感光元件和影像顯示器的制作方法

專利名稱：：感光元件和影像顯示器的制作方法
技術領域：
：本發明涉及一種感光元件，特別地涉及一種可應用于輸入式顯示器的感光元件。
背景技術：
：輸入式顯示裝置，如輸入式液晶顯示器，其像素內一般可設置感光元件，以形成具有讀出功能(或稱輸入功能)的讀出像素(readoutpixel),如此一來液晶顯器面板將可提供輸入與讀出的功能，此種面板亦稱之為內建式輸入面板(In-cellinputpanel)。一般而言，感光元件主要又分為兩種，一是電荷式(chargemode)感光元件，另一則是電流式(currentmode)感光元件。圖1顯示傳統電荷式感光元件100的電路示意圖。感光元件100包括讀出線Readout、開關線SW、偏壓線30、開關薄膜晶體管10、感光薄膜晶體管20和電容C1，其中感光薄膜晶體管20用來接收外界的環境光。當開關線SW上的掃瞄信號使開關薄膜晶體管IO導通時，讀出線Readout傳送電荷經由開關薄膜晶體管10對電容CI充電；當開關線SW上的掃瞄信號使開關薄膜晶體管10截止時，感光薄膜晶體管20根據環境光源的亮度以決定本身導通的程度，當環境光源較亮時，感光薄膜晶體管20會越快將電容CI放電，而當環境光源較暗時，感光薄膜晶體管20將電容CI放電的速度會變的較慢。由于感光薄膜晶體管20的光靈敏度(也就是對于電容CI的放電速度)會深深影響感光元件IOO性能表現，若感光元件IOO為高光靈敏度，則可以確保在任何受光的條件下都可以操作，因此如何增加感光薄膜晶體管20的光靈敏度就成為一個重要課題。圖2顯示傳統電流式(currentmode)感光元件200的電路示意圖。感光元件200包括開關薄膜晶體管STFT2、感光薄膜晶體管PTFT2、讀出線Readout2(第一導線)、開關線SW2(第二導線)和偏壓線Biasl(第三導線)，其中感光薄膜晶體管PTFT2的第一電極(例如漏極D)與其柵極G耦接至偏壓線Biasl，而其第二電極(例如源極S)則耦接至幵關薄膜晶體管STFT2。開關薄膜晶體管STFT2的第一電極(漏極D)、第二電極(源極S)和柵極則分別與感光薄膜晶體管PTFT2的源極S、讀出線Readout2和開關線SW2耦接。當開關線SW2為高電位，此時開關薄膜晶體管將導通，感光薄膜晶體管PTFT2根據環境光源的亮度導通產生對應光電流，此對應光電流可經由開關薄膜晶體管STFT2和讀出線Readout2至信號檢測器(圖中未顯示)以供檢測受光程度之用。另外，圖3顯示，本案發明人在美國專利申請號11/611320中所提出之一改良式感光元件300的電路示意圖。感光元件300包括開關薄膜晶體管STFT1、感光薄膜晶體管PTFT1、讀出線Readoutl(第一導線)和開關線SW1(第二導線)。開關薄膜晶體管STFT1的第一電極(漏極D)、第二電極(源極S)和柵極G分別耦接至感光薄膜晶體管PTFT1的第二電極(源極S)、讀出線Readoutl和開關線SW1，而感光薄膜晶體管PTFT1的第一電極(漏極D)和柵極G則共同耦接至開關線SW1。當開關線SW1為高電位時，開關薄膜晶體管STFT1和感光薄膜晶體管PTFT1將被導通，感光薄膜晶體管PTFT1根據環境光源的亮度導通對應光電流，此對應光電流經由開關薄膜晶體管STFT1和讀出線Readoutl至信號檢測器(圖中未顯示)以供檢測受光程度之用。如同圖l的感光元件100，圖2與圖3的感光元件200與300的光電流也將因感光薄膜晶體管PTFT2表面上所照射的亮度而被影響，一般而言，光電流將與感光薄膜晶體管的受光程度成正相關。因此，如何增加感光薄膜晶體管PTFT2與PTFT1的光靈敏度即成為一個重要課題。
