多層構造基板的制造方法

專利名稱：多層構造基板的制造方法
技術領域：
本發明涉及多層構造基板的制造方法，特別涉及適合于由噴墨工藝進行制造的多層構造基板的制造方法。
背景技術：
現在用根據印刷法的添加法(Additive Process)制造配線基板和電路基板的方法令人注目。這是因為與通過重復薄膜的涂敷工藝和光刻工藝，制造配線基板和電路基板的方法比較，添加法的成本較低的緣故。
作為一個用于這種添加法的技術，由噴墨法形成導電性圖案的技術是公知的(例如，專利文獻1)。
專利文獻1特開2004-6578號專利公報。

發明內容
但是，用噴墨工藝制造將電子部件埋入內部的多層構造基板的方法并不公知。因此，本發明就是鑒于這種課題提出的，本發明的一個目的是用噴墨工藝制造內置電子部件的多層構造基板。
本發明的多層構造基板的制造方法包括以使電子部件的端子朝向上側的方式將上述電子部件配置在表面上的步驟；和第1噴墨步驟，以填補由上述電子部件的厚度引起的段差的方式將第1絕緣圖案設置在上述表面上。
在本發明的某個方式中，上述多層構造基板的制造方法還包括第2噴墨步驟，以在上述端子上對過孔加沿的方式將第2絕緣圖案設置在上述第1絕緣圖案上；和第3噴墨步驟，在上述過孔內設置導電柱。
在本發明的其它方式中，上述多層構造基板的制造方法還包括第2噴墨步驟，在上述端子上設置導電柱；和第3噴墨步驟，以包圍上述導電柱的側面的方式將第2絕緣圖案設置在上述第1絕緣圖案上。
還有，在本發明的其它方式中，上述多層構造基板的制造方法還包括第4噴墨步驟，以與上述導電柱連接的方式將導電圖案設置在上述第2絕緣圖案上；和第5噴墨步驟，以消除由上述導電圖案的厚度引起的段差的方式將第3絕緣圖案設置在上述第2絕緣圖案上。
還有，在本發明的其它方式中，上述多層構造基板的制造方法還包括，第2噴墨步驟，以在上述端子上對過孔加沿的方式將第2絕緣圖案設置在上述第1絕緣圖案上；和第3噴墨步驟，在上述端子上和上述第2絕緣圖案上形成導電圖案。
還有，在本發明的其它方式中，上述多層構造基板的制造方法還包括，第4噴墨步驟，以填補由上述導電圖案的厚度引起的段差的方式將第3絕緣圖案設置在上述第2絕緣圖案上。
本發明的多層構造基板的制造方法包括以使電子部件的凸塊朝向上側的方式將上述電子部件配置在表面上的步驟；第1噴墨步驟，以覆蓋除上述凸塊之外的、上述電子部件的方式，將第1絕緣圖案設置在上述表面上；第2噴墨步驟，以包圍上述凸塊的側面的方式將第2絕緣圖案設置在上述第1絕緣圖案上；和第3噴墨步驟，以與上述凸塊連接的方式將導電圖案設置在上述第2絕緣圖案上。
本發明的多層構造基板的制造方法包括以電子部件的端子與導電圖案的表面相接觸的方式將上述電子部件設置在上述導電圖案上的步驟；和以至少填補由上述電子部件的厚度引起的段差的方式設置絕緣圖案的噴墨步驟。
本發明的多層構造基板的制造方法包括第1噴墨步驟，以導電圖案與位于表面上的電子部件的端子相接觸的方式，將上述導電圖案設置在上述表面上；和第2噴墨步驟，以至少填補由上述電子部件的厚度引起的段差的方式，將絕緣圖案設置在上述表面上。
這樣如果根據本發明，則填補由配置的電子部件的厚度引起的段差。因此，能夠用噴墨工藝進一步形成覆蓋所配置的電子部件的層。所以，本發明的一個效果是能夠用噴墨工藝制造內置電子部件的多層構造基板。


圖1(a)到(d)是說明本實施方式的制造方法的概要的圖。
圖2(a)到(d)是說明本實施方式的制造方法的概要的圖。
圖3(a)到(b)是說明本實施方式的制造方法的概要的圖。
圖4是表示本實施方式的多層構造基板的剖面的模式圖。
圖5(a)到(e)是說明實施例1的制造方法的圖。
圖6(a)到(e)是說明實施例1的制造方法的圖。
圖7(a)到(d)是說明實施例1的制造方法的圖。
圖8(a)和(b)是說明實施例1的制造方法的圖。
圖9(a)到(d)是說明實施例2的制造方法的圖。
圖10(a)到(e)是說明實施例3的制造方法的圖。
圖11(a)到(c)是說明實施例3的制造方法的圖。
圖12(a)到(d)是說明實施例4的制造方法的圖。
圖13(a)到(b)是說明實施例4的制造方法的圖。
圖14(a)到(d)是說明實施例5的制造方法的圖。
圖15(a)和(b)是說明實施例5的制造方法的圖。
圖16是用于多層構造基板制造的液滴噴出裝置的模式圖。
圖17(a)和(b)是液滴噴出裝置中的噴頭的模式圖。
圖18是液滴噴出裝置中的控制單元的功能方框圖。
圖中D、D1、D2-液滴，V1、V2-過孔，1-多層構造基板，P1-絕緣圖案，5-基底層，10、11、12、13、14、15、16、17、18、19-絕緣子圖案，12A-邊緣部分，12B-內部，20A-電極，20B-導電配線，21A、21B、21C、21D-導電柱，22A-電極，23A-導電圖案，23B-導電圖案，23C、23D-導電柱，24A-導電柱，24D-導電柱，25-導電圖案，25A、25B-連接盤，27-導電圖案，37A、37B、38A、38B-接線柱形成區域，39-底部區域，40A、40B、41A、41B-端子，40、41-電子部件，42-電容器，43-LSI裸芯片，44-LSI裸芯片，46-LSI組件，47-連接器，100-液滴噴出裝置，118-噴嘴。
具體實施例方式
在本實施方式中，說明用噴墨工藝制造圖4所示的多層構造基板1的方法。因此，下面，首先說明制造多層構造基板1的步驟的概要。而且，在該說明后面部分，一面將焦點集中在多層構造基板1中的3個部分1A、1B、1C的各個部分上，一面更詳細地說明多層構造基板1的制造方法。
首先，如圖1(a)所示，用裝配設備將兩個電子部件40、41配置在基底層5的表面上。當配置電子部件40時，以使電子部件40的兩個端子40A、40B朝向上側的方式，使電子部件40取向。同樣，當配置電子部件41時，以使電子部件41的兩個端子41A、41B朝向上側的方式，使電子部件41取向。此外，基底層5是由聚酰亞胺構成的撓性的基板，它的形狀是帶狀。
在本實施方式中，兩個電子部件40、41的厚度是相互相同的。電子部件40是面安裝電阻器。另外，電子部件41是片式電感器(chip inductor)。當然，在其它的實施方式中，電子部件40、41也可以是角型片式(chip)電阻器、角型片式熱敏電阻、二極管、壓敏電阻、LSI裸芯片(bare chip)、或LSI組件等。
在配置了電子部件40、41后，如圖1(b)所示，通過噴墨子步驟，在作為基底層5上的部分的沒有配置電子部件40、41的部分上形成絕緣子圖案10。
