專利名稱：一種消除探針針跡偏移的方法
技術領域：
本發明涉及集成電路制造技術，尤其是指一種消除晶圓驗收測試(WAT， WaferAcc印tance Test)中的探針針跡偏移(Probe Mark Shift)的方法。
背景技術：
晶圓驗收測試(WAT, Wafer Acceptance Test)即是通過測量某些測試 元件結構的電性參數，以了解及反應整個晶圓的物理特性及制造過程，從而 使前期研發人員能通過上述電性參數測量結果，改善元件的設計及制程。所 述電性參數包括開啟電壓、飽和電流、漏電流、閘極氧化層的擊穿電壓、接 觸電阻、方塊電阻等。
半導體參數測試的結果需通過精密且快速的參數測試設備獲得，例如東 京電子(TEL)的探針機器(Prober )、探針卡(Probe Card )、安捷倫(Agilent) 的測試機器(Tester)等。探針卡置于探針機器中，探針機臺與測試機器通過 電纜連接(Cable End)。在進行各參數的測量時，揮:針卡上的探針在晶圓的 探測位置需實時移動，探針的針跡不可避免地會產生偏移。
現有技術的WAT測試步驟如
圖1所示。 一批(Lot)產品包括25片晶圓， 應順次對每片晶圓進行測試，具體步驟如下
101 )將晶圓置于探針機器(Prober)上；
102) 定位(Alignment)晶圓；
103) 利用測試機器(Tester)對晶圓進行各項參數測試；
104)卸載晶圓。
由于定位晶圓有時會有誤差，探針在晶圓上的針跡不可避免地會產生偏 移。而在現有技術中，對針跡的偏移并不進行監測及處理，從而導致電性參 數的測量結果有較大誤差。
另外，探針的偏差的移動會導致晶圓的劃傷，進而可能引起晶圓的報廢。
此外，由于順次不停地對每片晶圓進行測試，可能會導致一批(Lot)晶 圓，也即25片晶圓皆被報廢。
發明內容
有鑒于此，本發明的目的在于提供一種消除WAT中的探針針跡偏移的方 法，從而極大地減小電性參數的測量結果的誤差，并避免晶圓的報廢。 本發明是通過以下技術方案實現的，包括如下步驟
A) 將晶圓置于探針機器上；
B) 定位晶圓；
C) 判斷晶圓的定位是否有誤差，如有誤差，執行步驟D);如無誤差， 執行步驟E);
D) 針跡檢查，并對4笨針位置進行調節；
E) 利用測試機器對晶圓進行各項參數測試；
F) 卸載晶圓。
進一步地，所述針跡檢查是通過探針機器上的液晶顯示屏，觀察探針在 晶圓上的位置，對探針進行調節，直至液晶顯示屏上顯示的探測位置正確。 進一步地，所述晶圓定位是通過探針機器的顯微鏡進行監測。 進一步地，所述步驟C)后還包括以下步驟
A1 )判斷是否進行定位調節；如需調節，則執行步驟C1);如不需調節，
則執行步驟B1 );
B1 )判斷是否中止執行測試第一個測試單元，如中止，則執行步驟C1); 如不中止，則執行步驟E); C1 )中止測試；
D1 )判斷是否進行針跡檢查，如需針跡檢查，則執行步驟D);如不需針 跡檢查，則執行步驟C1 )。
進一步地，所述步驟F)后，判斷一批晶圓的測試是否完成，如果已測試 完成，則該批晶圓的晶圓驗收測試結束；如果未測試完成，則執行步驟A)。
本發明的有益效果在于本發明在探測到晶圓的定位有誤時，引入針跡 檢查(ContactCheck)以消除針跡偏移，極大地提高了電性參數的測量精度。
另外，針跡偏移消除后，探針在正確的探測位置間移動，能有效地避免 晶圓的劃傷，從而避免晶圓的報廢。
此外，本發明在完成一片晶圓的測試后，判斷是否需進行下一片晶圓的 測試，從而增加了 WAT測試的可控性。
附圖i兌明
圖1是現有的WAT流程圖2是本發明的WAT流程圖3是本發明的進行針跡檢查的條件判斷流程圖。
具體實施例方式
以下結合具體實施例和附圖，對本發明作進一步說明。
圖2是本發明的WAT流程圖。對每片晶圓的測試步驟如下
201 )將晶圓置于探針機器(Prober)上；
202) 定位(Alignment)晶圓；
203) 判斷晶圓的定位是否有誤差，如有誤差，執行步驟204);如無誤 差，執行步驟205);
204) 針跡檢查，并對探針位置進行調節；
205) 利用測試機器(Tester)對晶圓進行各項參數測試；
206) 卸載晶圓。