發明內容有鑒于此，本發明提供一種感光元件，其包括開關晶體管，具有第一電極、第二電極和第一柵極，其中第一電極與第二電極之一電耦接讀出線，及第一柵極電耦接開關線；以及感光晶體管，電耦接此開關晶體管，且至少此開關晶體管與感光晶體管其中之一為非對稱結構晶體管。此外本發明另提出一種感光元件，其包含第一導線，第二導線，感光晶體管，用以感測光源，其具有第一電極、第二電極和柵極，其中該第一電極電耦接該第一導線，及該柵極電耦接該第二導線，其中該感光晶體管為非對稱結構晶體管；及信號檢測器，電耦接于該第一導線，用以檢測該感光晶體管所產生的光電流。本發明還提出一種影像顯示器，其包括第一基板；至少一像素位于該第一基板上，其中該像素包含像素電極；第一導線；第二導線；像素晶體管，電耦接該像素電極；開關晶體管，具有第一電極、第二電極和第一柵極，其中該第一電極與該第二電極之一電耦接該第一導線，及該第一柵極電耦接該第二導線；以及感光晶體管，電耦接該開關晶體管，且具有第三電極、第四電極和第二柵極，其中至少該開關晶體管與該感光晶體管之一為非對稱結構晶體管。圖1顯示傳統電荷式感光元件的電路示意圖2顯示傳統電流式感光元件的電路示意圖3顯示改良式感光元件的電路示意圖4顯示非對稱結構晶體管的結構布局示意圖5顯示對稱結構晶體管的結構布局示意圖6顯示根據本發明的第一實施例的感光元件的結構布局圖7顯示感光薄膜晶體管在不同寬度下光反應強度的關系圖8顯示第二實施例的感光元件的結構布局圖9顯示根據本發明另一實施例的感光元件的電路圖10顯示第三實施例的感光元件的電路示意圖11顯示根據本發明另一實施例的感光元件結構布局示意圖12顯示根據本發明另一實施例的感光元件結構布局示意圖13顯示根據本發明的另一實施例的讀出像素電路的示意圖14顯示根據本發明的另一實施例的讀出像素電路的示意圖15顯示根據本發明另一實施例的讀出像素電路的示意圖。圖16顯示根據本發明另一實施例的感光元件的電路示意圖17顯示根據本發明另一實施例的感光元件的電路示意圖18顯示根據本發明另一實施例的感光元件的電路示意圖；以及圖19顯示根據本發明另一實施例的液晶顯示器的剖面示意圖。具體實施例方式為讓本發明的目的、特征、和優點能更明顯易懂，下文特舉出數個實施例，并配合附圖，作詳細說明如下圖4與圖5分別顯示非對稱結構晶體管400與對稱結構晶體管500的結構布局示意圖。非對稱結構晶體管400是由柵極G、非晶硅層220、第一電極230和第二電極240所組成，當第一電極230定義為漏極時，第二電極240則為源極；同理，當第一電極230定義為源極時，第二電極240則為漏極；然而，在此特別指出的是，為了方便說明，在本發明的所有實施例中，漏極與源極的定義方式為，比較第一電極與第二電極的電位，電位高者定義為漏極，而低者則定義為源極。圖4中W,為第一電極長度，W2為第二電極長度，且W,〉W2,而W3則定義為非對稱結構晶體管400的溝道長度，一般而言W3可以取第一電極長度W,和第二電極長度W2的平均值。圖5中，對稱結構晶體管500亦由柵極G、非晶硅層320、第一電極330和第二電極340所組成的；同樣地，當第一電極330的電位較第二電極340為高時則定義其為漏極，而第二電極340則為源極，反之亦然，其中，W,為第一電極長度，W2為第二電極長度，且W^W"而W3則定義為對稱結構晶體管500的溝道長度，其值等于W,與W2。由于在相同面積下，非對稱結構晶體管400比對稱結構晶體管500將具有較長的溝道長度，因此非對稱結構晶體管400比對稱結構晶體管500具有較高的導電率，再者高導電率可以減少信號傳輸延遲，因此本發明實施例的感光元件的開關晶體管和感光晶體管的設計將主要采用如圖4所示非對稱結構晶體管的結構，并且優選地，其可以是采用薄膜工藝的薄膜晶體管，或采用非晶硅工藝的非晶硅薄膜晶體管。另外，就感光元件中的開關晶體管而言其需大的驅動電流來減少負載效應，而就感光晶體管其需要具有較高的亮對暗光電流的比例，以增進光靈敏度和信噪比(S/Nratio)。表1根據本發明所針對的一個非對稱結構晶體管的測量結果，其中Wd為薄膜晶體管的漏極長度，而Ws為源極長度，而測量的偏壓條件為Vd=Vg=15V和Vs=OV。由表1得知，在電流差值(亮暗環境下的電流差值)相同的情況下，電流比例第二型比第一型高，所以感光晶體管適合第二型(Wd〉Ws);即參照圖4，第一電極230可作為感光晶體管的漏極以及第二電極240可作為其源極，其中第一電極230的電位高于第二電極240的電位。