電極圖案的形成方法及電極圖案與流程

本發明涉及一種電極圖案的形成方法及電極圖案。更具體地，本發明涉及一種可用于形成觸摸屏面板(tsp)所具備的觸控傳感器且可形成微小線寬的電極圖案的形成方法及電極圖案。

背景技術：

觸摸屏面板通過按壓顯示于面板上的畫面來輸入對應于畫面的信息。因為使用上的便利性，所以近來觸摸屏面板越來越多地應用于所有顯示裝置。

通常，觸摸屏面板利用電容方式、電阻方式、表面超聲波方式、紅外線方式等提取按壓部分的坐標并輸入信息。電容方式是在用戶觸摸畫面時，利用人體的電容來識別電流變化量并檢測出位置。

這種觸摸屏面板基本上是通過在由玻璃或薄膜組成的基板的中央部分形成多個電極傳感器來進行驅動，近來隨著傳感器區域擴展以及復雜化的趨勢，對電極圖案也要求形成為微小圖案。

現有形成電極圖案的方法有包括網印法(screenprintingmethod)或凹版膠印法(gravureoff-setprintingmethod)等的印刷式方法、壓印方法(imprintingmethod)、及光刻法(photolithography)等。

在所述的印刷式方法中，網印法使用具有要形成的電極圖案形狀的絲網版將印刷型導電膠組合物按一定厚度印刷到基板表面上再進行固化，以形成電極圖案。這種基于絲網印刷的方法與光刻法相比制造設備及工藝簡單，從而可以減少設備及材料費用，但是難以實現80微米以下的電極布線微小圖案。

凹版膠印法利用具有要形成的電極圖案形狀的陰刻凹版輥及平版硅酮橡皮布(siliconeblanket)將印刷型導電膠組合物按一定厚度印刷到基板表面上再進行固化，以形成電極圖案。與光刻法相比制造設備及工藝簡單，從而可以減少設備及材料費用，但是難以實現20μm以下的電極布線微小圖案。

光刻法先通過濺射工藝在基板上形成導電膜且導電膜上涂布光刻膠，然后利用掩膜選擇性地曝光光刻膠以暴露出導電膜的一部分。通過蝕刻移除暴露出的導電膜以形成電極圖案并移除剩下的光刻膠，最終完成電極圖案。這種光刻法雖然可以實現微小線寬，但在真空中沉積導電膜后，需要進行光刻膠涂布、曝光、顯影、蝕刻及剝離工藝，因此要經過復雜的工藝，還要配備昂貴的設備，從而造成投資成本及生產成本增加。

韓國公開專利第2013-0109586號公開了一種導電圖案的形成方法，其包括以下步驟：在基板上形成溝道，在噴射導電油墨的噴嘴和所述基板之間形成電場的狀態下，向所溝道提供所述導電油墨。然而，由于所述方法利用電場，受到溝道需要使用帶電特性的導電材料的限制，因而工藝復雜以及工藝特性上難以形成1μm以上的厚度。

技術實現要素：

技術問題

有鑒于此，本發明的目的在于提供一種可以相對低成本及簡單工藝實現微小圖案的電極圖案的形成方法及電極圖案。

技術方案

本發明提供一種電極圖案的形成方法，其包括：

在基底上形成光刻膠圖案的步驟；

用導電膠填充所述光刻膠圖案的陰刻部的步驟；以及

對所述導電膠進行固化的步驟。

此外，本發明提供一種電極圖案，其包括：基底；以及形成在所述基底上的電極，所述電極形成為截面呈u字形、v字形、上面開放的梯形、上面開放的倒梯形、或者上面開放的矩形。

發明效果

本發明的電極圖案的形成方法由于對圖案的尺寸及形狀的設計自由度高以及位置精度優異，因此可以形成具有高分辨率及均勻線寬的電極圖案。

此外，光刻膠圖案起到支撐電極圖案的作用，因此清晰度(sharpness)、平坦度、平直度等優異，從而可以提高電極圖案的質量，還可以實現微小的各種圖案。

進一步地，可以選擇性地剝離所述光刻膠圖案，如此選擇性地進行剝離時，能夠移除可視區(viewarea)部分的光刻膠圖案殘留物，從而可以完成質量更高的產品，并且未剝離部分的光刻膠圖案可以起到電極圖案的支架及/或絕緣部的作用。

