帶正電單層型電子照相感光體、處理盒和圖像形成裝置的制作方法

本發明涉及帶正電單層型電子照相感光體、處理盒和圖像形成裝置。

背景技術：

電子照相感光體用在電子照相方式的圖像形成裝置中。一般而言，電子照相感光體具備感光層。感光層可以含有電荷產生劑、電荷輸送劑(例如，空穴輸送劑或者電子輸送劑)和粘結它們的樹脂(粘結樹脂)。還有，感光層可以含有電荷輸送劑和電荷產生劑，并在同一層中具有電荷產生和電荷傳輸這兩種功能。這樣的電子照相感光體稱為單層型電子照相感光體。

例如，已知一種在電子照相感光體中作為空穴輸送劑的三(4-苯乙烯基苯基)胺衍生物(專利文獻1)。

〔專利文獻〕

專利文獻1：日本特開2012-27139號公報

技術實現要素：

然而，即使將專利文獻1中記載的三(4-苯乙烯基苯基)胺衍生物用作電子照相感光體中的空穴輸送劑，也難以抑制轉印記憶的發生。

本發明是鑒于上述課題而作出的，其目的在于提供一種帶正電單層型電子照相感光體，其可以對轉印記憶的發生進行抑制。還有，提供一種通過具備這樣的帶正電單層型電子照相感光體來對圖像故障的發生進行抑制的處理盒或者圖像形成裝置。

在具備與像承載體接觸而對其施加電壓的帶電部的圖像形成裝置中，本發明的帶正電單層型電子照相感光體用作所述像承載體。所述帶正電單層型電子照相感光體具備導電性基體和感光層。所述感光層至少含有電荷產生劑、空穴輸送劑、電子輸送劑和粘結樹脂。所述空穴輸送劑包含下述通式(I)所示的三芳胺衍生物。

【化1】

所述通式(I)中，R₁和R₂各自獨立，表示鹵素原子、任意取代的碳原子數1以上6以下的烷基、任意取代的碳原子數1以上6以下的烷氧基或者任意取代的碳原子數6以上12以下的芳基。m和n各自獨立，表示0以上4以下的整數。在m表示2以上整數的情況下，存在于同一個芳香環中的若干個R₁彼此可以相同也可以不同。在n表示2以上整數的情況下，存在于同一個芳香環中的若干個R₂彼此可以相同也可以不同。

另外，本說明書中的任意取代是指取代基的數量為0，或者1以上。

本發明的處理盒具備上述的帶正電單層型電子照相感光體。

本發明的圖像形成裝置具備：像承載體、帶電部、曝光部、顯影部和轉印部。所述像承載體是上述的帶正電單層型電子照相感光體。所述帶電部使所述像承載體的表面帶電。所述帶電部與所述像承載體接觸而對所述像承載體施加電流。所述帶電部的帶電極性是正極性。所述曝光部在所述像承載體的所述表面上形成靜電潛像。所述顯影部將所述靜電潛像顯影為調色劑像。所述轉印部將所述調色劑像從所述像承載體上轉印到被轉印體上。

根據本發明的帶正電單層型電子照相感光體，能夠對轉印記憶的發生進行抑制。還有，根據本發明的處理盒或者圖像形成裝置，通過具備上述的帶正電單層型電子照相感光體，能夠對轉印記憶引起的圖像故障(例如，圖像重影)的發生進行抑制。

附圖說明

圖1中(a)、(b)及(c)都是表示第一實施方式所涉及的帶正電單層型電子照相感光體的結構的示意性剖視圖。

圖2是化學式(HT-1)所表示的三芳胺衍生物的¹H-NMR圖表。

圖3是化學式(HT-2)所表示的三芳胺衍生物的¹H-NMR圖表。

圖4是化學式(HT-3)所表示的三芳胺衍生物的¹H-NMR圖表。

圖5是化學式(HT-4)所表示的三芳胺衍生物的¹H-NMR圖表。

圖6是化學式(HT-5)所表示的三芳胺衍生物的¹H-NMR圖表。

圖7是表示第二實施方式所涉及的圖像形成裝置的一種結構的概要圖。

圖8是表示第二實施方式所涉及的圖像形成裝置的另一種結構的概要圖。

具體實施方式

以下，對本發明的實施方式進行詳細說明。本發明不以任何方式被以下的實施方式所限定，在本發明的目的范圍內，可以適當變更后再進行實施。另外，對于重復說明的地方，存在適當省略的情況，但并不因此限定發明的要旨。還有，有時在有機化合物名稱之后加上“類”來統稱有機化合物及其衍生物。

以下，對于鹵素原子、碳原子數1以上10以下的烷基、碳原子數1以上9以下的烷基、碳原子數1以上6以下的烷基、碳原子數1以上5以下的烷基、碳原子數1以上3以下的烷基、碳原子數1以上10以下的烷氧基、碳原子數1以上6以下的烷氧基、碳原子數1以上4以下的烷氧基、碳原子數1以上3以下的烷氧基、碳原子數6以上14以下的芳基、碳原子數7以上15以下的芳烷基、碳原子數7以上12以下的芳烷基、碳原子數3以上10以下的環烷基、碳原子數2以上10以下的鏈烯基、碳原子數2以上6以下的鏈烯基、碳原子數2以上4以下的鏈烯基、雜環基、碳原子數2以上4以下的脂肪酰基和碳原子數2以上5以下的烷氧羰基，如果沒有特別規定，則分別表示如下含義。

對于鹵素原子，例如可以舉出：氟原子、氯原子、溴原子或者碘原子。

碳原子數1以上10以下的烷基是直鏈狀或者支鏈狀的，且是無取代的。對于碳原子數1以上10以下的烷基，例如可以舉出：甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、異戊基、新戊基、己基、庚基、辛基、壬基或者癸基。

碳原子數1以上9以下的烷基是直鏈狀或者支鏈狀的，且是無取代的。對于碳原子數1以上9以下的烷基，例如可以舉出：甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、異戊基、新戊基、己基、庚基、辛基或者壬基。

碳原子數1以上6以下的烷基是直鏈狀或者支鏈狀的，且是無取代的。對于碳原子數1以上6以下的烷基，例如可以舉出：甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、異戊基、新戊基或者己基。

碳原子數1以上5以下的烷基是直鏈狀或者支鏈狀的，且是無取代的。對于碳原子數1以上6以下的烷基，例如可以舉出：甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、異戊基或者新戊基。

碳原子數1以上3以下的烷基是直鏈狀或者支鏈狀的，且是無取代的。對于碳原子數1以上3以下的烷基，例如可以舉出：甲基、乙基、正丙基或者異丙基。

碳原子數1以上10以下的烷氧基是直鏈狀或者支鏈狀的，且是無取代的。對于碳原子數1以上10以下的烷氧基，例如可以舉出：甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、正戊氧基、異戊氧基、新戊氧基、己氧基、庚氧基、辛氧基、壬氧基或者癸氧基。

碳原子數1以上6以下的烷氧基是直鏈狀或者支鏈狀的，且是無取代的。對于碳原子數1以上6以下的烷氧基，例如可以舉出：甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、正戊氧基、異戊氧基、新戊氧基或者己氧基。

碳原子數1以上4以下的烷氧基是直鏈狀或者支鏈狀的，且是無取代的。對于碳原子數1以上4以下的烷氧基，例如可以舉出：甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、仲丁氧基或者叔丁氧基。

碳原子數1以上3以下的烷氧基是直鏈狀或者支鏈狀的，且是無取代的。對于碳原子數1以上3以下的烷氧基，例如可以舉出：甲氧基、乙氧基、正丙氧基或者異丙氧基。

例如，碳原子數6以上14以下的芳基是：碳原子數6以上14以下的無取代芳香族單環烴基、碳原子數6以上14以下的無取代芳香族縮合雙環烴基或者碳原子數6以上14以下的無取代芳香族縮合三環烴基。對于碳原子數6以上14以下的芳基，例如可以舉出：苯基、萘基、蒽基或者菲基。

碳原子數7以上15以下的芳烷基是無取代的。碳原子數7以上15以下的芳烷基是碳原子數6以上14以下的芳基與碳原子數1以上9以下的烷基進行了結合的基。

碳原子數7以上12以下的芳烷基是無取代的。對于碳原子數7以上12以下的芳烷基，例如可以舉出：苯基與碳原子數1以上6以下的烷基進行了結合的基；或者萘基與甲基或乙基進行了結合的基。

碳原子數3以上10以下的環烷基是無取代的。對于碳原子數3以上10以下的環烷基，例如可以舉出：環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、環辛基、環壬基或者環癸基。

碳原子數2以上10以下的鏈烯基是直鏈狀或者支鏈狀的，且是無取代的。對于碳原子數2以上10以下的鏈烯基，例如可以舉出：乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、己烯基、庚烯基、辛烯基、壬烯基或者癸烯基。

碳原子數2以上6以下的鏈烯基是直鏈狀或者支鏈狀的，且是無取代的。對于碳原子數2以上6以下的鏈烯基，例如可以舉出：乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基或者己烯基。

碳原子數2以上4以下的鏈烯基是直鏈狀或者支鏈狀的，且是無取代的。對于碳原子數2以上4以下的鏈烯基，例如可以舉出：乙烯基、丙烯基或者丁烯基。

雜環基是無取代的。對于雜環基，例如可以舉出：包含1個以上(優選為1個以上3個以下)的雜原子且具有芳香性的5元或6元的單環雜環基；這樣的單環彼此進行了稠合的雜環基；或者這樣的單環與5元或6元的烴環進行了稠合的雜環基。雜環原子是從氮原子、硫原子和氧原子構成的組中選擇的1種以上的原子。對于雜環基的具體例子，可以舉出：苯硫基、呋喃基、吡咯基、咪唑基、吡唑基、異噻唑基、異惡唑基、惡唑基、噻唑基、呋吖基、吡喃基、吡啶基、噠嗪基、嘧啶基、吡嗪基、吲哚基、1H-吲唑基、異吲哚基、苯并吡喃基、喹啉基、異喹啉基、嘌呤基、喋啶基、三唑基、四唑基、4H-喹嗪基、萘啶基、苯并呋喃基、1，3-苯并間二氧雜環戊烯基、苯并惡唑基、苯并噻唑基或者苯并咪唑基。

