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一種用于封裝發光二極管光色檢測的檢測切換電路的制作方法

文檔序號:11015030閱讀:914來源:國知局
一種用于封裝發光二極管光色檢測的檢測切換電路的制作方法
【專利摘要】本實用新型請求保護一種用于封裝發光二極管光色檢測的檢測切換電路,其特征在于:包括電容C1、電阻R13、射級跟隨的信號三極管Q24、隔離光耦U1、保護電阻R3、接地電阻R19、及低壓直流場效應晶體管Q1,其中電容C1通過電阻R13與信號三極管Q24的基級相連通,所述信號三極管Q24的發射級接地,信號三極管Q24的集電極與隔離光耦U1的3腳相導通,所述3腳通過發光二極管與保護電阻R3相連通后接+5V電源,隔離光耦U1的6腳與+12V電源相連通,隔離光耦U1的4腳一路與接地電阻R19相導通并接地,另一路與低壓直流場效應晶體管Q1的柵極相連通,所述低壓直流場效應晶體管Q1的源極與保護電阻R3相連通,低壓直流場效應晶體管Q1的漏極與負極NEG連通。本裝置檢測準確、通用程度高。
【專利說明】
一種用于封裝發光二極管光色檢測的檢測切換電路
技術領域
[0001]本實用新型屬于照明裝置技術領域,具體是一種用于封裝發光二極管光色檢測的檢測切換電路。
【背景技術】
[0002]固態照明技術的不斷進步,發光二極管應用市場逐漸成熟,LED產業將成為未來新的經濟增長點,產業進程的加快推進LED封裝產業的快速崛起及其技術的不斷進步,板上芯片COB集成封裝技術逐漸成為該領域的研究熱點,該技術可進一步提高LED組件的密度。縮小和減輕整個LED器件的體積和重量,COB光源與傳統的半導體集成電路進行大規模集成后可以實現LED燈具模塊化,同時COB光源還具有光通量大、出光密度高、發光均勻等特性,因此在筒燈、球泡燈、路燈以及工礦燈等室內外照明燈具中得到了廣泛的應用;
[0003]與傳統功率型LED器件不同,COB是一種通過黏膠劑或焊料將N個LED晶片直接粘貼在印制電路板上,再通過引線鍵合實現晶片與電路板間互連的封裝技術。該技術整體上增加了光源的功率,不需要額外的芯片散熱和電極引線
[0004]框架等結構,不僅簡化了LED封裝工藝,更重要的是節約了封裝成本。
[0005]由于COB封裝LED主要用于照明,對色溫的敏感性最高,且⑶B光源面積較大,會出現熒光粉涂覆不均勻的情況,從而造成同一批次光源在色溫上有較大的差異。因此,一般在生產過程中需要實時檢測每顆COB封裝的LED的色溫與光通量,若色溫不合理,則需實時進行補粉(添加熒光粉),色溫在合適容差范圍內方可出廠,由于封裝本身的外形尺寸各異,需要適配不同的夾具,這給補粉排測帶來困難,因此與傳統LED的分光機不同,COB封裝LED技術需要一新型的LED檢測設備來檢測COB封裝的LED的色溫、光通量等參數。目前還缺乏一個切換電路對其進行檢測時候的切換。

【發明內容】

[0006]為了解決現有技術的不足,本實用新型提供了一種檢測準確、通用程度高的用于封裝發光二極管光色檢測的檢測切換電路。本實用新型的技術方案是這樣的:
[0007]—種用于封裝發光二極管光色檢測的檢測切換電路,其包括電容Cl、電阻R13、射級跟隨的信號三極管Q24、隔離光耦U1、保護電阻R3、接地電阻R19、及低壓直流場效應晶體管Ql,其中電容Cl通過電阻R13與信號三極管Q24的基級相連通,所述信號三極管Q24的發射級接地,信號三極管Q24的集電極與隔離光耦Ul的3腳相導通,所述3腳通過發光二極管與保護電阻R3相連通后接+5V電源,隔離光耦Ul的6腳與+12V電源相連通,隔離光耦Ul的4腳一路與接地電阻R19相導通并接地,另一路與低壓直流場效應晶體管Ql的柵極相連通,所述低壓直流場效應晶體管Ql的源極與保護電阻R3相連通,低壓直流場效應晶體管Ql的漏極與負極NEG連通。