這種本發明的電極圖案的形成方法可應用于要求微小電極圖案的各種裝置，特別是有利于形成觸摸屏面板(tsp)所具備的觸控傳感器。

附圖說明

圖1是本發明實施例的電極圖案的形成方法的示意性流程圖。

圖2是用光學顯微鏡觀察根據實施例1至4形成的電極圖案的圖片。

圖3是用光學顯微鏡觀察根據實施例5形成的電極圖案的圖片。

圖4是本發明一實施例的電極圖案截面的模式圖。

圖5是本發明一實施例的電極圖案截面的模式圖。

圖6是用光學顯微鏡觀察本發明一實施例的電極圖案表面的圖片。

圖7是用sem觀察本發明一實施例的電極圖案表面的圖片。

圖8是用sem觀察本發明一實施例的電極圖案截面的圖片。圖3表示

具體實施方式

本發明的電極圖案的形成方法包括：在基底上形成光刻膠圖案的步驟；用導電膠填充所述光刻膠圖案的陰刻部的步驟；以及對所述導電膠進行固化的步驟。

另外，本發明的電極圖案包括：基底；以及形成在所述基底上的電極，所述電極形成為截面呈u字形、v字形、上面開放的梯形、上面開放的倒梯形、或者上面開放的矩形。

在本發明中，術語“第一”、“第二”等用來說明各種組件，這些術語只是出于區分某一組件和另一組件的目的。

另外，本說明書中所使用的術語僅用于說明示例性實施例，而不意在限制本發明。除非上下文另外清楚地指出，否則這里所使用的單數形式也意在包括復數形式。

此外，在本發明中，關于各組件的形成，上下文中所使用的“在…上”或“在…上方”表示在各組件上直接附屬形成或構成各組件，或者可在層間、主體、基底上追加形成或構成另一組件。

本發明可進行各種變更以及具有各種形式，因此下面列舉特定實施例以進行詳細說明。然而，本發明并不局限于特定的公開形式，應該理解涵蓋本發明的思想及技術范圍內的所有變更、等效替換。

下面參照附圖詳細說明本發明具體實施方案的電極圖案的形成方法。

本發明的電極圖案的形成方法包括：在基底上形成光刻膠圖案的步驟；用導電膠填充所述光刻膠圖案的陰刻部的步驟；以及對所述導電膠進行固化的步驟。

圖1是本發明實施例的電極圖案的形成方法的示意性流程圖。

請參見圖1，首先，準備要形成電極圖案的基底10，在基底10上涂布光刻膠組合物20(步驟(a)及(b))。

隨后，對涂布有光刻膠組合物20的區域利用掩膜圖案等選擇性地進行曝光及顯影，以形成光刻膠圖案30(步驟(c))。所述掩膜圖案是鑒于最終要形成的電極圖案而設計的，如此形成的光刻膠圖案30隨著選擇性的曝光及顯影而具有陰刻部30a和陽刻部30b。

所述光刻膠圖案30的陰刻部30a用導電膠進行填充。此時，雖然未圖示，但是還可以進行以下步驟：將光刻膠圖案30的陰刻部30a都填充后，當存在過量涂布的導電膠時，將所涂布的導電膠的表面用刮刀(blade)等刮平，以均勻地調整所述導電膠的涂布高度使其與陽刻部30b的高度對齊使表面平坦。

然后，對填充于陰刻部30a的導電膠進行固化。所述導電膠的固化可通過加熱至一定溫度使所述導電膠燒結的方式來進行，通過所述導電膠的固化而形成電極圖案40(步驟(d))。

在此之后，可移除所述光刻膠圖案30(步驟(e))。雖然圖1中示出形成電極圖案40后將光刻膠圖案30全部移除，但根據需要可以不移除或者部分移除。

下面進一步詳細說明本發明的電極圖案的形成方法。

根據本發明一實施例，形成所述光刻膠圖案的基底可以是基板。所述基底例如可使用選自玻璃、強化玻璃、硅、鋁、氧化銦錫(ito)、氧化銦鋅(izo)、鉬、二氧化硅、摻雜的二氧化硅、氮化硅、鉭、銅、多晶硅、陶瓷、鋁/銅混合物及聚合樹脂中的基底，對此沒有特別限制。優選地，所述基底可以是強化玻璃基板。