碳原子數2以上4以下的脂肪酰基是直鏈狀或者支鏈狀的，且是無取代的。碳原子數2以上4以下的脂肪酰基是碳原子數1以上3以下的烷基與羰基進行了結合的酰基。對于碳原子數2以上4以下的脂肪酰基，例如可以舉出：甲基羰基(乙酰基)、乙基羰基(丙酰基)或者丙基羰基。

碳原子數2以上5以下的烷氧羰基是直鏈狀或者支鏈狀的，且是無取代的。碳原子數2以上5以下的烷氧羰基是碳原子數1以上4以下的烷氧基與羰基進行了結合的酯基。對于碳原子數2以上5以下的烷氧羰基，例如可以舉出：甲氧羰基、乙氧羰基、丙氧羰基或者丁氧羰基。

＜第一實施方式：帶正電單層型電子照相感光體＞

第一實施方式涉及一種帶正電單層型電子照相感光體(以下，有時記載為“感光體”)。以下，參照圖1，對第一實施方式所涉及的感光體進行說明。圖1是表示第一實施方式所涉及的帶正電單層型電子照相感光體的結構的示意性剖視圖。例如，圖1(a)所示那樣，感光體1具備導電性基體2和感光層3。感光層3至少含有：電荷產生劑、空穴輸送劑、電子輸送劑和粘結樹脂。感光層3含有作為空穴輸送劑的通式(I)所示三芳胺衍生物(以下，有時記載為“三芳胺衍生物(I)”)。

第一實施方式所涉及的感光體1可以對轉印記憶的發生進行抑制。其理由推測如下。

為了便于理解，首先對轉印記憶進行說明。在電子照相方式的圖像形成中，例如進行包含以下的1)～5)的工序的圖像形成處理。

1)帶電工序，使像承載體的表面帶電；

2)曝光工序，在像承載體的表面上形成靜電潛像；

3)顯影工序，將靜電潛像顯影為調色劑像；

4)轉印工序，將所形成的調色劑像從像承載體上轉印到記錄介質上；以及

5)定影工序，對轉印到記錄介質上的調色劑像進行加熱而使其定影。

但是，在這樣的圖像形成處理中，由于在使用中使像承載體進行旋轉，因此有時會發生由轉印工序引起的轉印記憶。具體如下。帶電工序中，像承載體的表面均勻地帶電到一定的正極性電位。接下來，經過曝光工序和顯影工序，然后在轉印工序中，極性與帶電極性相反(負極性)的轉印偏壓隔著記錄介質而施加到像承載體上。由于所施加的轉印偏壓的影響，有時像承載體表面的非曝光區域(非圖像區域)的電位大幅下降，并保持為下降后的狀態。受到該電位下降的影響，非曝光區域在下一圈的帶電工序中，難以帶電到所需的正極性電位。另一方面，由于調色劑附著在曝光區域，因此，即使是施加了轉印偏壓的狀態，轉印偏壓也不易直接施加到感光體表面上，從而，曝光區域(圖像區域)的電位不易下降。因此，曝光區域在下一圈的帶電工序中，容易帶電到所需的正極性電位。其結果，有時存在如下情況：曝光區域和非曝光區域中，帶電電位不同，從而難以使像承載體的表面均勻地帶電到一定的正極性電位。將這樣的現象，即在感光體中帶著上一圈的成像工序中的轉印的影響導致非曝光區域的帶電能力下降而產生電位差的現象，稱為轉印記憶。

如上所述，第一實施方式所涉及的感光體1含有作為空穴輸送劑的三芳胺衍生物(I)。三芳胺衍生物(I)具有3個苯基丁二烯基。三芳胺衍生物(I)由于具有這樣的結構，因此其與粘結樹脂的相容性往往比較優異。因此，可以認為作為空穴輸送劑的三芳胺衍生物(I)能夠均勻地分散在感光層3中。

三芳胺衍生物(I)均勻地分散在感光層3中。因此，感光體1的電子移動性往往較優異。三芳胺衍生物(I)在粘結樹脂中具有優異的分散性。電子輸送劑也與三芳胺衍生物(I)一起混合在感光層3中。因此，在感光層3中，電子輸送劑與粘結樹脂的相容性得到提高，從而感光層3的電子傳輸性能容易得到提高。其結果，即使是轉印偏壓施加到感光體1中的狀態，感光層3中的電子也是迅速移動而不易殘留在感光層3中。因此，第一實施方式所涉及的感光體1能夠對轉印記憶的發生進行抑制。另外，在上述說明中，舉了未采用中間轉印體的圖像形成裝置的例子。在采用中間轉印體的圖像形成裝置中也是一樣的，第一實施方式所涉及的感光體1能夠對轉印記憶的發生進行抑制。

接下來，對第一實施方式所涉及的感光體1進行說明。例如，圖1(b)所示那樣，感光體1具備：導電性基體2、感光層3和中間層4。還有，如圖1(c)所示，感光體1具備：導電性基體2、感光層3和保護層5。感光層3直接或者間接地設置在導電性基體2上。例如，可以如圖1(a)所示那樣在導電性基體2上直接設置感光層3。或者，例如，也可以如圖1(b)所示那樣在導電性基體2與感光層3之間適當地設置中間層4。還有，可以如圖1(a)和圖1(b)所示那樣使感光層3作為最外層而露出。或者，也可以如圖1(c)所示那樣在感光層3上適當地設置保護層5。

感光層的厚度只要能夠使感光層充分發揮作用即可，不做特別的限定。感光層的厚度優選為5μm以上100μm以下，更優選為10μm以上50μm以下。

以下，對導電性基體和感光層進行說明。還有，對中間層和感光體的制造方法進行說明。

[1.導電性基體]

導電性基體只要能夠用作感光體的導電性基體即可，不做特別的限定。對于導電性基體，可以使用至少表面部是由導電性材料構成的導電性基體。例如，對于導電性基體，可以舉出：由導電性材料構成的導電性基體或者由導電性材料包覆的導電性基體。對于導電性材料，例如可以舉出：鋁、鐵、銅、錫、鉑、銀、釩、鉬、鉻、鎘、鈦、鎳、鈀或者銦。對于這些導電性材料，可以單獨使用一種，也可以組合兩種以上來使用。對于兩種以上的組合，例如可以舉出合金(更具體地來說，鋁合金、不銹鋼或者黃銅等)。這些導電性材料中，由電荷從感光層到導電性基體的移動性好的方面來看，優選鋁或者鋁合金作為導電性材料。

導電性基體的形狀可以根據所使用的圖像形成裝置的結構而適當選擇。例如，可以使用片狀的導電性基體或者鼓狀的導電性基體。還有，導電性基體的厚度可以根據導電性基體的形狀而適當選擇。

[2.感光層]

如上所述，感光層至少含有：電荷產生劑、空穴輸送劑、電子輸送劑和粘結樹脂。感光層也可以根據需要而再含有添加劑。以下，對電荷產生劑、空穴輸送劑、電子輸送劑和粘結樹脂進行說明。還有，對添加劑進行說明。

[2-1.電荷產生劑]

電荷產生劑只要是感光體用的電荷產生劑，就不做特別的限定。對于電荷產生劑，例如可以舉出：酞菁類顏料、苝顏料、雙偶氮顏料、二硫酮吡咯并吡咯(dithioketo-pyrrolopyrrole)顏料、無金屬萘酞菁顏料、金屬萘酞菁顏料、方酸顏料、三偶氮顏料、靛藍顏料、甘菊藍顏料、菁顏料；硒、硒-碲、硒-砷、硫化鎘、非晶硅之類無機光導材料的粉末；吡喃鹽、蒽嵌蒽醌類顏料、三苯甲烷類顏料、士林類顏料、甲苯胺類顏料、吡唑啉類顏料或者喹吖啶酮類顏料。對于酞菁類顏料，例如可以舉出：無金屬酞菁(具體來說，X型無金屬酞菁(X-H₂Pc)等)或者金屬酞菁衍生物。對于金屬酞菁衍生物，例如可以舉出：氧鈦酞菁(TiOPc)；或者二氧化鈦之外的物質進行了配位的金屬酞菁(具體來說，V型羥基鎵酞菁等)。對于氧鈦酞菁的晶體形態，例如可以舉出：α型氧鈦酞菁、β型氧鈦酞菁或者Y型氧鈦酞菁。對于感光體用的電荷產生劑，在這些電荷產生劑中，優選為酞菁類顏料，更優選為無金屬酞菁或者金屬酞菁，進一步優選為X型無金屬酞菁或者氧鈦酞菁。可以單獨使用一種電荷產生劑，也可以組合兩種以上來使用。

可以單獨地在感光體中使用在所需區域具有吸收波長的電荷產生劑，也可以在感光體中組合兩種以上的電荷產生劑來使用。例如，在數字光學式圖像形成裝置(例如，使用半導體激光器之類光源的激光打印機或者傳真機)中，優選使用在700nm以上波長區域具有感光度的感光體。因此，例如優選使用酞菁類顏料(具體來說，X型無金屬酞菁或者Y型氧鈦酞菁等)。對于酞菁類顏料的晶體形狀(例如，α型、β型或者Y型)不作特別限定，可以使用各種晶體形狀的酞菁類顏料。

對于在使用短波長激光光源的圖像形成裝置中應用的感光體，優選使用蒽嵌蒽醌類顏料或者苝類顏料作為電荷產生劑。例如，短波長激光的波長是350nm以上550nm以下左右的波長。

在感光層中，相對于粘結樹脂100質量份，電荷產生劑的含量優選為0.1質量份以上50質量份以下，更優選為0.5質量份以上30質量份以下。

[2-2.空穴輸送劑]

在感光層中作為空穴輸送劑的三芳胺衍生物(I)用通式(I)表示。

【化2】

通式(I)中，R₁和R₂各自獨立，表示：鹵素原子、任意取代的碳原子數1以上6以下的烷基、任意取代的碳原子數1以上6以下的烷氧基或者任意取代的碳原子數6以上14以下的芳基。m和n各自獨立，表示0以上4以下的整數。在m表示2以上整數的情況下，同一個芳香環中存在的若干個R₁彼此可以相同或不同。在n表示2以上整數的情況下，同一個芳香環中存在的若干個R₂彼此可以相同或不同。

