專利名稱：用于半導體集成電路的隔離結構及其制造方法
技術領域：
本發明涉及一種半導體集成電路的隔離結構。本發明還涉及該隔離結構的 制造方法。
背景技術：
目前用于半導體器件制造工藝中普遍采用的隔離結構主要由以下2種局部硅氧化隔離結構(LOCOS)和淺溝隔離結構(STI)。其中，局部硅氧化隔離 結構通常用于0.5微米以上的M0S工藝器件之間的場氧隔離，其特點在于制 作工藝簡單，但容易在隔離區形成"鳥嘴"，導致占用面積增大，減小了有源 區的有效長度，同時由于"鳥嘴"形貌的不可預見性，常常會對其他工藝，器 件甚至整個制程造成不利的影響，不利于制程的控制；并且由于LOCOS工藝中 一般都需要通過熱氧生長法生長幾千埃的氧化硅，這就需要經歷長時間的熱過 程，這對于離子注入的摻雜濃度分布也有一定影響，不利于制程的控制。而淺溝隔離結構，多用于0.25微米及以下技術節點中， 一般用作主流器 件隔離結構，其徹底解決了 "鳥嘴"現象，但缺點是工藝流程非常復雜。 發明內容本發明要解決的技術問題是提供一種用于半導體集成電路的無"鳥嘴"現 象且制造工藝簡單的隔離結構；為此，本發明還提供了一種制造該隔離結構的 工藝方法。為解決上述技術問題，本發明提供一種用于半導體集成電路的隔離結構， 其由硅基板、其表面局部的離子注入區域構成。為了制造所述隔離結構，本發明的制造方法包括以下幾步驟a.在硅基板 上生長一層二氧化硅；b.涂布上一層厚光刻膠；c.在掩模板上預設需要隔離的 區域，通過一次光刻，刻蝕掉所述需要隔離的區域的光刻膠，暴露出需要做隔 離的硅基板表面；d.刻蝕掉暴露區域的二氧化硅層；e.不同能量的氮/氧離子 多次重復注入所述暴露區域；f.去除多余光刻膠；g.氮氣氛圍下高溫處理。本發明由于采用離子注入方法進行隔離結構的制造，避免了采用傳統方法 容易造成的"鳥嘴"現象，并且簡化了制造工藝流程。
具體實施方式
下面對本發明作進一步詳細的說明。本發明用于半導體集成電路的隔離結構及其制造方法，由硅基板以及硅基 板表面的離子注入區域構成，其制造工藝如下首先，將需要生成隔離結構的硅基板裸露放置于100(TC左右的氧化氣氛中 "生長"二氧化硅，其生長速度取決于氧化氣氛的類型和壓強、生長的溫度以 及硅片的摻雜濃度，本發明中使用常規參數。第二步，將需要進行隔離的區域"寫"到透明玻璃"掩模版"上。在生長 有二氧化硅的硅基板表面涂布一層光照后刻蝕特性會發生變化的"光刻膠"。將"掩模版"置于晶片上方，利用紫外線將圖形投影到晶片上。曝光區域的光 刻膠"變硬"，不透明區域的光刻膠保持"松軟"。將晶片放到腐蝕劑中去除"松 軟"的光刻膠，同時刻蝕掉二氧化硅層，從而暴露出其下方的硅表面。這樣暴 露出來的硅表面就是需要進行隔離的區域。第三步，對所述需要進行隔離的區域進行不同能量的氮/氧離子重復注入，通過將氮/氧原子加速變為不同能量的高能離子束，再用其轟擊硅基板上需要 進行隔離的區域而獲得較為均勻的隔離帶。第四步，去除多余的光刻膠。第五步，將硅基板在1100。C以上加熱3到5小時。
權利要求
1、一種用于半導體集成電路的隔離結構，其特征在于由硅基板、所述硅基板表面預設區域的離子注入區域構成。
2、 一種制造權利要求1所述的用于半導體集成電路的隔離結構的工藝方 法，其特征在于a. 在硅基板上生長一層二氧化硅；b. 涂布上一層厚光刻膠；C.在掩模板上預設需要隔離的區域，通過一次光刻，刻蝕掉所述需要隔離 的區域的光刻膠，暴露出需要做隔離的硅基板表面；d. 刻蝕掉暴露區域的二氧化硅層；e. 不同能量的氮/氧離子多次重復注入所述暴露區域，以形成較為均勻的 隔離帶；f. 去除多余光刻膠；g. 氮氣氛圍下高溫處理。
3、 根據權利要求2所述的制造方法，其特征在于所述不同能量的氮/氧離子指20kev 200kev。
4、 根據權利要求2所述的制造方法，其特征在于所述高溫為110(TC以 上，氮氣氛圍下處理時間為3 5小時。
全文摘要
本發明公開了一種用于半導體集成電路的隔離結構，在硅基板表面部分區域采用離子注入方式，從而避免了采用傳統方法容易造成的“鳥嘴”現象，并且簡化了制造工藝流程。為制得該隔離結構，本發明的制造方法包含如下步驟在硅基板上生長一層二氧化硅；涂布上一層厚光刻膠；在掩模板上預設需要隔離的區域，通過一次光刻，刻蝕掉所述需要隔離的區域的光刻膠，暴露出需要做隔離的硅基板表面；刻蝕掉暴露區域的二氧化硅層；不同能量的氮/氧離子多次重復注入所述暴露區域；去除多余光刻膠；氮氣氛圍下高溫長時間處理。
文檔編號H01L21/70GK101154614SQ200610116559
公開日2008年4月2日 申請日期2006年9月27日 優先權日2006年9月27日
發明者樂 王 申請人:上海華虹Nec電子有限公司