作為所述基底使用強化玻璃時，可以使用鈉鈣玻璃、鋁硅酸鹽玻璃。

所述光刻膠圖案可直接形成在所述基底上，或者根據需要以夾帶其他膜、層、薄膜、圖案等的狀態形成在所述基底上。

所述光刻膠圖案可利用本發明所屬技術領域中眾所周知的光刻膠組合物及光刻膠圖案的形成方法來形成。

此時，對組成所述光刻膠組合物的成分沒有特別限制，可包括常規的聚合物樹脂、光敏化合物、溶劑、其他添加劑。

所述聚合物樹脂的典型例子有苯氧基樹脂、聚酯樹脂、氨基甲酸酯樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂等。

具體地，所述酚醛樹脂可以是將酚類化合物和醛類化合物或酮類化合物在酸性催化劑下進行縮聚反應而得到的樹脂。例如，作為所述酚醛樹脂可使用間甲酚單獨合成的酚醛樹脂、對甲酚單獨合成的酚醛樹脂、使用間苯二酚的酚醛樹脂、將水楊醛和苯甲醛進行反應而制成的酚醛樹脂、將間甲酚、對甲酚、間苯二酚等混合后進行反應而制成的酚醛樹脂等。

作為所述酚類化合物的具體示例可舉出苯酚、鄰甲酚、間甲酚、對甲酚、2,3-二甲基苯酚、3,4-二甲基苯酚、3,5-二甲基苯酚、2,4-二甲基苯酚、2,6-二甲基苯酚、2,3,6-三甲基苯酚、2-叔丁基苯酚、3-叔丁基苯酚、4-叔丁基苯酚、2-甲基間苯二酚、4-甲基間苯二酚、5-甲基間苯二酚、4-叔丁基鄰苯二酚、2-甲氧基苯酚、3-甲氧基苯酚、2-丙基苯酚、3-丙基苯酚、4-丙基苯酚、2-異丙基苯酚、2-甲氧基-5-甲基苯酚、2-叔丁基-5-甲基苯酚、百里香酚或異百里香酚(isothymol)等，它們分別可以單獨使用或者混合使用。

作為所述醛類化合物的具體示例可舉出甲醛、福爾馬林、多聚甲醛、三聚甲醛、乙醛、丙醛、苯甲醛、苯乙醛、α-苯基丙醛、β-苯基丙醛、鄰羥基苯甲醛、間羥基苯甲醛、對羥基苯甲醛、鄰氯苯甲醛、間氯苯甲醛、對氯苯甲醛、鄰甲基苯甲醛、間甲基苯甲醛、對甲基苯甲醛、對乙基苯甲醛、對正丁基苯甲醛或對苯二甲酸醛(terephthalicacidaldehyde)等，它們分別可以單獨使用或者混合使用。

作為所述酮類化合物的具體示例可舉出丙酮、甲基乙基酮、二乙基酮、二苯基酮(diphenylketone)，它們分別可以單獨使用或者混合使用。

在所述光刻膠組合物中，所述光敏化合物可使用二疊氮化合物，所述二疊氮光敏化合物可以是將多羥基二苯甲酮、1,2-二疊氮基萘醌及2-重氮-1-萘酚-5-磺酸等化合物進行反應而制成的化合物。例如，所述二疊氮光敏化合物可以是將三羥基二苯甲酮和2-重氮-1-萘酚-5-磺酸進行酯化反應而制成的2,3,4-三羥基二苯甲酮-1,2-二疊氮基萘醌-5-磺酸酯；或者將四羥基二苯甲酮和2-重氮-1-萘酚-5-磺酸進行酯化反應而制成的2,3,4,4’-四羥基二苯甲酮-1,2-二疊氮基萘醌-5-磺酸酯，它們可以單獨使用或者混合使用。而且，當混合使用所例示的二疊氮化合物時，對混合比率沒有特別限制，可按所屬領域的技術人員眾所周知的比例進行混合。