如上所述，三芳胺衍生物(I)在感光層中的分散性往往比較優異。因此，三芳胺衍生物(I)往往能夠在感光層的成膜時抑制晶化。其結果，在感光體具備感光層的情況下，感光體具有優異的感光度。

通式(I)中，對于R₁和R₂所表示的碳原子數1以上6以下的烷基，優選為碳原子數1以上3以下的烷基，更優選為甲基或者異丙基。碳原子數1以上6以下的烷基也可以具有取代基。對于這樣的取代基，例如可以舉出：鹵素原子、碳原子數1以上6以下的烷氧基、碳原子數6以上14以下的芳基、碳原子數3以上10以下的環烷基；或者雜環基。對于取代基的數量不做特別的限定，優選為3以下。

通式(I)中，對于R₁和R₂所表示的碳原子數1以上6以下的烷氧基，優選為碳原子數1以上3以下的烷氧基，更優選為甲氧基。碳原子數1以上6以下的烷氧基也可以具有取代基。對于這樣的取代基，例如可以舉出：鹵素原子、碳原子數1以上6以下的烷氧基、碳原子數6以上14以下的芳基、碳原子數3以上10以下的環烷基；或者雜環基。對于取代基的數量不做特別的限定，優選為3以下。

通式(I)中，R₁和R₂所表示的碳原子數6以上14以下的芳基也可以具有取代基。對于這樣的取代基，例如可以舉出：鹵素原子、碳原子數1以上6以下的烷基、碳原子數1以上6以下的烷氧基、碳原子數6以上14以下的芳基、碳原子數3以上10以下的環烷基；或者雜環基。對于取代基的數量不做特別的限定，優選為3以下。

通式(I)中，從芳香環(苯環)中具有電子的共振效應的觀點來看，優選為：通式(I)中，R₁和R₂各自獨立，表示碳原子數1以上3以下的烷基或者甲氧基。

對于R₁和R₂所示取代基的結合位置沒有特別限制。例如，相對于苯基丁二烯基的苯環所結合的丁二烯基，R₂所示取代基可以在苯環的鄰位(o位)、間位(m位)和對位(p位)的任何一個上進行取代。根據R₂的結合位置，可以破壞三芳胺衍生物(I)的對稱結構。還有，相對于苯環所結合的氮原子，R₁所示取代基可以在苯環的鄰位或間位上進行取代，優選為在苯環的間位上進行取代。根據R₁的結合位置，可以破壞三芳胺衍生物(I)的對稱結構。

m和n各自獨立，表示0以上4以下的整數。通式(I)中，從能夠確保分子結構穩定的觀點來看，優選為：m和n各自獨立，表示0或者1。在3個m的和為2以上整數的情況下，不同的芳香環中存在的若干個R₁彼此可以相同或不同。在m表示2以上整數的情況下，同一個芳香環中存在的若干個R₁彼此可以相同或不同。在3個n的和為2以上整數的情況下，不同的芳香環中存在的若干個R₂彼此可以相同或不同。在n表示2以上整數的情況下，同一個芳香環中存在的若干個R₂彼此可以相同或不同。

對于空穴輸送劑，可以單獨使用一種三芳胺衍生物(I)，也可以與三芳胺衍生物(I)以外的其它空穴輸送劑進行組合使用。其它空穴輸送劑可以從眾所周知的空穴輸送劑中適當選擇。還有，對于空穴輸送劑，可以單獨使用三芳胺衍生物(I)中的一種，也可以組合三芳胺衍生物(I)中的兩種以上來使用。

感光層中，相對于粘結樹脂100質量份，空穴輸送劑的含量優選為10質量份以上200質量份以下，更優選為10質量份以上100質量份以下。

用化學式(HT-1)～(HT-7)來表示三芳胺衍生物(I)的具體例子。以下，有時分別記載為三芳胺衍生物(HT-1)～(HT-7)。

【化3】

【化4】

【化5】

【化6】

【化7】

【化8】

【化9】

三芳胺衍生物(HT-1)～(HT-5)的¹H-NMR(質子核磁共振)圖表(溶劑：CDCl₃、基準物質：TMS)分別表示在圖2～圖6中。圖2～6中，縱軸表示信號強度，橫軸表示化學位移值(ppm)。

例如，能夠通過包含以下反應方程式(R-1)、(R-2)和(R-3)所示的反應(以下，有時分別記載為反應(R-1)、反應(R-2)和反應(R-3))的制造方法來制造三芳胺衍生物(I)。

【化10】

【化11】

反應方程式(R-1)、(R-2)和(R-3)中的R₁、R₂、m和n分別與通式(I)中的R₁、R₂、m和n具有相同含義。還有，反應方程式(R-1)、(R-2)和(R-3)中的X是鹵素原子。

關于反應(R-1)，在下面進行敘述。反應(R-1)中，使通式(1)所示的化合物(以下，有時記載為苯衍生物(1))與化學式(2)所示的化合物(以下，有時記載為亞磷酸三乙酯(2))進行反應，得到通式(3)所示的化合物(以下，有時記載為膦酸酯衍生物(3))。例如，反應(R-1)可以在催化劑或者堿的存在下于溶劑中進行。還有，所得膦酸酯衍生物(3)可以在萃取后通過提純來獲得。

苯衍生物(1)與亞磷酸三乙酯(2)的反應比例優選為物質的量之比(摩爾比)1∶1～1∶4。相對于苯衍生物(1)的物質的量1摩爾，亞磷酸三乙酯(2)的物質的量為1摩爾以上時，膦酸酯衍生物(3)的收率不易下降。另一方面，相對于苯衍生物(1)的物質的量1摩爾，亞磷酸三乙酯(2)的物質的量為4摩爾以下時，未反應的亞磷酸三乙酯(2)不易殘留，膦酸酯衍生物(3)的提純不會變得困難。

關于反應(R-1)，為了能夠使用較簡單的制造設備高效地進行所需的反應，反應溫度優選為160℃以上200℃以下。基于同樣的理由，反應時間優選為2小時以上10小時以下。

接下來，對反應(R-2)進行敘述。反應(R-2)中，使膦酸酯衍生物(3)與通式(4)所示的化合物(以下，有時記載為肉桂醛衍生物(4))進行反應(以下，有時記載為Witting反應)，得到通式(5)所示的化合物(以下，有時記載為二苯基丁二烯衍生物(5))。二苯基丁二烯衍生物(5)可以在萃取后通過提純來獲得。

膦酸酯衍生物(3)和肉桂醛衍生物(4)的反應比例優選為摩爾比1∶1～1∶2.5。相對于膦酸酯衍生物(3)的物質的量1摩爾，肉桂醛衍生物(4)的物質的量為1摩爾以上時，二苯基丁二烯衍生物(5)的收率不會太低。另一方面，相對于膦酸酯衍生物(3)的物質的量1摩爾，肉桂醛衍生物(4)的物質的量為2.5摩爾以下時，未反應的肉桂醛衍生物(4)不易殘留，二苯基丁二烯衍生物(5)的提純不易變得困難。

關于Witting反應，反應溫度優選為0℃以上50℃以下，反應時間優選為2小時以上24小時以下。

例如，Wittig反應可以在催化劑的存在下進行。對于催化劑，例如可以舉出：鈉醇鹽(具體來說，甲醇鈉或者乙醇鈉等)、金屬氫化物(具體來說，氫化鈉或者氫化鉀等)或者金屬鹽(具體來說，正丁基鋰等)。對于這些催化劑，可以單獨使用一種，也可以組合兩種以上來使用。

相對于肉桂醛衍生物(4)的物質的量1摩爾，催化劑的添加量優選為1摩爾以上2摩爾以下。相對于肉桂醛衍生物(4)的物質的量1摩爾，催化劑的物質的量為1摩爾以上時，反應性不易降低。相對于肉桂醛衍生物(4)的物質的量1摩爾，催化劑的物質的量為2摩爾以下時，反應的控制不易變得困難。

例如，Witting反應能夠在溶劑中進行。對于溶劑，例如可以舉出：醚類(具體地來說，四氫呋喃、二乙醚或者二惡烷等)、鹵化烴(具體地來說，二氯甲烷、三氯甲烷或者二氯乙烷等)或者芳香族烴(具體地來說，苯或者甲苯等)。

然后，對反應(R-3)進行敘述。例如，在反應(R-3)中，使二苯基丁二烯衍生物(5)與氨基鋰進行反應(偶聯反應)，得到三芳胺衍生物(I)。三芳胺衍生物(I)可以在萃取后通過提純來獲得。

二苯基丁二烯衍生物(5)與氨基鋰的反應比例優選為摩爾比5∶1～3∶1。相對于氨基鋰的物質的量1摩爾，二苯基丁二烯衍生物(5)的物質的量為3摩爾以上時，三芳胺衍生物(I)的收率不易下降。相對于氨基鋰的物質的量1摩爾，二苯基丁二烯衍生物(5)的物質的量為5摩爾以下時，未反應的氨基鋰不易殘留，三芳胺衍生物(I)的提純不易變得困難。

關于反應(R-3)，反應溫度優選為80℃以上140℃以下，反應時間優選為2小時以上10小時以下。

還有，在反應(R-3)中，優選使用鈀化合物作為催化劑。通過使用鈀化合物作為催化劑，能夠有效地降低反應(R-3)中的活化能。其結果，能夠進一步提高三芳胺衍生物(I)的收率。

對于鈀化合物，例如可以舉出：四價鈀化合物(具體來說，六氯鈀(IV)酸鈉四水合物或者六氯鈀(IV)酸鉀四水合物等)、二價鈀化合物(具體來說，氯化鈀(II)、溴化鈀(II)、乙酸鈀(II)、乙酰乙酸鈀(II)、二(氰基苯)二氯化鈀(II)、二(三苯基胺膦)二氯化鈀(II)、四氨合氯化鈀(II)或者(1，5-環辛二烯)二氯化鈀(II)等)、或者其它鈀化合物(具體來說，三(二亞芐基丙酮)二鈀(0)、三(二亞芐基丙酮)二鈀三氯甲烷絡合物(0)或者四(三苯基胺膦)鈀(0)等)。還有，可以單獨使用一種鈀化合物，也可以組合兩種以上來使用。

