有源矩陣基板、顯示面板、顯示裝置及有源矩陣基板的制造方法

專利名稱：有源矩陣基板、顯示面板、顯示裝置及有源矩陣基板的制造方法
技術領域：
本發明涉及有源矩陣基板、顯示面板、顯示裝置及有源矩陣基板的制造方法，且是 關于包括晶體管元件，尤其是包括薄膜晶體管(Thin Film Transistor :TFT)元件的有源矩 陣基板、顯示面板、顯示裝置及有源矩陣基板的制造方法。
背景技術：
近年來，由于已能夠實現低耗電化、低驅動電壓化及省空間化等，而盛行開發由液 IhII/Jn (Liquid Crystal Display :LCD)裝置及有機EL(Electro Luminescence)顯不裝置 等所代表的平板顯示器(Flat Panel Display :FPD)裝置。在FPD裝置中，例如液晶顯示裝置及有機EL顯示裝置等的驅動方式，大致可區別 為靜態(static)驅動方式與動態(dynamic)驅動方式，其中被分類為動態驅動方式的有源 矩陣驅動方式，由于可降低像素間的串擾(cross talk)，且能進行更為清晰的影像再生，故 受到矚目。在實現有源矩陣驅動方式時，一般而言，是使用按每個像素具備有1個以上開關 元件及電容器元件等的被稱為所謂陣列基板的電路基板。在本說明中，將此種基板稱為有 源矩陣基板。例如以液晶顯示裝置的情形而言，在有源矩陣基板與對置基板之間設置液晶元 件。在此，從裝置內的光源所發出的光，可隔著有源矩陣基板、液晶元件與對置基板來辨認， 此時，通過對液晶元件賦予適當電壓來控制液晶分子排列而呈現作為影像的色調、灰度等。此外，例如以有機EL顯示裝置的情形而言，在有源矩陣基板的主面中的一面側設 置每個像素的有機發光二極管。在此，來自有機發光二極管的光，可隔著有源矩陣基板(背 面發光型/底發射(bottom emission)型)、或不隔著有源矩陣基板(上面發光型/頂發 射(top emission)型)來辨認，此時，通過控制流通于有機發光二極管的電流量而呈現作 為影像的色調、灰度。根據以上的構成，有源矩陣基板成為決定液晶顯示裝置及有機EL顯示裝置等FDP 中的面板部分的厚度的重要因素。因此，在此有源矩陣基板中的開關元件中，因意識到面板 部分的薄型化，而一般使用晶體管元件，尤其是TFT元件等薄膜元件。在此情形中，已可通過電極材料、半導體材料及絕緣膜材料等的開發，而形成透明 的TFT (參照例如以下所示的非專利文獻1)。非專利文獻1 神谷利夫等人，“非晶質氧化物半導體的設計與高性能可撓性薄膜 晶體管的室溫形成”，第19次尖端技術大獎應征論文，[online]、[2008年4月9日檢索]、 因特網 <URL :http://www. fbi-award. jp/sentan/jusyou/2005/toko_canon. pdf>

發明內容
在此，作為決定液晶顯示裝置及有機EL顯示裝置等的性能的一個要素，存在有源矩陣基板的開口率。該開口率是用以實現更高密度化、更高對比度及亮度等的重要因素，開 口率愈大，則愈可實現高積體化、高對比度及高亮度化等。然而，在上述以往的技術中，有源矩陣基板中的晶體管元件雖已可透明化，但布線 部分的透明化則尚未能實現。對于布線，為了實現液晶顯示裝置及有機EL顯示裝置等的耗 電及驅動電壓的降低，要求大至一定程度的截面積。因此，布線部分不透明，對于以往的有 源矩陣基板中的開口率提高造成了限制。另一方面，以往一般使用的銦錫氧化物andium Tin Oxide :ΙΤ0)等透明電極材 料，電阻率比例如金屬等導電體大。因此，若將所有布線以透明的電極材料來形成，則可能 會產生有源矩陣基板的驅動電力增加，結果使得耗電增加的問題。