專利名稱:用于在磁記錄媒體上記錄數據的設備的制作方法
技術領域:
本發明涉及一種在磁盤上記錄數據的設備,其適用于例如大容量的軟盤驅動器或類似裝置。
在常規的軟盤驅動器中,當把寬間隙的擦頭放在讀/寫頭的前面并向軟盤記錄數據時,可以預先用擦頭進行直流擦除或交流擦除,然后再用讀/寫頭記錄數據,以便確保所要求的重寫特性。
近年來已推出了容量范圍從幾十兆字節到幾百兆字節的大容量軟盤驅動器。在大容量軟盤驅動器中,記錄密度變大,并且記錄波長變短。因此,當把擦頭放在讀/寫頭前面時,必須使讀/寫頭和擦頭相互靠近。但是,對頭的結構來說,很難使它們相互靠近。當把擦頭放在讀/寫頭前面時,由于除讀/寫頭之外還需要擦頭,所以整個頭的成本增大。
因此,本發明的一個目的是,提供一種在磁盤上記錄數據的設備,在該設備中,用單個頭來保證所需的重寫特性,并且可以抑制波形畸變的出現。
依照本發明的第一方面,一種磁記錄設備包括磁頭,用于對磁記錄媒體施加磁場,在所述磁記錄媒體上形成磁化圖形,從而記錄記錄數據;轉換裝置,用于將輸入數據轉換成具有預定頻率范圍的記錄數據;和控制裝置,用于控制所述磁頭,以便當所述磁頭在所述磁記錄媒體的一個記錄區上記錄記錄數據時,向所述記錄區施加直流磁場,向所述記錄區施加一個以恒定周期反轉的磁場,所述恒定周期對應于所述預定頻率范圍內的一個中間頻率,并且向所述記錄區施加一個根據數據反轉的磁場。
依照本發明的第二個方面,所述磁記錄媒體是磁盤。
依照本發明的第三個方面,所述磁頭是在懸浮于所述磁記錄媒體上方的狀態下,將信息記錄到所述磁記錄媒體上。
依照本發明的第四個方面,磁設備還包括選擇裝置,用于有選擇地輸出來自所述轉換裝置的輸出或一固定值;和反轉裝置,用于接收來自所述選擇裝置的輸出,并且當來自所述轉換裝置的輸出變成一個不同于所述固定值的預定值時,反轉磁場;其中,所述控制裝置通過控制所述選擇裝置和所述反轉裝置來控制所述磁場。
依照本發明的第五個方面,所述控制裝置控制所述選擇裝置,以便當所述磁頭對所述記錄媒體施加直流磁場時,所述選擇裝置輸出固定值,所述控制裝置控制所述轉換裝置,以便當施加以恒定周期反轉的磁場時,所述轉換裝置輸出具有中間頻率的記錄數據,中間頻率在預定的頻率范圍內,并且所述控制裝置控制所述轉換裝置,以便當向所述記錄區施加根據記錄數據反轉磁場時,所述裝置輸出根據記錄數據反轉記錄磁場。
依照本發明的第六個方面,一種在磁記錄媒體的一個預定區域記錄記錄數據的方法,包括以下步驟對預定區域施加直流磁場;對預定區域施加以恒定周期反轉的磁場,所述恒定周期對應于記錄數據頻率范圍內的一個頻率;并且對預定區域施加根據記錄數據反轉的磁場。
為了更好地理解本發明,并了解如何實施本發明,可以參考以下附圖
圖1是一方框圖,示出了作為一實施例的軟盤驅動器的結構,圖2A例示了一大容量軟盤,圖2B示出了現有的軟盤,圖3A是一仰視圖,示出了磁頭的結構,圖3B是一側視圖,示出了磁頭的結構,圖4是一方框圖,示出了R/W通道IC的結構,它構成了圖1所示軟盤驅動器的高記錄密度(高階模式)的記錄/重放系統,圖5A-5C描述了對高記錄密度(高階模式)軟盤進行的直流擦除過程和中間波長擦除過程,圖6示出了在進行直流擦除過程時的重寫特性,和圖7描述了基于直流擦除過程和類似過程,對重寫特性的改進。
