用于確定流過測量通道的流體介質的至少一個參數的傳感器組件的制作方法

在現有技術中已經已知很多用于確定流體介質即液體和/或氣體的流動特性的方法和裝置。所述流動特性在此原則上可涉及物理上和/或化學上可測的任意特性，所述特性定性或定量流體介質的流動。尤其在此可涉及流速和/或質量流和/或體積流。

在下文中，尤其參照例如像在Konrad Reif(編者):Sensoren im Kraftfahrzeug，2010年第1版，第146-148頁描述的那種所謂的熱膜空氣質量測量器對本發明進行描述。這種熱膜空氣質量測量器一般基于傳感器芯片，尤其是硅傳感器芯片，所述傳感器芯片具有傳感器膜片作為能被流動的流體介質流經的測量表面或傳感器區域。所述傳感器芯片一般包括至少一個加熱元件以及至少兩個溫度探測器，它們例如布置在傳感器芯片的測量表面上。由被溫度探測器感測的溫度曲線的不對稱性可推算出流體介質的質量流和/或體積流，所述溫度曲線受流體介質的流動影響。熱膜空氣質量測量器通常構型為插入式探測器，該插入式探測器能固定地或可更換地置入到通流管中。所述通流管在此例如可涉及內燃機的吸入管段。

在此，所述介質的部分流流過至少一個設置在熱膜空氣質量測量器中的主通道。在該主通道的入口和出口之間構造有旁路通道。旁路通道尤其這樣構造，使得其具有用于使通過主通道的入口進入的部分介質流轉向的彎曲區段，其中，彎曲區段在進一步的走向中過渡到在其中布置有傳感器芯片的區段中。最后提到的該區段構成真正的測量通道，在該真正的測量通道中布置有傳感器芯片。在此，在旁路通道中設置有一器件，該器件引導所述流動并且抑制部分介質流的流動從測量通道的通道壁脫離。此外，主通道的入口區域在其與主流動方向相反地指向的開口的區域中設有斜的或彎曲的面，所述面這樣構型，使得流入到所述入口區域中的介質從主通道的通向傳感器芯片的部分離開地被轉向。這引起，包含在所述介質中的液體或固體微粒由于其質量慣性而不能達到傳感器芯片并且不會污染該傳感器芯片。

這種熱膜空氣質量測量器在實際中必須滿足多種要求和邊界條件。除了在整體上通過合適的流動技術構型來減小熱膜空氣質量測量器上的壓降的目的之外，一個主要的挑戰在于：要進一步改善這種裝置的信號質量以及針對由于油微滴和水微滴以及碳煙顆粒、灰塵顆粒、和其他固體顆粒造成的污染的穩健性。所述信號質量例如涉及介質流過通向傳感器芯片的測量通道的質量流以及必要時還涉及減小信號漂移并改善信噪比。所述信號漂移在此涉及例如介質質量流的、在實際出現的質量流與在校準范疇內在制造時求取的待輸出的信號之間的、特征曲線的改變的意義上的偏差。在求取信噪比時觀察在快的時間順序中輸出的傳感器信號，而特征曲線漂移或信號漂移涉及平均值的改變。

在所描述的類型的常見熱膜空氣質量測量器中，傳感器承載件一般以安裝或置入在其上的傳感器芯片伸入到測量通道中。傳感器芯片例如可被粘接到傳感器承載件中或可被粘接到其上。所述傳感器承載件例如可與由金屬制成的底板形成一個單元，在所述底板上也可粘接有電子部件、呈電路板形式的操控和分析處理電路。所述傳感器承載件例如可構型為電子模塊的注塑上去的塑料件。傳感器芯片和操控和分析處理電路例如可通過鍵合連接部來相互連接。這樣形成的電子模塊例如可粘接到傳感器殼體中并且整個插入式探測器可用蓋來封閉。

