電解質混合物、電解電容器及合成導電高分子的組合物的制作方法
【專利摘要】一種電解電容器用電解質混合物、電解電容器及合成導電高分子的組合物，所述電解質混合物包括導電高分子以及含氮高分子。含氮高分子包括環狀含氮結構聚合物、一級胺的聚合物、二級胺的聚合物、三級胺的聚合物、四級胺的聚合物或前述的組合。添加含氮高分子有助于降低導電高分子與氧化皮膜間的接口阻抗，增加導電高分子的成膜性，提升導電高分子的導電度，且應用于固態電解電容器時可有效提升固態電解電容器的電容量、可靠度、耐電壓、耐熱性，降低散逸因素值、120kHz等效串聯電阻與壽命。
【專利說明】電解質混合物、電解電容器及合成導電高分子的組合物
【技術領域】
[0001]本發明是有關于一種電解電容器用電解質混合物、一種用以合成高分子的組合物及一種導電高分子固態電解電容器。
【背景技術】
[0002]長期以來，提高電解質的導電度為電解電容器發展的一項主要課題。高導電度的電解質可以降低電容器的等效串聯電阻，達到高頻低阻抗并具高可靠度的特性。由于導電性高分子較傳統電解電容器所用的液態電解液或是固態有機半導體錯鹽，如四氰代二甲基苯醌(TCNQ)復合鹽，有更高的導電度，且具有適度的高溫絕緣化特性，沒有液態電容器因液體揮發造成的電容爆炸危險性，因此，導電性高分子已成為現今電解電容器所使用的固態電解質的開發潮流。
[0003]導電高分子可被運用于電容器中當作固態電解質于美國專利第4，803，596號第一次被提出。其制備方式是將正極箔含浸單體與氧化劑溶液，在適當的溫度下作聚合，因為單體與氧化劑反應迅速使得披覆在電極上的導電高分子不均勻。
[0004]導電高分子固態電容制備往往出現良率低阻抗高的現象，利用抑制劑如咪唑(imidazole)與其衍生物去降低反應速率并改善固態電解電容器的特性,但是此技術僅運用在中低壓的固態電解電容器，于50伏特以上的高壓固態電解電容器上并無法有效的增加耐電壓，導致良率不佳。
[0005]目前導電性高分子高壓電容器已經廣泛應用于車輛中。然而，導電性高分子高壓電容器的可靠度因為一些因素而無法提升。其一，由于導電高分子的膜層特性不佳，且易脆裂，長期使用容易因為來自環境的振動而使其本身變形，或造成氧化層損壞(breakdown)。再者，導電高分子的成膜性不佳，無法完全覆蓋電容器的介電層的表面，因而降低了固態電解電容器的電容量引出率。此外，當介電層的材質為結晶的氧化物或是陽極氧化而成的氧化招時，在介電層內的氧化招層為非均相(inhomogeneous),于介電層的晶界(grainboundaries)處容易造成龜裂,而衍生漏電流增加的問題。
[0006]由上述固態電解電容器可知，固態電解電容器能克服液態鋁電解電容器的缺失，但根據實際使用與測試后，發現上述技術仍存在有許多缺點，采用固態電解質取代液態電解液，借以消除液態的溫度特性差或長時間使用的不穩定，但在高負載或高溫的情況下，固態電解電容器將會產生較大的漏電流，若未加強導電高分子成膜特性，固態電解電容器將因為過大的漏電流而引發短路的現象，根據實驗數據得知，現有的固態電解電容器可承受的最高電壓小于50伏特，如何提高固態電解電容器的可承受電壓是目前亟于改善的技術問題點。
【發明內容】
[0007]本發明提供一種用以合成導電高分子的組合物，其添加含氮高分子有助于降低導電高分子與氧化皮膜間的接口阻抗，增加導電高分子的成膜性與覆蓋性(coverage)，提升導電高分子的導電度，且可作為固態電解質混合物，其應用于固態電解電容器時可有效提升固態電解電容器的電容量、可靠度、耐電壓(withstanding voltage)、耐熱性，降低散逸因素(DF)值、120kHz等效串聯電阻(ESR)與壽命。