因此，本發明鑒于上述問題而實現，其目的在提供一種可提高開口率及降低耗電 的有源矩陣基板、顯示面板、顯示裝置及有源矩陣基板的制造方法。為了達成此目的，根據本發明，提供如下方案[1]、一種有源矩陣基板，具備多個晶體管元件，還具備基板，能夠透過可見光； 布線，包括形成在所述基板上的主布線、及形成在所述基板上且用以連接所述主布線與所 述晶體管元件的副布線；半導體層，從所述基板的厚度方向觀察與所述布線的至少一部分 重疊，并且能夠透過可見光；和絕緣膜，覆蓋所述布線及半導體層的至少一部分，能夠透過 可見光；所述副布線由能夠透過可見光的導電體材料構成；所述主布線，至少一部分由具 備比所述副布線更高的導電性的導電體材料構成。[2]、根據上述[1]所述的有源矩陣基板，其中，所述半導體層由主成分與所述副 布線中的導電體材料的主成分相同的半導體材料構成。[3]、根據上述[1]或[2]所述的有源矩陣基板，其中，所述副布線中的導電體材料 及所述半導體層中的半導體材料的各自的主成分是無機氧化物。W]、根據上述[1]至[3]中任一項所述的有源矩陣基板，其中，所述副布線由鋅錫 氧化物所構成的導電體材料構成；所述半導體層由鋅錫氧化物所構成的半導體材料構成， 該半導體材料的載流子濃度比所述副布線低。[5]、根據上述[1]至[4]中任一項所述的有源矩陣基板，其中，所述主布線的至少 一部分由金屬或合金構成。W]、根據上述[1]至[5]中任一項所述的有源矩陣基板，其中，所述副布線的一部 分發揮作為所述晶體管元件中的電極的功能。[7]、根據上述[1]至[6]中任一項所述的有源矩陣基板，其中，所述副布線的一部 分發揮作為所述晶體管元件中的柵電極、源電極及漏電極的功能，所述絕緣膜的一部分發 揮作為所述晶體管元件中的柵極絕緣膜的功能。[8]、根據上述[1]至[7]中任一項所述的有源矩陣基板，其中，具備第一及第二 晶體管以及電容器；所述主布線構成1條以上掃描線的至少一部分、1條以上數據線的至少 一部分及1條以上驅動線的至少一部分；所述第一晶體管的控制端子連接于所述掃描線， 輸入端子連接于所述數據線；所述第二晶體管的控制端子連接于所述第一晶體管的輸出端 子，輸入端子連接于所述驅動線；所述電容器的一個電極連接于所述驅動線，另一個端子連 接于所述第二晶體管的控制端子。[9]、根據上述[1]至[7]中任一項所述的有源矩陣基板，其中，具備第一晶體管及電容器；所述主布線構成1條以上掃描線的至少一部分、1條以上數據線的至少一部分及1 條以上電容線的至少一部分；所述第一晶體管的控制端子連接于所述掃描線，輸入端子連 接于所述數據線；所述電容器的一個端子連接于所述晶體管的輸出端子。[10]、一種顯示面板，具備上述[1]至[8]中任一項所述的有源矩陣基板；第一 電極，形成于所述有源矩陣基板上，能夠透過可見光；有機膜，形成于所述第一電極上；及 第二電極，形成于所述有機膜上。[11]、根據上述[10]所述的顯示面板，其中，所述第二電極能夠透過可見光。[12]、根據上述[11]所述的顯示面板，其中，具備與所述第二電極電連接的輔助 電極。[13]、根據上述[12]所述的顯示面板，其中，所述輔助電極是能夠透過可見光的 電極。[14]、根據上述[10]至[13]中任一項所述的顯示面板，其中，具備相對于所述有 機膜形成于上層及下層的任一方或雙方的過濾膜。[15]、一種顯示面板，具備上述[1]至[7]及[9]中任一項所述的有源矩陣基板； 對置基板，能夠透過可見光；及液晶元件，包括液晶層；雙層取向膜，用以包夾該液晶層； 和像素電極及公共電極，用以包夾由所述液晶層與所述雙層取向膜構成的層疊體；所述像 素電極及公共電極能夠透過可見光；所述像素電極與所述有源矩陣基板中的所述布線電連 接；所述液晶元件由所述有源矩陣基板與所述對置基板所包夾。