這里，所謂的“噴墨子步驟”指的是用后面圖16中所述的液滴噴出裝置100那樣的裝置，在物體表面上設置層、膜或圖案的工藝步驟。此外，液滴噴出裝置100是將絕緣材料111A的液滴D1或導電性材料111B的液滴D2彈著在物體表面的任意位置上的裝置。使液滴D1或液滴D2，與給予液滴噴出裝置100的噴出數據相應，從液滴噴出裝置100中的噴頭114的噴嘴118噴出。此外，絕緣材料111A和導電性材料111B都是后述的液態材料111的一種。
此外，所謂的“噴墨子步驟”也可以包括對于絕緣材料111A或導電性材料111B使物體表面親液化的步驟。此外，所謂的“噴墨子步驟”也可以包括對于絕緣材料111A或導電性材料111B使物體表面疏液化的步驟。
進一步，所謂的“噴墨子步驟”也可以包括使設置在物體表面上的層、膜或圖案活性化的步驟。這里所謂的活性化，包括在絕緣材料111A的情況下，使絕緣材料111A中包括的樹脂材料硬化的步驟和使溶劑成分從絕緣材料111A氣化的步驟中的至少一方。還有，在導電性材料111B的情況下，活性化是使導電性材料111B中包括的導電性微粒子融著或燒結的步驟。將在后面述說活性化的詳細情形。
而且，在本說明書中，統一1個以上的“噴墨子步驟”，也稱為“噴墨步驟”或“噴墨工藝”。
返回到圖1(b)，當通過噴墨子步驟形成絕緣子圖案10時，得到的絕緣子圖案10的表面大致變地平坦，并且以絕緣子圖案10包圍電子部件40、41側面的方式，調整噴出到基底層5的液滴D1的總數、彈著液滴D1的位置和彈著液滴D1的位置的間隔。進一步，在本實施方式中，以絕緣子圖案10的厚度不超過電子部件40、41的厚度的方式，調整所噴出液滴D1的總數或彈著液滴D1的位置的間隔。如在實施例6中詳細述說的那樣，通過變更給予液滴噴出裝置100的噴出數據來實現這些調整。
這樣得到的絕緣子圖案10的上部表面是大致平坦的。進一步在本實施方式中，絕緣子圖案10的上部表面對基底層5的表面大致平行。但是，如果絕緣子圖案10的上部表面大致平坦，則絕緣子圖案10的上部表面也可對基底層5的表面傾斜。這里，“大致平坦的”表面意味著能夠通過噴墨子步驟在其表面上形成圖案的表面或者能夠在其表面上配置電子部件的表面。
下面，如圖1(c)所示，通過噴墨子步驟在絕緣子圖案10上的一部分中形成導電圖案20。如果根據本實施方式，則導電圖案20具有電極20A和與電極20A連接的導電配線20B。電極20A以后成為電容的一部分。另外，所得到的導電圖案20的表面是大致平坦的。進一步，在本實施方式中，導電圖案20的上部表面的水平面與上述電子部件40、41的上部表面的水平面大致一致。
此后，如圖1(d)所示，通過噴墨子步驟在絕緣子圖案10上，形成絕緣子圖案11。絕緣子圖案11具有包圍各個電子部件40、41的側面和導電圖案20的側面的形狀。在本實施方式中，絕緣子圖案11的厚度和導電圖案20的厚度大致相等。
進一步，在本實施方式中，絕緣子圖案11的厚度和絕緣子圖案10的厚度之和與兩個電子部件40、41的各自的厚度相等。所以，相互層疊的兩個絕緣子圖案10、11起著填補由電子部件40、41的厚度引起的段差的作用。另外，在本實施方式中，絕緣子圖案11的上部表面和電子部件40、41的上部表面構成一個大致平坦的表面。在本實施方式中，統一這兩個絕緣子圖案10、11，也表記為“絕緣圖案P1”。
接下來，如圖2(a)所示，通過噴墨子步驟在電極20A上，形成電介質層DI。進一步，通過噴墨子步驟在電介質層DI上，形成作為導電圖案的電極22A。這里，電介質層DI、電極22A和上述電極20A構成電容器42，即電子部件。此外，在噴墨子步驟中用于電介質層DI的液狀材料111基本上與絕緣材料111A相同。
另外，如圖2(a)所示，通過噴墨子步驟，在端子40A、40B、41A、41B上和導電配線20B上，分別形成導電柱21A、21B、21C、21D、21E。
而且，如圖2(b)所示，通過噴墨子步驟在絕緣子圖案11上，形成具有5個過孔(pier hole)V1的絕緣子圖案12。這里，5個過孔V1中的各個與上述5個導電柱21A、21B、21C、21D、21E中的每一個對應。即，通過5個過孔V1中的每一個，5個導電柱21A、21B、21C、21D、21E中的每一個貫通絕緣子圖案12。此外，如在實施例1和2中所述的那樣，在形成導電柱21A、21B、21C、21D、21E的噴墨子步驟和形成絕緣子圖案12的噴墨子步驟中，先進行哪一個都可以。
接下來，如圖2(c)所示，通過噴墨子步驟在絕緣子圖案12上，形成導電圖案23A、23B。這里，以使導電圖案23A、23B的上部表面的水平面與電極22A的上部表面的水平面大致一致的方式，設定導電圖案23A、23B的厚度。此外，在圖2(c)中，導電圖案23A經過導電柱21A與端子40A連接。另一方面，導電圖案23B經過導電柱21B、21C，連接端子40B和端子40A。
此外，如圖2(c)所示，通過噴墨子步驟在導電柱21D、21E上，形成導電柱23C、23D。這里，在本實施方式中，以導電柱23C、23D的厚度(高度)與導電圖案23A、23B的厚度相等的方式，形成導電柱23C、23D。
此后，如圖2(d)所示，通過噴墨子步驟在絕緣子圖案12上形成絕緣子圖案13。這里，絕緣子圖案13具有包圍導電圖案23A、23B的側面、導電柱23C的側面、電容器的電極22A的側面和導電柱23D的側面的形狀。此外，絕緣子圖案13的厚度、絕緣子圖案12的厚度和絕緣子圖案11的厚度之和，與作為電子部件的電容器42的厚度大致相等。所以，這些層疊的3個絕緣子圖案11、12、13起著填補由電容器42的厚度引起的段差的作用。此外，在本實施方式中，統一這3個絕緣子圖案11、12、13，也表記為“絕緣圖案P2”。
接著，如圖3(a)所示，通過噴墨子步驟在導電圖案23A、23B上、導電柱23C上、電極22A上、導電柱23D上，分別形成導電柱24A、24B、24C、24D、24E。這些導電柱24A、24B、24C、24D、24E都具有大致相同的高度。
而且，如圖3(b)所示，通過噴墨子步驟在絕緣子圖案13上，形成絕緣子圖案14。這里，絕緣子圖案14具有包圍導電柱24A、24B、24C、24D、24E的各自的側面的形狀。還有，在本實施方式中，絕緣子圖案14的厚度與導電柱24A、24B、24C、24D、24E的厚度(或高度)大致相同。此外，導電柱24A、24B、24C、24D、24E的上部表面，在絕緣子圖案14的表面上露出來，與之后形成的其它導電圖案或導電柱連接。
其次，絕緣子圖案14的厚度也可以比導電柱24A、24B、24C、24D、24E的厚度(即高度)小。當絕緣子圖案14的厚度比導電柱24A、24B、24C、24D、24E的厚度小時，導電柱24A、24B、24C、24D、24E的前端從絕緣子圖案14的表面突出。而且這時，使導電柱24A、24B、24C、24D、24E與以后設置在絕緣子圖案14上的導電圖案的連接變得更加確切。
