專利名稱：一種連接系統引線框架上的防止氧化的裝置及其方法
技術領域：
本發明涉及一種裝置和方法，以防止氧化作用在連接系統的引線框架上， 更具體地說，就是本發明關系到防止氧化作用在連接系統的一種方法和裝置， 就相當于半導體芯片的電極的引線集合到達引線框架和半導體芯片的模子到達 引線框架。
背景技術：
一般來說，引線框架形成一種FeNi合金或者是如果把它們與周圍的空氣接 觸，就會容易氧化的類似物。因此，當引線結合或模子被執行時，就有必要采 取措施。以防止引線框架的氧化。 一種防止方法是:把一種還原性氣體和惰性氣 體引入到附近被連接的引線框架。
如圖1顯示了一種局部的具代表性的見解，即傳統的引線結合系統。就是 通過一種方法來防止氧化作用在引線框架。引線框架1和一個半導體芯片2被 安置于導軌上面，并被框架固定物6縮減。在這個階段的過程中，引線框架1 的定位是通過定位于通路口 6a的半導體芯片2。 6a是通過框架固定物6的凹進 處6c供給。而且，引線框架l是被固定物6的一個腿6b緊緊控制。表層7有 一個通路口 7a和6a相對應。7被裝置于6c的上面。排氣口8是為了排放類似 還原性氣體和惰性氣體，也就是一種表層7和6c的最里面表層還原。此外，一 端的供氣管道10是被連接至排氣口 8并經由連接部9，但另一端是連接到一個 供氣裝置。
在運行期間，大氣是被從無影響的供氣裝置到排氣口 8并經由管道10引入。 如圖2所示，這一大氣產生一種氣流B，氣流B穿過附近的邊緣部分6d。 6d是 由周圍的6a提供。氣流B被從上面引入到引線框架l和半導體芯片2。這種大氣是為了防止空氣接觸引線框架1。
然而，按照氣流B，由于大氣是被從排氣口 8排放下降，如圖2，在氣流B 的附近產生了一種真空。因此，由于氣流B會抓住這種真空，當氣流穿過通路口 7a時，就會產生一個問題。如虛線C所示，真空也會被帶進接觸引線框架1， 從而相同地進行氧化。
發明內容
本發明的所要解決的技術問題是針對現有技術不足之處，提供一種連接系 統引線框架上的防止氧化的裝置，通過對本身結構上的改變來達到更好的防止 氧化的目的。
本發明解決其技術問題所采用的技術方案是 一種連接系統引線框架上的 防止氧化的裝置，導軌上方設置有蓋子和框架固定物，所述的導軌在自身的普 通U型斷面上，具有一個縱向延伸直線凹槽和一對為了支持引線框架的平行部， 此平行部形成于縱向延伸直線凹槽的兩側，第一大氣供管道穿過縱向延伸直線 凹槽底部與其內腔連通，然后通過框架固定物下方環形墻開設的第一排氣口與 其連通，第二大氣供管道在框架固定物上方穿過并且與框架固定物上方環形墻 開設的第二排氣孔連通。
所述的框架固定物有一個框架固定體和表蓋，框架固定體表面為凹槽，通 路口形成于凹槽的中央部分，下通路口位于環形墻下端部，下通路口處為一條 腿，多元化徑向溝槽形成于的環形墻下限表面，總之此處為第一大氣供管道與 第一排氣口連通位置。
所述的框架固定物上的表蓋在凹槽內，而且再環形墻上部位有一個上通路 口和環形法蘭，環形墻下端的表面和上端表面被相互獨立，并且被傾向于向上 部的環形墻的內部，分別形成它們之間的第二排氣口，此外,氣體累積庭與第二 排氣口相通，第二大氣供管道的一端連接到氣體累積庭途徑結合部，而另一端， 則是連接到第二個供氣裝置。
本發明的另一個目的是提供一種連接系統引線框架上的防止氧化的裝置操作方法-