以下將參考附圖描述本發明的一個實施例。圖1示出了用作本發明一個實施例的軟盤驅動器10。設想,可用于軟盤驅動器10的軟盤11使用圖2A和2B所示的軟盤11A和11B。即,圖2A示出了軟盤11A,該軟盤持有的高記錄密度(高階模式)磁盤媒體12A可以與現存的軟盤兼容,并且其大容量記錄范圍從大約幾十兆字節至幾百兆字節或者大于或等于上述字節數。圖2B示出了軟盤11B,該軟盤持有的現有標準記錄密度(低階模式)磁盤媒體12B具有大約2兆字節的記錄容量。
在圖2A和2B中,分別使用寫保護器15,當孔閉合時,呈可寫狀態,而當孔打開時,呈寫保護狀態。分別使用HD孔16,當孔打開時,表示記錄容量大約為2兆字節(未格式化時)的所謂2HD磁盤,當孔閉合時,表示非2HD的磁盤。在圖2A中,限定在預定位置上的孔17(非上述寫保護器15和HD孔16)用來表示一上述大容量軟盤,其記錄容量范圍從大約幾十兆字節至幾百兆字節。
返回來參照圖1,現有軟盤11B的標準記錄密度(低階模式)磁頭芯片(headchip)22和大容量軟盤11A的高記錄密度(高階模式)磁頭芯片23合并成磁頭21,用于對軟盤1進行磁記錄和再現或重放。圖3A和3B分別示出了磁頭21的結構,圖3A是從軟盤11一側看去,磁頭21的仰視圖。圖3B是從圖3A下方看去,磁頭21的側視圖。
磁頭21的結構使得上述磁頭芯片合并成一個滑片(slider)24。兩根導軌的25a和25b的延伸方向與磁盤旋轉方向R相同,并相互平行。導軌位于滑片24的底面,并突出底面。另外,以磁盤旋轉方向為參考,定義了前方和后方,前錐體26a和26b位于導軌25a和25b的前方,而后錐體27a和27b位于其后方。例如,由每個前錐體26a和26b與磁盤記錄表面形成的角定義為0.5°,而由每個后錐體27a和27b與磁盤記錄表面形成的角定義為10°。
另外,將標準記錄密度(低階模式)磁頭芯片22并入導軌25a。盡管上文未作描述,但在低階模式下,軟盤11以常規速度旋轉(例如,300 rpm)。在上述旋轉數情況下,在滑片24不上浮或不浮起并且磁頭芯片與軟盤11的表面相互接觸的條件下,完成數據記錄和再現。因此,將磁頭芯片22的記錄-再現頭22a和擦除頭22b放在中央位置,使磁頭芯片22與磁盤表面的接觸最穩定。
另外,將高記錄密度(高階模式)磁頭芯片23并入導軌25b的后方。磁頭芯片23采用諸如MIG(金屬缺口,Metal In Gap)磁頭結構,該結構能提高磁道的記錄密度。盡管上文中未作描述,但在高階模式下,軟盤11高速旋轉(例如,3600rpm)。在上述旋轉數情況下,空氣流動會產生上浮力或浮起力,致使滑片24浮起,脫離軟盤11。由于雙軌25a和25b的限制,可以穩定滑片24的位置或姿態,從正交于磁道方向看,使滑片24平行于磁盤表面。
由于在滑片24的上浮量變化時不能穩定地記錄和再現數據,所以現在把滑片24的上浮量(對應于磁盤表面與磁頭芯片23之缺口之間的間隙)設定為常數(例如,50納米)根據25a和25b的寬度或類似的尺寸,改變其上浮量。為了把上浮量設定為較小的值(諸如,50納米),大致在導軌25a和25b的中央位置設置狹槽(凹入的部分)28a和28b。
狹槽28a和28b的主要功能是降低因滑片24底面與磁盤表面之間的空氣流所產生的上浮力。上浮力在設置狹槽28a和28b的地方降低,并且總體上,滑片的上浮力也得以減小。由于狹槽28a和28b的作用,滑片24前方的上浮量會大于其后方的上浮量(盡管圖中未示出),致使從側面看,滑片24的姿態略微傾斜。因此,當滑片24處于上浮狀態時,滑片后方邊緣變成穩定位置,用作難以改變的位置。因此如上所述,高記錄密度(高階模式)磁頭芯片23被并入后側。