本發明的方法通過4笨針機器的顯微鏡(Camera)對晶圓定位進行監測， 如晶圓定位正確，則執行步驟205)，也即對每片晶圓的測試步驟和現有技術 的步驟一致，如晶圓定位有誤差，則執行步驟204)進行針跡檢查。針跡4全 查也即是通過探針機器上的液晶顯示屏(LCD),觀察探針在晶圓上的位置。 對探針進行調節，直至LCD上顯示的探測位置正確。
在步驟203)后可對進行針跡檢查的條件進行多重判斷，如圖3所示， 包括如下步驟
301 )判斷是否進行定位調節；如需調節，則執行步驟303);如不需調 節，則執行步驟302);
302) 判斷是否中止執行測試第一個測試單元(Chip),如中止，則執行 步驟303);如不中止，則執行步驟205);
303) 中止測試；
304) 判斷是否進行針跡檢查，如需針跡檢查，則執行步驟204);如不 需針跡檢查，則執行步驟303)。
在步驟204)前可設置中止測試，并進行針跡檢查的條件。如晶圓定位 有誤差，本發明在繼續測試，也即執行步驟205)前設置兩級條件判斷步驟 301)、步驟302)，以防止在晶圓定位有誤差的情況下，不執行步驟204)， 而直接執行步驟205),從而造成晶圓的劃傷。
當步驟301 )、步驟302 )的任一條件判斷結果為"是"時，執衧步驟303 )、 步驟304)。如步驟304)的條件判斷結果為"否"時，循環執行步驟303)、 步驟304),直至步驟304)的條件判斷結果為"是"，也即必須執行步驟204), 對探針的位置進行調節。以上的條件判斷使WAT測試中對針跡檢查的可控性 增強。
另外，在步驟206)卸載晶圓后，本發明可在完成一片晶圓的測試后， 判斷是否需進行下一片晶圓的測試，也即判斷一批(Lot)晶圓的測試是否完 成。如果已測試完成，則該批晶圓的WAT測試結束；如果未測試完成，則執 行步驟201),開始該批產品的下一片晶圓的測試。以上的條件判斷使WAT 測試的可控性進一步增強。
以上對本發明的方法進行了詳細介紹，但并不能以此限定本發明的范圍。 凡在本發明的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應 包含在本發明的保護范圍之內。
權利要求
1.一種消除探針針跡偏移的方法，其特征在于，包括如下步驟A)將晶圓置于探針機器上；B)定位晶圓；C)判斷晶圓的定位是否有誤差，如有誤差，執行步驟D)；如無誤差，執行步驟E)；D)針跡檢查，并對探針位置進行調節；E)利用測試機器對晶圓進行各項參數測試；F)卸載晶圓。
2、 如權利要求1所述的消除探針針跡偏移的方法，其特征在于，所述針 跡檢查是通過探針機器上的液晶顯示屏，觀察探針在晶圓上的位置，對探針進行調節，直至液晶顯示屏上顯示的^:測位置正確。
3、 如權利要求1所述的消除探針針跡偏移的方法，其特征在于，所述晶 圓定位是通過探針機器的顯微鏡進行監測。
4、 如權利要求1所述的消除探針針跡偏移的方法，其特征在于，所述步 驟C)后還包括以下步驟A1 )判斷是否進行定位調節；如需調節，則執行步驟C1);如不需調節， 則執行步驟B1 );B1 )判斷是否中止執行測試第一個測試單元，如中止，則執行步驟C1); 如不中止，則執行步驟E); C1 )中止測試；D1 )判斷是否進行針跡檢查，如需針跡檢查，則執行步驟D);如不需針 跡檢查，則執行步驟C1 )。
5、 如權利要求1所述的消除探針針跡偏移的方法，其特征在于，所述驟F)后，判斷一批晶圓的測試是否完成，如果已測試完成，則該批晶圓的晶圓驗收測試結束；如果未測試完成，則執行步驟A)。
全文摘要
本發明公開了一種消除探針針跡偏移的方法，其特征在于，包括如下步驟A)將晶圓置于探針機器上；B)定位晶圓；C)判斷晶圓的定位是否有誤差，如有誤差，執行步驟D)；如無誤差，執行步驟E)；D)針跡檢查，并對探針位置進行調節；E)利用測試機器對晶圓進行各項參數測試；F)卸載晶圓。本發明用于集成電路制造，可極大地減小電性參數的測量結果的誤差，并避免晶圓的報廢。
文檔編號H01L21/66GK101368990SQ20071004485
公開日2009年2月18日 申請日期2007年8月14日 優先權日2007年8月14日
發明者鵬 吳, 陳泰江 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司