另外，通常開關晶體管在暗環境下操作，從表1可知，由于第一型電流L比較高，所以開關晶體管適合第一型(Wd〈Ws)，即參照圖4，第一電極230可為開關晶體管的源極以及第二電極240可作為其漏極，其中第二電極240的電位高于第一電極230的電位。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>根據上述晶體管特性，圖6顯示根據本發明的第一實施例感光元件的結構布局圖，其中圖6的感光元件的等效電路示意圖即為圖3所示。在此實施例中開關薄膜晶體管STFT1和感光薄膜晶體管PTFT1由非對稱結構晶體管所構成，例如，由U-shape式(或禾爾C-shape或semicircle-shaped式)晶體管所構成。在此實施例中，開關晶體管STFT1設計為前述的第一型晶體管，即源極S寬度大于漏極D長度(Wd〈Ws)，在結構上源極S為近似U、C或半圓形，而漏極D為近似矩形或長條形。而感光晶體管PTFT1設計為第二型晶體管，即源極S寬度小于漏極D長度(Wd〉Ws)，同樣地，其漏極D為近似u、c或半圓形，而源極s為近似矩形或長條形，然而要特別注意的是，在本發明中源極S與漏極D的結構形狀并非以此為限，任何具有非對稱性結構的晶體管都適用。開關晶體管STFT1的柵極和感光晶體管PTFT1的柵極G電耦接在一起，而601和602分別表示開關晶體管和感光晶體管的非晶硅層。相較于傳統的采用對稱結構晶體管的感光元件，圖6實施例的設計，在相同薄膜晶體管的面積下，其將具有優選的光反應速度與操作性能。此外，圖7顯示感光元件的感光晶體管分別在不同溝道長度下的光反應強度的關系圖，其中，開關晶體管的溝道長度(即漏極長度和源極長度的平均值)設定為30um，而圖中X軸表示感光晶體管的溝道長度從5um到50um，Y軸則表示感光元件的光反應強度，而P點表示開關薄膜晶體管與感光薄膜晶體管的溝道長度相等下所對應的光反應強度。從曲線710知當感光晶體管的溝道長度大于開關晶體管長度時，由于受開關晶體管負載效應(loadingeffect)影響，光反應強度因而下降；因此為使感光元具有優選光靈敏度，優選地，感光晶體管的溝道寬度可設計為小于或等于開關晶體管的溝道寬度，當感光晶體管的寬度等于開關晶體管的寬度時，光反應強度達到一個臨界值。因此，在第一實施例中，如圖6所示，可將圖6感光元件中的感光晶體管PTF1的溝道長度設計為小于或等于開關晶體管STFT1的溝道長度。圖8顯示本發明第二實施例的感光元件的結構布局圖，其中圖8的感光元件的等效電路示意圖即如圖2所示。在第二實施例中開關晶體管STFT2和感光薄膜晶體管PTFT2亦由非對稱結構晶體管所構成，例如，由U-shape式薄膜晶體管所構成，然而并非以此為限。在此實施例中，開關晶體管STFT2設計為第一型晶體管，即源極S長度大于漏極D長度(Wd〈Ws);而感光薄膜晶體管PTFT2設計為第二型薄膜晶體管，即源極S長度小于漏極D長度(Wd〈Ws)。開關晶體管STFT2的柵極和感光晶體管PTFT2的柵極G并未電耦接在一起，而非晶硅層801和802則分別為圖8的空白區域。在第二實施例中，感光晶體管PTF2的溝道長度可設計為等于開關晶體管STFT2的溝道長度，然并非以此為限。圖9顯示根據本發明第三實施例的感光元件的結構布局示意圖，而其等效電路圖則如圖IO所示。圖10的等效電路架構類似于圖2的架構，惟差異在于感光晶體管PTFT3的源極S與偏壓線Bias2(第三導線)耦接，而其漏極D與柵極G則耦接于開關晶體管的源極S。圖10的感光元件可應用于讀出數據線Readout3(第一導線)上的電位比偏壓線Bias2上的電位高的系統，而圖2的感光元件則可應用于偏壓線Biasl上的電位比讀出數據線Readout3的電位高的系統。再次參考圖9，在第三實施例中，感光元件的開關晶體管STFT3和感光晶體管PTFT3亦由非對稱結構晶體管所構成，例如，由U-shape式薄膜晶體管所構成，然而并非以此為限，同樣地，各晶體管設定為漏極的電位大于源極的電位。