盡管通過所述傳感器組件引起了改進，但在信號感測精確性方面始終存在改進可能性。

為了熱膜空氣質量測量器可提供干擾盡可能小的空氣質量信號，重要的是：盡可能均勻地流向插入式探測器并且盡可能均勻地穿過其中的測量通道并且尤其盡可能均勻地流經傳感器芯片的測量表面。在傳感器承載件的端側和測量通道的壁之間存在間隙，該間隙的寬度存在由制造技術引起的波動。在傳感器承載件的區域中在測量通道中流動的流體介質分成三個部分質量流。第一部分質量流在傳感器承載件和傳感器芯片之上流動，第二部分質量流在傳感器承載件之下流動，而第三部分質量流流過所述間隙。在環流傳感器承載件之后，形成不穩定的尾跡，其具有波動的流動速度和壓力。這導致，也在上游，尤其是在傳感器芯片的區域中，產生波動的流動參數，其導致測量信號中的波動，尤其是具有對傳感器承載件尺寸和流動速度典型的振動模式。該效應在測量通道的壁的構型不對稱的情況下也會產生。傳統的傳感器承載件構型得對稱并且有助于克服該不利情況。

技術實現要素：

因此，提出一種用于確定流過測量通道的流體介質的至少一個參數的傳感器組件，其能夠至少很大程度上避免已知的方法和策略的缺點，其中，尤其改進特征曲線可重復性和補償性以及降低信號噪聲和入流敏感性。

用于確定流過測量通道的流體介質，尤其是內燃機的吸入空氣質量流，的至少一個參數的傳感器組件具有：傳感器殼體，尤其是已置入或可置入到通流管中的插入式探測器，在該傳感器殼體中構造有測量通道；和至少一個布置在該測量通道中的傳感器芯片，用于確定所述流體介質的參數。傳感器芯片安裝在伸入到所述測量通道中的傳感器承載件上。傳感器承載件構造成其具有輪廓弦。該輪廓弦的長度為4.5mm至6.5mm。

就流體介質在測量通道中的主流動方向而言，所述傳感器承載件可具有位于傳感器芯片上游的入流區段和位于傳感器芯片下游的流出區段。流出區段可至少部分地倒圓地或至少部分地楔形地構造。所述傳感器承載件可構造成在流出區段中具有關于輪廓弦不對稱的橫截面。傳感器承載件可具有上側面和與該上側面相對置的下側面。傳感器芯片可布置在所述上側面上。所述上側面到所述輪廓弦的間距可比所述下側面到所述輪廓弦的間距要大。所述傳感器承載件可具有至少一個分段部。所述傳感器承載件可具有至少一個突起。所述突起例如可構造成臺階形。所述傳感器承載件可在上游端部處具有入流棱邊而在下游端部處具有流出棱邊。入流棱邊和/或流出棱邊可具有至少一個缺口。該缺口可構造成三角形、半圓形、矩形和/或正弦形。所述傳感器承載件可沿一個延伸方向延伸到測量通道中。該延伸方向可基本上垂直于流體介質在測量通道中的主流動方向。所述傳感器承載件可沿所述延伸方向變細。所述傳感器承載件可沿所述延伸方向對稱地或不對稱地變細。

所述主流動方向在本發明的范疇內要理解為流體介質在傳感器或者說傳感器組件的位置處的局部流動方向，其中，例如局部的無規律性例如紊流可不考慮。所述主流動方向因而尤其可理解為流動的流體介質的局部平均流動方向。所述主流動方向因而一方面可涉及在傳感器組件位置處的流動方向或也可涉及在傳感器殼體內的通道中(例如在傳感器承載件或傳感器芯片的位置處)的流動方向，其中，提到的兩種主流動方向可以是不同的。因此，在本發明的范疇內始終給出主流動方向涉及的是哪個位置。只要沒有詳細說明，則主流動方向涉及傳感器組件的位置。

下游布置在本發明的范疇內要理解為構件在一部位處的布置，流體介質沿主流動方向流動到達該部位的時間比到達參考點的時間晚。

類似地，在本發明的范疇內，上游的構件布置要理解為構件在一部位處的布置，沿主流動方向流動的流體介質到達該部位的時間比到達參考點的時間早。

在本發明的范疇內，所述傳感器承載件可整個地或部分地構型為電路承載件，尤其構型為電路板，或是電路承載件的一部分，尤其是電路板的一部分。電路承載件、尤其電路板例如可具有延續部，該延續部形成傳感器承載件并且該延續部伸入到通道、例如熱膜空氣質量測量器的測量通道中。電路承載件的、尤其電路板的其余部分例如可放置在傳感器組件的電子部件室中、傳感器組件的殼體中或傳感器組件的插入式探測器的殼體中。