所述有機溶劑可使用現有光刻膠組合物中使用的普通有機溶劑。例如，可使用能夠溶解所述光刻膠組合物的各成分且易于形成涂膜的乙二醇醚(glycolether)類、乙二醇烷基醚醋酸酯(ethyleneglycolalkyletheracetate)類或二乙二醇(diethyleneglycol)類等。優選地，所述有機溶劑可使用選自丙二醇甲醚乙酸酯、乳酸乙酯、2-甲氧基乙酸乙酯、丙二醇單甲醚、甲基乙基酮、甲基異丁基酮及1-甲基-2-吡咯烷酮中的一種以上溶劑。

此外，所述光刻膠組合物根據需要還可以包含常規添加劑，以提高光刻膠的光敏性。更具體地，所述光刻膠組合物根據需要還可以包含著色劑、染料、增塑劑、促粘劑、表面活性劑、抗條紋劑等添加劑。

另外，作為所述光刻膠組合物的組分所例示的化合物是可使用的一個例子而已，本發明的圖案形成方法并不限于所例示的光刻膠組合物。

所述光刻膠組合物可通過常規涂布方法(包括浸涂、噴涂、旋涂)涂布在基底上。

然后，針對涂布有所述光刻膠組合物的區域，利用掩膜圖案等選擇性地進行曝光(exposure)。對于所述曝光工藝，將掩膜圖案置于基底和光源之間，使來自光源的光線透射到沒有圖案的部分，從而使光刻膠組合物受光。

對所述曝光的光刻膠組合物進行顯影(development)，以形成光刻膠圖案。

更具體地，將所述曝光的基板充分地浸漬于堿性顯影水溶液中，直至曝光部位的光刻膠膜全部或大部分被溶解。此時，所述顯影水溶液優選使用含有堿性氫氧化物、氫氧化銨或氫氧化四甲基銨(tetramethylammoniumhydroxide)的水溶液。將曝光部位被溶解移除后的基板從顯影液取出清洗及干燥，即可形成所要形狀的光刻膠圖案。

通過所述的過程形成的光刻膠圖案隨著選擇性曝光及顯影具有陰刻部和陽刻部。所述陰刻部是露出所述光刻膠圖案下面的基底或膜的部分，而所述陽刻部是沒有露出所述基底且具有一定高度的圖案部分。

根據本發明的電極圖案的形成方法，所述光刻膠圖案的陰刻部中涂布填充導電膠后進行固化，從而按照所述光刻膠圖案的陰刻部形狀形成電極圖案。

所述光刻膠圖案的陰刻部中涂布導電膠的步驟可通過包括擠壓涂布法(sqeezingcoating)、刮刀涂布法(刮刀coating)的刮涂法(bladecoating)、及旋涂法(spincoating)等方法來進行，但本發明不限于此。

另外，所述導電膠涂布后，還可以進行平坦化步驟，將所述光刻膠圖案的陰刻部都填滿后的余量導電膠移除，以均勻地調整所述導電膠的涂布高度使其與陽刻部的高度對齊使表面平坦。此時，對用于移除所述余量導電膠的手段或方法沒有特別限制，可使用刮刀(blade)、擠壓件(sqeeze)、清洗液等物理性、化學性手段。

對所述導電膠沒有特別限制，只要是導電性優異且通過燒結或固化可形成電極的即可，但是根據本發明一實施例，可以是將銀(ag)作為主成分包含的銀膠(agpaste)。作為所述導電膠使用銀膠時，所述銀膠可包含銀粉末、粘合劑、溶劑、玻璃粉(glassfrit)、其他添加劑等，但本發明不限于此，可使用本發明所屬技術領域中已知的銀膠。

所述銀膠由于導電性優異，特別是在形成觸摸屏用電極圖案時被廣泛應用。利用所述銀膠來形成電極圖案的方法有網印法(screenprintingmethod)、壓印法(imprintingmethod)、光刻法(photolithography)等。

對于網印法，使用具有要形成的電極圖案形狀的絲網版將印刷型導電膠組合物按一定厚度印刷到基板表面上再進行固化，以形成電極圖案。這種基于絲網印刷的方法與壓印法及光刻法相比制造設備及工藝簡單，從而可以減少設備及材料費用，但是難以實現80微米以下的電極布線微小圖案。