相對于二苯基丁二烯衍生物(5)的物質的量1摩爾，鈀化合物的添加量優選為0.0005摩爾以上20摩爾以下，更優選為0.001摩爾以上1摩爾以下。

鈀化合物也可以是含有配體的結構。由此，能夠提高反應(R-3)的反應性。作為配體，例如可以舉出：三環己基膦、三苯基膦、二苯基甲基膦、三呋喃基膦、三(鄰甲苯基)膦、苯基二環己基膦、三(叔丁基)膦、1，1′-聯萘-2，2′-雙(二苯膦)或者2，2′-雙[(二苯膦基)二苯基]醚。可以單獨使用一種配體，也可以組合兩種以上來使用。相對于二苯基丁二烯衍生物(5)的物質的量1摩爾，配體的添加量優選為0.0005摩爾以上20摩爾以下，更優選為0.001摩爾以上1摩爾以下。

反應(R-3)優選為在堿的存在下進行。由此，反應系統中產生的鹵化氫被迅速中和，能夠使催化活性得到提高。其結果，能夠提高三芳胺衍生物(I)的收率。

堿可以是無機堿，也可以是有機堿。例如，對于有機堿，優選為堿金屬醇鹽(具體來說，甲醇鈉、乙醇鈉、甲醇鉀、乙醇鉀、叔丁醇鋰、叔丁醇鈉或者叔丁醇鉀等)，更優選為叔丁醇鈉。還有，對于無機堿，例如可以舉出：磷酸三鉀或者氟化銫。

在相對于二苯基丁二烯衍生物(5)的物質的量1摩爾而加入鈀化合物0.0005摩爾以上20摩爾以下的情況下，堿的添加量優選為1摩爾以上10摩爾以下，更優選為1摩爾以上5摩爾以下。

反應(R-3)能夠在溶劑中進行。對于溶劑，例如可以舉出：二甲苯(具體來說，鄰二甲苯等)、甲苯、四氫呋喃或者二甲基甲酰胺，更優選為二甲苯。

在三芳胺衍生物(I)的制造方法中，除了進行反應(R-1)～(R-3)的工序以外，也可以根據需要而包含其它適當的工序。

[2-3.電子輸送劑]

如上所述，感光層含有電子輸送劑。感光層含有電子輸送劑時，容易傳輸電子，并抑制轉印記憶的發生。

對于電子輸送劑，例如可以舉出：醌類化合物、腙類化合物、丙二腈類化合物、噻喃類化合物、三硝基噻噸酮類化合物、3，4，5，7-四硝基-9-芴酮類化合物、二硝基蒽類化合物、二硝基吖啶類化合物、四氰乙烯、2，4，8-三硝基噻噸酮、二硝基苯、二硝基蒽、二硝基吖啶、琥珀酸酐、馬來酸酐或者二溴馬來酸酐。對于醌類化合物，例如可以舉出：萘醌類化合物、聯苯醌類化合物、蒽醌類化合物、偶氮醌類化合物、硝基蒽醌類化合物或者二硝基蒽醌類化合物。這些電子輸送劑中，可以單獨使用一種，也可以組合兩種以上來使用。

對于醌類化合物的具體例子，可以舉出通式(ETM-I)～(ETM-III)所示的化合物。

【化12】

【化13】

【化14】

對于腙類化合物的具體例子，可以舉出通式(ETM-IV)所示的化合物。

【化15】

通式(ETM-I)～(ETM-IV)中，R₁₁～R₂₂各自獨立，表示：氫原子、任意取代的碳原子數1以上10以下的烷基、任意取代的碳原子數2以上10以下的鏈烯基、任意取代的碳原子數1以上10以下的烷氧基、任意取代的碳原子數7以上15以下的芳烷基、任意取代的碳原子數6以上14以下的芳基或者任意取代的雜環基。R₂₃表示：鹵素原子、氫原子、任意取代的碳原子數1以上10以下的烷基、任意取代的碳原子數2以上10以下的鏈烯基、任意取代的碳原子數1以上10以下的烷氧基、任意取代的碳原子數7以上15以下的芳烷基、任意取代的碳原子數6以上14以下的芳基或者任意取代的雜環基。

對于通式(ETM-I)～(ETM-IV)中的R₁₁～R₂₃所表示的碳原子數1以上10以下的烷基，優選為碳原子數1以上6以下的烷基，更優選為碳原子數1以上5以下的烷基，特別優選為甲基、叔丁基或者叔戊基。烷基可以是直鏈狀烷基、支鏈狀烷基、環狀烷基或者組合了這些的烷基。碳原子數1以上10以下的烷基也可以具有取代基。對于這樣的取代基，例如可以舉出：鹵素原子、羥基、碳原子數1以上4以下的烷氧基；或者氰基。對于取代基的數量不做特別的限定，優選為3以下。

對于通式(ETM-I)～(ETM-IV)中的R₁₁～R₂₃所表示的碳原子數2以上10以下的鏈烯基，優選為碳原子數2以上6以下的鏈烯基，更優選為碳原子數2以上4以下的鏈烯基。碳原子數2以上10以下的鏈烯基也可以具有取代基。對于這樣的取代基，例如可以舉出：鹵素原子、羥基、碳原子數1以上4以下的烷氧基；或者氰基。對于取代基的數量不做特別的限定，優選為3以下。

對于通式(ETM-I)～(ETM-IV)中的R₁₁～R₂₃所表示的碳原子數1以上10以下的烷氧基，優選為碳原子數1以上6以下的烷氧基，更優選為碳原子數1以上4以下的烷氧基。碳原子數1以上10以下的烷氧基也可以具有取代基。對于這樣的取代基，例如可以舉出：鹵素原子、羥基、碳原子數1以上4以下的烷氧基；或者氰基。對于取代基的數量不做特別的限定，優選為3以下。

對于通式(ETM-I)～(ETM-IV)中的R₁₁～R₂₃所表示的碳原子數7以上15以下的芳烷基，更優選為碳原子數7以上12以下的芳烷基。碳原子數7以上15以下的芳烷基也可以具有取代基。對于這樣的取代基，例如可以舉出：鹵素原子、羥基、碳原子數1以上4以下的烷基、碳原子數1以上4以下的烷氧基、硝基、氰基、碳原子數2以上4以下的脂肪酰基、苯甲酰基、苯氧基、碳原子數2以上5以下的烷氧羰基；或者苯氧羰基。對于取代基的數量不做特別的限定，優選為5以下，更優選為3以下。

通式(ETM-I)～(ETM-IV)中的R₁₁～R₂₃所表示的碳原子數6以上14以下的芳基也可以具有取代基。對于這樣的取代基，例如可以舉出：鹵素原子、羥基、碳原子數1以上4以下的烷基、碳原子數1以上4以下的烷氧基、硝基、氰基、碳原子數2以上4以下的脂肪酰基、苯甲酰基、苯氧基、碳原子數2以上5以下的烷氧羰基；或者苯氧羰基。

通式(ETM-I)～(ETM-IV)中的R₁₁～R₂₃所表示的雜環基也可以具有取代基。對于這樣的取代基，例如可以舉出：鹵素原子、羥基、碳原子數1以上4以下的烷基、碳原子數1以上4以下的烷氧基、硝基、氰基、碳原子數2以上4以下的脂肪酰基、苯甲酰基、苯氧基、碳原子數2以上5以下的烷氧羰基；或者苯氧羰基。

對于通式(ETM-IV)中的R₂₃所表示的鹵素原子，優選為氯原子。

對于通式(ETM-I)～(ETM-IV)所示的化合物的具體例子，分別可以舉出化學式(ETM-1)～(ETM-4)所示的化合物。

【化31】

【化32】

【化33】

【化34】

感光體的感光層中，相對于粘結樹脂100質量份，電子輸送劑的含量優選為5質量份以上100質量份以下，更優選為10質量份以上80質量份以下。

[2-4.粘結樹脂]

對于粘結樹脂，例如可以舉出：熱塑性樹脂、熱固性樹脂或者光固化樹脂。對于熱塑性樹脂，例如可以舉出：聚碳酸酯樹脂、苯乙烯類樹脂、苯乙烯-丁二烯共聚物、苯乙烯-丙烯腈共聚物、苯乙烯-順丁烯二酸共聚物、苯乙烯-丙烯酸類共聚物、丙烯酸共聚物、聚乙烯樹脂、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、氯化聚乙烯樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、離聚物、氯乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、醇酸樹脂、聚酰胺樹脂、聚氨基甲酸酯樹脂、聚芳酯樹脂、聚砜樹脂、鄰苯二甲酸二烯丙酯樹脂、酮樹脂、聚乙烯醇縮丁醛樹脂、聚醚樹脂或者聚酯樹脂。對于熱固性樹脂，例如可以舉出：硅酮樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂、脲醛樹脂、三聚氰胺樹脂或者其它交聯性熱固性樹脂。對于光固化樹脂，例如可以舉出：環氧丙烯酸類樹脂或者聚氨酯-丙烯酸類樹脂。在這些中，可以單獨使用一種，可以將兩種以上進行組合使用。

這些樹脂中，為了得到加工性、機械性能、光學性能和/或者耐磨損性的均衡性比較優異的感光層，優選聚碳酸酯樹脂作為粘結樹脂。對于聚碳酸酯樹脂，例如可以舉出：雙酚Z型聚碳酸酯樹脂、雙酚B型聚碳酸酯樹脂、雙酚CZ型聚碳酸酯樹脂、雙酚C型聚碳酸酯樹脂或者雙酚A型聚碳酸酯樹脂。對于聚碳酸酯樹脂，更具體地來說，可以舉出：具有化學式(Resin-I)所示重復單元的樹脂。

【化16】

粘結樹脂的粘均分子量優選為40000以上，更優選為40000以上52500以下。粘結樹脂的粘均分子量為40000以上時，能夠充分提高粘結樹脂的耐磨損性，感光層不易磨損。還有，粘結樹脂的分子量為52500以下時，粘結樹脂在感光層形成時容易溶解到溶劑中，且感光層用涂布液(以下，有時記載為涂布液)的粘度不會過高。其結果，容易形成感光層。

[2-5.添加劑]