以下，重復同樣的步驟，制造圖4所示的構造的多層構造基板1。
其次，在圖4的多層構造基板1中，在絕緣子圖案14上，以絕緣子圖案15、16、17、18、19和抗蝕劑層RE的順序，將它們層疊起來。而且，由絕緣子圖案17、18將作為電子部件的LSI裸芯片43埋入到多層構造基板1中。此外，由絕緣子圖案18將作為電子部件的LSI裸芯片44埋入到多層構造基板1中。進一步，作為電子部件的LSI裸芯片45、LSI組件46和連接器47分別位于抗蝕劑層RE上。
這里，絕緣子圖案10、11、12、13、14、15、16、17、18、19和抗蝕劑層RE中的每一個單獨地或與層疊的其它絕緣子圖案組合起來，起著填補由導電圖案、導電柱或電子部件產生的段差的作用。
這樣，如果根據噴墨工藝，則能夠一層一層地形成多層構造基板1中的多層。所以，即便例如在形成的圖案中發生不良的情況，因為也能夠在層疊下一層前，加以改變通過噴墨子步驟進行修復，所以能夠提高多層構造基板1的成品率。
下面，在圖4的多層構造基板1中，一面分別將焦點集中在3個部分1A、1B、1C上。一面更詳細地說明多層構造基板1的制造方法。這里部分1A是具有電子部件40、41的部分。另外，部分1B是具有作為電子部件的電容器42的部分。而且，部分1C是具有作為電子部件的LSI裸芯片44的部分，[實施例1](1.親液化步驟)首先，如圖5(a)所示，使基底層5的表面均勻地親液化。具體地說，在預定期間用紫外區域波長的光照射基底層5。在本實施例中，用172nm波長的光照射基底層5約60秒。通過這樣做，基底層5的表面，對后述的絕緣材料111A，呈現出均勻的親液性。此外，基底層5的表面是大致平坦的面。
此后，如圖5(b)所示，分別將電子部件40、41配置在基底層5上的各個預定位置上。這里，電子部件40具有端子40A、40B。另外，電子部件41具有端子41A、41B。因此，在本實施例中，當將電子部件40、41配置在基底層5上時，以使這些端子40A、40B、41A、41B都朝向上側的方式，使電子部件40、41取向。此外，如上所述，電子部件40、41分別是面安裝電阻器和芯片電感。
當將電子部件40、41配置在基底層5上時，在基底層5上產生由電子部件40、41的厚度引起的段差。因此，如圖5(c)到圖6(a)所示，通過噴墨步驟在基底層5上形成絕緣圖案P1。當形成絕緣圖案P1時，以使絕緣圖案P1的厚度與電子部件40、41的厚度大致相同的方式，設定絕緣圖案P1的厚度。進一步，以絕緣圖案P1包圍電子部件40、41的各個側面的方式，調整絕緣圖案P1的形狀。通過這樣做，得到的絕緣圖案P1起著填補由電子部件40、41的厚度引起的段差的作用。此外，使絕緣圖案P1和電子部件40、41的各個側面相互接觸是優選的。此外，如上所述，電子部件40、41的高度相互大致相同。
還有，如上所述，絕緣圖案P1由相互層疊的兩個絕緣子圖案10、11構成。下面，更詳細地說明形成各個絕緣子圖案10、11的各個噴墨子步驟。
(2.絕緣子圖案10)首先，如圖5(c)到(e)所示，通過噴墨子步驟在基底層5上形成絕緣子圖案10。這里，絕緣子圖案10的厚度大致為電子部件40、41的高度的一半。另外，絕緣子圖案10的形狀是覆蓋不設置作為基底層5上的一部分的電子部件40、41的部分的形狀。
更具體地說，如圖5(c)所示，用圖16的液滴噴出裝置100，二維地變化噴嘴118對基底層5的相對位置。而且，當噴嘴118位于與基底層5露出的部分對應的區域中時，將絕緣材料111A的液滴D1噴出到基底層5。這里，如圖5(a)所示，因為使基底層5對絕緣材料111A親液化，所以彈著在基底層5上的液滴D1在基底層5上濕潤且容易擴大。結果，在基底層5上液滴D1濕潤且擴大，得到絕緣材料111A的材料圖案。
下面，如圖5(d)所示，使設置的材料圖案活性化。具體地說，用365nm波長的光照射材料圖案約60秒。通過這樣做，進行材料圖案中的單體的聚合反應，結果，能夠得到圖5(e)所示的絕緣子圖案10。
這里，圖5(d)所示的活性化，除了照射光的步驟外，也包括以由熱促進單體的聚合反應的方式，在材料圖案上加上熱量Q1進行加熱的步驟。當然，根據絕緣材料111A，在活性化中，也可以不包括照射光的步驟。進一步，當絕緣材料111A是以后成為絕緣子圖案10的聚合物溶化了的液狀物時，活性化可以包括從材料圖案使溶劑成分氣化的步驟。具體地說，這時的活性化是用加熱器或紅外光加熱材料圖案的步驟。
(3.絕緣子圖案11)其次，如圖6(a)所示，通過噴墨子步驟在絕緣子圖案10上形成絕緣子圖案11。因為形成絕緣子圖案11的噴墨子步驟基本上與圖5(c)到(e)所示的絕緣子圖案10的形成步驟相同，所以省略對它的詳細說明。
其次，以使絕緣子圖案10的厚度和絕緣子圖案11的厚度之和與電子部件40、41的厚度大致相等的方式，設定絕緣子圖案11的厚度。因此，絕緣子圖案10和絕緣子圖案11消除由基底層5的表面和電子部件40、41形成的段差。
如上所述，相互層疊的兩個絕緣子圖案10、11構成絕緣圖案P1。此外，當電子部件40(41)的厚度比較薄時，也可以由1層的絕緣子圖案構成絕緣圖案P1。另一方面，當電子部件40(41)的厚度比較大時，也可以由3層以上的絕緣子圖案構成絕緣圖案P1。
通過形成絕緣圖案P1，絕緣圖案P1的表面的水平和電子部件40、41的表面的水平大致一致，并且構成一個大致連續的或大致平坦的表面S1。此外，如果表面S1是大致平坦的，則表面S1也可以對基底層5傾斜。
(4.過孔V1)下面，在各個端子40A、40B、41A、41B上設置過孔V1。這里，這些過孔V1的外形由位于表面S1上的絕緣子圖案12加沿。如以下說明的那樣，在本實施例中，通過噴墨子步驟在表面S1上形成這種絕緣子圖案12。
首先，如圖6(b)所示，對表面S1實施疏液化。在本實施例中，在表面S1上形成氟代烷基硅烷(以下稱為FAS)膜。具體地說，將原料化合物(即FAS)的溶液和基底層5放入同一密閉容器中，以室溫放置約2～3日左右。通過這樣做，在表面S1上形成由有機分子膜構成的自組織化膜(即FAS膜)。
可是，在本實施例中，在端子40A、40B上分別有接線柱形成區域37A、37B。同樣，在端子41A、41B上分別有接線柱形成區域38A、38B。接線柱形成區域37A、37B、38A、38B是以后設置導電柱的位置。下面，將分別包圍4個接線柱形成區域37A、37B、38A、38B的各個區域稱為“底部區域39”。
下面，通過噴墨子步驟在4個底部區域39上形成邊緣部分12A。