[0008]本發明提出一種固態電解質混合物，包括導電高分子與含氮高分子，其中含氮高分子包括環狀含氮結構聚合物、一級胺的聚合物、二級胺的聚合物、三級胺的聚合物、四級胺的聚合物或前述的組合。
[0009]依照本發明一實施例所述，所述含氮高分子包括聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯吡啶、聚氯化己二烯二甲基胺、聚乙烯亞胺、聚丙烯酰胺、聚酰胺、一級胺的聚合物、二級胺的聚合物、三級胺的聚合物、四級胺的聚合物或前述的組合。
[0010]依照本發明一實施例所述，所述含氮高分子的重均分子量為1500至1300000。
[0011]依照本發明一實施例所述，所述導電高分子包括聚噻吩、聚噻吩衍生物、聚吡咯、聚吡咯衍生物、聚苯胺、聚苯胺衍生物或前述的組合。
[0012]本發明提出一種用以合成導電高分子的組合物，包括單體、氧化劑以及含氮高分子，其中含氮高分子包括環狀含氮結構聚合物、一級胺的聚合物、二級胺的聚合物、三級胺的聚合物、四級胺的聚合物或前述的組合。
[0013]依照本發明一實施例所述，所述含氮高分子包括聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯吡啶、聚氯化己二烯二甲基胺、聚乙烯亞胺、聚丙烯酰胺、聚酰胺、一級胺的聚合物、二級胺的聚合物、三級胺的聚合物、四級胺的聚合物或前述的組合。
[0014]依照本發明一實施例所述，所述含氮高分子的重均分子量為1，500至1，300，000。
[0015]依照本發明一實施例所述，所述單體包括噻吩、噻吩衍生物、吡咯、吡咯衍生物、苯胺、苯胺衍生物或前述的組合。
[0016]依照本發明一實施例所述，所述單體包括3，4-乙烯二氧噻吩。
[0017]依照本發明一實施例所述，所述氧化劑包括含鐵離子的鹽類，且所述含鐵離子的鹽類包括苯磺酸鐵、甲苯磺酸鐵、氯化鐵、硝酸鐵、硫酸鐵或前述的組合。
[0018]依照本發明一實施例所述，所述單體與所述含氮高分子形成單體溶液，再與含有所述氧化劑的氧化劑溶液混合，所述單體溶液包含10重量％(wt%)至70重量％的所述單體與0.1重量％至20重量％的所述含氮高分子,其余為溶劑；所述氧化劑溶液包含10重量％至70重量％的所述氧化劑，其余為溶劑。
[0019]依照本發明一實施例所述，所述單體與溶劑形成一單體溶液，再與所述氧化劑和所述含氮高分子形成的氧化劑溶液混合，其中所述單體溶液中包含20重量％至50重量％的所述單體，其余為溶劑，所述氧化劑溶液中包含20重量％至60重量％的氧化劑以及0.1重量％至20重量％的所述含氮高分子，其余為溶劑。
[0020]依照本發明一實施例所述，所述單體、所述氧化劑與所述含氮高分子形成混合液，其中所述單體的含量為20重量％至50重量％，所述氧化劑的含量為25重量％至50重量％以及所述含氮高分子的含量為0.1重量％至10重量％，其余為溶劑。
[0021]本發明還提出一種導電高分子固態電解電容器，其包括上述固態電解質混合物。
[0022]依照本發明一實施例所述，所述電解電容器用電解質混合物由上述電極先含浸于含有所述含氮化合物的單體溶液，再含浸于氧化劑溶液聚合而成。
[0023]依照本發明一實施例所述，所述電解電容器用電解質混合物由上述電極先含浸于單體溶液，再含浸于含有所述含氮化合物的氧化劑溶液聚合而成。
[0024]依照本發明一實施例所述，所述電解電容器用電解質混合物由上述電極含浸于含有單體、氧化劑以及所述含氮化合物的混合溶液之中聚合而成。
[0025]本發明實施例的固態電解質混合物可以提升導電高分子的導電度，加成提升所制成的固態電解質電容器的耐電壓與靜電容表現率。
[0026]本發明實施例的用以合成導電高分子的組合物可以提升經由氧化劑所合成的導電高分子的導電度，加成提升所制成的固態電解質電容器的靜電容表現率。