第一實施方式所涉及的感光體中，在不對電子照相特性帶來不良影響的范圍內，感光層3也可以含有各種添加劑。對于添加劑，例如可以舉出：劣化抑制劑(具體來說，抗氧化劑、自由基捕獲劑、淬滅劑或紫外線吸收劑等)、軟化劑、表面改性劑、增量劑、增稠劑、分散穩定劑、蠟、受體、供體、表面活性劑、可塑劑、增感劑或者流平劑。對于抗氧化劑，例如可以舉出：受阻酚、受阻胺、對苯二胺、芳基烷烴、對苯二酚、螺苯并二氫吡喃(spirochroman)、螺茚酮(spiroindanone)或它們的衍生物；有機硫化合物或者有機磷化合物。

[3.中間層]

感光體中，中間層(尤其是，底涂層)可以位于導電性基體與感光層之間。例如，中間層含有無機顆粒和用在中間層中的樹脂(中間層用樹脂)。通過中間層的存在，維持可抑制漏電的發生這種程度的絕緣狀態，同時使曝光感光體時產生的電流流動順利，從而能夠抑制電阻的增加。

對于無機顆粒，例如可以舉出：金屬(具體來說，鋁、鐵或銅等)、金屬氧化物(具體來說，二氧化鈦、氧化鋁、氧化鋯、氧化錫或氧化鋅等)的顆粒；或者非金屬氧化物(具體來說，二氧化硅等)的顆粒。對于這些無機顆粒，可以單獨使用一種，也可以組合兩種以上來使用。

對于中間層用樹脂，只要是能夠用來形成中間層的樹脂，就不做特別的限定。

在不對電子照相特性帶來不良影響的范圍內，中間層也可以含有各種添加劑。添加劑與感光層的添加劑相同。

[4.感光體的制造方法]

接下來，參照圖1，對第一實施方式所涉及的感光體1的制造方法進行說明。第一實施方式所涉及的感光體1的制造方法可以具有感光層形成工序。感光層形成工序中，將涂布液涂布在導電性基體2上，然后去除所涂布的涂布液中所含的溶劑，從而形成感光層3。涂布液可以只含有：電荷產生劑、三芳胺衍生物(I)、電子輸送劑、粘結樹脂和溶劑。能夠通過將電荷產生劑、三芳胺衍生物(I)、電子輸送劑和粘結樹脂溶解或者分散在溶劑中，從而制備涂布液。根據需要，也可以在涂布液中加入各種添加劑。

涂布液中含有的溶劑只要能夠使涂布液中所含的各成分進行溶解或分散，就不做特別的限定。對于溶劑，例如可以舉出：醇類(具體來說，甲醇、乙醇、異丙醇或丁醇等)、脂肪族烴(具體來說，正己烷、辛烷或環己烷等)、芳香族烴(具體來說，苯、甲苯或二甲苯等)、鹵化烴(具體來說，二氯甲烷、二氯乙烷、四氯化碳或氯苯等)、醚類(具體來說，二甲醚、二乙醚、四氫呋喃、乙二醇二甲醚或二甘醇二甲醚等)、酮類(具體來說，丙酮、甲基乙基酮或環己酮等)、酯類(具體來說，乙酸乙酯或乙酸甲酯等)、二甲基甲醛、N，N-二甲基甲酰胺(DMF)或者二甲基亞砜。對于這些溶劑，可以單獨使用，也可以組合兩種以上來使用。這些溶劑中，優選非鹵素類溶劑作為涂布液中的溶劑。

通過將各成分混合并分散到溶劑中，從而制備涂布液。對于混合或者分散的操作，例如可以使用：珠磨機、輥磨機、球磨機、磨碎機、油漆振蕩器或者超聲波分散器。

為了提高各成分的分散性或者所形成的各層的表面平整度，例如涂布液也可以含有表面活性劑或者流平劑。

例如，對于使用涂布液進行涂布的方法，只要是能夠在導電性基體2上均勻地涂布上涂布液的方法，就不做特別的限定。對于涂布方法，例如可以舉出：浸涂法、噴涂法、旋涂法或者棒涂法。

對于去除涂布液所含的溶劑的方法，只要是可以使涂布液中的溶劑蒸發的方法，就不作特別限制。對于去除方法，例如可以舉出：加熱、減壓或者加熱減壓的并用。更具體地來說，可以舉出：使用高溫干燥機或者減壓干燥機進行熱處理(熱風干燥)的方法。例如，對于熱處理條件，加熱溫度優選為40℃以上150℃以下，加熱時間優選為3分鐘以上120分鐘以下。

另外，根據需要，感光體1的制造方法也可以進一步包含形成中間層4的工序和/或形成保護層5的工序。對于形成中間層4的工序和形成保護層5的工序，可以適當地選擇眾所周知的方法。

第一實施方式所涉及的感光體1在具備帶電部(與像承載體接觸而對其施加電壓)的圖像形成裝置中，用作像承載體。第一實施方式所涉及的感光體1即使在具備帶電部(與像承載體接觸而對其施加電壓)的圖像形成裝置中，也能夠對轉印記憶的發生進行抑制。

上述，參照圖1，對第一實施方式所涉及的感光體1進行了說明。根據第一實施方式所涉及的感光體1，能夠對轉印記憶的發生進行抑制。

＜第二實施方式：圖像形成裝置＞

第二實施方式涉及一種圖像形成裝置。以下，參照圖7，對第二實施方式所涉及的圖像形成裝置的一個例子進行說明。圖7是表示第二實施方式所涉及的圖像形成裝置的一種結構的概要圖。圖像形成裝置6具備第一實施方式所涉及的感光體1。感光體1用作像承載體。

第二實施方式所涉及的圖像形成裝置6具備：相當于感光體的像承載體1、相當于帶電裝置的帶電部27、相當于曝光裝置的曝光部28、相當于顯影裝置的顯影部29、轉印部。帶電部27使像承載體1的表面帶正電。帶電部27的帶電極性是正極性。帶電部27與像承載體1接觸而對像承載體1施加電壓。像承載體1的表面帶電后，曝光部28對該表面進行曝光而在像承載體1的表面上形成靜電潛像。顯影部29將靜電潛像顯影為調色劑像。在像承載體1與被轉印體(中間轉印帶20)接觸時，轉印部將調色劑像從像承載體1上轉印到中間轉印帶20上。在圖像形成裝置6采用中間轉印方式的情況下，轉印部相當于一次轉印輥33和二次轉印輥21。像承載體是第一實施方式所涉及的感光體1。

第二實施方式所涉及的圖像形成裝置6具備作為像承載體的第一實施方式所涉及的感光體1。因此，第二實施方式所涉及的圖像形成裝置6能夠對轉印記憶引起的圖像故障(例如，圖像重影)的發生進行抑制。其理由推測如下。

首先，為了便于理解，對轉印記憶引起的圖像故障進行說明。如上述那樣發生轉印記憶后，在像承載體1的表面上，下一圈的帶電工序中不能達到所需電位的區域與下一圈的帶電工序中能達到所需電位的區域相比，電位往往較低。具體來說，像承載體1的表面上，上一圈的非曝光區域與上一圈的曝光區域相比，電位往往較低。因此，上一圈的非曝光區域與上一圈的曝光區域相比，電位容易下降，導致容易吸引帶正電的調色劑。其結果，容易形成反映出上一圈的非圖像部(非曝光區域)的圖像。這樣的圖像故障，即形成反映出上一圈的非圖像部的圖像，就是轉印記憶引起的圖像故障。

如上所述，第一實施方式所涉及的感光體1往往可以對轉印記憶的發生進行抑制。因此，可以認為：第二實施方式所涉及的圖像形成裝置6由于具備作為像承載體的第一實施方式所涉及的感光體1，從而能夠對轉印記憶引起的圖像故障進行抑制。

圖像形成裝置6只要是電子照相方式的圖像形成裝置，就不做特別的限定。例如，圖像形成裝置6可以是單色圖像形成裝置，也可以是彩色圖像形成裝置。為了實現由不同顏色的調色劑形成各種顏色的調色劑像，圖像形成裝置6也可以是串聯方式的彩色圖像形成裝置。

以下，以串聯方式的彩色圖像形成裝置為例，對圖像形成裝置6進行說明。圖像形成裝置6具備：在規定方向上并排設置的若干個感光體1和若干個顯影部29。若干個顯影部29的每一個都配置成與感光體1相對。若干個顯影部29的每一個都具備顯影輥。顯影輥對調色劑進行承載并輸送，將調色劑供給到對應的像承載體1的表面上。

如圖7所示，圖像形成裝置6還具有箱形的機器殼體7。在機器殼體7內，設置有供紙部8、圖像形成部9和定影部10。供紙部8對紙張P進行供給。圖像形成部9對供紙部8供給來的紙張P進行輸送，并將基于圖像數據的調色劑像轉印到紙張P上。定影部10使在圖像形成部9中轉印到紙張P上的未定影調色劑像定影在紙張P上。還有，在機器殼體7的頂面，設置有排紙部11。排紙部11將在定影部10中定影處理過的紙張P排出。

在供紙部8中，具備：供紙盒12、第一搓紙輥13、供紙輥14、供紙輥15、供紙輥16和配準輥對17。供紙盒12設置成相對于機器殼體7可拆裝。在供紙盒12中，存儲有各種尺寸的紙張P。第一搓紙輥13設置在供紙盒12的左上方位置。第一搓紙輥13將供紙盒12中存儲的紙張P一張一張地取出。供紙輥14、供紙輥15和供紙輥16對第一搓紙輥13取出的紙張P進行輸送。配準輥對17使供紙輥14、供紙輥15和供紙輥16輸送來的紙張P暫時等待后，在規定的時間將紙張P送向圖像形成部9。

還有，供紙部8進一步具備手動送紙托盤(未圖示)和第二搓紙輥18。手動送紙托盤安裝在機器殼體7的左側面。第二搓紙輥18將手動送紙托盤中放置的紙張P取出。第二搓紙輥18取出的紙張P由供紙輥14、供紙輥15和供紙輥16進行輸送，并被配準輥對17在規定的時間送向圖像形成部9。

在圖像形成部9中，具備圖像形成單元19、中間轉印帶20和二次轉印輥21。在中間轉印帶20中，調色劑像由圖像形成單元19一次轉印到中間轉印帶20的表面(與一次轉印輥33接觸的面)上。另外，一次轉印的調色劑像是基于計算機之類上位裝置傳送來的圖像數據而形成的。二次轉印輥21將中間轉印帶20上的調色劑像二次轉印到從供紙盒12送來的紙張P上。