[0008]進一步的,所述隔離光耦Ul采用TLP160J隔離光耦,所述低壓直流場效應晶體管Ql采用IRFP460J場效應晶體管。
[0009]進一步的,所述檢測電路的外圍電路包括供電模塊、語音報讀裝置、液晶顯示模塊、光譜儀及二極管光色參數檢測模塊,所述語音報讀裝置分別與液晶顯示模塊、二極管機械檢測模塊及光譜儀、檢測切換電路相連通并對檢測結果進行語音實時報讀,所述光譜儀對LED光色參數進行檢測,二極管機械檢測模塊對LED進行混光測試,二極管機械檢測模塊主要包括LED可旋轉式圓形檢測球,在LED可旋轉式圓形檢測球下部開孔以形成推拉式結構;所述電源與檢測切換電路連通并供電,所述顯示裝置與檢測切換電路相連通并顯示其檢測結果。
[0010]進一步的,所述光譜儀采用入射與聚焦等焦距的結構,光譜儀光路采用特爾納結構。
[0011]進一步的,所述光譜儀的焦距為60mm,光譜儀的光柵采用600gr/mm的平面衍射光柵,閃耀波長為450nm,光譜儀的入射狹縫為50um,光譜儀的閃耀波長處的分辨率為0.3nmo
[0012]本實用新型的優點及有益效果如下:
[0013]本實用新型電路由于采用了TLP160J隔離光耦及IRFP460J場效應晶體管,實現了有效的切換控制。使得測量結果與標準設備的誤差較小,且測試快速、準確、重復性高,可以滿足COB封裝LED補粉排測機的實際測量要求。
【附圖說明】

[0014]圖1是本實用新型提供優選實施例發光二極管切換電路示意圖;
[0015]圖2是外圍裝置示意圖;
[0016]圖3是本實用新型光譜儀光路結構圖。
【具體實施方式】
[0017]以下結合附圖,對本實用新型作進一步說明:
[0018]如圖1所示,一種用于封裝發光二極管光色檢測的檢測切換電路,其包括電容Cl、電阻R13、射級跟隨的信號三極管Q24、隔離光耦U1、保護電阻R3、接地電阻R19、及低壓直流場效應晶體管Ql,其中電容Cl通過電阻R13與信號三極管Q24的基級相連通,所述信號三極管Q24的發射級接地,信號三極管Q24的集電極與隔離光耦Ul的3腳相導通,所述3腳通過發光二極管與保護電阻R3相連通后接+5V電源,隔離光耦Ul的6腳與+12V電源相連通,隔離光耦Ul的4腳一路與接地電阻R19相導通并接地,另一路與低壓直流場效應晶體管Ql的柵極相連通,所述低壓直流場效應晶體管Ql的源極與保護電阻R3相連通,低壓直流場效應晶體管Ql的漏極與負極NEG連通。
[0019]優選的,所述隔離光耦Ul采用TLP160J隔離光耦,所述低壓直流場效應晶體管Ql采用IRFP460J場效應晶體管。
[0020]優選的,圖2為其外圍裝置示意圖,所述檢測電路的外圍電路包括供電模塊、語音報讀裝置、液晶顯示模塊、光譜儀及二極管光色參數檢測模塊,所述語音報讀裝置分別與液晶顯示模塊、二極管機械檢測模塊及光譜儀、檢測切換電路相連通并對檢測結果進行語音實時報讀,所述光譜儀對LED光色參數進行檢測,二極管機械檢測模塊對LED進行混光測試,二極管機械檢測模塊主要包括LED可旋轉式圓形檢測球,在LED可旋轉式圓形檢測球下部開孔以形成推拉式結構;所述電源與檢測切換電路連通并供電,所述顯示裝置與檢測切換電路相連通并顯示其檢測結果。所述供電模塊為市售高精密數控電源,所述顯示裝置為市售