[0027]本發明實施例的導電高分子固態電解電容器，其具有優異的靜電容表現率與優異的等效串聯電阻表現。
[0028]為讓本發明的上述特征和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附圖式作詳細說明如下。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0029]圖1是依照本發明一實施例的導電高分子固態電解電容器的制造方法的流程圖。
[0030]圖2A是依照本發明例I的具有含氮高分子(聚乙烯吡咯烷酮)的3，4-乙烯二氧噻吩(EDOT)的單體溶液的干燥膜照片。
[0031]圖2B是依照本發明例I所形成的導電高分子的照片。
[0032]圖3A是依照本發明比較例I的不具有含氮高分子(聚乙烯吡咯烷酮)的含氮高分子(聚乙烯吡咯烷酮)3，4-乙烯二氧噻吩(EDOT)的單體溶液的干燥膜照片。
[0033]圖3B是依照比較例I所形成的導電高分子的照片。
[0034]圖4是依照本發明例2-5進行耐電壓測試的含氮高分子的含量以及電壓的關系圖。
[0035]其中，附圖標記:
[0036]10、20、30、40:步驟
【具體實施方式】
[0037]本發明實施例提供一種固態電解質混合物，由導電高分子與含氮高分子所組成。在一示范實施例中，固態電解質混合物的導電高分子的含量為70重量％至99.9重量％，含氮聞分子的含量為0.1重量％至30重量％。
[0038]導電高分子包括聚噻吩(thiophene)、聚噻吩衍生物、聚吡咯、聚吡咯衍生物、聚苯胺、聚苯胺衍生物或前述的組合。含氮高分子包括環狀含氮結構聚合物、一級胺的聚合物、二級胺的聚合物、三級胺的聚合物、四級胺的聚合物或前述的組合。含氮高分子的示范例包括聚乙烯卩比咯燒酮(polyvinylpyrrolidone)、聚乙烯卩比唳(polyvinylpyridine)或聚氯化己二烯二甲基胺(poly (diallydimethyl ammonium chloride))、聚乙烯亞胺、聚丙烯酰胺、聚酰胺或其組合。在一實施例中，含氮高分子的重均分子量為1，500至1，300，000。
[0039]上述固態電解質混合物可以借由用以合成導電高分子的組合物來制備。用以合成導電高分子的組合物包含單體、氧化劑與含氮高分子。
[0040]在一實施例中，先將本體(例如是電容器素子)含浸于單體與含氮高分子形成的單體溶液中，再含浸于含有氧化劑的氧化劑溶液中，以在本體上形成固態電解質混合物。更具體地說，單體溶液包括含氮高分子、單體以及溶劑，其中單體的含量為10重量％至70重量％，含氮高分子的含量為0.1重量％至20重量％，其余為溶劑。氧化劑溶液包含10重量％至70重量％的氧化劑，其余為溶劑。在一實施例中，單體與氧化劑的摩爾比例(單體/氧化劑)如是0.1至I。在另一實施例中，單體與氧化劑的摩爾比例(單體/氧化劑)如是
0.1 至 0.7。
[0041]在另一實施例中，先將本體(例如是電容器素子)含浸于單體與溶劑形成的單體溶液中，再含浸于氧化劑與含氮高分子形成的氧化劑溶液中，以在本體上形成固態電解質混合物。更具體地說，單體溶液之中的單體的含量為20重量％至50重量％，其余為溶劑。氧化劑溶液之中包括含氮高分子、氧化劑以及溶劑，其中氧化劑的含量為20重量％至60重量％，含氮高分子的含量為0.1重量％至20重量％，其余為溶劑。在一實施例中，單體與氧化劑的摩爾比例(單體/氧化劑)如是0.1至I。在另一實施例中，單體與氧化劑的摩爾比例(單體/氧化劑)如是0.1至0.7。