在圖像形成單元19中，以黃色調色劑供給用單元25為基準，從中間轉印帶20的旋轉方向的上游側(圖7中的右側)向下游側，依次設置有：黃色調色劑供給用單元25、品紅色調色劑供給用單元24、青色調色劑供給用單元23和黑色調色劑供給用單元22。在單元22、23、24和25的各中央位置，設置有感光體1。感光體1設置成可沿箭頭(順時針)方向旋轉。另外，單元22、23、24和25也可以是后面敘述的處理盒，處理盒相對于圖像形成裝置6主體可拆裝。

還有，在各像承載體1的周圍，以帶電部27為基準從各像承載體1的旋轉方向的上游側開始依次配置有：帶電部27、曝光部28、顯影部29。

在像承載體1的旋轉方向上，也可以在帶電部27的上游側設置除電器(未圖示)和清洗裝置(未圖示)。除電器在調色劑像到中間轉印帶20的一次轉印結束之后，對像承載體1的周面(表面)進行除電。由清洗裝置和除電器進行了清掃和除電的像承載體1的周面被送向帶電部27，進行新的帶電處理。

另外，第二實施方式所涉及的圖像形成裝置6可以具備相當于清洗裝置的清潔部和/或相當于除電器的除電部。在第二實施方式所涉及的圖像形成裝置6具備清潔部和除電部的情況下，從各像承載體1的旋轉方向的上游側開始，以帶電部27為基準，依次配置有：帶電部27、曝光部28、顯影部29、轉印部、清潔部、除電部。

如上所述，帶電部27使像承載體1的表面帶電。具體來說，帶電部27使像承載體1的周面均勻帶電。帶電部27與像承載體1接觸而對像承載體1施加電壓。帶電部27也稱為接觸方式的帶電部。對于這樣的接觸方式的帶電部27，例如可以舉出帶電輥或者帶電刷，優選為帶電輥。通過使用接觸方式的帶電部27，能夠抑制帶電部27產生的活性氣體(例如，臭氧或者氮氧化物)的排出。其結果，可以抑制由活性氣體引起的感光層3的劣化，并能夠實現辦公環境的人性化設計。

在帶電部27具備接觸方式的帶電輥的情況下，帶電輥在與像承載體1接觸的狀態下，使像承載體1的周面帶電。對于這樣的帶電輥，例如可以舉出：在與像承載體1接觸的狀態下從屬于像承載體1的旋轉而進行旋轉的帶電輥。還有，對于帶電輥，例如可以舉出：至少表面部是由樹脂構成的帶電輥。具體來說，帶電輥具備：被支撐為可繞軸旋轉的芯棒、在芯棒上形成的樹脂層、對芯棒施加電壓的電壓施加部。具備這種帶電輥的帶電部27能夠通過電壓施加部對芯棒施加電壓，使隔著樹脂層接觸的感光體1的表面帶電。

構成帶電輥的樹脂層的樹脂只要能夠使像承載體1的周面很好地帶電，就不做特別的限定。對于構成樹脂層的樹脂的具體例子，可以舉出：硅酮樹脂、聚氨基甲酸酯樹脂或者硅酮改性樹脂。在樹脂層中，也可以含有無機填充材料。

對于帶電部27所施加的電壓的種類不作特別限制，關于帶電部27所施加的電壓，例如可以舉出：直流電壓、交流電壓或者在交流電流上重疊了直流電流的重疊電壓。與帶電部施加交流電壓的情況或者帶電部施加在直流電壓上重疊了交流電壓的重疊電壓的情況相比，只施加直流電壓的帶電部27具有以下優勢。帶電部27只施加直流電壓時，施加在像承載體1上的電壓值是一定的，因此容易使像承載體1的表面均勻地帶電到一定電位。還有，帶電部27只施加直流電壓時，感光層3的磨損量往往會減少。其結果，能夠形成很好的圖像。帶電部27對感光體1施加的直流電壓優選為1000V以上2000V以下，更優選為1200V以上1800V以下，特別優選為1400V以上1600V以下。

直流電壓與交流電壓相比，往往容易發生轉印記憶。但是，第二實施方式所涉及的圖像形成裝置6通過具備作為像承載體的第一實施方式所涉及的感光體1，即使具備與像承載體接觸而對其施加直流電壓的帶電部，也能夠對轉印記憶所引起的圖像故障的發生進行抑制。

例如，曝光部28是激光掃描單元。曝光部28對帶電了的像承載體1的表面進行曝光，在像承載體1的表面上形成靜電潛像。具體來說，帶電部27使像承載體1的周面均勻帶電后，曝光部28對該周面照射基于計算機之類上位裝置輸入的圖像數據而形成的激光。由此，在像承載體1的周面上，形成基于圖像數據的靜電潛像。

顯影部29將靜電潛像顯影為調色劑像。具體來說，顯影部29將調色劑供給到形成有靜電潛像的像承載體1的周面上，并在該周面上形成基于圖像數據的調色劑像。然后，所形成的調色劑像一次轉印到中間轉印帶20上。另外，調色劑的帶電極性是正極性。

中間轉印帶20是環狀的帶式旋轉體。中間轉印帶20架設在驅動輥30、從動輥31、支撐輥32和若干個一次轉印輥33上。中間轉印帶20配置成若干個像承載體1的周面都與中間轉印帶20的表面(接觸面)抵接。

還有，一次轉印輥33與各感光體1相對地配置，中間轉印帶20被一次轉印輥33按壓在像承載體1上。在按壓的狀態下，中間轉印帶20根據驅動輥30而沿箭頭(逆時針)方向環形旋轉。驅動輥30利用步進馬達等驅動源而進行旋轉驅動，帶來用于使中間轉印帶20進行環形旋轉的驅動力。從動輥31、支撐輥32和若干個一次轉印輥33設置成可自由旋轉。從動輥31、支撐輥32和一次轉印輥33隨著由驅動輥30引起的中間轉印帶20的環形旋轉，而從動地進行旋轉。關于從動輥31、支撐輥32和一次轉印輥33，通過中間轉印帶20對應于驅動輥30的主動旋轉而從動地進行旋轉，也對中間轉印帶20進行支撐。

轉印部將調色劑像從像承載體1上轉印到中間轉印帶20上。具體來說，一次轉印輥33將一次轉印偏壓(具體來說，極性與調色劑的帶電極性相反的偏壓)施加給中間轉印帶20。其結果，各像承載體1上形成的調色劑像在各像承載體1與一次轉印輥33之間，被依次轉印(一次轉印)到繞圈旋轉的中間轉印帶20上。

二次轉印輥21將二次轉印偏壓(具體來說，極性與調色劑像相反的偏壓)施加到紙張P上。其結果，一次轉印到中間轉印帶20上的調色劑像在二次轉印輥21與支撐輥32之間，被轉印到紙張P上。由此，未定影的調色劑像被轉印到紙張P上。

定影部10使在圖像形成部9中轉印到紙張P上的未定影調色劑像進行定影。定影部10具備加熱輥34和加壓輥35。加熱輥34被通電發熱體加熱。加壓輥35配置成與加熱輥34相對，加壓輥35的周面按壓在加熱輥34的周面上。

在圖像形成部9中利用二次轉印輥21轉印到紙張P上的轉印圖像，利用紙張P通過加熱輥34與加壓輥35之間時的加熱帶來的定影處理，被定影在紙張P上。然后，進行了定影處理的紙張P被排出到排紙部11。還有，在定影部10與排紙部11之間的適當位置，設置有若干個輸送輥36。

排紙部11通過使機器殼體7的頂部凹陷而形成。在凹陷的凹部的底部，設置有接收排出的紙張P的出紙托盤37。上述，參照圖7，對第二實施方式所涉及的圖像形成裝置6進行了說明。

以下，參照圖8，對第二實施方式的另一例子所涉及的圖像形成裝置進行說明。圖8是表示第二實施方式所涉及的圖像形成裝置的另一種結構的概要圖。在圖8的圖像形成裝置6中，轉印部相當于轉印輥41。在圖8的圖像形成裝置6中，被轉印體相當于記錄介質(紙張P)。也就是說，圖8的圖像形成裝置采用直接轉印方式。另外，對于圖8中與圖7相對應的要素使用相同的附圖標記，省略重復的說明。

采用直接轉印方式的圖像形成裝置6中，像承載體易受轉印偏壓的影響，因此，一般來說容易發生轉印記憶。但是，如上所述，第一實施方式所涉及的感光體1往往會對轉印記憶的發生進行抑制。因此，可以認為：圖8的圖像形成裝置6由于具備作為像承載體1的第一實施方式所涉及的感光體1，所以，即使是圖像形成裝置6采用直接轉印方式的情況，轉印記憶所引起的圖像故障的發生也會得到抑制。

如圖8所示，轉印帶40是環狀的帶型旋轉體。轉印帶40架設在驅動輥30、從動輥31、支撐輥32和若干個轉印輥41上。以各像承載體1的周面與轉印帶40的表面(接觸面)抵接的方式，設置轉印帶40。配置在各像承載體1對面的各轉印輥41將轉印帶40按壓在像承載體1上。在被按壓的狀態下，轉印帶40根據若干個輥30、31、32和41而環形旋轉。驅動輥30由步進馬達等驅動源進行驅動而旋轉，提供用于使轉印帶40環形旋轉的驅動力。從動輥31、支撐輥32和轉印輥41設成可自由旋轉。隨著驅動輥30帶來的轉印帶40的環形旋轉，從動輥31、支撐輥32和若干個轉印輥41從動地進行旋轉。這些輥31、32、41從動地進行旋轉，同時對轉印帶40進行支撐。由配準輥對17供給來的紙張P被吸附輥42吸附到轉印帶40上。轉印帶40上吸附的紙張P隨著轉印帶40的旋轉，在各像承載體1與所對應的轉印輥41之間通過。