返回來參照圖1,軟盤驅動器10具有數字信號處理器(DSP)31,它起控制器的作用,用于對整個磁盤驅動器進行控制。DSP 31控制軟盤11的旋轉,控制磁頭21的移動,控制高記錄密度(高階模式)記錄/重放系統,控制標準記錄密度(低階模式)記錄/重放系統,等等。DSP 31與總線32電氣相連。DSP 31從電氣連接總線32的快閃存儲器33中獲取存儲在其中的程序,并依照程序進行控制操作。
軟盤驅動器10還具有磁盤檢測器34,它有上述孔17或類似部件檢測軟盤11對應于高記錄密度(高階模式)軟盤11A還是對應于標準記錄密度(低級密度)軟盤11B。磁盤檢測器34輸出的信號作為模式信號SMD提供給DSP 31。DSP 31響應于模式信號SMD,控制切換軟盤11的旋轉速度,控制切換記錄/重放系統,并控制切換接口。
另外,軟盤驅動器10具有用于旋轉軟盤11的錠子電動機35,和用于驅動電動機35的錠子電動機驅動器36。從電動機35獲得頻率信號SFG,該信號具有對應于軟盤11之旋轉速度的頻率,通過錠子電動機驅動器36將頻率信號提供給DSP 31。DSP 31參照頻率信號SFG,控制錠子電動機驅動器36,以便軟盤11的旋轉速率達到預定值。
另外,軟盤驅動器10包括音頻線圈電動機(VCM voice coil motor)38,用于沿軟盤的直徑方向移動臂37;臂37,用于支撐磁頭21;和VCM驅動器39,用于驅動音頻線圈電動機38。DSP 31根據有關磁頭21的跟蹤信息或類似信息,控制VCM驅動器39,以便將磁頭21適當定位在目標磁道上,其中所述跟蹤信息由下文將作描述的R/W通道IC輸出。
軟盤驅動器10具有高記錄密度(高階模式)記錄/重放系統,和標準記錄密度(低階模式)記錄/重放系統。高記錄密度(高階模式)記錄/重放系統包括磁盤控制器41,用于與主機交換數據、狀態、命令,DRAM(動態隨機存取存儲器)42,它起數據緩沖器的作用;R/W通道IC 43,用于完成記錄信號過程和再現或重放信號過程;記錄放大器44,用于放大R/W通道IC 43輸出的記錄信號并將放大后的信號提供給磁盤23的磁頭芯片23;以及再現或重放放大器45,用于放大由磁頭芯片23重放或再現的信號并將其提供給R/W通道IC 43。
磁盤控制器41與總線32電氣相連。DSP 31分別控制磁盤控制器41和R/W通道IC 43的操作。磁盤控制器41通過擴充智能驅動電子(EIDE,ExtendedIntelligent Drive Electronic)接口與主機電氣相連。圖4示出了R/W通道IC 43。
作為記錄系統,R/W通道IC 43包括16/17編碼器51,它用游程長度有限(RLL,Run Length Limited)16/17碼進行編碼過程,該過程被用作對磁盤控制器41提供的不歸零(NRZ)寫數據WD(8位并行數據)進行數字調制的過程,并且用于輸出經處理的數據,作為相同的NRZ數據;預編碼器52,用于為16/17編碼器51輸出的數據(串行數據)提供部分響應均衡和反向特性的干涉;和寫補償電路53,用于在記錄時對預編碼器52輸出的數據在再現時所產生的相位偏差進行預先補償。編碼器51的輸出是RLL和NRZ串行數據。因此,編碼器51的輸出是預定頻率范圍內的數據。