首先，如圖6(c)所示，將絕緣材料111A的液滴D1噴出到底部區域39上。通過這樣做，將多個液滴D1彈著在4個底部區域39的各個上擴大地進行濕潤。而且，當彈著的多個液滴D1擴大地進行濕潤時，在4個底部區域39的各個上形成材料圖案。
這里，因為4個底部區域39是經過疏液化的表面S1的一部分，所以底部區域39對絕緣材料111A呈現疏液性。即，彈著在底部區域39上的絕緣材料111A的液滴D1濕潤的擴大程度小。因此，4個底部區域39中的任何一個都適合于通過噴墨子步驟使過孔V1取形。此外，在本實施例中，經過疏液化的表面S1指的是覆蓋表面S1的FAS膜的表面。
下面，如圖6(d)所示，通過使4個材料圖案硬化，形成4個邊緣部分12A。具體地說，用具有屬于紫外區域的波長的光照射材料圖案約60秒，得到邊緣部分12A。在本實施例中，照射材料圖案的光的波長為365nm。這里，4個邊緣部分12A的內側分別成為過孔V1。即，4個邊緣部分12A的各個對各個過孔V1加沿。
下面，通過噴墨子步驟，形成包圍4個邊緣部分12A的內部12B。
首先，如圖6(e)所示，使設置了4個邊緣部分12A后的表面S1親液化。這時，用具有屬于紫外區域的波長的光均勻照射表面S1約60秒。通過這樣做，除去表面S1上的FAS膜。而且，進一步用上述光照射在除去FAS膜后的表面S1上，使表面S1對絕緣材料111A呈現親液性。在本實施例中，屬于紫外區域的上述波長為172nm。此外，表示親液性程度的一個指標是“接觸角”。在本實施例中，當絕緣材料111A的液滴D1與經過親液化的表面S1相接觸時，液滴D1與表面S1所成的接觸角為20度以下。
此后，將絕緣材料111A的液滴D1噴出到表面S1，形成絕緣材料111A的材料圖案。如上所述，表面S1，通過前面的親液化步驟，對絕緣材料111A呈現親液性。因此，絕緣材料111A能夠在表面S1上在大范圍內擴大濕潤。
下面，雖然在圖中未示出，但是通過使材料圖案硬化，根據材料圖案形成內部12B。具體地說，用具有屬于紫外區域的波長的光照射材料圖案約60秒，得到內部12B。在本實施例中，照射材料圖案的光的波長為365nm。
通過以上的步驟，如圖7(a)所示，得到由4個邊緣部分12A和1個內部12B構成的絕緣子圖案12。
(5.導電柱21A、21B、21C、21D)在形成4個過孔V1后，通過噴墨子步驟在4個過孔V1內設置導電柱21A、21B、21C、21D。
首先，如圖7(b)所示，將導電性材料111B的液滴D2噴出到4個過孔V1的各個中。通過這樣做，將液滴D2彈著在構成各個過孔V1的底部的端子40A、40B、41A、41B的表面上并擴大地進行濕潤。此外，繼續噴出導電性材料111B的液滴D2，直到各個過孔V1的內部充滿導電性材料111B為止。
此后，如圖7(c)所示，將熱量Q2給予導電性材料111B使導電性材料111B活性化。通過這樣做，導電性材料111B中的溶劑成分氣化，并且燒結或融著導電性材料111B中的導電性微粒子。而且結果，如圖7(d)所示，在4個過孔V1的各個部位中，分別得到貫通絕緣子圖案12的導電柱21A、21B、21C、21D。
(6.導電圖案23A、23B)下面，如圖8(a)所示，通過噴墨子步驟在絕緣子圖案12上，形成導電圖案23A、23B。另外，通過噴墨子步驟在導電柱21D上形成導電柱23C。形成導電柱23C的噴墨子步驟與形成實施例2的導電柱的噴墨子步驟基本上相同。
其次，導電圖案23A與在絕緣子圖案12上露出的導電柱21A可以導電地連接。這里，因為導電柱21A和端子40A相互可以導電地連接，所以導電圖案23A經過導電柱21A與電子部件40可以導電地連接。同樣，導電圖案23B與在絕緣子圖案12上露出的兩個導電柱21B、21C可以導電地連接。這里，導電柱21B和端子40B相互可以導電地連接，導電柱21C和端子41A相互可以導電地連接。所以，導電圖案23B擔負起串聯連接電子部件40和電子部件41的作用。最后，導電柱23C與在絕緣子圖案12上露出的導電柱21D可以導電地連接。這里，因為導電柱21D和端子41B相互可以導電地連接，所以導電柱23C經過導電柱21D與電子部件41可以導電地連接。
(7.絕緣圖案13)
下面，如圖8(b)所示，通過噴墨子步驟在絕緣子圖案12上形成絕緣子圖案13。絕緣子圖案13具有包圍導電圖案23A、23B的側面和導電柱23C的側面的形狀。此外，絕緣子圖案13的厚度與導電圖案23A、23B的厚度大致相同，也與導電柱23C的高度大致相同。因此，絕緣子圖案13的表面、導電圖案23A、23B的表面和導電柱23C的表面提供一個大致平坦的表面。此外，因為形成絕緣子圖案13的噴墨子步驟與形成各個絕緣子圖案10、11的各個噴墨子步驟基本相同，所以省略對它的說明。
通過以上那樣的步驟，得到圖4所示的部分1A。如果根據本實施例，則因為通過噴墨工藝形成多層構造基板，所以在層疊各個層前，容易發現圖案的缺損，并且容易修復。
本實施例中，除了形成導電柱21A、21B、21C、21D的噴墨子步驟和形成絕緣子圖案12的噴墨子步驟外，與實施例1基本相同。
首先，如實施例1中說明的那樣，在基底層5上的預定位置上，配置電子部件40、41。此后，通過噴墨步驟形成絕緣圖案P1。如上所述，絕緣圖案P1由相互層疊的絕緣子圖案10、11構成，起著填補由基底層5的厚度引起的段差的作用。還有，絕緣圖案P1的表面和電子部件40、41的表面提供的一個表面是“表面S1”。
(1.導電柱21A、21B、21C、21D)在本實施例中，在形成絕緣子圖案12前，通過噴墨子步驟形成各個導電柱21A、21B、21C、21D。詳細情況如下所述。
首先，將導電性材料111B的液滴D2噴出到各個端子40A、40B、41A、41B上，配置材料圖案。而且，臨時干燥配置的材料圖案，在各個端子40A、40B、41A、41B上，分別形成1個子接線柱。這里，以至少使材料圖案的表面干燥的方式，進行臨時干燥。作為它的具體方法，可以吹干燥空氣或照射紅外線等。
而且，重復噴出上述液滴D2和進行臨時干燥，在各個端子40A、40B、41A、41B上，層疊4個子接線柱。
此后，使層疊在各個端子40A、40B、41A、41B上的4個子接線柱活性化。在本實施例中，用150℃溫度的加熱板(hot plate)加熱基底層5，30分鐘。通過這樣做，使殘留在各個子接線柱中的溶劑成分氣化，并且燒結或融著各個子接線柱中的導電性微粒子。而且，結果，如圖9(a)所示，在端子40A、40B、41A、41B的各個部位，分別得到導電柱21A、21B、21C、21D。
(2.絕緣圖案12)其次，通過噴墨子步驟在表面S1上設置絕緣子圖案12。詳細情況如下所示。