[0042]在又一實施例中，將本體(例如是電容器素子)含浸于單體、氧化劑與含氮高分子形成的混合液中，以在本體上形成固態電解質混合物。在混合液中，單體的含量為20重量％至50重量％，氧化劑的含量為25重量％至50重量％，含氮高分子的含量為0.1重量％至10重量％，其余為溶劑。在一實施例中，單體與氧化劑的摩爾比例(單體/氧化劑)如是0.1至I。在另一實施例中，單體與氧化劑的摩爾比例(單體/氧化劑)如是0.1至0.7。上述單體包括噻吩(thiophene)、噻吩衍生物、吡咯、吡咯衍生物、苯胺、苯胺衍生物或前述的組合。導電高分子的單體的示范例包括3，4-乙烯二氧噻吩(3，4-ethylenedioxythiophene)
或其衍生物，其衍生物結 構如下:
[0043]
*
O O
S
[0044]其中η為0-5的整數。單體可以單一使用或與不同結構單體在不同比例下混合使用。單體溶液的溶劑例如是甲醇、乙醇、丙醇、N，N-二甲基乙酰胺(DMAc)、乙二醇、聚乙二醇、二甲基亞砜(DMSO)、四氫呋喃(THF)或富馬酸二甲酯(DMF)等溶劑，或其兩種或兩種以上的混合物。
[0045]上述氧化劑包括含鐵離子的鹽類。含鐵離子的鹽類的示范實施例包括苯磺酸鐵、甲苯磺酸鐵、氯化鐵、硝酸鐵、硫酸鐵或前述的組合。
[0046]氧化劑溶液的溶劑例如是甲醇、乙醇、丙醇、N，N-二甲基乙酰胺、乙二醇、聚乙二醇、二甲基亞砜、四氫呋喃或富馬酸二甲酯等溶劑，或其兩種或兩種以上的混合物。
[0047]上述含氮高分子包括成膜劑，其可溶于單體溶液的溶劑或是可溶于氧化劑溶液的溶劑。在一實施例中，單體溶液的溶劑包括醇類與其它單體可溶解的有機溶劑。上述溶劑例如是甲醇、乙醇、丙醇、N, N-二甲基乙酰胺、乙二醇、聚乙二醇、二甲基亞砜、四氫呋喃或富馬酸二甲酯等溶劑，或其兩種或兩種以上的混合物。上述含氮高分子包括環狀含氮結構聚合物。上述含氮高分子的示范例包括聚乙烯卩比咯燒酮(polyvinylpyrrolidone)、聚乙烯批唳(polyvinylpyridine)或聚氯化己二烯二 甲基胺(poly (diallydimethyl ammoniumchloride))、聚乙烯亞胺(polyethyleneimine)、聚乙烯亞胺(polyethyIeneimine)、聚丙烯酰胺、聚酰胺(polyamide)。上述含氮高分子也可以是其它包括一級胺的聚合物，其它包括二級胺的聚合物、其它包括三級胺的聚合物、其它包括四級胺的聚合物或前述的組合。含氮高分子的重均分子量例如為1，500至1，300, 000。
[0048]依據以上所述，上述的用以合成導電高分子的組合物含有含氮高分子，單體在含氮高分子存在下進行聚合所得到的導電高分子膜層特性佳，可以應用于導電高分子固態電解電容器，做為導電高分子固態電解質，然而本發明實例的用以合成導電高分子的組合物的用途并不以固態電解電容器為限。
[0049]圖1是依照本發明一實施例的導電高分子固態電解電容器的制造方法的流程圖。
[0050]請參照圖1，在一實施例中，導電高分子固態電解電容器的制造方法可以先進行步驟10，卷制電容器素子并再化成。卷制電容器素子并再化成的方法可以利用電化學電解反應將金屬電極的表面氧化，以形成具有金屬氧化物介電層的正極。再以化學腐蝕另一金屬電極，以形成高表面積負極。然后，在所形成的具有金屬氧化物介電層的正極與負極中間夾隔離紙再卷繞成電容器素子。
[0051 ] 接著，進行步驟20，將電容器素子含浸上述用以合成導電高分子的組合物。在一實施例中，上述用以合成導電高分子的組合物的形成方法可以先將電容器素子含浸于具有含氮高分子的單體溶液中，之后，再含浸于氧化劑溶液中，使單體在含氮高分子存在下進行聚合。在另一實施例中，上述用以合成導電高分子的組合物的形成方法可以先將電容器素子含浸于不具有含氮高分子的單體溶液中，之后再含浸具有含氮高分子的氧化劑溶液中，使單體在含氮高分子存在下進行聚合。在又一實施例中，用以合成導電高分子的組合物的形成方法系將電容器素子含浸于含有單體、氧化劑以及含氮高分子溶液之中，使單體在含氮高分子存在下進行聚合。含浸上述用以合成導電高分子的組合物的時間例如是30分鐘，溫度例如是攝氏20度至100度。