另外,作為記錄系統,R/W通道IC 43具有多路復用器54,用于有選擇地獲取寫補償電路53輸出的數據(串行數據)或者用寫數據WD的最小有效位表示的數據;和D觸發器55,用于切換多路復用器54,以便每當多路復用器54的輸出數據達到“1”時,將多路復用器54的輸出數據值反轉,從而獲得記錄信號SR。
現在,將通/斷控制信號Son/off提供給16/17編碼器51和預編碼器52,以便由DSP 31將它們控制在操作狀態或非操作狀態。盡管在該情況下通常將編碼器51和預編碼器52處于操作狀態,但如以下所述,當進行媒體波長擦除時,它們可以不動作。因此,當編碼器51和預編碼器51分別處于非工作狀態時,預編碼器52的輸出數據會等于磁盤控制器41提供的寫數據WD。
將來自DSP 31的切換控制信號SW提供給多路復用器54。盡管在該情況下通常多路復用器54處于獲取寫補償電路53之輸出數據的狀態,但如以下所述,當進行直流擦除時,多路復用器54會變成獲取用寫數據WD的最小有效位表示的數據的狀態。
作為再現系統,R/W通道IC 43還包括AGC(自動增益控制)電路61,用于保持重放放大器45輸出的重放信號SP的幅度不變;低通濾波器62,用于從AGC電路61輸出的信號中消除不必要的高頻成份;A/D轉換器63,用于將低通濾波器62輸出的信號轉換成數據信號;和均衡器64,用于對A/D轉換器63的輸出數據進行EPR4(Extended Partial Response class 4,擴充部分響應第4類)的波形均衡。
另外,作為重放系統,R/W通道IC 43具有Viterbi解碼器65,它用作數據鑒別器,用于對均衡器64的輸出進行0/1數據識別過程;和16/17解碼器66,它用16/17碼對Viterbi解碼器65輸出的數據進行解碼過程,從而獲得讀數據RD。盡管以上未作描述,但寫數據WD等同于在磁盤控制器41增加糾錯碼后經受了交織處理的數據。讀數據RD也處于類似于寫數據WD的狀態,因此磁盤控制器41對其進行去交織處理并進行糾錯。
另外,R/W通道IC 43具有跟蹤信息檢測器67,用于檢測來自低通濾波器62之輸出信號的跟蹤信息。跟蹤信息TRI提供給DSP 31。有時,將低通濾波器62的輸出信號直接提供給檢測磁道號和類似編號的DSP 31。另外,DSP 31根據跟蹤信息TRI和磁道號控制VCM驅動器39,以便使磁頭21處于目標磁道。
返回來參照圖1,作為標準記錄密度(低階模式)記錄重放系統,軟盤驅動器10具有FDD控制器47。FDD控制器47通過FDD(軟盤驅動器)接口與主機(未示出)電氣相連。FDD控制器47具有以下功能,即當把數據寫或提供給磁頭21的磁頭芯片22時,從主機發送的MFM(Modified Frequency Modulation)數據中產生記錄信號,并且當對主機讀或提供數據時,從磁頭芯片再現出的信號中獲得MFM數據,以及其它類似的功能。
以下將說明圖1所示的軟盤驅動器10的工作情況。描述當標準記錄密度(低階模式)軟盤11B作為軟盤11固定在軟盤驅動器10上時的工作情況。在該情況下,從磁盤檢測器34提供給DSP 31的模式信號SMD呈低階模式。因此,DSP 31根據錠子電動機35輸出的頻率信號SFG控制錠子電動機驅動器36,致使軟盤11以正常速度(例如,300 rpm)旋轉。另外,在DSP 31的控制下,使用標準記錄密度(低階模式)記錄/重放系統。