包括指揮第一大氣流的同時，沿著平行部，并且超過引線框架連接部，同 時指揮第二大氣流最原始平行部，被并列于第一大氣流，隨后離開框架連接處， 單獨在引線框架的其中一側以及此引線框架和第二氣流之間，第一大氣流有被 接近的傾向。
所述的一種連接系統引線框架上的防止氧化的裝置的操作方法，包括使用 還原性氣體作為第一和第二氣體。
所述的一種連接系統引線框架上的防止氧化的裝置的操作方法，包括使用 惰性氣體作為第一和第二氣體。
所述的一種連接系統引線框架上的防止氧化的裝置的操作方法，其步驟
為
第一個和第二個供氣裝置通過第一和第二大氣供管道被分別引入，第一大 氣被引入縱向延伸直線凹槽途徑第一供氣管道，第二大氣被引入氣體累積庭， 途徑第二供氣管道和結合部，第二大氣從氣體累積庭流向第二排氣口排出，然后 從那里向上流進上通路口，此時，緊靠在內法蘭下面附近，產生了一種真空，結 果，第二大氣通過第二排氣口排放，在真空作用下，形成一個向上氣流，因此， 上放氣流被向上氣流遮蔽，并且被阻止進入上通路口；
此時，第一大氣被除引入縱向延伸直線凹槽，穿過建在引線框架和一條腿 之間的第一排氣口，并且在那時排氣進入下通路口，此第一大氣形成一個氣流， 氣流朝向半導體芯片，沿著引線框架的向上表面，并且得到附近的半導體芯片 的供給；
因此，當上方氣流通過排放第二大氣，被阻止進入下通路口，并且，第一 大氣得到附近的引線框架和半導體芯片供給時，介于半導體芯片的電極和引線 框架之間的引線結合，在下通路口處將被執行，從而防止引線結合過程中引線 框架的氧化。
本發明的一種連接系統引線框架上的防止氧化的裝置及其方法和現有技術相比，具有以下有益效果為了防止氧化作用在連續系統的引線框架，其組成
步驟:包含了引進第一大氣走向引線框架的連接部分，沿引線框架的表面，并提
供第二大氣體來保護連接部分不接觸周圍空氣，同時，引入第一大氣體。由此防
止了任何氧化隱患。
圖1表示是傳統引線結合系統的一種局部具代表性的結構圖2表示的是圖l局部放大圖3表示的是本發明的一種連接系統引線框架上的防止氧化的裝置結構立 體示意圖4表示的是本發明的一種連接系統引線框架上的防止氧化的裝置局部結 構示意圖5表示的是圖4中局部放大圖。
具體實施例方式
接下來參照說明書附圖對本發明的高速鋼開孔器作以下詳細地說明。
本發明的高速鋼開孔器，在圖3中，導軌3在普通U型斷面，具有一個縱 向延伸直線槽3a和一對平行部3b， 3b形成于凹槽3a的兩側，為了支持引線框 架1。此外，第一大氣供管道11為了建立3a和第一大氣供應裝置之間的溝通， 被3a的底部3c供應，并穿過底部3c。
框架固定物15被安置于導軌3的中央部分之上，表蓋14關閉凹槽3a被用 來處理導軌3除中央部分的其他部分。如圖4所示，固定物15有一個框架固定 體16和表蓋17。 17用與處理固定體16。 16有一個被提供于其表面的凹槽16c, 通路口 16a形成于凹槽16c的中央部分。16a通過環形墻16b定義，環形墻16b 下端部，為了控制引線框架l，預測下調一條腿16d，為了溝通16a和16d的外 圍周邊部分，多元化徑向溝槽16e形成于16d的下限表面。這些溝槽16e服務 于第一大氣體排氣口 18。