首先，如圖9(b)所示，對表面S1進行親液化。在本實施例中，用屬于紫外區域的波長的光照射表面S1。具體地說，用約172nm波長的光照射表面S1約60秒。
其次，雖然在圖中未示出，但是通過噴出絕緣材料111A的液滴D1，在表面S1上配置絕緣材料111A的材料圖案。這里，以絕緣材料111A的材料圖案和導電柱21A、21B、21C、21D的側面不接觸的方式，配置材料圖案是優選的。即，這時，優選在絕緣材料111A的材料圖案和導電柱21A、21B、21C、21D之間存在間隙。
此后，雖然在圖中未示出，但是再次對在絕緣材料111A的材料圖案和導電柱21A、21B、21C、21D之間的間隙中露出的表面S1進行親液化。具體地說，用172nm波長的光照射表面S1。通過這樣做，增大表面S1對絕緣材料111A的親液性。而且，結果，擴大濕潤到已經配置的絕緣材料111A的材料圖案與導電柱21A、21B、21C、21D的側面相接觸為止。即，通過再次親液化，用材料圖案填補絕緣材料111A的材料圖案和導電柱21A、21B、21C、21D之間的間隙。
如果根據本實施例，則通過第2次親液化，進一步擴大濕潤已經配置的絕緣材料111A的材料圖案。通過這樣做，能夠確切地使絕緣材料111A的材料圖案與導電柱21A、21B、21C、21D的側面相接觸，并且能夠確實地使導電柱21A、21B、21C、21D的上端從絕緣材料111A的材料圖案露出來。即，能夠確實地實現通過導電柱21A、21B、21C、21D而引起的絕緣子圖案12的貫通。
而且，對絕緣材料111A的材料圖案進行活性化。具體地說，用屬于紫外區域的波長的光照射絕緣材料圖案，使絕緣材料圖案硬化。通過這樣做，進行絕緣材料111A的材料圖案中的單體的聚合反應，如圖9(c)所示，從絕緣材料111A的材料圖案得到絕緣子圖案12。
(3.導電圖案23A、23B)下面，如實施例1中說明的那樣，通過噴墨子步驟在絕緣子圖案12上，形成導電圖案23A、23B。另外，通過噴墨子步驟在導電柱21D上形成導電柱23C。而且，如實施例1中說明的那樣，通過噴墨子步驟在絕緣子圖案12上，形成絕緣圖案13。
即便進行以上那樣的步驟，如圖9(d)所示，也能夠得到圖4的部分1A。
(實施例1和2的變形例)(1)在實施例1和2中，通過噴墨子步驟分別形成相互接觸的導電柱21D和導電圖案23A。但是，當過孔V1的深度比較小時，也可以省略導電柱21A的形成，使導電圖案23A直接與端子40A連接。這時，如實施例1中說明的那樣，通過噴墨子步驟在絕緣子圖案11上，在端子40A上形成對過孔加沿的絕緣子圖案12。此后，可以通過噴墨子步驟在端子40A上和絕緣子圖案12上形成導電圖案23A。
(2)在實施例1和2中，通過噴墨子步驟在端子40A、40B、41A、41B上形成導電柱21A、21B、21C、21D。這里，當各個端子40A、40B、41A、41B成為凸塊(bump)的形態時，也可以省略導電柱21A、21B、21C、21D的形成。這時，首先，以使電子部件40、41的凸塊朝向上側的方式，將電子部件40、41配置在基底層5上。而且，通過噴墨子步驟在基底層5上形成絕緣圖案P1。這里形成的絕緣圖案P1具有覆蓋除凸塊之外的電子部件40、41的形狀。而且，通過噴墨子步驟在絕緣圖案P1上形成絕緣子圖案12。這里形成的絕緣子圖案12具有包圍凸塊側面的形狀。此后，根據需要，可以通過噴墨子步驟在絕緣子圖案12上，形成與凸塊連接的導電圖案23A。
一面參照圖10和圖11，一面說明圖4的部分1B的形成步驟。這里，在與實施例1中的構成要素相同的構成要素上，附加與實施例1相同的參照標號。在此基礎上，為了避免重復，省略對它們的詳細說明。此外，在本實施例中，如圖10(a)所示，已經設置了絕緣子圖案10。
首先，如圖10(b)所示，通過噴墨子步驟在絕緣子圖案10上形成導電圖案20。這里，導電圖案20包括相互連接的電極20A和導電配線20B。此后，如圖10(c)所示，通過噴墨子步驟在絕緣子圖案10上形成絕緣子圖案11。絕緣子圖案11具有包圍導電圖案20側面的形狀。此外，在本實施例中，絕緣子圖案11的厚度與前面形成的導電圖案20的厚度相互相等。
接著，如圖10(d)所示，通過噴墨子步驟在電極20A上形成電介質層DI。此后，如圖10(e)所示，通過噴墨子步驟在電介質層DI上形成電極22A。進一步，如圖11(a)和(b)所示，通過噴墨子步驟在絕緣子圖案11上和導電圖案20上，形成絕緣子圖案12和絕緣子圖案13。在本實施例中，絕緣子圖案12、13具有包圍電極22A側面的形狀。此外，以絕緣子圖案13的上部表面的水平面與電極22A的上部表面的水平面大致一致的方式，形成這些絕緣子圖案12、13。此外，也可以形成絕緣子圖案12、13作為1層。
在本實施例中，絕緣子圖案11的厚度、絕緣子圖案12的厚度和絕緣子圖案13的厚度之和與電容器42的厚度相等。所以，相互層疊的3個絕緣子圖案11、12、13起著填補由電容器42的厚度引起的段差的作用。此外，最上部的絕緣子圖案13的上部表面和電容器42的上部表面構成一個大致平坦的表面。在本實施例中，統一這3個絕緣子圖案11、12、13，也表記為“絕緣圖案P2”。
其次，如圖11(c)所示，通過噴墨子步驟在電極22A上形成導電柱24D。此外，通過噴墨子步驟在絕緣子圖案13上和電極22A上形成絕緣子圖案14。如在實施例1、2中說明的那樣，在形成導電柱24D的噴墨子步驟和形成絕緣子圖案14的噴墨子步驟中，也可以先進行任一個。在無論哪個情況下，絕緣子圖案14在電極22A上對過孔V2加沿。而且，導電柱24D經過過孔V2貫通絕緣子圖案14。
通過以上那樣的步驟，能夠得到圖4的部分1B。
一面參照圖12和圖13，一面說明圖4的部分1C的形成步驟。這里，在與實施例1中的構成要素相同的構成要素上，附加與實施例1相同的參照符號。在此基礎上，為了避免重復省略對它們的詳細說明。此外，在本實施例中，如圖12(a)所示，已經形成了直到絕緣子圖案16的構造。
首先，如圖12(b)所示，通過噴墨子步驟在絕緣子圖案16上形成導電圖案25。這里，導電圖案25由相互分離的兩個連接盤(land)25A、25B構成。在本實施例中，在這兩個連接盤25A、25B上，配置1個LSI裸芯片44。
下面，如圖12(c)所示，通過噴墨子步驟在絕緣子圖案16上形成絕緣子圖案17。這里，絕緣子圖案17具有包圍導電圖案25側面的形狀。此外，絕緣子圖案17的厚度與導電圖案25的厚度大致相等。而且，絕緣子圖案17的表面和導電圖案25的表面提供一個平坦的表面S41。