在這種狀態下,當寫入時,主機通過FDD接口,將用作寫數據的MFM數據提供給FDD控制器47。FDD控制器47輸出對應于MFM數據的記錄信號,從而提供給磁頭21的磁頭芯片22,之后將信號記錄在軟盤11之目標磁道的目標扇區中。另一方面,當讀出時,將磁頭芯片22從軟盤11之目標磁道的目標扇區中重放出來的信號提供給FDD控制器47,FDD控制器47輸出對應于重放信號的MFM數據,并將其提供給主機。換句話說,在低階模式下,可以用一個過程記錄記錄信號。
以下將描述當高記錄密度(高階模式)軟盤11A作為軟盤11固定在軟盤驅動器10上時的工作情況。在該情況下,從磁盤檢測器34提供給DSP 31的模式信號SMD呈高階模式。因此,DSP 31根據錠子電動機35輸出的頻率信號SFG控制錠子電動機驅動器36,致使軟盤11高速(例如,3600 rpm)旋轉。另外,在DSP31的控制下,使用高記錄密度(低階模式)記錄/重放系統。
在這種狀態下,當寫入時,主機通過EIDE接口,將寫數據提供給磁盤控制器41,并將寫數據暫時存儲在DRAM 42中。接著,磁盤控制器41對寫數據增加糾錯碼并進行交織處理,從而產生寫數據WD。
當對軟盤11之目標磁道上的目標扇區進行首次記錄時,磁盤控制器41將寫數據WD提供給R/W通道IC 43,R/W通道IC 43輸出對應于寫數據WD的記錄信號SR,并將其提供給磁頭21的磁頭芯片23,從而在軟盤11旋轉一次時將信號記錄在目標磁道的目標扇區中。
另一方面,當已有數據記錄在軟盤11之目標磁道的目標扇區中并對該目標扇區進行重寫時,可以依照以下步驟進行記錄。在最初向目標扇區記錄數據的情況下,可使用以下過程。
1)在軟盤11旋轉第一圈時,首先對目標磁道中的目標扇區進行直流擦除。在該情況下,磁盤控制器41將用于允許最小有效位總是為“0”的寫數據WD提供給R/W通道IC 43(參見圖4),并且切換R/W通道IC 43的多路復用器54,以便響應于DSP 31輸出的切換控制信號SW,輸出寫數據WD的最小有效位。因此,多路復用器54只輸出數據“0”,并由此將D觸發器55輸出的記錄信號SR固定為“0”或“1”的信號。因此,磁頭21的磁頭芯片產生直流磁場,從而完成直流擦除。
圖5A示出了進行擦除前(即其初始狀態)軟盤11的記錄狀態。在該情況下,已在磁性薄膜11B上形成了依賴于記錄信號SR的磁化圖形,其中磁性薄膜作為記錄層位于磁盤襯底11A上。如圖5A所示,將短波長的磁圖形12A記錄到較淺位置,中等波長磁圖形12B的記錄位置比短波長磁圖形12A的記錄位置深,而長波長磁圖形12C的記錄位置比中等波長磁圖形12B的記錄位置更深。標號Dh表示長波長磁圖形的記錄深度。圖5B示出了經歷了直流擦除后軟盤11的記錄狀態。在該情況下,在磁性薄膜11B上,形成磁化方向為一個方向的磁化圖形12D。
2)接下來,在軟盤11旋轉第二圈時,對目標磁道中的目標扇區進行中等波長的擦除。在該情況下,當作為串行數據提供給R/W通道IC 43時,磁盤控制器41提供寫數據WD,「1010101010…」。另外切換R/W通道IC 43的多路復用器54,以便響應于DSP 31輸出的切換控制信號SW,驅動寫補償電路53的輸出數據。在該情況下,DSP 31輸出的通/斷控制信號Son/off使16/17編碼器51和預編碼器52都變成非工作狀態,致使預編碼器52的輸出數據等于寫數據WD。