[0052]之后，進行步驟30，升溫聚合，以透過升溫加速聚合反應的進行，在介電層表面上形成導電性高分子，此導電性高分子作為電容器的電解質。升溫聚合反應期間最高溫可達攝氏170度以確保反應完全。升溫的速度例如是每分鐘5度。聚合反應的時間例如是I至12小時。聚合所形成的導電高分子例如是聚噻吩、聚噻吩衍生物、聚吡咯、聚吡咯衍生物、聚苯胺、聚苯胺衍生物或其共聚物。
[0053]然后，進行步驟40，封口老化。進行封口老化包括先將上述電容器素子套入殼體，再進行封口老化。電容器素子所套入的殼體，例如是鋁殼。封口則可以透過橡膠蓋來完成。至此形成固態電解電容器。制成的固態電解質電容器的靜電容電容量可達IOyF至400 μ F，IOOkHz 等效串聯電阻(ESR)為 7ι?Ω 至 50ι?Ω，漏電流(LC)為 500 μ A 至 0.1 μ Α。
[0054]利用本發明實施例的用以合成導電高分子的組合物來形成導電高分子固態電解電容器的方法可以利用各種已知的方法，并不以上述實施例為限。
[0055]本發明實施例的用以合成導電高分子的組合物，可以有助于降低導電高分子與氧化皮膜間的接口阻抗，增加導電高分子的成膜性，提升導電高分子的導電度，且應用于固態電解電容器時可有效提升固態電解電容器的電容量、可靠度、耐電壓、耐熱性，降低散逸因子(dissipation factor, DF)值、120kHz 等效串聯電阻(ESR)與壽命。
[0056]例I
[0057]將添加5.0wt%含氮高分子(聚乙烯吡咯烷酮)的30wt%3，4_乙烯二氧噻吩(EDOT)單體溶液倒入燒杯中，于攝氏50度至125度干燥，其結果如圖2A所示。之后，再將5(^丨％的對甲苯磺酸鐵溶液倒入燒杯中，以每分鐘5度的速度升溫至攝氏170度，以進行聚合反應，其結果如2B所示。
[0058]比較例I
[0059]將不含含氮高分子的30wt%的3，4-乙烯二氧噻吩(EDOT)單體溶液倒入燒杯中，于攝氏50度至125度干燥，其結果如圖3A所示之后，再將50wt%的對甲苯磺酸鐵倒入燒杯中，以每分鐘5度的速度升溫至攝氏170度，以進行聚合反應，其結果如3B所示。
[0060]例2-5
[0061]以143伏特電化學電解反應正極鋁箔，以在鋁箔上形成氧化鋁介電層，接著，在氧化鋁介電層與電化學腐蝕的高表面積負極鋁箔中間夾隔離紙，之后再卷繞成電容器素子。此素子經過有機酸水溶液再化成，修補破損的氧化鋁介電層之后，先含浸表1所列的含有30被％的3，4-乙烯二氧噻吩(EDOT)單體和不同重量比的含氮高分子(聚乙烯吡咯烷酮(高分子重均分子量為130萬)的溶液)的溶液，之后含浸含有45wt%的甲苯磺酸鐵(Fe(III)p-tosylate)的溶液。接著升溫，以加速聚合反應的進行，反應期間最高溫可達攝氏170度以確保反應完全。之后，再將此電容器素子套入鋁殼，以橡膠蓋封口。測量所形成的固態電解電容器的特性，并在攝氏125度，施以63伏特的電壓進行老化120分鐘。此實施例2-5所制作的固態電解電容器特性(靜電容電容量(C)UOOkHz等效串聯電阻(ESR)、漏電流(LC))分別如表2所示，耐電壓的測試結果如圖4所示。
[0062]例6`
[0063]以與例2相同的制備方法制作固態電解電容器，除了含氮高分子改為重均分子量為I萬的聚乙烯吡咯烷酮，其添加量控制在5wt%。
[0064]例7-9