在此，電路板在本發明的范疇內要普遍地理解為基本上板形的元件，該元件也可用作電子結構例如導電軌、連接觸頭或類似物的承載件，并且也優選具有一個或多個這種結構。原則上在此也考慮與板形至少稍微有差別并應該抽象地來領會。所述電路板例如可由塑料材料和/或陶瓷材料制造，例如由環氧樹脂、尤其是纖維增強的環氧樹脂。所述電路板尤其例如可構型為具有導體軌、尤其是壓印的導體軌(printed Circuit board，PCB)的電路板。

通過該方式可極大地簡化傳感器組件的電子模塊并且例如可取消底板和獨立的傳感器承載件。底板和傳感器承載件可通過唯一的電路板代替，在該唯一的電路板上例如也可整個地或部分地布置傳感器組件的操控和分析處理電路。傳感器組件的該操控和分析處理電路用于操控至少一個傳感器芯片和/或分析處理由該傳感器芯片生成的信號。以該方式可通過提到的元件的合并來極大地降低制造耗費并且極大地減小電子模塊的安裝空間需求。

所述傳感器組件尤其可具有至少一個殼體，其中，所述通道構造在所述殼體中。所述通道例如可包括主通道和旁路通道或者說測量通道，其中，所述傳感器承載件和傳感器芯片例如可布置在旁路通道或者說測量通道中。此外，所述殼體可具有與旁路通道分隔開的電子部件室，其中，所述電子模塊或電路板基本上被接收在電子部件室中。傳感器承載件則可構造為電路板的伸入到所述通道中的延續部。與由現有技術已知的費事的電子模塊相比，所述布置可在技術上較簡單地實現。

尤其在將一電路板用作傳感器承載件的情況中傳感器承載件可至少部分地構型為多層傳感器承載件，但在其他情況下和/或在使用其他介質作為傳感器承載件的情況下也可如此。因此，所述傳感器承載件能以所謂的多層工藝構型并且具有兩個或更多個相互連接的承載層。這些承載層例如又可由金屬、塑料或陶瓷材料或復合材料制成并且通過連接工藝，例如粘接，來相互連接。

在使用多層工藝并且傳感器承載件具有多個傳感器層的情況下，入流棱邊可通過承載層逆著流體介質主流動方向的不同尺寸而至少部分地臺階式地實施。通過該方式能以至少臺階式地近似的方式實現所述輪廓。例如可通過該方式在垂直于傳感器承載件的延伸平面的截平面中構造矩形地成形的輪廓或(通過臺階形來近似的)至少近似為圓的、倒圓的或楔形地成形的輪廓。所述傳感器芯片可這樣布置在傳感器承載件中或布置在其上，使得傳感器芯片垂直于局部主流動方向地取向。傳感器芯片例如可構型為矩形，其中，該矩形的一個側邊布置成垂直于或基本上垂直于(例如具有一個取向，該取向與垂直的偏差不超過10度)局部主流動方向。

傳感器芯片可通過至少一個電連接部來電接觸。例如，所述傳感器承載件，尤其是形成該傳感器承載件的電路板或該電路板的延續部可具有一個或多個導體軌和/或接觸焊盤，它們例如通過鍵合方法與傳感器芯片上的相應的觸頭連接。在該情況下，該電連接可通過至少一個遮蓋部保護并且與流體介質分隔開。該遮蓋部尤其可構型為所謂的Glob-Top，例如構型為塑料微滴和/或粘接劑微滴，該Glob-top遮蓋電連接部，例如鍵合金屬線。通過該方式尤其也可降低由于流過電連接而造成的影響，因為Glob-Top具有平滑的表面。

此外，所述傳感器芯片可具有至少一個傳感器區域。所述傳感器區域例如可為由例如多孔的陶瓷材料制成的傳感器表面和/或尤其可為傳感器膜片。流動的流體介質可流經作為測量表面或傳感器區域的該傳感器膜片。所述傳感器芯片包括例如至少一個加熱元件以及至少兩個溫度探測器，它們例如布置在傳感器芯片的測量表面上，其中，一個溫度探測器在加熱元件的上游受支承而另一個溫度探測器在加熱元件的下游受支承。由被溫度探測器感測的溫度曲線的不對稱可推算出流體介質的質量流和/或體積流，所述溫度曲線受流體介質的流動影響。

