄膜，其含有權利要求1~14中任一項所述的高分子化合物。35、一種導電性薄膜，其含有權利要求1~14中任一項所述的高分子化合物。36、一種有機晶體管，其含有權利要求1~14中任一項所述的高分子化合物。37、一種制造權利要求3436中任一項所述的薄膜的方法，其中，使用噴墨法。38、一種高分子發光元件，其中，在由陽極及陰極構成的電極之間具有有機層，該有機層含有權利要求114中任一項所述的高分子化合物。39、一種面狀光源，其使用權利要求38所述的高分子發光元件。40、一種顯示裝置，其使用權利要求38所述的高分子發光元件。全文摘要本發明涉及含有由式(1)表示的化合物殘基的高分子化合物。式中，C¹環、C²環及C³環各自獨立地表示芳香烴環或雜環。A¹表示含有選自硼原子、碳原子、氮原子、氧原子、磷原子、硫原子及硒原子中的一種以上原子的2價基團。R¹表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、烯基、炔基、二取代氨基、三取代甲硅烷基、酰基、酰氧基、亞胺殘基、酰胺基、酰亞胺基、1價雜環基、取代羧基、雜芳氧基或雜芳硫基，或與結合有R¹的C³環上的原子的相鄰原子結合形成環。文檔編號C08G61/12GK101283019SQ20068003767公開日2008年10月8日申請日期2006年8月10日優先權日2005年8月12日發明者小林諭,小林重也申請人:住友化學株式會社