表蓋17在16c內，而且有一個通路口 17a。 17a通過環形墻17b定義，并且和16a相應，環形法蘭17c，將17a計劃在內，形成在環形墻17b的上部位置。 環形墻17b下端的表面和16b的上端表面被相互獨立，并且被傾向于向上部的 17a， 16a的內部，分別形成它們之間的一個缺口 。此缺口服務于第二大氣排氣 口 19，此外，氣體累積庭20與19相通，通過固定題16和表蓋17。形成于外 圍的環形墻16、 17b。第二大供氣管22的一端，連接到氣體累積庭20途徑結合 部21，而另一端，則是連接到第二個供氣裝置。
框架固定15包括一個框架固定體16和表蓋17，由導軌3的中央部分供應.15 通過驅動裝置(未顯示)可相對導軌3進行垂直移動，當執行引線框架1的支持 部時，5會被下降。
首先，框架l被引上凹槽3a內的平行步3b上，然后，當框架l上的半導體 芯片2被帶到僅次于16a的位置時，通過驅動裝置(未顯示)，15會被下降，所以， 引線框架l被腿16d所牽制。
在這種情況下，第一和第二大氣氣體如同還原性氣體和惰性氣體，從未顯示 的第一個和第二個供氣裝置通過供氣管道11、 22，被分別引入，第一大氣被引 入3a途徑供氣管道11，第二大氣被引入氣體累積庭20途徑供氣管道22和結合 部21，如圖5所示，第二大氣從20流向第二個排氣口 19排出，然后從那里向 上流進16a和17a。此時，緊靠在內法蘭17c下面的F處的附近，產生了一種真 空。結果，第二大氣通過排氣口 19排放，在真空作用下，形成一個向上氣流E。 因此，上放氣流被向上氣流E遮蔽，并且被阻止進入通路口 17a和16a。
此時，第一大氣被除引入溝槽3a，穿過建在引線框架1和腿16 d之間的第 一排氣口 18，并且在那時排氣進入通路口 16a,此第一大氣形成一個氣流G，氣 流G朝向半導體芯片2，沿著引線框架l的向上表面，并且得到附近的半導體芯 片2的供給。
因此，當上方氣流通過排放第二大氣，被阻止進入16a和17a并且，第一 大氣得到附近的引線框架1和半導體芯片2供給時，介于半導體芯片2的電極 和引紅框架1之間的引線結合，在通路口 16a和17a處將被執行，從而防止引線結合過程中，引線框架l的氧化。
此外，自第二大氣氣體暫時流進氣體累積庭20級及在那里不斷累積之后，
通過排氣口 19排氣，由于突然改變氣流方向氣壓會被減少，從而導致失去氣壓。
應該指出的是，還原性氣體如同氫氣或者惰性氣體如同氬氣，可被用作第 一和第二大氣氣體，此外，一項計劃可能會被提供這樣一個共同的供氣裝置，此
裝置被連接至第一第二供氣管道11、 22，并且，被這個供氣裝置供應的大氣氣 體，被分流到供氣管道ll、 22。
在上面所描述的體現中， 一個例子已被說明，裝置是為了防止氧化作用于 引線框架與結合系統相一致，不過，為了將半導體芯片粘接到引線框架上，這 裝置可能會被應用于模子連接系統。
權利要求
1、 一種連接系統引線框架上的防止氧化的裝置，其特征在于導軌上方 設置有蓋子和框架固定物，所述的導軌在自身的普通U型斷面上，具有一個縱 向延伸直線凹槽和一對為了支持引線框架的平行部，此平行部形成于縱向延伸 直線凹槽的兩側，第一大氣供管道穿過縱向延伸直線凹槽底部與其內腔連通， 然后通過框架固定物下方環形墻開設的第一排氣口與其連通，第二大氣供管道 在框架固定物上方穿過并且與框架固定物上方環形墻開設的第二排氣孔連通。
2、 根據權利要求1所述的一種連接系統引線框架上的防止氧化的裝置， 其特征在于所述的框架固定物有一個框架固定體和表蓋，框架固定體表面為 凹槽，通路口形成于凹槽的中央部分，下通路口位于環形墻下端部，下通路口 處為一條腿，多元化徑向溝槽形成于的環形墻下限表面，總之此處為第一大氣 供管道與第一排氣口連通位置。
