一種半導體切割液的制作方法
【專利摘要】本發明涉及切割液的【技術領域】，具體地說是一種半導體切割液。該切割液所述各材料按以下重量組份組成：分子量200-10000聚乙二醇35-90份，pH值調節劑10-25份，滲透劑2-8份，螯合劑2-8份，去離子水余量；所述滲透劑是聚氧乙烯仲烷基醇醚(JFC)；所述螯合劑是FA/O。本發明的目的是提供一種化學作用強，效果好的半導體切割液。
【專利說明】一種半導體切割液
【技術領域】
[0001]本發明涉及切割液的【技術領域】，具體地說是一種半導體切割液。
【背景技術】
[0002]在晶棒切片過程中，由于強機械力的作用，硅片邊沿容易出現微裂、崩邊和應力集中點，硅片表面也存在應力分布不均和損傷，這些缺陷是造成IC制造中產生大量滑移線、外延層錯、滑移位錯、微缺陷等二次缺陷以及硅片、芯片易破裂的重要因素。晶棒切片中存在的損傷和應力的問題已經成為微電子工業繼續發展的障礙，線切割工藝中克服線鋸的晃動、提高其穩定性，對降低硅片表面損傷、特別是表面較粗糙的缺陷具有重要作用，但選擇性能優良的線切割液更是減小或避免上述問題的重要途徑。
【發明內容】
[0003]本發明的目的是提供一種化學作用強，效果好的半導體切割液。
[0004]本發明的技術方案是一種半導體切割液，所述各材料按以下重量組份組成:分子量200-10000聚乙二醇35-90份，pH值調節劑10-25份，滲透劑2_8份，螯合劑2_8份，去離子水余量。
[0005]進一步地說，所述滲透劑是聚氧乙烯仲烷基醇醚(JFC)。
[0006]進一步地說，所述螯合劑是FA/0。
[0007]本發明的優點是能有效降低表面張力、減少摩擦力，切割片薄，成品率明顯優于其它切割潤滑產品。
【具體實施方式】
[0008]本發明結合以下實施例作進一步描述，
[0009]實施例1，一種半導體切割液，所述各材料按以下重量組份組成:分子量200-10000聚乙二醇35份，pH值調節劑25份，滲透劑8份，螯合劑2份，去離子水余量；所述滲透劑是聚氧乙烯仲烷基醇醚(JFC);所述螯合劑是FA/0。
[0010]實施例2，一種半導體切割液，所述各材料按以下重量組份組成:分子量200-10000聚乙二醇90份，pH值調節劑10份，滲透劑2份，螯合劑8份，去離子水余量；所述滲透劑是聚氧乙烯仲烷基醇醚(JFC);所述螯合劑是FA/0。
[0011]實施例3，一種半導體切割液，所述各材料按以下重量組份組成:分子量200-10000聚乙二醇62.5份，pH值調節劑17.5份，滲透劑5份，螯合劑6份，去離子水余量；所述滲透劑是聚氧乙烯仲烷基醇醚(JFC);所述螯合劑是FA/0。
[0012]應理解，該實施例僅用于說明本發明而不用于限制本發明的范圍。此外，應理解，在閱讀了本發明講授的內容之后，本領域技術人員可以對本發明作各種改動或修改，這些等價形式同樣落于本申請所附權利要求書所限定的保護范圍之內。
【權利要求】
1.一種半導體切割液，其特征在于，所述各材料按以下重量組份組成:分子量200-10000聚乙二醇35-90份，pH值調節劑10-25份，滲透劑2_8份，螯合劑2_8份，去離子水余量。
2.根據權利要求1所述的一種半導體切割液，其特征在于，所述滲透劑是聚氧乙烯仲烷基醇醚(JFC)。
3.根據權利要求1所述的一種半導體切割液，其特征在于，所述螯合劑是FA/0。
【文檔編號】C10M173/02GK104419507SQ201310385554
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2013年8月29日 優先權日:2013年8月29日
【發明者】章成榮 申請人:章成榮