對于凹版膠印法，用刮刀將印刷型導電膠組合物刮涂到陰刻凹版輥后，一次轉印到平坦的基板上，以在基底上形成圖案。這種基于凹版膠印的方法與光刻法相比制造設備及工藝簡單，從而可以減少設備及材料費用，但是難以實現20微米以下的電極布線微小圖案。

對于壓印法，在光固化樹脂或熱固化樹脂等固化樹脂上用壓印戳(stamp)形成電極圖案。然而，難以形成需要對齊(alignment)的復雜圖案以及不易移除殘留物，因此難以形成高質量的圖案。特別是，在所述壓印法中，也可以利用聚二甲基硅氧烷(polydimethylsiloxane,pdms)等聚合物模具(workingmold)來形成圖案，但是應用于連續工藝時，模具上會留下殘留物，有可能造成操作困難以及模具壽命縮短。

對于光刻法，首選，通過濺射工藝在基板上形成導電膜，再將光刻膠涂布在導電膜上，然后利用掩膜對光刻膠選擇性地進行曝光，以暴露出導電膜的一部分。將露出的導電膜通過蝕刻移除以形成電極圖案，而且移除余下光刻膠，最終完成電極圖案。這種光刻法雖然可以實現微小線寬，但在真空中沉積導電膜后，需要進行光刻膠涂布、曝光、顯影、蝕刻及剝離工藝，因此要經過復雜的工藝，還要配備昂貴的設備，從而造成投資成本及生產成本增加。

相比之下，本發明的電極圖案的形成方法利用光刻膠圖案來設計電極圖案，因此電極圖案的線寬、尺寸及形狀的設計自由度高以及位置精度優異，從而可以形成具有高分辨率及均勻線寬的電極圖案。而且，對導電膜不是通過光刻法進行圖案化，而是通過常規光刻膠工藝先形成光刻膠圖案后，僅在被圖案化的部分上涂布導電膠進行固化，因此不需要進行蝕刻及水洗等工藝，從而可通過較為簡單的工藝進行圖案化，而且不會增加設備負擔，還可以減少材料費用。

根據本發明一實施例，在對所述導電膠進行固化的步驟中，可在約60℃至約600℃的溫度下進行約3分鐘至約60分鐘的干燥及/或燒結。具體地，在約60℃至約250℃下蒸發掉溶劑并進行固化，或者在基底的玻璃轉移溫度以上且約600℃以下的溫度下進行燒結，從而可以形成電極圖案，但是不限于此。

如上所述，將導電膠加熱至一定溫度進行燒結，就會按照所述光刻膠圖案的陰刻部形狀形成電極圖案。

然后，所述光刻膠圖案可根據需要不移除或者部分移除或者全部移除。如果不移除而留下所述光刻膠圖案，則可以起到所述電極圖案的支架及/或絕緣部的作用。

如果將所述光刻膠圖案全部移除，則可以作為透明電極來使用，而且可以移除有可能留在所述光刻膠圖案的陽刻部上的導電膠的部分殘余物(residue)，從而會有助于提高電極圖案的可靠性。另外，如果移除所述光刻膠圖案的一部分，則未被移除的余下部分支撐所形成的圖案，還可以起到減少電極金屬的遷移(migration)及噪音的作用。

所述光刻膠圖案的移除可采用本發明所屬技術領域中眾所周知的光刻膠圖案的移除方法，如選擇適當的剝離液以及調整暴露于剝離液的時間等。

如上所述，根據本發明的電極圖案的形成方法，對圖案的尺寸及形狀的設計自由度高以及位置精度優異，因此可以形成具有高分辨率及均勻線寬的電極圖案。特別是，亦可容易形成具有10微米以下的微小線寬的圖案。

此外，在形成電極圖案的期間，光刻膠圖案起到支撐電極圖案的作用，因此清晰度、平坦度、平直度等優異，從而可以提高電極圖案的質量，還可以實現微小的各種圖案。

進一步地，對所述光刻膠圖案可以選擇性地進行剝離或者不進行剝離，如果進行剝離，則可以移除有可能留在陽刻部的部分殘余物，如果不進行剝離，則可以起到電極圖案的支架及/或絕緣部的作用。