下面，如圖12(d)所示，以在兩個連接盤25A、25B上，1個LSI裸芯片44的兩個端子分別接觸的方式，將LSI裸芯片配置在連接盤25A、25B上。此后，如圖13(a)所示，通過噴墨子步驟在表面S41上形成絕緣子圖案18。這里，絕緣子圖案18具有包圍LSI裸芯片44側面的形狀。還有，絕緣子圖案18的厚度與LSI裸芯片44的厚度大致相等。所以，絕緣子圖案18起著填補由LSI裸芯片44和絕緣子圖案17形成的段差的作用。此外，絕緣子圖案18的表面和LSI裸芯片的表面構成一個大致平坦的表面。
如與實施例1的絕緣子圖案10、11關聯地說明那樣，形成絕緣子圖案18的噴墨子步驟也可以包括形成多個絕緣子圖案中的各個的各個噴墨子步驟。另外，如圖13(b)所示，當LSI裸芯片44的厚度比較薄時，也可以以絕緣子圖案18完全覆蓋LSI裸芯片的上部表面的方式，形成絕緣子圖案18。
一面參照圖14和圖15，一面說明圖4的部分1A中的電子部件40的埋入方法的其它實施例。
如圖14(a)和(b)所示，用裝配設備將電子部件40配置在基底層5的預定位置上。這里，電子部件40的端子40A、40B與基底層5的表面相接觸。
接下來，如圖14(c)所示，通過噴墨子步驟在基底層5上，形成與電子部件40的端子40B相接觸的導電圖案26。本實施例的導電圖案26是導電配線。此后，如圖14(d)所示，通過噴墨子步驟，在基底層5上形成絕緣子圖案10。這里，絕緣子圖案10具有包圍導電圖案26側面的形狀。此外，絕緣子圖案10的厚度與導電圖案26的厚度大致相等。所以，絕緣子圖案10起著填補由導電圖案26的厚度引起的段差的作用。
接著，如圖15(a)所示，通過噴墨子步驟，在絕緣子圖案10上和導電圖案26上形成絕緣子圖案11。這里，以絕緣子圖案10的厚度和絕緣子圖案11的厚度之和與電子部件40的厚度大致相等的方式，設定絕緣子圖案11的厚度。因此，絕緣子圖案10和絕緣子圖案11消除由電子部件40的厚度引起的段差。在本實施例中，統一這兩個絕緣子圖案10、11，也表記為“絕緣圖案P1′”。
此外，當電子部件40的厚度比較小時，也可以由1層的絕緣子圖案構成絕緣圖案P1′。還有，當電子部件40的厚度比較大時，也可以由3層以上的絕緣子圖案構成絕緣圖案P1′。
此后，如圖15(b)所示，形成與端子40A相接觸的導電柱21A和包圍導電柱21A側面的絕緣子圖案12。這些導電柱21A和絕緣子圖案12，例如，與實施例1的導電柱21A和絕緣子圖案12同樣，能夠通過噴墨子步驟形成。
下面，通過噴墨子步驟在絕緣子圖案11上形成導電圖案27。這里，以與導電柱21A連接的方式形成導電圖案27。此后，通過噴墨子步驟在絕緣子圖案12上形成絕緣子圖案13。這里，絕緣子圖案13具有包圍導電圖案27側面的形狀。此外，絕緣子圖案13的厚度與導電圖案27的厚度大致相等。所以，絕緣子圖案13起著消除由導電圖案27的厚度引起的段差的作用。
進一步，通過噴墨子步驟在絕緣子圖案13上和導電圖案27上形成絕緣子圖案14。如以上說明的那樣，在這種步驟中，也能夠將電子部件40埋入多層構造基板1中。
(A.液滴噴出裝置的全體構成)實施例1～5中說明的多層構造基板的制造方法是通過多個液滴噴出裝置來實現的。液滴噴出裝置數目既可以等于上述噴墨子步驟數，也可以等于后述的液狀材料111的種類數。這里，多個液滴噴出裝置的構成基本上都是相同的。因此，下面，著眼于圖16所示的1個液滴噴出裝置100，說明它的構造和功能。
圖16所示的液滴噴出裝置100基本上是噴墨裝置。更具體地說，液滴噴出裝置100備有保持液狀材料111的容器101、管子110、接地載物臺GS、噴出頭單元103、載物臺106、第1位置控制裝置104、第2位置控制裝置108、控制單元112、光照射裝置140、和支撐單元104a。
噴出頭單元103保持噴頭114(圖17)。該噴頭114，與來自控制單元112的信號對應，噴出液狀材料111的液滴D。此外，噴出頭單元103中的噴頭114通過管子110與容器101連結，因此，從容器101將液狀材料111供給噴頭114。
載物臺106提供用于固定基底層5的平面。進一步載物臺106也具有用吸引力固定基底層5的位置的功能。如上所述，基底層5是由聚酰亞胺構成的撓性基板，其形狀為帶狀。而且，基底層5的兩端固定在圖中未示出的一對卷軸上。
第1位置控制裝置104，通過支撐單元104a，固定在離開接地載物臺GS預定高度的位置上。該第1位置控制裝置104具有與來自控制單元112的信號對應，使噴出頭單元103沿X軸方向和與X軸方向正交的Z軸方向移動的功能。進一步，第1位置控制裝置104也具有使噴出頭單元103圍繞與Z軸平行的軸旋轉的功能。這里，在本實施例中，Z軸方向是與鉛直方向(即重力加速度的方向)平行的方向。
第2位置控制裝置108，與來自控制單元112的信號對應，使載物臺106在接地載物臺GS上沿Y軸方向移動。這里，Y軸方向是與X軸方向和Z軸方向雙方正交的方向。
具有上述那種功能的第1位置控制裝置104的構成和第2位置控制裝置108的構成，能夠用利用線性電機和伺服電機的眾所周知的XY機器人來實現。因此，這里，省略對它們的詳細構成的說明。此外，在本說明書中，也將第1位置控制裝置104和第2位置控制裝置108表記為“機器人”或“掃描單元”。
此外如上所述，由第1位置控制裝置104，使噴出頭單元103沿X軸方向移動。而且，由第2位置控制裝置108，使基底層5與載物臺106一起沿Y軸方向移動。其結果，噴頭114對基底層5的相對位置變化。更具體地說，通過這些動作，噴出頭單元103、噴頭114或噴嘴118(圖17)對基底層5，一面在Z軸方向保持預定距離，一面在X軸方向和Y軸方向相對移動，即相對掃描。“相對移動”或“相對掃描”意味著噴出液狀材料111一側和彈著來自那里的噴出物一側(被噴出部分)中的至少一方對另一方相對移動。
控制單元112以從外部信息處理裝置接受表示應該噴出液狀材料111的液滴D的相對位置的噴出數據的方式構成。控制單元112將接受的噴出數據存儲在內部的存儲裝置中，并且與存儲的噴出數據對應，控制第1位置控制裝置104，第2位置控制裝置108和噴頭114。此外，噴出數據是以預定圖案將液狀材料111賦予基底層5上的數據。在本實施例中，噴出數據具有位圖數據的形態。
具有上述構成的液滴噴出裝置100，與噴出數據相應地，使噴頭114的噴嘴118(圖17)對基底層5相對移動，并且向著被噴出部分從噴嘴118噴出液液狀材料111。此外，統一由液滴噴出裝置100進行的噴頭114的相對移動和來自噴頭114的液狀材料111的噴出，也表記為“涂敷掃描”或“噴出掃描”。