[0065]以與例2相同的制備方法制作固態電解電容器，除了含氮高分子改為亨斯邁(Huntsman)公司生產的分子量為2000的杰夫聚醚胺(JEFFAMINE D-2000)產品，其添加量分別控制在lwt%、2.5wt%與5wt%。
[0066]例10-11
[0067]以與例2相同的制備方法制作固態電解電容器，除了含氮高分子改為重均分子量1500的聚丙烯酸-丙烯酰胺，其添加量控制在0.2wt%與lwt%
[0068]例12-13
[0069]以與例2相同的制備方法制作固態電解電容器，除了含氮高分子改為重均分子量分布在20萬到35萬的聚氯化己二烯二甲基胺，其添加量控制在0.2wt%與lwt%。
[0070]例14
[0071]以與例2相同的制備方法制作固態電解電容器，除了含氮高分子改為重均分子量分布在6萬的聚乙烯吡啶，其添加量控制在lwt%。
[0072]比較例2
[0073]以相同于例2的方法制作固態電解電容器，但所含浸的單體溶液中不包含含氮高分子(聚乙烯吡咯烷酮)。此比較例2所制作的固態電解電容器特性如表2所示，耐電壓的測試結果如圖4所示。
[0074]例15
[0075]以相同于例2的方法制作固態電解電容器，但單體溶液維持在10wt%，并于10wt%的氧化劑(對甲苯磺酸鐵)溶液中添加0.2被％聚乙烯吡咯烷酮，如表3所示。之后進行固態電解電容器特性測試，結果如表4所示。
[0076]例16-18
[0077]以相同于例15的方法制作固態電解電容器，但單體溶液維持在10wt%，于40wt%、50wt%與70wt%的氧化劑(對甲苯磺酸鐵)溶液中添加0.5wt%聚乙烯卩比咯燒酮,各成分的含量如表3所示。之后進行固態電解電容器特性測試，結果如表4所示。
[0078]比較例3-4
[0079]以相同于例15的方法制作固態電解電容器，但在10wt%與40wt%的氧化劑(對甲苯磺酸鐵)溶液中未添加聚乙烯吡咯烷酮，各成分的含量如表3所示。之后進行固態電解電容器特性測試，結果如表4所示。
[0080]例19
[0081]以相同于例15的方法制作固態電解電容器，但單體溶液維持在50wt%，并于40wt%氧化劑(對甲苯磺酸鐵)溶液中添加0.5wt%杰夫聚醚胺D-2000，各成分的含量如表3所示。之后進行固態電解電容器特性測試，結果如表4所示。
[0082]比較例5
[0083]以相同于例19的方法制作固態電解電容器，但氧化劑(對甲苯磺酸鐵)溶液中未添加杰夫聚醚胺D-2000，各成分的含量如表3所示。之后進行固態電解電容器特性測試，結果如表4所示。
[0084]例20
[0085]以相同于例15的方法制作固態電解電容器，但單體溶液維持在70wt%，并于70wt%氧化劑(對甲苯磺酸鐵)溶液中添加lwt%杰夫聚醚胺D-2000，各成分的含量如表3所示。之后進行固態電解電容器特性測試，結果如表4所示。
[0086]比較例6
[0087]以相同于例19的方法制作固態電解電容器，但氧化劑(對甲苯磺酸鐵)溶液中未添加杰夫聚醚胺D-2000，各成分的含量如表3所示。之后進行固態電解電容器特性測試，結果如表4所示。
[0088]例21-24
[0089]以不同種類的單體溶液，利用相同于例2的方法制作固態電解電容器，各成分的含量如表5所示。之后進行固態電解電容器特性測試，結果如表6所示。
[0090]表I
[0091]
【權利要求】
1.一種固態電解質混合物，其特征在于，包括導電高分子與含氮高分子，所述含氮高分子包括環狀含氮結構聚合物、一級胺的聚合物、二級胺的聚合物、三級胺的聚合物、四級胺的聚合物或前述的組合。
2.根據權利要求1所述的固態電解質混合物，其特征在于，所述含氮高分子包括聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯吡啶、聚氯化己二烯二甲基胺、聚乙烯亞胺、聚丙烯酰胺、聚酰胺、一級胺的聚合物、二級胺的聚合物、三級胺的聚合物、四級胺的聚合物或前述的組合。