因此,從多路復用器54輸出每個數據,諸如“1010101010…”,并且每次當多路復用器54的輸出變成“0”信號時,將D觸發器55輸出的記錄信號SR交替變成“0”信號和“1”信號。將該記錄信號SR提供給磁頭21的磁頭芯片23,然后進行記錄。在短波長的情況下,多路復用器54的輸出是“1111…”,在長波長的情況下,例如為“1001001001001…”。作為另一例子,可以用DSP31控制R/W通道IC 43之通道時鐘的頻率,以便記錄信號SR的頻率基本上為最終記錄的記錄信號SR之頻率帶的中間頻率。
圖5C示出了在經歷了中間波長擦除后軟盤11的記錄狀態。在該情況下,在磁性薄膜11B上,形成磁化方向交替相反并且長度相等的磁化圖形。有時,因直流擦除產生的沿一個方向延伸的磁性圖形會少量留在磁性薄膜11B的深層部位或圖5C之紙面的后方。
3)接下來,在軟盤11旋轉第三圈時,將主機提供的對應于寫數據的記錄信號SR(更新數據)記錄在目標磁道中的目標扇區上。在該情況下,磁盤控制器41將寫數據WD(寫數據WD是通過增加糾錯碼和進行交織處理而產生的)提供給R/W通道IC 43。之后,編碼器51用16/17碼對寫數據WD進行編碼,并且預編碼器52對其進行預編碼。另外,寫補償電路53對預編碼的數據進行寫補償,然后多路復用器54取得寫補償電路53的輸出數據。因此,從D觸發器55獲得由主機提供的對應于寫數據的記錄信號SR。在用記錄放大器44對該記錄信號SR放大后,將其提供給磁頭21的磁頭芯片23,并且記錄下來。根據記錄信號SR,形成磁圖形12E。
另一方面,當讀取時,用重放放大器45放大磁頭芯片23從軟盤11之目標磁道的目標扇區中再現出來的信號,隨后將其提供給R/W通道IC 43。然后,R/W通道IC 43對所提供的信號進行波形均衡操作,數據鑒別操作,用16/17碼進行解碼操作等等,從而獲得讀數據RD。將讀數據RD提供給磁盤控制器41,磁盤控制器41對讀數據進行去交織和糾錯處理,以獲得最后的讀數據。此讀數據被暫時存儲在DRAM 42中,然后提供給主機。
在如上所述的本實施例中,當軟盤11用作高記錄密度(高階模式)軟盤11A,并且對軟盤11之目標磁道上的目標扇區進行重寫時,磁盤21的磁頭芯片23作直流擦除,并進一步進行中間波長的擦除。然后,記錄對應于寫數據的記錄信號SR(更新后的數據)。因此,一個磁頭就能確保預定的重寫特性。由于中間波長擦除在磁性薄膜11B上形成了用作墊層的磁化圖形,所以可以抑制因直流擦除的單方向磁化圖形而產生波形的畸變。有時,當只進行直流擦除,不進行中間波長擦除時,例如當進行基于N極的直流擦除時,更新數據以S極激勵會削弱磁場,而更新數據以N極激勵會增強磁場,從而產生波形畸變。
圖6示出了初始記錄信號頻率與重寫特性(分貝)之間的關系。重寫特性表示重寫操作后仍未擦除的初始記錄信號的分貝數。曲線a表示重寫35兆赫茲信號時的重寫特性(分貝)。曲線b表示進行直流擦除時的重寫特性(分貝)。這些曲線a和b指出當增大重寫信號的頻率而減小初始記錄信號的頻率時,難以獲得所需的重寫特性。另一方面,曲線c表示進行直流擦除并重寫20兆赫茲信號時的重寫特性(分貝),并且示出了重寫特性(分貝)改善若干分貝的期望值。有時,重寫特性(分貝)表示以重疊形式記錄信號時初始記錄信號的再現或重放信號電平與初始記錄狀態下初始記錄信號的再現信號電平的比。
圖7示出了如上所述進行直流擦除和中間波長擦除時重寫特性的改善。記錄2兆赫茲的信號,作為初始記錄信號。當對初始記錄狀態進行直流擦除時,重寫特性(分貝)為-24.9(分貝)。另外,當以重疊形式記錄20兆赫茲的信號,并進行中間波長擦除時,重寫特性(分貝)變為-30.8(分貝)。然后,當記錄35兆赫茲的信號,作為更新數據時,重寫特性(分貝)為-30.9(分貝)。當如圖6曲線a所示,把35兆赫茲的信號作為更新數據重寫時,重寫特性(分貝)保持大約15(分貝)。但是,如上所述,進行直流擦除和中間波長擦除將使重寫特性(分貝)成為-30.9分貝。由此可見,大大改善了重寫特性。