傳感器承載件的入流區段在本發明的范疇內要理解為傳感器承載件的位于傳感器芯片上游的區段。

類似地，傳感器承載件的流出區段在本發明的范疇內要理解為傳感器承載件的位于傳感器芯片下游的區段。

輪廓弦在本發明的范疇內要理解為傳感器承載件在其輪廓前棱邊和輪廓后棱邊之間的假想連接線。所述輪廓前棱邊在此是傳感器承載件的位于上游的面向入流的空氣的棱邊。相應地，所述輪廓后棱邊是背離入流的空氣的棱邊。

分段部在本發明的范疇內要理解為構件的中斷的構造。所述構件因而由多個部段組成。

本發明的基本構思在于相應于斯托克斯第二問題構造傳感器承載件的減小的延伸長度以及在脈動誤差小的回流的情況下構造傳感器承載件的空氣動力學上有利的入流。因此，例如被倒圓的、在部分區域中被倒圓的或區段地呈楔形地構型的傳感器承載件橫截面在傳感器承載件后棱邊的區域中用于在向前流動時的在幾何形狀上限定的分離以及空氣動力學上有利的入流，伴隨著回流時很大程度上無分離地流經傳感器芯片。傳感器承載件在傳感器承載件后棱邊區域中的不對稱的實施方案導致：在旁路通道中的單側或雙側，變動的尾跡以及波動的分離區域減小；允許的迎角范圍基于有效的輪廓拱形而增大；以及特征曲線可重復性提高并且信號噪聲降低。傳感器承載件的分段部引起經過傳感器承載件的流動的結構化。在傳感器芯片的側面上，附加地構造具有凹進的臺階部(例如呈阻流板的形式)的、就基本橫截面而言更高的表面有助于傳感器芯片的側面上的在幾何形狀上限定的穩定的分離。傳感器承載件前棱邊和/或后棱邊的三角形的、半圓形的、矩形的和/或正弦形的缺口引起向前流動以及往回流動情況下的流動結構化。