3.根據權利要求1所述的固態電解質混合物，其特征在于，所述含氮高分子的重均分子量為 I, 500 M 1,300,000。
4.根據權利要求1所述的固態電解質混合物，其特征在于，所述導電高分子包括聚噻吩、聚噻吩衍生物、聚吡咯、聚吡咯衍生物、聚苯胺、聚苯胺衍生物或前述的組合。
5.一種用以合成導電高分子的組合物，其特征在于，至少包括: 單體； 氧化劑；以及 含氮高分子，所述含氮高分子包括環狀含氮結構聚合物、一級胺的聚合物、二級胺的聚合物、三級胺的聚合物、四級胺的聚合物或前述的組合。
6.根據權利要求5所述的用以合成導電高分子的組合物，其特征在于，所述含氮高分子包括聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯吡啶、聚氯化己二烯二甲基胺、聚乙烯亞胺、聚丙烯酰胺、聚酰胺、一級胺的聚合物、二級胺的聚合物、三級胺的聚合物、四級胺的聚合物或前述的組合。
7.根據權利要求5所述的用以合成導電高分子的組合物，其特征在于，所述含氮高分子的重均分子量為I, 500至I, 300，000。
8.根據權利要求5所述的用以合成導電高分子的組合物，其特征在于，所述單體包括噻吩、噻吩衍生物、吡咯、吡咯衍生物、苯胺、苯胺衍生物或前述的組合。
9.根據權利要求5所述的用以合成導電高分子的組合物，其特征在于，所述單體包括3，4-乙烯二氧噻吩。
10.根據權利要求5所述的用以合成導電高分子的組合物，其特征在于，所述氧化劑包括含鐵離子的鹽類，且所述含鐵離子的鹽類包括苯磺酸鐵、甲苯磺酸鐵、氯化鐵、硝酸鐵、硫酸鐵或前述的組合。
11.根據權利要求5所述的用以合成導電高分子的組合物，其特征在于，所述單體與所述含氮高分子形成單體溶液，再與含有所述氧化劑的氧化劑溶液混合，所述單體溶液包含10重量％至70重量％的所述單體與0.1重量％至20重量％的所述含氮高分子,其余為溶劑；所述氧化劑溶液包含10重量％至70重量％的所述氧化劑，其余為溶劑。
12.根據權利要求5所述的用以合成導電高分子的組合物，其特征在于，所述單體與溶劑形成單體溶液，再與所述氧化劑和所述含氮高分子形成的一氧化劑溶液混合，其中所述單體溶液中包含20重量％至50重量％的所述單體，其余為溶劑，所述氧化劑溶液中包含20重量％至60重量％的氧化劑以及0.1重量％至20重量％的所述含氮高分子，其余為溶劑。
13.根據權利要求5所述的用以合成導電高分子的組合物，其特征在于，所述單體、所述氧化劑與所述含氮高分子形成混合液，其中所述單體的含量為20重量％至50重量％，所述氧化劑的含量為25重量％至50重量％以及所述含氮聞分子的含量為0.1重量％至10重量％，其余為溶劑。
14.一種導電高分子固態電解電容器，其特征在于，包括權利要求1至4中任一項所述的固態電解質混合物。
15.根據權利要求14所述的導電高分子固態電解電容器，其特征在于，所述電解電容器用電解質混合物由電極先含浸于含有所述含氮化合物的單體溶液，再含浸于氧化劑溶液聚合而成。
16.根據權利要求14所述的導電高分子固態電解電容器，其特征在于，所述電解電容器用電解質混合物由電極先含浸于單體溶液，再含浸于含有所述含氮化合物的氧化劑溶液聚合而成。
17.根據權利要求14所述的導電高分子固態電解電容器，其特征在于，所述電解電容器用電解質混合物由電極含浸于含有單體、氧化劑以及所述含氮化合物的混合溶液之中聚合而成。
【文檔編號】C08G73/02GK103578769SQ201310316720
【公開日】2014年2月12日 申請日期:2013年7月25日 優先權日:2012年7月26日
【發明者】簡宏仲, 蔡麗端, 杜佾璋 申請人:財團法人工業技術研究院