在本說明書中，也將液狀材料111的液滴彈著的部分表記為“被噴出部分”。而且，也將彈著的液滴擴大濕潤的部分表記為“被涂敷部分”。“被噴出部分”和“被涂敷部分”中的無論那一個都是通過以液狀材料111呈現所要的接觸角的方式，對物體表面施加表面改質處理而形成的部分。但是，當即便不進行表面改質處理，物體表面也對液狀材料111呈現所要的疏液性或親液性(即彈著的液狀材料111在物體表面上呈現所要的接觸角)時，物體表面本身能夠是“被噴出部分”或“被涂敷部分”。
其次，返回到圖16，光照射裝置140是用紫外光照射賦予基底層5的液狀材料111的裝置。由控制單元112控制光照射裝置140的紫外光照射的ON·OFF(接通·斷開)。
(B.噴頭)
如圖17(a)和(b)所示，液滴噴出裝置100中的噴頭114是具有多個噴嘴118的噴墨頭。具體地說，噴頭114備有振動板126、多個噴嘴118、規定多個噴嘴118的各個開口的噴嘴平板128、積液處129、多個間壁122、多個空腔(cavity)120和多個振子124。
積液處129位于振動板126和噴嘴平板128之間，從圖中未示出的外部容器經過孔131供給的液狀材料111總是充填在該積液處129中。此外，多個間壁122位于振動板126和噴嘴平板128之間。
空腔120是由振動板126、噴嘴平板128、一對間壁122包圍的部分。因為與噴嘴118對應地設置空腔120，所以空腔120的數量與噴嘴118的數量相同。經過位于一對間壁122之間的供給口130，從積液處129將液狀材料111供給空腔120。此外，在本實施例中，噴嘴118的直徑約為27μm。
此外，多個振子124中的各個以與各個空腔120對應的方式位于振動板126上。多個振子124中的各個包括壓電元件124C和夾持壓電元件124C的一對電極124A、124B。控制單元112將驅動電壓加在這一對電極124A、124B間，從對應的噴嘴118噴出液狀材料111的液滴D。這里，從噴嘴118噴出的材料的體積可以在0pl以上42pl(微微(pico)升)以下之間變化。此外，以從噴嘴118沿Z軸方向噴出液狀材料111的液滴D的方式，調整噴嘴118的形狀。
在本說明書中，將包括1個噴嘴118、與噴嘴118對應的空腔120、與空腔120對應的振子124的部分也表記為“噴出單元127”。如果根據該表記，則1個噴頭114具有與噴嘴118的數量相同數量的噴出單元127。噴出單元127也可以代替壓電元件具有電熱變換元件。即，噴出單元127也可以具有利用由電熱變換元件引起的材料熱膨脹而噴出材料的構成。
(C.控制單元)下面，說明控制單元112的構成。如圖18所示，控制單元112備有輸入緩沖存儲器200、存儲裝置202、處理單元204、光源驅動單元205、掃描驅動單元206和噴頭驅動單元208。這些輸入緩沖存儲器200、處理單元204、存儲裝置202、光源驅動單元205、掃描驅動單元206和噴頭驅動單元208，通過圖中未示出的總線可以相互通信地連接起來。
光源驅動單元205，可以與光照射裝置140通信地連接。進一步，掃描驅動單元206，可以與第1位置控制裝置104和第2位置控制裝置108相互通信地連接。同樣噴頭驅動單元208，可以與噴頭114相互通信地連接。
輸入緩沖存儲器200，從位于液滴噴出裝置100外部的外部信息處理裝置(圖中未示出)，接受用于噴出液狀材料111的液滴D的噴出數據。輸入緩沖存儲器200將噴出數據供給處理單元204，處理單元204將噴出數據存儲在存儲裝置202中。在圖18中，存儲裝置202是RAM。
處理單元204，根據存儲裝置202內的噴出數據，將表示噴嘴118對被噴出部分的相對位置的數據給予掃描驅動單元206。掃描驅動單元206將與該數據和預定的噴出周期相應的載物臺驅動信號給予第1位置控制裝置104和第2位置控制裝置108。其結果，噴出頭單元103對被噴出部分的相對位置發生變化。另一方面，處理單元204，根據存儲在存儲裝置202中的噴出數據，將噴出液狀材料111所需的噴出信號給予噴頭114。結果，從噴頭114中對應的噴嘴118噴出液狀材料111的液滴D。
此外，處理單元204，根據存儲裝置202內的噴出數據，使光照射裝置140處于ON狀態和OFF狀態中的某一個。具體地說，以光驅動單元205能夠設定光照射裝置140的狀態的方式，處理單元204將表示ON狀態或OFF狀態的各個信號供給光源驅動單元205。
控制單元112是包括CPU、ROM、RAM、總線的計算機。所以，通過由CPU實施存儲在ROM中的軟件程序，能夠實現控制單元112的上述功能。當然控制單元112，也可以用專用電路(硬件)來實現。
(D.液狀材料)將從噴頭114的噴嘴118作為液滴D噴出的具有粘度的材料稱為上述的“液狀材料111”。這里，不管液狀材料111是水性的還是油性的。如果備有可以從噴嘴118噴出的流動性(粘度)就足夠了，即便混入固體物質如果作為整體是流動體，也是可以的。這里，液狀材料111的粘度在1mPa·s以上50mPa·s以下是優選的。當粘度在1mPa·s以上時，在噴出液狀材料111的液滴D時，噴嘴118的周邊部分難以被液狀材料111污染。另一方面，當粘度在50mPa·s以下時，噴嘴118中的篩眼堵塞的頻度小，因此能夠順利地實現液滴D的噴出。
上述導電性材料111B是液狀材料111的一種。本實施例的導電性材料111B包括平均粒徑為10nm左右的銀粒子和分散劑。而且，在導電性材料111B中，使銀粒子穩定地分散在分散劑中。此外，也可以用涂敷劑覆蓋銀粒子。這里，涂敷劑是可以配置在銀粒子中的化合物。此外，將平均粒徑約為1nm到數百nm的粒子，也表記為“納米粒子”。根據該表記，則導電性材料111B包含銀的納米粒子。
作為分散劑(或溶劑)，是能夠分散銀粒子等的導電性微粒子的媒體，只要不引起凝集就沒有特別的限定。例如，除了水以外，還能夠例示甲醇、乙醇、丙醇、丁醇等的醇類、n-庚烷、n-辛烷、癸烷、十二烷、十四烷、甲苯、二甲苯、異丙基甲苯(cymene)、暗煤(デュレン)、茚、二戊烯、四氫化萘、十氫化萘、環乙基苯等的碳氫系化合物，或乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、乙二醇甲乙醚、二甘醇二甲醚、二甘醇二乙醚、二甘醇甲乙醚、1，2-二甲氧基乙烷、二甲基(2-甲氧基)芐醚、p-二烷等的醚系化合物，還有丙烯碳酸酯、γ-丁內酯、N-甲基-2-吡咯烷酮、二甲基甲酰胺、二甲亞砜、環己酮等的極性化合物。它們之中，在導電性微粒子的分散性和分散液的穩定性、此外對液滴噴出法的應用容易性方面，水、酒精類、碳氫系化合物、醚系化合物是優選的，作為更優選的分散劑，能夠舉出水、碳氫系化合物。