如圖9所示，開關晶體管STFT3設計為第一型晶體管，即源極S長度大于漏極D長度(Wd〈Ws);感光晶體管PTFT3設計為第二型晶體管，即源極S長度小于漏極D長度(Wd〈Ws)。在此實施例中，開關晶體管STFT3的柵極G和感光晶體管PTFT3的柵極G并未電耦接在一起，而非晶硅層901和902則分別為圖9的空白區域。另外，上述各實施例中的讀出線Readoutl、Readout2和Readout3可分別與信號檢測器耦接，用以檢測及讀出感光晶體管所產生的光電流。例如，以圖10為例，讀出線Readout3耦接于信號檢測器1001，由此感光晶體管PTF3所對應產生的光電流可經由開關薄膜晶體管STFT3和讀出線Readout3傳輸至信號檢測器1001，以檢測和讀出受光程度。此外，在上述的實施例中，各感光元件的感光晶體管和開關晶體管雖然都設計為非對稱結構晶體管，然而在其它實施例中，也可單獨僅就感光晶體管和開關晶體管其中之一設計為非對稱結構晶體管；如圖11顯示根據本發明另一實施例的感光元件結構布局示意圖，其等效電路圖即為圖3所示；其中，開關晶體管STFT4為對稱結構晶體管，而感光晶體管PTFT4為非對稱結構晶體管所構成，例如U-shape式晶體管。相對于圖11的實施例，圖12顯示本發明另一實施例的感光元件結構布局示意圖，其等效電路圖亦為圖3所示；其中，開關晶體管STFT5為非對稱結構晶體管所構成，例如U-shape式晶體管，而感光晶體管PTFT5為對稱結構晶體管。同理，針對圖2與圖10的感光元件，也可設計出單獨僅就感光晶體管和開關晶體管其中之一設計為非對稱結構晶體管的電路布局圖，于此不再贅述。另外，上述的感光元件300、200或1000都可被內建于影像顯示系統(如液晶顯示器面板)的每個一般像素(即未內建感光元件前的像素)或者一部份的一般像素，以形成具有讀出或輸入功能的讀出像素(readoutpixel),使得液晶顯器面板可提供輸入與讀出的功能，此種面板也稱為內建式輸入面板(In-cellinputpanel)。而所需內建的感光元件的數量則決定于內建式輸入面板的輸入功能所需的解析度。圖13顯示根據本發明的另一實施例的讀出像素電路的示意圖，其以圖3的感光元件300為例，示出其應用于讀出像素的示意電路圖。其中，此讀出像素被配置于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列基板(或稱陣列基板)。一般而言，薄膜晶體管陣列基板包含有多個柵極線路與多個數據線路形成于其上。而這些柵極線路與數據線路共同定義了多個像素。為簡化并清楚地描述此實施例的讀出像素，圖13僅示出單一個讀出像素，其分別由柵極線420與數據線410所定義，并省略一般像素(未內建感光元件的像素)的描述。讀出像素包含有液晶電容C,c和儲存電容CST、像素薄膜晶體管450以及感光元件300。像素薄膜晶體管450用來作為開關元件，以控制液晶顯示器像素電極所需的電壓。像素薄膜晶體管450的漏極電極與柵極電極則分別被連接至數據線410與柵極線420。而感光元件300則包含有感光薄膜晶體管430以及開關薄膜晶體管435，其耦接于讀出線440以及開關線421之間，在另一實施例中開關線421可以為此液晶顯示器的另一柵極線或其它可應用的導線。在此實施例中，至少開關薄膜晶體管435與感光薄膜晶體管430之一為非對稱結構晶體管。如前所述，由于此實施例使用的感光元件的光靈敏度將較公知感光元件為高，因此讀出像素的光電流亦可較容易地被檢測及讀出。另外，開關薄膜晶體管435可設置于液晶顯示器的上基板的黑色矩陣框(BlackMatrix)的正下方，如此一來開關薄膜晶體管435將不會因為外界環境亮度改變而受到影響；如，圖19顯示此實施例的液晶顯示器的剖面示意圖，其中，開關薄膜晶體管435可設置于液晶顯示器的上基板的黑色矩陣框B/M的正下方，由此將可降低外界環境光對開關薄膜晶體管435的干擾。同樣地，圖14顯示根據本發明的另一實施例的讀出像素電路示意圖，圖13和圖14的差別在于感光元件300和300a的設置位置，感光元件300a耦接于柵極線420a以及讀出線440a之間。