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[0021]優選的,圖3為光譜儀的光路示意圖,所述光譜儀采用入射與聚焦等焦距的結構,光譜儀光路采用特爾納結構。包括CCD、光柵、狹縫、光纖、準直鏡及成像鏡。
[0022]優選的,所述光譜儀的焦距為60mm,光譜儀的光柵采用600gr/mm的平面衍射光柵,閃耀波長為450nm,光譜儀的入射狹縫為50um,光譜儀的閃耀波長處的分辨率為0.3nmo
[0023]以上這些實施例應理解為僅用于說明本實用新型而不用于限制本實用新型的保護范圍。在閱讀了本實用新型的記載的內容之后,技術人員可以對本實用新型作各種改動或修改,這些等效變化和修飾同樣落入本實用新型權利要求所限定的范圍。
【主權項】
1.一種用于封裝發光二極管光色檢測的檢測切換電路,其特征在于:包括電容Cl、電阻R13、射級跟隨的信號三極管Q24、隔離光耦U1、保護電阻R3、接地電阻R19、及低壓直流場效應晶體管Ql,其中電容Cl通過電阻R13與信號三極管Q24的基級相連通,所述信號三極管Q24的發射級接地,信號三極管Q24的集電極與隔離光耦Ul的3腳相導通,所述3腳通過發光二極管與保護電阻R3相連通后接+5V電源,隔離光耦Ul的6腳與+12V電源相連通,隔離光耦Ul的4腳一路與接地電阻R19相導通并接地,另一路與低壓直流場效應晶體管Ql的柵極相連通,所述低壓直流場效應晶體管Ql的源極與保護電阻R3相連通,低壓直流場效應晶體管Ql的漏極與負極NEG連通。2.根據權利要求1所述的用于封裝發光二極管光色檢測的檢測切換電路,其特征在于:所述隔離光耦Ul采用TLP160J隔離光耦,所述低壓直流場效應晶體管Ql采用IRFP460J場效應晶體管。3.根據權利要求1或2所述的用于封裝發光二極管光色檢測的檢測切換電路,其特征在于:所述檢測電路的外圍電路包括供電模塊、語音報讀裝置、液晶顯示模塊、光譜儀及二極管光色參數檢測模塊,所述語音報讀裝置分別與液晶顯示模塊、二極管機械檢測模塊及光譜儀、檢測切換電路相連通并對檢測結果進行語音實時報讀,所述光譜儀對LED光色參數進行檢測,二極管機械檢測模塊對LED進行混光測試,二極管機械檢測模塊主要包括LED可旋轉式圓形檢測球,在LED可旋轉式圓形檢測球下部開孔以形成推拉式結構;所述電源與檢測切換電路連通并供電,所述顯示裝置與檢測切換電路相連通并顯示其檢測結果。4.根據權利要求3所述的用于封裝發光二極管光色檢測的檢測切換電路,其特征在于:所述光譜儀采用入射與聚焦等焦距的結構,光譜儀光路采用特爾納結構。5.根據權利要求4所述的用于封裝發光二極管光色檢測的檢測切換電路,其特征在于:所述光譜儀的焦距為60mm,光譜儀的光柵采用600gr/mm的平面衍射光柵,閃耀波長為450nm,光譜儀的入射狹縫為50um,光譜儀的閃耀波長處的分辨率為0.3nm。
【文檔編號】G01M11/02GK205691320SQ201620597538
【公開日】2016年11月16日
【申請日】2016年6月17日 公開號201620597538.X, CN 201620597538, CN 205691320 U, CN 205691320U, CN-U-205691320, CN201620597538, CN201620597538.X, CN205691320 U, CN205691320U
【發明人】賈凡
【申請人】重慶市凡普特光電科技有限責任公司
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