附圖說明

本發明的其他可選的細節和特征可由后面對在附圖中示意性地示出的優選實施例的描述得到。

圖1傳感器組件的立體圖，

圖2傳感器組件的電子模塊的放大圖，

圖3帶有測量通道和傳感器承載件的測量通道蓋的俯視圖，

圖4測量通道蓋的橫截面圖示，

圖5測量通道蓋的橫截面立體圖示，

圖6傳感器承載件在測量通道蓋和測量通道中的布置的圖示，

圖7沿著圖6的剖面線A-A的橫截面圖示，

圖8根據圖7的構造的流動情況的圖示，

圖9根據本發明的第一實施方式的測量通道蓋的俯視圖，

圖10根據第一實施方式的測量通道蓋的橫截面圖示，

圖11根據本發明的第二實施方式的測量通道蓋的橫截面圖示，

圖12根據第二實施方式的傳感器承載件的立體圖，

圖13根據本發明的第三實施方式的測量通道蓋的仰視圖，

圖14傳感器承載件的沿著圖13的剖面線A-A的橫截面圖示，

圖15傳感器承載件沿著圖13的剖面線B-B的橫截面圖示，

圖16根據第四實施方式的傳感器承載件沿著圖13的剖面線A-A的橫截面圖示，

圖17根據第五實施方式的傳感器承載件沿著圖13的剖面線B-B的橫截面圖示，

圖18根據第五實施方式的傳感器承載件的橫截面圖示，

圖19第五實施方式的傳感器承載件的放大的橫截面圖示，

圖20根據第六實施方式的傳感器承載件的俯視圖，

圖21根據第七實施方式的傳感器承載件的側視圖，

圖22根據第八實施方式的傳感器承載件的俯視圖，

圖23根據第九實施方式的傳感器承載件的俯視圖，

圖24根據第十實施方式的傳感器承載件的俯視圖，

圖25根據第十一實施方式的傳感器承載件的仰視圖，

圖26根據第十二實施方式的傳感器承載件的仰視圖，以及

圖27根據第十三實施方式的傳感器承載件40的仰視圖。

具體實施方式

圖1示出用于確定流體介質的參數的傳感器組件10的示意圖。該傳感器組件10構型為熱膜空氣質量測量器并且包括構造為插入式探測器的傳感器殼體12，該傳感器殼體例如可插入到通流管中，尤其是內燃機的吸入管段中。傳感器殼體12具有殼體主體14、測量通道蓋16、電子部件室18以及用于封閉電子部件室18的電子部件室蓋20。在測量通道蓋16中構造有通道結構22。通道結構22具有：主通道24，該主通道通到就傳感器殼體12的圖1所示的圖示而言的下側面26上的主流動出口(未示出)中；以及從主通道24分支出的旁路通道或者說測量通道28，該測量通道通到布置在傳感器殼體12的端側30上的旁路通道出口或者說測量通道出口32中。通過所述通道結構22，有代表性的量的流體介質可流經流入開口34，該流入開口在裝入狀態中與流體介質在傳感器殼體12位置處的主流動方向36相反地指向。

圖2示出傳感器組件10的電子模塊38的放大圖。在電子模塊38的裝入狀態中傳感器承載件40突出到測量通道28中。傳感器芯片42這樣進入傳感器承載件40中，使得構造為傳感器芯片42的傳感器區域的微機械傳感器膜片44能被流體介質流經。傳感器承載件42與傳感器芯片42是電子模塊38的組成部分。電子模塊38還具有被折彎的底板46以及安裝在該底板上的、例如粘接上去的電路板48，該電路板具有操控和分析處理電路50。傳感器芯片42與操控和分析處理電路50通過電連接部52來電連接，該電連接部構型為金屬線鍵合部。這樣形成的電子模塊38被置入、例如被粘接到傳感器殼體12的殼體主體14中的電子部件室18中。在此，傳感器承載件40伸入到通道結構22中。接著，電子部件室18被電子部件室蓋20封閉。

圖3示出測量通道蓋16中的通道結構22的俯視圖。在該測量通道蓋16中布置有離心力轉向裝置54。測量通道蓋16還構造成在測量通道28中構造有測量通道斜坡56。此外，由圖3可看到傳感器承載件40的布置。傳感器承載件40在裝入狀態下突出到測量通道28中。在圖3的圖示中可看到傳感器承載件40與其后或下側面58。后或下側面58是傳感器承載件40的與傳感器膜片44對置的側面。傳感器承載件40還具有：與流體介質在測量通道28中的主流動方向60相反地指向的前棱邊或者說入流棱邊62，所述入流棱邊可倒圓地構造；以及在下游與入流棱邊62相對置的后棱邊64。測量通道斜坡56在離心力轉向裝置54和傳感器承載件40的后棱邊64之間的區域中延伸。測量通道斜坡56可可選地延伸直至傳感器承載件40的后棱邊64下游的區域。測量通道28至少在傳感器芯片42的區域中被殼體主體14、測量通道蓋16、面向電子部件室的壁區段66、和背離電子部件室的壁區段68限界。

圖4示出測量通道蓋16的橫截面圖示，其中，所述截面也延伸穿過傳感器承載件40。由圖4的視圖可看到通過具有增大的延伸長度的測量通道斜坡56，測量通道28中的通流橫截面變得越來越小，這與由傳感器承載件40造成的橫截面減小一起導致流動的流體介質的流動加速和流動介質的波動部分減小。可良好地看到：測量通道斜坡56在傳感器承載件40的后棱邊64的區域中的制平或者說與傳感器承載件40近似平行的構造。

圖5示出測量通道蓋16的在傳感器承載件40的區域中的橫截面立體圖示。可看到的是：傳感器承載件40的側面與測量通道斜坡56之間的間隙70，傳感器芯片42與傳感器膜片44被置入所述側面中。在測量通道28內流動的流體介質的部分流流過該間隙70。此外，由圖5可看到，流動的流體介質的導向和調整很大程度上受測量通道斜坡56和傳感器承載件40影響。

圖6示出傳感器承載件40在測量通道蓋16中并且更準確地說在測量通道28中的布置。圖6尤其示出傳感器承載件40區域中的測量通道28中的未改型的幾何形狀情況。傳感器芯片42在該視圖中位于傳感器承載件40的后側面上。在正常運行中，即在從空氣過濾器向前流向發動機的情況下，空氣在面向和背離傳感器芯片42的側面上并且在傳感器承載件40的端側72和測量通道28的相對置的通道壁之間的間隙71中拂過傳感器承載件40。測量通道28的彎曲部跟在傳感器承載件40之后。在傳感器承載件40的端側72和測量通道28的壁之間存在間隙71，該間隙的寬度由于制造技術而有波動。測量通道28中的質量流相應地分成傳感器承載件40上方的部分質量流、傳感器承載件40下方的部分質量流和穿過間隙71的部分質量流。