盡管上述實施例給出了本發明應用于軟盤驅動器10的情況,但無需說明,本發明還能適用于使用磁盤的另一種驅動設備,諸如硬盤等。
根據本發明,當在磁盤上記錄記錄數據(更新數據)時,進行直流擦除并進一步記錄一恒定頻率的擦除數據。然后,將記錄數據記錄在內。因此,可以確保所需的重寫特性,并減小整個磁頭的成本。由于因記錄擦除數據而將磁化圖形用作墊層形成于磁性薄膜上,所以可以抑制因直流擦除形成的磁化圖形產生波形畸變。另外,上述優點僅憑一個磁頭就能實現。
本發明不限于已述的特定實施例,并且不脫離所附權利要求書及其等同物限定的本發明范圍,可以進行各種變化。
權利要求
1.一種磁記錄設備,其特征在于,包括磁頭,用于對磁記錄媒體施加磁場,在所述磁記錄媒體上形成磁化圖形,從而記錄記錄數據;轉換裝置,用于將輸入數據轉換成具有預定頻率范圍的記錄數據;和控制裝置,用于控制所述磁頭,以便當所述磁頭在所述磁記錄媒體的一個記錄區上記錄記錄數據時,向所述記錄區施加直流磁場,向所述記錄區施加一個以恒定周期反轉的磁場,所述恒定周期對應于所述預定頻率范圍內的一個中間頻率,并且向所述記錄區施加一個根據數據反轉的磁場。
2.如權利要求1所述的磁記錄設備,其特征在于,所述磁記錄媒體是磁盤。
3.如權利要求1所述的磁記錄設備,其特征在于,所述磁頭在懸浮于所述磁記錄媒體上的狀態下,將信息記錄到所述磁記錄媒體上。
4.如權利要求1所述的磁記錄設備,其特征在于,還包括選擇裝置,用于有選擇地輸出來自所述轉換裝置的輸出或一固定值;和反轉裝置,用于接收來自所述選擇裝置的輸出,并且當來自所述轉換裝置的輸出變成一個不同于所述固定值的預定值時,反轉磁場;其中,所述控制裝置通過控制所述選擇裝置和所述反轉裝置來控制所述磁場。
5.如權利要求4所述的磁記錄設備,其特征在于,所述控制裝置控制所述選擇裝置,以便當所述磁頭對所述記錄媒體施加直流磁場時,所述選擇裝置輸出固定值,所述控制裝置控制所述轉換裝置,以便當施加以恒定周期反轉的磁場時,所述轉換裝置輸出具有中間頻率的記錄數據,中間頻率在預定的頻率范圍內,并且所述控制裝置控制所述轉換裝置,以便當向所述記錄區施加根據記錄數據反轉磁場時,所述裝置輸出根據記錄數據反轉記錄數據。
6.一種在磁記錄媒體的一個預定區域記錄記錄數據的方法,其特征在于,包括以下步驟對預定區域施加直流磁場;對預定區域施加以恒定周期反轉的磁場,所述恒定周期對應于記錄數據頻率范圍內的一個頻率;并且對預定區域施加根據記錄數據反轉的磁場。
全文摘要
本發明是為了保證磁盤的重寫特性并抑制波形畸變發生。當在磁盤的目標區記錄記錄數據(更新數據)時,進行直流擦除,確保所需的重寫特性。接著,記錄恒定頻率的擦除數據,即完成中間波長擦除。然后,記錄記錄數據。由于在記錄記錄數據之前記錄擦除數據,所以對應于擦除數據的磁化圖形作為墊層形成于記錄層(磁性薄膜)上,并且抑制了因只進行直流擦除而產生的波形畸變。
文檔編號G11B5/016GK1217526SQ9812419
公開日1999年5月26日 申請日期1998年11月13日 優先權日1997年11月13日
發明者伊藤元 申請人:索尼株式會社