在像承載體1與紙張P接觸的狀態下，轉印部將調色劑像從像承載體1上轉印到紙張P上。具體來說，各轉印輥41將轉印偏壓(具體來說，極性與調色劑的帶電極性相反的偏壓)施加到吸附在轉印帶40上的紙張P上。由此，像承載體1上形成的調色劑像在各像承載體1與所對應的轉印輥41之間被轉印到紙張P上。轉印帶40利用驅動輥30的驅動而沿箭頭(順時針)方向繞圈轉動。伴隨于此，轉印帶40上吸附的紙張P依次通過各像承載體1與所對應的轉印輥41之間。在通過時，各像承載體1上形成的對應顏色的調色劑像以疊加涂覆的狀態依次被轉印到紙張P上。然后，各像承載體1繼續旋轉，進行下一個處理。上述，參照圖8，對第二實施方式的另一例子所涉及的采用直接轉印方式的圖像形成裝置進行了說明。

如參照圖7和圖8進行的說明，第二實施方式所涉及的圖像形成裝置6具備第一實施方式所涉及的感光體1，感光體1作為像承載體且可抑制轉印記憶。感光體1可以對轉印記憶的發生進行抑制。通過具備這樣的感光體，第二實施方式所涉及的圖像形成裝置6能夠對圖像故障的發生進行抑制。

＜第三實施方式：處理盒＞

第三實施方式涉及處理盒。第三實施方式所涉及的處理盒具備作為像承載體的第一實施方式所涉及的感光體1。第三實施方式所涉及的處理盒能夠對轉印記憶引起的圖像故障的發生進行抑制。其理由推測如下。如上所述，第一實施方式所涉及的感光體1往往可以對轉印記憶的發生進行抑制。因此，可以認為：第三實施方式所涉及的處理盒由于具備作為像承載體的第一實施方式所涉及的感光體1，從而能夠對轉印記憶引起的圖像故障的發生進行抑制。

例如，處理盒可以具備單元化了的第一實施方式所涉及的感光體1，感光體1作為像承載體。處理盒可以設計成相對于第二實施方式所涉及的圖像形成裝置6可拆裝。例如，能夠在處理盒中采用如下結構：除了像承載體以外，還將從帶電部、曝光部、顯影部、轉印部、清潔部和除電部構成的組中選擇的至少一個部件進行了單元化。其中，帶電部、曝光部、顯影部、轉印部、清潔部和除電部可以分別與第二實施方式中所述的帶電部27、曝光部28、顯影部29、轉印部、清潔部和除電部具有同樣的結構。

上述，對第三實施方式所涉及的處理盒進行了說明。第三實施方式所涉及的處理盒能夠對轉印記憶所引起的圖像故障的發生進行抑制。而且，這樣的處理盒容易處置，因此，在感光體1的感光度特性等發生了劣化的情況下，能夠容易且迅速地更換包含感光體在內的處理盒。

【實施例】

以下，使用實施例對本發明進行更具體的說明。不過，本發明不以任何方式限定于實施例的范圍內。

[1.感光體的制備]

使用電荷產生劑、空穴輸送劑、電子輸送劑和粘結樹脂，制造感光體(A-1)～(A-25)和(B-1)～(B-8)。

[1-1.電荷產生劑的制備]

在感光體(A-1)～(A-25)和(B-1)～(B-8)的制造中，使用以下電荷產生劑中的一個。具體來說，如表1和表2所示，使用第一實施方式所述的X型無金屬酞菁(以下，有時記載為“電荷產生劑(X-H₂Pc)”)或者氧鈦酞菁(以下，有時記載為“電荷產生劑(TiOPc)”)。

[1-2.空穴輸送劑的制備]

在感光體(A-1)～(A-25)的制造中，使用第一實施方式所述的三芳胺衍生物(HT-1)～(HT-6)作為空穴輸送劑。關于這些三芳胺衍生物的合成方法，在后面進行敘述。

還有，在感光體(B-1)～(B-8)的制造中，使用式(HT-A)或者(HT-B)表示的空穴輸送劑。

【化17】

【化18】

三芳胺衍生物(HT-1)的合成

首先，進行反應方程式(R-4)所表示的反應。

【化19】

(化學式(3a)所示的化合物的合成)

具體來說，將容量200mL的燒瓶用作反應容器。在反應容器中，放入化學式(1a)所示的化合物(16.1g、0.1mol)和化學式(2a)所示的化合物(亞磷酸三乙酯)(25g、0.15mol)。將反應容器的內含物在180℃的條件下攪拌8小時。接著，將反應容器的內含物冷卻到室溫(25℃)。然后，減壓蒸餾掉多余的亞磷酸三乙酯，得到白色液體，即化學式(3a)所示的化合物(產量：24.1g；收率：92mol％)。

(化學式(5a)所示的化合物的合成)

然后，進行反應方程式(R-5)所示的反應。具體來說，使用容量500mL的雙口燒瓶作為反應容器。將所得化學式(3a)所示的化合物(13g、0.05mol)在0℃的條件下放入反應容器中。在反應容器內進行氬氣置換。然后，在反應容器內，放入干燥四氫呋喃(100mL)和28％甲醇鈉(9.3g、0.05mol)，將反應容器的內含物攪拌30分鐘。然后，將干燥四氫呋喃(300mL)中的化學式(4a)所示的化合物(7g、0.05mol)加入到反應容器中，在室溫(25℃)的條件下將反應容器的內含物攪拌12小時。接著，將反應容器的內含物注入到離子交換水中，使用甲苯來萃取出化學式(5a)所示的化合物。使用離子交換水對所得有機相進行5次清洗，然后用無水硫酸鈉進行干燥之后，蒸餾掉溶劑，得到殘渣。使用展開劑對所得殘渣進行提純，得到白色結晶，即化學式(5a)所示的化合物(產量：9.8g；收率：80mol％)。展開劑是甲苯和甲醇的混合溶劑(體積比：甲苯/甲醇＝20mL/100mL)。

(三芳胺衍生物(HT-1)的合成)

然后，進行反應方程式(R-6)所示的反應。具體來說，使用三口燒瓶作為反應容器。在反應容器中，放入化學式(5a)所示的化合物(8g、0.03mol)、三環己基膦(0.0662g、0.000189mol)、三(二亞芐基丙酮)二鈀(0)(0.0864g、0.0000944mol)、叔丁醇鈉(5.3g、0.06mol)、氨基鋰(0.24g、0.010mol)和蒸餾后的鄰二甲苯(500mL)。在反應容器內進行氬氣置換。然后，將反應容器的內含物在120℃的條件下攪拌5小時。然后，將反應容器的內含物冷卻到室溫。其結果，得到反應容器的內含物的有機相。使用離子交換水對所得有機相進行3次清洗。接著，在有機相中加入無水硫酸鈉和活性粘土，進行干燥處理和吸附處理。然后，對有機相進行減壓蒸餾，去除鄰二甲苯，得到殘渣。使用展開劑，通過柱色譜法對所得殘渣進行提純，得到黃色粉末(產量：4.5g；收率：64mol％)。展開劑是三氯甲烷和己烷的混合溶劑(體積比：三氯甲烷/己烷＝1/1)。

使用¹H-NMR光譜儀(300MHz)對所得黃色粉末進行測量。使用CDCl₃作為溶劑。使用TMS作為基準物質。所得¹H-NMR圖表與圖2相同。確認了所得黃色粉末是三芳胺衍生物(HT-1)。以下是三芳胺衍生物(HT-1)的化學位移值。

三芳胺衍生物(HT-1)：¹H-NMR(300MHz，CDCl₃)δ＝7.30-7.35(m，12H)，7.10-7.15(d，6H)，7.03-7.07(d，6H)，6.81-6.96(m，6H)，6.57-6.67(m，6H)，2.34(s，9H).

三芳胺衍生物(HT-2)的合成

除了替換化學式(4a)所示的化合物而使用化學式(4b)所示的化合物以外，通過與化學式(5a)所示的化合物的合成一樣的方法，得到化合物(5b)所示的化合物(收率：70mol％)。然后，除了替換化合物(5a)所示的化合物而使用化學式(5b)所示的化合物以外，通過與三芳胺衍生物(HT-1)的合成一樣的方法，得到三芳胺衍生物(HT-2)(收率：65mol％)。得到與圖3相同的¹H-NMR圖表，確認了所得物質為三芳胺衍生物(HT-2)。以下是三芳胺衍生物(HT-2)的化學位移值。

三芳胺衍生物(HT-2)：¹H-NMR(300MHz，CDCl₃)δ＝7.30-7.38(m，12H)，7.17-7.20(d，6H)，7.01-7.10(d，6H)，6.81-6.96(m，6H)，6.57-6.65(m，6H)，2.84-2.95(m，3H)，1.25(d，18H).

【化20】

【化21】

另外，在三芳胺衍生物(HT-2)的合成和后面敘述的三芳胺衍生物(HT-3)～(HT-7)的合成中，對材料的配比量等進行調整，使其中的摩爾比與三芳胺衍生物(HT-1)的合成中的摩爾比相等。

三芳胺衍生物(HT-3)的合成

除了替換化學式(4a)所示的化合物而使用化學式(4c)所示的化合物以外，通過與化學式(5a)所示的化合物的合成一樣的方法，得到化合物(5c)所示的化合物(收率：60mol％)。然后，除了替換化合物(5a)所示的化合物而使用化學式(5c)所示的化合物以外，通過與三芳胺衍生物(HT-1)的合成一樣的方法，得到三芳胺衍生物(HT-3)(收率：65mol％)。得到與圖4相同的¹H-NMR圖表，確認了所得物質為三芳胺衍生物(HT-3)。以下是三芳胺衍生物(HT-3)的化學位移值。

三芳胺衍生物(HT-3)：¹H-NMR(300MHz，CDCl₃)δ＝7.50-7.54(dd，3H)，7.31-7.35(d，6H)，7.17-7.24(m，6H)，6.86-7.08(m，18H)，6.58-6.66(m，3H)，3.88(s，9H).

【化22】

【化23】

三芳胺衍生物(HT-4)的合成

除了替換化學式(4a)所示的化合物而使用化學式(4d)所示的化合物以外，通過與化學式(5a)所示的化合物的合成一樣的方法，得到化合物(5d)所示的化合物(收率：70mol％)。然后，除了替換化合物(5a)所示的化合物而使用化學式(5d)所示的化合物以外，通過與三芳胺衍生物(HT-1)的合成一樣的方法，得到三芳胺衍生物(HT-4)(收率：60mol％)。得到與圖5相同的¹H-NMR圖表，確認了所得物質為三芳胺衍生物(HT-4)。以下是三芳胺衍生物(HT-4)的化學位移值。

三芳胺衍生物(HT-4)：¹H-NMR(300MHz，CDCl₃)δ＝7.17-7.34(m，18H)，6.81-7.07(m，12H)，6.58-6.64(d，6H)，2.35(s，9H).