圖7示出測量通道蓋16沿著圖6的剖面線A-A的橫截面圖示。示出的是一種可能的流動情況。在環流傳感器承載件40之后形成不穩定的尾跡73該尾跡具有波動的速度和壓力。這導致：在上游，尤其是在傳感器芯片42的區域中產生波動的流動參數，該波動的流動參數導致測量信號中的波動。盡管測量通道28的壁的構型是不對稱的，該效應仍舊產生。傳統的傳感器承載件40構型得對稱并從而有助于克服不利的流動情況。

圖8示出測量通道蓋16沿著圖6的剖面線A-A的另一橫截面圖示。在圖8中示出另一可能的流動構造。在該情況中除了在圖7中示出的所存在的變動的尾跡區域73之外，在就測量通道28中的主流動方向60而言位于傳感器承載件40之后或者說傳感器承載件40下游在測量通道28的壁處形成分離和再循環區74。由于測量通道28突然發生改變值為傳感器承載件40的后棱邊64的高度的改變而形成流動的減慢并伴隨著壓力增大。基于該壓力增大和通道壁上的摩擦力，流動最終在一個或兩個通道壁處分離。這樣的壓力引起的分離典型地既在位置上不穩定也在時間上不穩定。分離點(即，至該點為止與壁平行的流動線第一次從壁離開)、厚度(即，所謂的分離氣泡到核心流動區域中的延伸尺度)以及分離氣泡的長度改變。該分離與直接位于傳感器承載件40之后的尾跡相互影響。基于測量通道28的在圖8中位于上方的壁的發散和傳感器承載件40的動態地激起的尾跡流動最終甚至會出現：分離區跳到測量通道28的在圖8中在上方示出的另一壁。就脈動特性而言，面向傳感器芯片42的側面上的相對大的延伸長度以及在回流時成約90°角地入流的傳感器承載件后壁是不利的。

圖9示出根據本發明的第一實施方式的測量通道蓋16的俯視圖。傳感器承載件40沿著延伸方向76延伸到測量通道28中。延伸方向76基本上垂直于流體介質在測量通道28中的主流動方向60。

圖10示出根據第一實施方式的測量通道蓋16的橫截面圖示。傳感器承載件40具有輪廓弦78。輪廓弦78的長度為4.5mm至6.5mm，例如5.5mm。相應地，在流體介質在測量通道28中的主流動方向60上看，傳感器承載件40構造得顯著地短于傳統的傳感器承載件，所述傳統的傳感器承載件的輪廓弦的長度為至少7.0mm。傳感器承載件40的橫截面的厚度80可為從0.5mm至3.0mm，例如為1.0mm。與傳統的實施方式不同，圖10所示的實施方式具有倒圓的后棱邊64。因此，傳感器承載件40在第一實施方式中具有倒圓的前棱邊或入流棱邊62和倒圓的后棱邊64。由此，傳感器承載件40構造成雙橢圓的形狀。

圖11示出根據第二實施方式的測量通道蓋16的橫截面圖示。在后面僅描述與之前實施方式的區別，相同的構件設有相同的附圖標記。就流體介質在測量通道28中的主流動方向60而言，傳感器承載件40具有位于傳感器芯片42上游的入流區段82和位于傳感器芯片42下游的流出區段84。流出區段84構造成至少部分地被倒圓或至少部分地呈楔形。在所示的實施例中，流出區段84構造成跳板86的形式。相應地，傳感器承載件40在傳感器芯片42的側面上即上側面88上在傳感器芯片42區域中的平坦面的延續中具有窄的橫截面90，該橫截面的棱邊92在該實施方案中可設有不同大小的半徑94，96。而在背離傳感器芯片42的下側面58上輪廓經由兩個半徑98，100朝上側面88的方向凹進并且在后棱邊64上同樣設有半徑。在微注塑方法中目前可實現直至最小0.1mm的半徑。可設想的是，后棱邊64的區域中的較大的半徑的值為直至2mm而下側面58的凹進輪廓區域中的半徑的值為0.1mm至10mm。