[16]、根據上述[15]所述的顯示面板，其中，具備兩片偏光板，用以包夾由所述有 源矩陣基板、所述液晶元件與所述對置基板構成的層疊體。[17]、根據上述[15]或[16]所述的顯示面板，其中，具備遮光膜，形成于所述公 共電極上；及過濾膜，至少形成于所述公共電極上，用以透過預定波段的波長。[18]、一種顯示裝置，具備[10]至[17]中任一項所述的顯示面板。[19]、一種有源矩陣基板的制造方法，包括主布線形成工序，在能夠透過可見光 的基板上形成主布線；第一副布線形成工序，在所述基板上形成第一副布線，該第一副布線 與所述主布線電連接，且一部分中包含用以形成晶體管元件的電極，并能夠透過可見光；第 一絕緣膜形成工序，在所述基板上形成第一絕緣膜，該第一絕緣膜覆蓋所述主布線及所述 第一副布線的至少一部分，且一部分中包含用以構成所述晶體管元件的絕緣膜，并能夠透 過可見光；第二布線形成工序，在所述第一絕緣膜上，形成一部分中包含用以構成所述晶體 管元件的電極且能夠透過可見光的第二副布線；半導體層形成工序，在所述第一絕緣膜上， 形成覆蓋所述第二副布線的至少一部分且能夠透過可見光的半導體層；和第二絕緣膜形成 工序，在所述第一絕緣膜上，形成覆蓋所述半導體層及所述第二副布線的至少一部分且能 夠透過可見光的第二絕緣膜；使用具備比所述第一及/或第二副布線更高導電性的材料來 形成所述主布線的至少一部分。[20]、根據上述[19]所述的有源矩陣基板的制造方法，其中，所述半導體層使用 主成分與所述第二副布線的主成分相同的半導體材料形成。[21]、根據上述[19]或[20]所述的有源矩陣基板的制造方法，其中，所述第二副 布線中的導電體材料及所述半導體層中的半導體材料的各自的主成分是無機氧化物。[22]、根據上述[19]至[21]中任一項所述的有源矩陣基板的制造方法，其中，使用由鋅錫氧化物所構成的導電體材料來形成所述第二副布線；及使用由可將載流子濃度降 為比所述第二副布線低的鋅錫氧化物構成的半導體材料來形成所述半導體層。[23]、根據上述[19]至[22]項中任一項所述的有源矩陣基板的制造方法，其中， 使用金屬或合金而形成所述主布線的至少一部分。[M]、根據上述[19]至[23]中任一項所述的有源矩陣基板的制造方法，其中，在 所述半導體層形成工序中，通過在所述第一絕緣膜上形成覆蓋所述第二副布線的半導體 膜，且以所述第二副布線不會露出的方式蝕刻該半導體膜，來形成所述半導體層。[25]、根據上述[19]至[24]中任一項所述的有源矩陣基板的制造方法，其中，在 所述主布線形成工序、所述第一布線形成工序、所述第一絕緣膜形成工序、所述第二布線形 成工序、所述半導體層形成工序及所述第二絕緣膜形成工序中的至少一個工序中，使用印 刷法或噴墨印刷(inkjet printing)法來形成所述主布線、所述第一副布線、所述第一絕緣 膜、所述第二副布線、所述半導體層或所述第二絕緣膜。(發明效果)根據本發明，由于使用透明的材料形成元件與布線的至少一部分，因此可實現提 高了開口率的有源矩陣基板。此外，根據本發明，由于使用導電性比副布線高的材料來形成 主布線的至少一部分，因此可降低布線的電阻值。由于這些理由，根據本發明，可實現開口 率提高及耗電降低的有源矩陣基板。由于同樣的理由，根據本發明，可制造能夠實現開口率 提高及耗電降低的有源矩陣基板。再者，通過使用本發明的有源矩陣基板，能夠實現開口率 提高及耗電降低的顯示面板及顯示裝置。