【化24】

【化25】

三芳胺衍生物(HT-5)的合成

除了替換化學式(4a)所示的化合物而使用化學式(4e)所示的化合物以外，通過與化學式(5a)所示的化合物的合成一樣的方法，得到化合物(5e)所示的化合物(收率：70mol％)。然后，除了替換化合物(5a)所示的化合物而使用化學式(5e)所示的化合物以外，通過與三芳胺衍生物(HT-1)的合成一樣的方法，得到三芳胺衍生物(HT-5)(收率：65mol％)。得到與圖6相同的¹H-NMR圖表，確認了所得物質為三芳胺衍生物(HT-5)。以下是三芳胺衍生物(HT-5)的化學位移值。

三芳胺衍生物(HT-5)：¹H-NMR(300MHz，CDCl₃)δ＝7.21-7.35(m，9H)，6.76-7.10(m，21H)，6.58-6.66(m，6H)，2.34(s，9H).

【化26】

【化27】

三芳胺衍生物(HT-6)的合成

除了替換化學式(3a)所示的化合物而使用化學式(3f)所示的化合物、替換化學式(4a)所示的化合物而使用化學式(4f)所示的化合物以外，通過與化學式(5a)所示的化合物的合成一樣的方法，得到化合物(5f)所示的化合物(收率：50mol％)。然后，除了替換化合物(5a)所示的化合物而使用化學式(5f)所示的化合物以外，通過與三芳胺衍生物(HT-1)的合成一樣的方法，得到三芳胺衍生物(HT-6)(收率：60mol％)。

【化28】

【化29】

【化30】

[1-3.電子輸送劑的制備]

在感光體(A-1)～(A-25)和(B-1)～(B-8)的制備中，使用第一實施方式所述的化學式(ETM-1)～(ETM-4)所示的化合物中的一個。

[1-4.粘結樹脂的制備]

在感光體(A-1)～(A-25)和(B-1)～(B-8)的制備中，都使用化學式(Resin-1)所示的聚碳酸酯樹脂。

【化35】

[1-5.感光體(A-1)的制造]

在容器內，放入作為電荷產生劑的X型無金屬酞菁(X-H₂Pc)5質量份、作為空穴輸送劑的三芳胺衍生物(HT-2)50質量份、電子輸送劑(ETM-1)35質量份、作為粘結樹脂的化學式(Resin-1)所示的聚碳酸酯樹脂(帝人株式會社制造“PANLITE(日本注冊商標)TS-2050”、粘均分子量50,000)100質量份、作為溶劑的四氫呋喃800質量份。使用球磨機，將它們進行50小時的混合及分散，制備出涂布液。

使用浸涂法，在導電性基體上使用涂布液進行涂布，在導電性基體上形成涂布膜。接下來，在100℃的條件下干燥40分鐘，從涂布膜中去除四氫呋喃。由此，得到在導電性基體上具備感光層的感光體(A-1)。感光層的膜厚是30μm。

[1-6.感光體(A-2)～(A-25)和(B-1)～(B-8)的制備]

除了改變以下幾點之外，通過與感光體(A-1)的制備一樣的方法，制備出感光體(A-2)～(A-25)和(B-1)～(B-8)。替換掉感光體(A-1)的制備中使用的電荷產生劑(X-H₂Pc)、空穴輸送劑(HT-2)和電子輸送劑(ETM-3)，分別使用后面敘述的表1和表2中的電荷產生劑(CGM)、空穴輸送劑(HTM)和電子輸送劑(ETM)。

[2.感光體的性能評價]

對于感光體(A-1)～(A-25)和(B-1)～(B-8)的任何一個，都進行以下評價。

(轉印記憶的評價)

將感光體安裝到圖像形成裝置(京瓷辦公信息系統株式會社制造“FS-C5250DN”)中。該圖像形成裝置具備施加直流電壓的接觸式帶電輥，其作為帶電部。帶電輥使帶電性套筒接觸到感光體，從而使感光體表面帶電。帶電性套筒是由在環氧氯丙烷樹脂中分散了導電碳的帶電橡膠構成的。還有，該圖像形成裝置采用中間轉印方式。

利用帶電輥，使感光體的表面帶電到+600V。按順序測量未對感光體施加轉印偏壓的情況下的感光體非曝光部的表面電位(V_OFF)、對感光體施加了轉印偏壓的情況下的感光體非曝光部的表面電位(V_ON)。其中，施加-2kV的轉印偏壓。測量環境是溫度23℃且相對濕度50％RH。

根據測量的表面電位計算出表面電位差(V_ON-V_OFF)。計算出的表面電位差作為轉印記憶電位。另外，表面電位差的絕對值越大，表示轉印記憶問題越嚴重。

關于實施例26～29的感光體(A-1)、(A-5)、(A-9)和(A-13)以及比較例9～10的感光體(B-1)和(B-5)的轉印記憶評價，除了安裝了這些感光體的圖像形成裝置中的帶電部是施加交流電壓的接觸式帶電輥以外，與帶電部施加直流電壓而進行的轉印記憶評價一樣地進行評價。

(圖像故障的評價)

將實施例1～25的感光體(A-1)～(A-25)和比較例1～8的感光體(B-1)～(B-8)的每一個分別安裝到圖像形成裝置(京瓷辦公信息系統株式會社制造“FS-C5250DN”)中。該圖像形成裝置具備施加直流電壓的接觸式帶電輥，其作為帶電部。帶電輥使帶電性套筒接觸到感光體，從而使感光體表面帶電。帶電性套筒是由在環氧氯丙烷樹脂中分散了導電碳的帶電橡膠構成的。還有，該圖像形成裝置采用中間轉印方式。為了使圖像形成裝置的感光體的動作穩定，對字母圖像進行了1小時的印刷。接下來，印刷1枚圖像A。圖像A形成在1小時印刷后的感光體的第1圈中。圖像A是由中心空白的圓環形圖案構成的圖像。中心空白的圓環形圖案是兩個同心圓為一組而構成的。圖像A的圖像部的圖像濃度是100％。圖像A在印刷方向上的長度相當于感光體1圈的長度。接下來，印刷1枚整面半色調的圖像B(圖像濃度12.5％)。圖像B形成在形成圖像A后的感光體的第2圈中。將圖像B作為圖像重影的評價用樣品。圖像B在印刷方向上的長度相當于感光體1圈的長度。

目測觀察所得評價用樣品，確認有無源自圖像A的圖像重影。基于以下基準，評價圖像重影的有無。另外，評價A和B為合格。

評價A：未觀察到源自圖像A的圖像重影。

評價B：觀察到輕微的源自圖像A的圖像重影。

評價C：觀察到了源自圖像A的圖像重影。評價用樣品中觀測到的圖像重影與未觀測到圖像重影的非圖像部之間的對比不明顯。

評價D：清晰地觀察到了源自圖像A的圖像重影。評價用樣品中觀測到的圖像重影與未觀測到圖像重影的非圖像部之間的對比明顯。

關于實施例26～29的感光體(A-1)、(A-5)、(A-9)和(A-13)以及比較例9～10的感光體(B-1)和(B-5)的圖像故障評價，除了安裝了這些感光體的圖像形成裝置中的帶電部是施加交流電壓的接觸式帶電輥以外，與帶電部施加直流電壓而進行的圖像故障評價一樣地進行評價。

【表1】

【表2】

如表1和表2所示，在施加直流電壓的帶電條件下，實施例1～25的感光體(A-1)～(A-25)的轉印記憶電位是-13V以上-8V以下。在施加直流電壓的帶電條件下，比較例1～8的感光體(B-1)～(B-8)的轉印記憶電位是-56V以上-49V以下。因此，表明了如下信息：含有三芳胺衍生物(I)的感光體(A-1)～(A-25)與感光體(B-1)～(B-8)相比，在施加直流電壓的帶電條件下，抑制了轉印記憶的發生。

還有，如表1和表2所示，在施加直流電壓的帶電條件下，具備實施例1～25的感光體(A-1)～(A-25)的圖像形成裝置的圖像評價是A或者B。在施加直流電壓的帶電條件下，具備比較例1～8的感光體(B-1)～(B-8)的圖像形成裝置的圖像評價全都是D。因此，表明了如下信息：具備感光體(A-1)～(A-25)的圖像形成裝置與具備感光體(B-1)～(B-8)的圖像形成裝置相比，在施加直流電壓的帶電條件下，抑制了圖像重影的發生。

如表1和表2所示，在施加交流電壓的帶電條件下，實施例26～29的感光體(A-1)、(A-5)、(A-9)和(A-13)的轉印記憶電位是-12V以上-8V以下。在施加交流電壓的帶電條件下，比較例9～10的感光體(B-1)和(B-5)的轉印記憶電位是-25V以上-23V以下。因此，表明了如下信息：含有三芳胺衍生物(I)的感光體(A-1)、(A-5)、(A-9)和(A-13)與感光體(B-1)和(B-5)相比，在施加交流電壓的帶電條件下，抑制了轉印記憶的發生。

還有，如表1和表2所示，在施加交流電壓的帶電條件下，具備實施例26～29的感光體(A-1)、(A-5)、(A-9)和(A-13)的圖像形成裝置的圖像評價全都是A。在施加交流電壓的帶電條件下，具備比較例9～10的感光體(B-1)和(B-5)的圖像形成裝置的圖像評價全都是C。因此，表明了如下信息：具備感光體(A-1)、(A-5)、(A-9)和(A-13)的圖像形成裝置與具備感光體(B-1)和(B-5)的圖像形成裝置相比，在施加交流電壓的帶電條件下，抑制了圖像重影的發生。

由上述可明顯得知：本發明所涉及的感光體可以對轉印記憶的發生進行抑制，具備這種感光體的圖像形成裝置可以對圖像故障的發生進行抑制。

還有，對于實施例1～29的感光體(A-1)～(A-25)進行了耐磨損性評價。施加直流電壓的帶電條件下的實施例1～25的感光體(A-1)～(A-25)與施加交流電壓的帶電條件下的實施例26～29的感光體(A-1)、(A-5)、(A-9)和(A-13)相比，磨耗量較少。