進一步地，由于通過填充光刻膠圖案的陰刻部后進行固化的方式來形成電極圖案，因此對用于形成電極圖案的導電膠所要求的粘彈性、顯影裕度等性能要求參考值會降低，從而用廉價的導電膠也可以形成微小線寬的高質量圖案，有利于提高生產率。

此外，根據本發明的另一方面提供一種電極圖案，其包括基底；以及形成在所述基底上的電極，所述電極形成為截面呈u字形、v字形、上面開放的梯形、上面開放的倒梯形、或者上面開放的矩形。

本發明的電極圖案可通過所述的電極圖案的形成方法來制造。

根據一個例子，所述電極圖案可包括：基底；光刻膠圖案，其以具有陰刻部及陽刻部的形式形成在所述基底上；以及電極，其以填充所述光刻膠圖案的陰刻部的形式形成。

以填充所述光刻膠圖案的陰刻部的形式形成電極是指以如下方式形成電極：在基底上涂布光刻膠組合物并選擇性地進行曝光后，對曝光的光刻膠組合物進行顯影，再填充所形成的光刻膠圖案中高度低于周邊的部分，即光刻膠被移除而變得高度低于周邊的陰刻部的一部分或全部。

也就是說，對于所述電極圖案的形成方法，如上所述可通過光刻膠的陰刻部中填充用于形成電極圖案的導電膠進行固化來形成電極，當電極填滿陰刻部時，形成有電極的部分的高度會與周邊的光刻膠陽刻部相同。

與此不同的是，電極的高度也能以僅填充陰刻部的一部分的形式形成。即，在所述導電膠的干燥及固化過程中，所述導電膠中包含的溶劑被除去或者所述導電膠的體積會減少，從而能夠以僅在陰刻部的一部分形成電極的形式形成電極圖案。

僅在陰刻部的一部分形成電極的形式是指以如下形式：當觀察所述電極的截面時，電極按一定厚度涂布在陰刻部的側面及所述光刻膠被移除而露出的基底上，更具體地，所形成的電極其截面呈u字形、v字形、上面開放的梯形、上面開放的倒梯形、上面開放的矩形等。

圖4是根據本發明一實施例的電極圖案截面的模式圖。

參見圖4可以確認，電極圖案包括：基底10；光刻膠圖案30，其以具有陰刻部30a和陽刻部30b的形式形成在所述基底上；以及電極40，其以填充所述光刻膠圖案的陰刻部的形式形成。

特別是圖4的情形，當觀察所述電極的截面時，電極40以涂布在光刻膠被移除的部分(陰刻部30a)的表面(側面)及因所述光刻膠被移除的部分而露出的基底10上的形式形成，所形成的電極其截面呈u字形、v字形、上面開放的梯形、上面開放的倒梯形、上面開放的矩形等。

另外，在所述電極圖案的形成方法中，如上所述在形成電極后，所述光刻膠圖案的陽刻部30b其至少一部分或全部可被移除。

圖5是本發明一實施例的電極圖案截面的模式圖。

參見圖5可以確認，在基底10、以具有陰刻部30a和陽刻部30b的形式形成在所述基底上的光刻膠圖案30、及以填充所述光刻膠圖案的陰刻部的形式形成的電極40中，就連留在陽刻部30b的光刻膠圖案30也被移除。

如上所述，對于以具有所述陰刻部及陽刻部的形式形成的光刻膠圖案，根據需要可以不移除，或者可以部分移除，或者可以全部移除。當留下所述光刻膠圖案不移除時，可以起到所述電極圖案的支架及/或絕緣部的作用。

另外，當移除所述光刻膠圖案的至少一部分時，可以移除有可能留在所述光刻膠圖案的陽刻部上的導電膠的殘余物(residue)，從而會有助于提高電極圖案的可靠性，而且根據移除程度，未被移除的余下部分可以支撐所形成的圖案以及起到可減少噪音的絕緣層的作用，這一點如上所述。

根據本發明一實施例的電極圖案由于具有如上所述的特征，可以實現超微小線寬，電極的線寬為約10μm以下，優選為約1μm至約10。因此，可有效地應用于要求微小電極圖案的各種裝置，特別是有利于形成觸摸屏面板(tsp)所具備的觸控傳感器等。