3、 根據權利要求1或2所述的一種連接系統引線框架上的防止氧化的裝 置，其特征在于所述的框架固定物上的表蓋在凹槽內，而且在環形墻上部位有 一個上通路口和環形法蘭，環形墻下端的表面和上端表面被相互獨立，并且被 傾向于向上部的環形墻的內部，分別形成它們之間的第二排氣口，此外，氣體累 積庭與第二排氣口相通，第二大氣供管道的一端連接到氣體累積庭途徑結合部， 而另一端，則是連接到第二個供氣裝置。
4、 根據權利要求1所述的一種連接系統引線框架上的防止氧化的裝置， 其操作方法為-包括指揮第一大氣流的同時，沿著平行部，并且超過引線框架連接部，同 時指揮第二大氣流最原始平行部，被并列于第一大氣流，隨后離開框架連接處， 單獨在引線框架的其中一側以及此引線框架和第二氣流之間，第一大氣流有被 接近的傾向。
5、 根據權利要求4所述的一種連接系統引線框架上的防止氧化的裝置的操作方法，包括使用還原性氣體作為第一和第二氣體。
6、 根據權利要求4所述的一種連接系統引線框架上的防止氧化的裝置的 操作方法，包括使用惰性氣體作為第一和第二氣體。
7、 根據權利要求4所述的一種連接系統引線框架上的防止氧化的裝置的操作方法，其步驟為第一個和第二個供氣裝置通過第一和第二大氣供管道被分別引入，第一大 氣被引入縱向延伸直線凹槽途徑第一供氣管道，第二大氣被引入氣體累積庭， 途徑第二供氣管道和結合部，第二大氣從氣體累積庭流向第二排氣口排出，然后 從那里向上流進上通路口，此時，緊靠在內法蘭下面附近，產生了一種真空，結 果，第二大氣通過第二排氣口排放，在真空作用下，形成一個向上氣流，因此，上方氣流被向上氣流遮蔽，并且被阻止進入上通路口；此時，第一大氣被引入縱向延伸直線凹槽，穿過建在引線框架和一條腿之 間的第一排氣口，并且在那時排氣進入下通路口，此第一大氣形成一個氣流， 氣流朝向半導體芯片，沿著引線框架的向上表面，并且得到附近的半導體芯片 的供給；因此，當上方氣流通過排放第二大氣，被阻止進入下通路口，并且，第一 大氣得到附近的引線框架和半導體芯片供給時，介于半導體芯片的電極和引線 框架之間的引線結合，在下通路口處將被執行，從而防止引線結合過程中引線 框架的氧化。
全文摘要
本發明公開了一種連接系統引線框架上的防止氧化的裝置及其方法，導軌上方設置有蓋子和框架固定物，所述的導軌在自身的普通U型斷面上，具有一個縱向延伸直線凹槽和一對為了支持引線框架的平行部，此平行部形成于縱向延伸直線凹槽的兩側，第一大氣供管道穿過縱向延伸直線凹槽底部與其內腔連通，然后通過框架固定物下方環形墻開設的第一排氣口與其連通，第二大氣供管道在框架固定物上方穿過并且與框架固定物上方環形墻開設的第二排氣孔連通。本發明的一種連接系統引線框架上的防止氧化的裝置及其方法和現有技術相比，具有以下有益效果為了防止氧化作用在連接系統的引線框架，其組成步驟包含了引進第一大氣走向引線框架的連接部分，沿引線框架的表面，并提供第二大氣體來保護連接部分不接觸周圍空氣，同時，引入第一大氣體。由此防止了任何氧化隱患。
文檔編號H01L21/02GK101312134SQ20071010726
公開日2008年11月26日 申請日期2007年5月25日 優先權日2007年5月25日
發明者一瀨慎一 申請人:上海三義精密模具有限公司