圖12示出根據第二實施方式的傳感器承載件40的立體圖。尤其可看到的是流出區段84的跳板狀的構造。在此也可看到橫截面輪廓的不同半徑94，96，98，100。

圖13示出根據第三實施方式的傳感器承載件40的仰視圖。之后僅描述與之前實施方式的區別并且相同的構件設有相同的附圖標記。簡明示出的是傳感器芯片42在傳感器承載件40的上側面88上的位置。

圖14示出傳感器承載件40沿著圖13的剖面線A-A的橫截面圖示。在第三實施方式的傳感器承載件40中流出區段84構造得關于輪廓弦78對稱。

圖15示出傳感器承載件40沿著圖13的剖面線B-B的橫截面圖示。在第三實施方式的傳感器承載件40中，流出區段84構造得關于輪廓弦78對稱。但傳感器承載件40在傳感器芯片42的區域中具有與在其余區域中相比較大的厚度。在觀察沿著圖13的剖面線A-A和B-B的橫截面時，該特殊構造很突出。因此，傳感器承載件40沿著圖13的剖面線A-A具有與沿著圖13的剖面線B-B的厚度104相比較大的厚度102。

圖16示出根據第四實施方式的傳感器承載件40的橫截面圖示。在后面僅描述與之前實施方式的區別并且相同的構件設有相同的附圖標記。該截面在此沿著圖13的剖面線A-A延伸。簡明示出的是傳感器芯片42在傳感器承載件40的上側面88上的位置。第四實施方式基于第二實施方式并且合并第三實施方式的細節。可看到傳感器承載件40在流出區段84上構造有跳板86并且可看到橫截面輪廓的在那里構造的半徑92，94，98，100。

圖17示出傳感器承載件40沿著圖13的剖面線B-B的橫截面圖示。傳感器承載件40在傳感器芯片42的區域中具有與其他區域相比較大的厚度。在觀察第四實施方式的沿著圖13的剖面線A-A和B-B的橫截面時，該特殊構造很突出。傳感器承載件40沿著用于第四實施方式的圖13的剖面線A-A具有與沿著用于第四實施方式的圖13的剖面線B-B的厚度104相比較大的厚度102。從下側面58到跳板86的過渡也可構造成樣條105的形式。

圖18示出根據第五實施方式的傳感器承載件40的橫截面圖示。在傳感器承載件40的上側面上布置有突起106。圖18示出根據第四實施方式的傳感器承載件40的橫截面圖示。在后面僅描述與之前實施方式的區別并且相同的構件設有相同的附圖標記。在第三實施方式的傳感器承載件40中流出區段84構造得關于輪廓弦78對稱。在流出區段84上傳感器承載件40具有突起106。突起106位于后棱邊64上并且從后棱邊朝上側面88方向豎起。

圖19示出第五實施方式的傳感器承載件40的放大的橫截面圖示。可看到的是突起106。突起106構造成臺階形，使得突起106具有矩形的橫截面。突起106相對于傳感器芯片42在測量通道28中的主流動方向60上具有從0.5mm至2.0mm、例如1.0mm的間距108。突起80的寬度110為0.1mm至0.4mm，例如0.2mm。突起106布置成與上側面88或者說傳感器芯片42的水平面的間距112為-0.2mm至0.4mm，例如0.1mm。突起106不必強制性地具有矩形的橫截面。其他的橫截面形狀例如三角形、更多角形或倒圓同樣是可能的。

圖20示出根據第六實施方式的傳感器承載件40的俯視圖。在后面僅描述與之前實施方式的區別并且相同的構件設有相同的附圖標記。在第六實施方式中突起106構造為分段部114。換言之，突起106具有多個中斷，使得突起106由多個成列地布置的部段組成，這些部段就傳感器芯片42的測量通道28中的主流動方向60而言布置在下游并且平行于延伸方向76地布置。

圖21示出根據第七實施方式的傳感器承載件40的側視圖。在后面僅描述與之前實施方式的區別并且相同的構件設有相同的附圖標記。在該第七實施方式中，傳感器承載件40在后棱邊64上取代突起106具有切口或缺口116。缺口116的高度118為0.1mm至0.25mm，例如為0.15mm。缺口116沿延伸方向76延伸經過后棱邊64的整個長度。替代地，缺口116僅延伸經過后棱邊64的一部分。