感光元件300a包含有感光薄膜晶體管430a以及開關薄膜晶體管435a，且至少感光薄膜晶體管430a和開關薄膜晶體管435a其中之一為非對稱結構晶體管。另外，像素薄膜晶體管450a的漏極電極與柵極電極則分別被連接至數據線410a與柵極線420a。另外，圖15顯示根據本發明另一實施例的讀出像素電路示意圖，其以圖2的感光元件200為例，示出其應用于讀出像素的示意電路圖。感光元件300b包含有感光薄膜晶體管430b以及開關薄膜晶體管435b，感光元件300b分別耦接柵極線421b、共通電極線Vcom(或偏壓線)和讀出線440b。另外，像素薄膜晶體管450b的漏極電極與柵極電極則分別被連接至數據線410b與柵極線420b。同理，在其它實施例中，例如感光元件iooo亦可如感光元件200集成在影像顯示系統中，在此將不再贅述。圖16顯示根據本發明另一實施例的感光元件1600的電路示意圖。其與前述的實施例的不同之處在于，感光元件1600并未包含開關晶體管，且感光晶體管PTFT6由非對稱結構晶體管所構成；其中，感光晶體管PTFT6耦接于讀出線Readout4(第一導線)與偏壓線Bias3之間(第三導線)，且其柵極耦接于開關線SW4(第二導線)，而感光晶體管PTFT6的漏極和源極分別耦接高電位和低電位。此外，讀出線Readout4耦接于信號檢測器1101，由此感光晶體管PTF6所對應產生的光電流可經由讀出線Readout4傳輸至信號檢測器IIOI，以檢測和讀出受光程度。圖17顯示根據本發明另一實施例的感光元件1700的電路示意圖。同樣地，感光元件1700包含感光晶體管PTFT7，且感光晶體管PTFT7由非對稱結構晶體管所構成；其中，感光晶體管PTFT7的柵極G和漏極D耦接于開關線SW5(第二導線)，而源極S耦接于讀出線Readout5(第一導線)。另外，讀出線Readout5耦接于信號檢測器1102，由此感光晶體管PTF7所對應產生的光電流可經由讀出線Readout5傳輸至信號檢測器1102，以檢測和讀出受光程度。值得一提的是，若感光晶體管PTFT6或PTFT7具有很高開關電流比(I。n/I。ff)，則感光晶體管PTFT6或PTFT7可以同時擔任前述實施例的開關晶體管和感光晶體管的角色，因為當感光晶體管PTFT6或PTFT7具有很高的開關電流比(I。n/I。ff)時，則感光晶體管PTFT6或PTFT7產生的光電流將遠大于其關閉時產生的漏電流大小；亦即，當感光晶體管PTFT6或PTFT7應用于顯示器面板時，感光晶體管PTFT6或PTFT7所感應的光電流將較不受其它漏電流所影響，而這也是感光元件1600或1700不需具備開關晶體管的原因之一。圖18顯示根據本發明的另一實施例，其顯示將圖16的感光元件應用于液晶顯示面板的示意圖，為簡化表示，圖中每一像素僅示出感光元件與開關線n,n+l，n+2(或柵極線n，n+l，n+2)和讀出線的耦接關系，而省略像素晶體管等元件的描述。由圖18可知，當讀出第n個感光元件時，讀出線電流Ireadout將為流經各感光晶體管PTFT的電流總和(Ireadout=Ion+Ioff(n+1)+Ioff(n+2)+"')。因此若感光晶體管PTFT具有很高開關電流比(1。/1。)，感光晶體管PTFT可以同時擔任上述實施例的開關薄膜晶體管和感光薄膜晶體管的角色，亦即Ion的值將遠大于Ioff(n+1>,1off(n+2)…等漏電流，使得與讀出線耦接的信號檢測器依然能判讀出受感應或觸控的像素位置。本發明雖以優選實施例公開如上，然其并非用以限定本發明的范圍，任何本領域的技術人員，在不脫離本發明的精神和范圍內，當可做些許的修改與變化，因此本發明的保護范圍當以所附的權利要求所界定的為準。權利要求1.一種感光元件，包括第一導線；第二導線；開關晶體管，具有第一電極、第二電極和第一柵極，其中所述第一電極與所述第二電極之一電耦接所述第一導線，及所述第一柵極電耦接所述第二導線；以及感光晶體管，電耦接所述開關晶體管，用以感測光源，且具有第三電極、第四電極和第二柵極，其中至少所述開關晶體管與所述感光晶體管之一為非對稱結構晶體管。