單晶硅片專用超聲清洗裝置的制作方法

本實用新型涉及單晶硅生產技術領域，具體涉及一種單晶硅片專用超聲清洗裝置。

背景技術：

單晶硅片從晶棒上切割下來后，表面會聚集很多臟污，在進入下道工序之前必須對硅片外表面進行清洗處理，由于硅片厚度薄，數量大，若將其直接放置在普通清洗槽中勢必會造成堆積，以致不能對硅片表面進行有效的清洗，清洗效果達不到規定的要求。

技術實現要素：

本實用新型所要解決的技術問題在于克服現有的技術缺陷，提供一種單晶硅片專用超聲清洗裝置。

本實用新型所要解決的技術問題采用以下的技術方案來實現：

一種單晶硅片專用超聲清洗裝置，包括清洗槽和與清洗槽相匹配的卡塞盒，所述清洗槽靠近上表面設置擱架，擱架將清洗槽分割成一個個大小相等、彼此相鄰的隔槽，隔槽下方彼此連通，水可以在隔槽底部自由流動，以便于利用超聲清洗并將臟污排出清洗槽。利用擱架將清洗槽分割成1-5行，2-8列隔槽，增大該清洗槽清洗容量。

所述隔槽一對邊分別設置卡口，所述卡塞盒形狀與隔槽相匹配并可置于該隔槽內，在卡塞盒兩邊設置有凸起，當將卡塞盒放置于隔槽內時通過凸起與卡口的配合將卡塞盒懸置于隔槽內。卡塞盒內設置有隔層，硅片置于該隔層內，可以設置5-25個隔層，卡塞盒底部鏤空，便于清洗硅片時水在卡塞盒內流動，同時將臟污從底部帶走。

使用該超聲清洗槽對硅片進行清洗時，先將硅片置于卡塞盒內的隔層中，將卡塞盒置于清洗槽內的隔槽中，然后啟動超聲裝置進行清洗，為達到最佳的清洗效果，清洗用水最好淹沒卡塞盒頂部。

本實用新型的有益效果為：通過將普通清洗槽分割成一個個彼此連通的隔槽，裝有硅片的卡塞盒置于該隔槽內，從而能夠對每一片硅片各面進行全方位清洗，不會因為硅片堆積而造成清洗死角。

附圖說明

圖1為本實用新型俯視圖；

圖2為裝置硅片的卡塞盒俯視圖。

具體實施方式

為了使本實用新型實現的技術手段、創作特征、達成目的與功效易于明白了解，下面結合具體圖示，進一步闡述本實用新型。

如圖1、2所示，一種單晶硅片專用超聲清洗裝置，包括清洗槽1和與清洗槽1相匹配的卡塞盒5，清洗槽1靠近上表面設置擱架2，擱架2將清洗槽1分割成一個個大小相等、彼此相鄰的隔槽3，隔槽3下方彼此連通，水可以在隔槽3底部自由流動，以便于利用超聲清洗并將臟污排出清洗槽1。利用擱架2將清洗槽1分割成1-5行，2-8列隔槽，增大該清洗槽清洗容量。

在隔槽3一對邊分別設置卡口4，卡塞盒5形狀與隔槽3相匹配并可置于隔槽3內，在卡塞盒5兩邊設置有凸起7，當將卡塞盒5放置于隔槽3內時通過凸起7與卡口4的配合將卡塞盒5懸置于隔槽3內。卡塞盒5內設置有隔層6，硅片置于該隔層6內，可以設置5-25個隔層6，卡塞盒5底部鏤空，便于清洗硅片時水在卡塞盒5內流動，同時將臟污從底部帶走。

使用該超聲清洗槽對硅片進行清洗時，先將硅片置于卡塞盒5內的隔層6中，將卡塞盒5置于清洗槽1內的隔槽3中，然后啟動超聲裝置進行清洗，為達到最佳的清洗效果，清洗用水最好淹沒卡塞盒5頂部。

以上顯示和描述了本實用新型的基本原理和主要特征和本實用新型的優點。本行業的技術人員應該了解，本實用新型不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是說明本實用新型的原理，在不脫離本實用新型精神和范圍的前提下，本實用新型還會有各種變化和改進，這些變化和改進都落入要求保護的本實用新型范圍內。本實用新型要求保護范圍由所附的權利要求書及其等效物界定。