上述絕緣材料111A也是液狀材料111的一種。本實施例的絕緣材料111A包含感光性的樹脂材料。具體地說，絕緣材料111A包含光聚合開始劑、丙烯酸的單體和/或低聚體。
(變形例1)在上述實施例的導電性材料111B中包含銀納米粒子。但是，代替銀納米粒子，也可以用其它金屬的納米粒子。這里，作為其它金屬。例如也可以用金、白金、銅、鈀、銠、鋨、釕、銥、鐵、錫、鋅、鈷、鎳、鉻、鈦、鉭、鎢、銦中的某一個，或者，也可以用將它們中的某二個以上組合起來的合金。但是，如果是銀，則因為能夠在比較低的溫度還原，所以容易處理，這一點，當利用液滴噴出裝置時，優選利用包含銀納米粒子的導電性材料111B。
此外，導電性材料111B，代替金屬的納米粒子，也可以包含有機金屬化合物。這類所謂的有機金屬化合物是通過加熱分解，析出金屬的那種化合物。在這種有機金屬化合物中，具有氯三乙基膦金(I)、氯三甲基膦金(I)、氯三苯基膦金(I)、銀(I)2、4-乙酰丙酮(ペンタンヂオナト，pentanedionate)絡合物、三甲基膦六氟乙酰丙酮銀(I)絡合物、銅(I)六氟乙酰丙酮環辛二烯(ヘキサフルオロペンタンジオナトシクロオクタジエン，hexafluoropentandionatocyclooctadiene)絡合物等。
這樣，包含在液狀的導電性材料111B中的金屬形態，也可以是以納米粒子為代表的粒子形態，也可以是有機金屬化合物那樣的化合物形態。
進一步，導電性材料111B，代替金屬，也可以包含聚苯胺、聚噻酚、聚亞苯基亞乙烯基等的高分子系的可溶性材料。
(變形例2)如在實施例6中所述的那樣，也可以用有機物等的涂敷劑覆蓋導電性材料111B中的銀的納米粒子。作為這種涂敷劑，胺、醇、硫醇等是公知的。更具體地說，作為涂敷劑，具有2-甲氨基乙醇、二乙醇胺、二乙基甲基胺、2-二甲氨基乙醇、甲基二乙醇胺等的胺化合物，烷基胺類、乙撐二胺、烷基醇、乙二醇、丙二醇、烷基硫醇類、乙二硫醇(エタンジチオ一ル)等。用涂敷劑覆蓋的銀的納米粒子能夠更穩定地分散在分散劑中。
(變形例3)根據上述實施例，則用紫外區域波長的光進行照射，使基底層5的表面和絕緣子圖案10、11等的表面親液化。但是，代替這種親液化，即使通過在大氣氣氛中將氧作為處理氣體實施O2等離子體處理，也能夠使這些表面親液化。O2等離子體處理是從圖中未示出的等離子放電電極將等離子狀態的氧照射在物體表面上的處理。O2等離子體處理的條件可以是等離子體功率為50～1000W、氧氣流量為50～100mL/min、物體表面對等離子體放電電極的相對移動速度為0.5～10mm/sec、物體表面溫度為70～90℃。
(變形例4)在上述實施例中，多層構造基板的制造方法是通過多個液滴噴出裝置來實現的。但是，在多層構造基板的制造方法中利用的液滴噴出裝置的數量也可以只是1個。當液滴噴出裝置的數量為1個時，在1個液滴噴出裝置中，可以在每個噴頭114中噴出不同的液體材料111。
(變形例5)在上述實施例中，絕緣材料111A包含光聚合開始劑、丙烯酸的單體和/或低聚體。但是，代替丙烯酸的單體和/或低聚體，絕緣材料111A也可以包含光聚合開始劑、具有乙烯基、環氧基等的聚合性官能基的單體和/或低聚體。
此外，絕緣材料111A也可以是溶解具有光官能基的單體的有機溶液。這里，作為具有光官能基的單體，能夠用光硬化性亞胺單體。
或者，當作為樹脂材料的單體自身具有適合于來自噴嘴118的噴出的流動性時，代替用溶解單體的有機溶液，也可以將單體本身(即單體液)作為絕緣材料111A。即便在用這種絕緣材料111A的情況下，也能夠形成本發明的絕緣圖案或絕緣子圖案。
進一步，絕緣材料111A也可以是溶解作為樹脂的聚合物的有機溶液。這時，能夠用甲苯作為絕緣材料111A中的溶劑。
權利要求
1.一種多層構造基板的制造方法，包括以使電子部件的端子朝向上側的方式，將所述電子部件配置在表面上的步驟；和第1噴墨步驟，以填補由所述電子部件的厚度引起的段差的方式，將第1絕緣圖案設置在所述表面上。
2.根據權利要求1所述的多層構造基板的制造方法，其特征在于，還包括第2噴墨步驟，以在所述端子上對過孔加沿的方式，將第2絕緣圖案設置在所述第1絕緣圖案上；和第3噴墨步驟，在所述過孔內設置導電柱。
3.根據權利要求1所述的多層構造基板的制造方法，其特征在于，還包括第2噴墨步驟，在所述端子上設置導電柱；和第3噴墨步驟，以包圍所述導電柱的側面的方式，將第2絕緣圖案設置在所述第1絕緣圖案上。
4.根據權利要求2或3所述的多層構造基板的制造方法，其特征在于，還包括第4噴墨步驟，以與所述導電柱連接的方式，將導電圖案設置在所述第2絕緣圖案上；和第5噴墨步驟，以消除由所述導電圖案的厚度引起的段差的方式，將第3絕緣圖案設置在所述第2絕緣圖案上。
5.根據權利要求1所述的多層構造基板的制造方法，其特征在于，還包括，第2噴墨步驟，以在所述端子上對過孔加沿的方式，將第2絕緣圖案設置在所述第1絕緣圖案上；和第3噴墨步驟，在所述端子上和所述第2絕緣圖案上形成導電圖案。
6.根據權利要求5所述的多層構造基板的制造方法，其特征在于，還包括第4噴墨步驟，以填補由所述導電圖案的厚度引起的段差的方式，將第3絕緣圖案設置在所述第2絕緣圖案上。
7.一種多層構造基板的制造方法，包括以使電子部件的凸塊朝向上側的方式，將所述電子部件配置在表面上的步驟；第1噴墨步驟，以覆蓋除所述凸塊之外的所述電子部件的方式，將第1絕緣圖案設置在所述表面上；第2噴墨步驟，以包圍所述凸塊的側面的方式，將第2絕緣圖案設置在所述第1絕緣圖案上；和第3噴墨步驟，以與所述凸塊連接的方式，將導電圖案設置在所述第2絕緣圖案上。
8.一種多層構造基板的制造方法，包括以電子部件的端子與導電圖案的表面相接觸的方式，將所述電子部件設置在所述導電圖案上的步驟；和噴墨步驟，以至少填補由所述電子部件的厚度引起的段差的方式，設置絕緣圖案。
9.一種多層構造基板的制造方法，包括第1噴墨步驟，以導電圖案與位于表面上的電子部件的端子相接觸的方式，將所述導電圖案設置在所述表面上；和第2噴墨步驟，以至少填補由所述電子部件的厚度引起的段差的方式，將絕緣圖案設置在所述表面上。
全文摘要
本發明的目的是用噴墨工藝制造電子部件內置的多層構造基板。多層構造基板的制造方法包含以使電子部件的端子朝向上側的方式將上述電子部件配置在表面上的步驟、和以填補由上述電子部件的厚度引起的段差的方式將第1絕緣圖案設置在上述表面上的第1噴墨步驟。
文檔編號H01L21/48GK1842255SQ20061007105
公開日2006年10月4日 申請日期2006年3月31日 優先權日2005年4月1日
發明者和田健嗣, 伊東春樹, 今井英生 申請人:精工愛普生株式會社