2、如權利要求1所述的感光元件，其中所述第二電極的長度大于所述第一電極的長度，且所述第一電極的電位高于所述第二電極的電位。3、如權利要求1所述的感光元件，還包括信號檢測器電耦接所述第一導線。4、如權利要求1所述的感光元件，其中所述第四電極的長度小于所述第三電極的長度，且所述第三電極的電位高于所述第四電極的電位。5、如權利要求2所述的感光元件，其中所述第四電極的長度小于所述第三電極的長度，且所述第三電極的電位高于所述第四電極的電位。6、如權利要求1所述的感光元件，其中所述第一電極與所述第二電極分別耦接于所述第四電極與所述第一導線。7、如權利要求6所述的感光元件，還包括第三導線，其中所述第三電極與所述第二柵極共同耦接于所述第三導線。8、如權利要求6所述的感光元件，其中所述第三電極與所述第二柵極共同耦接于所述第二導線。9、如權利要求6所述的感光元件，還包括第三導線，其中所述第一電極耦接于所述第一導線，及所述第四電極與所述第二柵極共同耦接于所述第二電極，以及所述第三電極耦接于所述第三導線。10、如權利要求1所述的感光元件，其中所述開關晶體管與所述感光晶體管分別為非晶硅薄膜晶體管。11、如權利要求8所述的感光元件，其中所述感光晶體管的溝道長度小于所述開關晶體管的溝道長度。12、一種感光元件，包括第一導線；第二導線；感光晶體管，用以感測光源，其具有第一電極、第二電極和柵極，其中所述第一電極電耦接所述第一導線，及所述柵極電耦接所述第二導線，其中所述感光晶體管為非對稱結構晶體管；以及信號檢測器，電耦接于所述第一導線，用以檢測所述感光晶體管所產生的光電流。13、如權利要求12所述的感光元件，其中所述第二電極電耦接所述第一導線。14、如權利要求12所述的感光元件，還包括第三導線電耦接所述第二電極。15、一種影像顯示器，包括第一基板；位于所述第一基板上的像素，其中所述像素包括-像素電極；第一導線；第二導線；像素晶體管，電耦接所述像素電極；開關晶體管，具有第一電極、第二電極和第一柵極，其中所述第一電極與所述第二電極之一電耦接所述第一導線，及所述第一柵極電耦接所述第二導線；以及感光晶體管，電耦接所述開關晶體管，且具有第三電極、第四電極和第二柵極，其中至少所述開關晶體管與所述感光晶體管之一為非對稱結構晶體管。16、如權利要求15所述的影像顯示器，其中所述第二導線為所述影像顯示器的柵極線。17、如權利要求15所述的影像顯示器，其中所述第二電極的長度大于所述第一電極的長度，且所述第一電極的電位高于所述第二電極的電位。18、如權利要求15所述的感光元件，還包括信號檢測器電耦接所述第一導線。19、如權利要求15所述的影像顯示器，其中所述第四電極的長度小于所述第三電極的長度，且所述第三電極的電位高于所述第四電極的電位。20、如權利要求15所述的影像顯示器，其中所述第一電極與所述第二電極分別耦接于所述第四電極與所述第一導線。21、如權利要求20所述的影像顯示器，還包括第三導線，其中所述第三電極與所述第二柵極共同耦接于所述第三導線。22、如權利要求20所述的影像顯示器，其中所述第三電極與所述第二柵極共同耦接于所述第二導線。23、如權利要求20所述的影像顯示器，還包括第三導線，其中所述第三電極耦接于所述第三導線。24、如權利要求21所述的影像顯示器，其中所述第三導線為共同電極線。25、如權利要求15所述的影像顯示器，還包括第二基板，具有黑色矩陣面對于所述第一基板，其中所述開關晶體管設置于所述黑色矩陣框的正下方。全文摘要一種感光元件包括開關晶體管，具有第一電極、第二電極和第一柵極，其中第一電極與第二電極之一電耦接讀出線，及第一柵極電耦接開關線；以及感光晶體管，電耦接此開關晶體管，且至少此開關晶體管與感光晶體管其中之一為非對稱結構晶體管。文檔編號H01L27/144GK101373781SQ20071014172公開日2009年2月25日申請日期2007年8月21日優先權日2007年8月21日發明者張祖強,施博盛,陳柏仰申請人:瀚宇彩晶股份有限公司