圖22示出根據第八實施方式的傳感器承載件40的俯視圖。在后面僅描述與之前實施方式的區別并且相同的構件設有相同的附圖標記。在該第八實施方式中入流棱邊62具有切口或缺口120。缺口120并非沿延伸方向76延伸經過入流棱邊62的整個長度，而是布置成在延伸方向76上隔開間距122。缺口120構造成使得傳感器承載件40朝端側72方向變細。在此，傳感器承載件40線性地經由區段124變細，該區段又過渡到與入流棱邊62平行的區段126中。變細的區段124在延伸方向76上的尺寸128為0.5mm至5.0mm，例如2.0mm。缺口120的深度130可為0.5mm至3.5mm，例如1.0mm。

圖23示出根據第九實施方式的傳感器承載件40的俯視圖。在后面僅描述與之前實施方式的區別并且相同的構件設有相同的附圖標記。在第九實施方式中入流棱邊62同樣具有切口或缺口120。但區段124并非線性地變細而是具有連續的曲率。

圖24示出根據第十實施方式的傳感器承載件40的俯視圖。在后面僅描述與之前實施方式的區別并且相同的構件設有相同的附圖標記。在第十實施方式中，傳感器承載件40在入流棱邊62上具有第一缺口132和第二缺口134。傳感器承載件此外在后棱邊64上具有第三缺口136。第一缺口132從傳感器承載件40的與端側72相對置的端部138沿延伸方向76延伸直至點140，該點與傳感器芯片42的面向端側72的端部142在延伸方向上隔開的距離144為-2.0mm至2.0mm，例如為-1.0mm。第一缺口132的深度146為0.2mm至1.0mm，例如0.5mm。鄰接于此地構造有過渡區段148，該過渡區段線性地延伸向與測量通道中的主流動方向60相反地指向的突起150。過渡區段148在延伸方向76上的尺寸152為0.1mm至2.0mm，例如0.5mm。在朝端側72的延伸方向76上第二缺口134鄰接到突起150上，該第二缺口使傳感器承載件40朝端側72線性地變細。第二缺口134在延伸方向76上的尺寸154為0.1mm至2.0mm，例如0.5mm。第二缺口134在其最深的部位處的深度156為0.2mm至1.0mm，例如0.5mm。第三缺口136從部位158延伸，該部位與延伸方向76相反地與傳感器芯片42的面向端側72的端部142錯開-1.0mm至2.0mm、例如1.0mm的距離160，。第三缺口136具有線性地變細的過渡區段162和平行于后棱邊64延伸的區段164。線性地變細的區段162在延伸方向76方向上的尺寸166為0.5mm至3.0mm，例如1.5mm。平行于后棱邊64延伸的區段164的深度168為0.2mm至1.5mm，例如0.75mm。

圖25示出根據第十一實施方式的傳感器承載件40的仰視圖。在后面僅描述與之前實施方式的區別并且相同的構件設有相同的附圖標記。在第十一實施方式中傳感器承載件40沿延伸方向76朝端側72變細。例如，后棱邊64以0°至20°，例如10°的第一角度α線性地變細，而入流棱邊62以0°至30°，例如10°的第二角度β線性地變細。第一角度α和第二角度β在其大小上可以是不同的或是相同的。

圖26示出根據第十二實施方式的傳感器承載件40的仰視圖。在后面僅描述與之前實施方式的區別并且相同的構件設有相同的附圖標記。在第十二實施方式中，后棱邊64以0.1mm至2.0mm，例如1.0mm的第一半徑170過渡到端側72中。入流棱邊62以0.1mm至2.0mm，例如1.0mm的第二半徑172過渡到端側72中。此外，端側72具有正弦形的缺口174。該正弦形的缺口174構造成其形狀的波長176為0.4mm至5.0mm，例如1.0mm。

圖27示出根據第十三實施方式的傳感器承載件40的仰視圖。在后面僅描述與之前實施方式的區別并且相同的構件設有相同的附圖標記。在第十三實施方式中后棱邊64以0.1mm至10.0mm，例如5.0mm的半徑178過渡到測量通道28的鄰接的通道壁中。不相切地過渡到鄰接的測量通道28通道壁也是可能的。