下面，對本發明的電極圖案的形成方法在下述實施例中進一步詳細地說明。但，下述實施例只是用于例示本發明，本發明的內容并不限于下述實施例。

<實施例>

電極圖案的形成

實施例1

作為用于形成電極圖案的基底準備了本發明所屬技術領域中通常使用的鈉鈣玻璃基板。

將光刻膠組合物(dtfr-jc800，正型，制造商：東進世美肯)通過旋涂法按6μm的厚度涂布在所述基底上，再利用烤膠機(hotplate)在90℃下預烘烤120秒。預烘烤后測得的厚度為3μm。

然后，對涂布有光刻膠組合物的區域利用掩膜圖案通過接近式曝光機(制造商：seiwa)以波長為365nm的光線進行曝光，所述掩膜圖案為用于形成一條線的線寬為10μm的圖案的掩膜圖案，累積曝光量為40mj。

將所涂布的光刻膠組合物通過曝光被部分固化的基板于顯影液(產品名稱：dpd-200，堿性顯影液，制造商：東進世美肯)中在25℃下浸漬60秒進行顯影，從而形成光刻膠圖案。所形成的光刻膠圖案根據掩膜圖案的形狀會具有線寬為10μm的網狀(meshpattern)的陰刻部和陽刻部。

在所形成的光刻膠圖案的陰刻部中填充含銀(ag)導電膠(產品名稱：dni-100，制造商：東進世美肯，銀顆粒大小為30nm至40nm)，并利用刮刀(squeegeeblade)使表面平坦化，以使被填充的導電膠的高度與光刻膠圖案的陽刻部的高度對齊。

另外，用ir固化機(制造商：youngamindustrialco.,ltd.)在85℃下加熱13分鐘，對導電膠進行固化。

在確認導電膠被固化而形成電極后，將基板浸漬在用于移除光刻膠的溶液(產品名稱：dps7300，胺類移除液，制造商：東進世美肯)中，從而將光刻膠全部移除。

實施例2

除了線寬為8μm之外，通過與所述實施例1相同的方法形成了電極圖案。

實施例3

除了線寬為5μm之外，通過與所述實施例1相同的方法形成了電極圖案。

實施例4

除了線寬為3μm之外，通過與所述實施例1相同的方法形成了電極圖案。

實施例5

線寬為50μm，在其周圍形成線寬為幾百μm的大面積圖案。除此之外，通過與所述實施例1相同的方法形成了電極圖案。

圖2是用光學顯微鏡(opticalmicroscope)觀察根據所述實施例1至4按照各線寬形成的電極圖案的圖片。

從圖2可以確認，形成了線寬分別為10μm、8μm、5μm、3μm的網狀(meshpattern)的電極圖案，而且良好地形成了各種線寬的圖案。

圖3是用光學顯微鏡觀察根據所述實施例5形成的電極圖案的圖片。

從圖3可以確認，50μm微小線寬和寬度為幾百μm的大面積圖案形成在一個基底上，通過本發明可以同時良好地形成各種形狀的電極圖案。

圖6是用光學顯微鏡觀察在通過所述實施例形成的電極圖案中形成電極后移除光刻膠之前的表面的圖片。

從圖6可以確認，電極圖案包括：基底、以具有陰刻部和陽刻部的形式形成在所述基底上的光刻膠圖案、及以填充所述光刻膠圖案的陰刻部的形式形成的電極。

具體地，在所述圖6中，黑色陰暗部分是移除之前的光刻膠的陽刻部，明亮部分是所述光刻膠圖案的陰刻部中形成金屬成分電極的形狀。所述電極其截面形成為v字形或倒梯形，其中心部相對較暗。

圖7是用sem觀察所述實施例3(線寬為5μm)中形成的電極圖案的表面的圖片，圖8是用sem觀察實施例3(線寬為5μm)中形成的電極圖案的截面的圖片。

從所述圖7及圖8可以確認，在以填充光刻膠圖案的陰刻部的形式形成的電極中，留在陽刻部上的光刻膠圖案被完全移除，從而電極在基底上形成為開放的倒梯形形狀。

符號說明

10：基底

20：被涂布的光刻膠組合物

30：光刻膠圖案

30a：陰刻部

30b：陽刻部

40：電極圖案