圖1是表示本發明實施方式1的有機EL顯示裝置的概略性構成的框圖。圖2是表示本發明實施方式1的各像素的概略性電路構成的示意圖。圖3是用以說明本發明實施方式1的各像素中的有源矩陣基板的布局構造的概略 性俯視圖。圖4是用以說明本發明實施方式1的各像素中的層構造的概略性剖視圖。圖5-1是表示本發明實施方式1的有機EL顯示裝置中的顯示面板的制造方法的 工序剖視圖(其1)。圖5-2是表示本發明實施方式1的有機EL顯示裝置中的顯示面板的制造方法的 工序剖視圖(其2)。圖5-3是表示本發明實施方式1的有機EL顯示裝置中的顯示面板的制造方法的 工序剖視圖(其3)。圖5-4是表示本發明實施方式1的有機EL顯示裝置中的顯示面板的制造方法的 工序剖視圖(其4)。圖5-5是表示本發明實施方式1的有機EL顯示裝置中的顯示面板的制造方法的 工序剖視圖(其5)。圖5-6是表示本發明實施方式1的有機EL顯示裝置中的顯示面板的制造方法的 工序剖視圖(其6)。圖5-7是表示本發明實施方式1的有機EL顯示裝置中的顯示面板的制造方法的
8工序剖視圖(其7)。圖5-8是表示本發明實施方式1的有機EL顯示裝置中的顯示面板的制造方法的 工序剖視圖(其8)。圖5-9是表示本發明實施方式1的有機EL顯示裝置中的顯示面板的制造方法的 工序剖視圖(其9)。圖5-10是表示本發明實施方式1的有機EL顯示裝置中的顯示面板的制造方法的 工序剖視圖(其10)。圖5-11是表示本發明實施方式1的有機EL顯示裝置中的顯示面板的制造方法的 工序剖視圖(其11)。圖6是用以說明本發明實施方式2的各像素中的層構造的概略性剖視圖。圖7是表示本發明實施方式3的液晶顯示裝置的概略性構成的框圖。圖8是表示本發明實施方式3的各像素的概略性電路構成的示意圖。圖9是用以說明本發明實施方式3的各像素中的有源矩陣基板的布局構造的概略 性俯視圖。圖10是用以說明本發明實施方式3的各像素中的層構造的概略性剖視圖。圖11-1是表示本發明實施方式3的液晶顯示裝置中的顯示面板的制造方法的工 序剖視圖(其1)。圖11-2是表示本發明實施方式3的液晶顯示裝置中的顯示面板的制造方法的工 序剖視圖(其2)。圖12-1是表示本發明實施方式3的液晶顯示裝置中的顯示面板的制造方法的工 序剖視圖(其3)。圖12-2是表示本發明實施方式3的液晶顯示裝置中的顯示面板的制造方法的工 序剖視圖(其4)。圖12-3是表示本發明實施方式3的液晶顯示裝置中的顯示面板的制造方法的工 序剖視圖(其5)。圖12-4是表示本發明實施方式3的液晶顯示裝置中的顯示面板的制造方法的工 序剖視圖(其6)。圖12-5是表示本發明實施方式3的液晶顯示裝置中的顯示面板的制造方法的工 序剖視圖(其7)。圖12-6是表示本發明實施方式3的液晶顯示裝置中的顯示面板的制造方法的工 序剖視圖(其8)。圖13是表示本發明實施方式3的液晶顯示裝置中的顯示面板的制造方法的工序 剖視圖(其9)。圖中10、320_透明基板；11、21、15_柵電極；12、22、16-柵極絕緣膜；13、23、 17-透明半導體層；14d、18d、Md-漏電極；14s、18d、24s-源電極；31、35_下部電極；32、 36-電容絕緣膜；33、37_上部電極；40、50_層間絕緣膜；41-透明布線；41a_冗余布線； 41M-第一金屬布線；42-接觸孔內布線；42M-接觸孔內金屬布線；43-第二布線層；43M-第 二金屬布線；44-透明半導體層；51-接觸插塞；61-陽極電極；62-有機層；63、65_陰極電 極；64-濾色器；66-輔助電極；70-隔壁；80-鈍化膜；100-有機EL顯示裝置；IOOa-下表
9面；101、301_ 顯示面板；101A、301A-有源矩陣基板；101a、201a、301a_ 像素；200a、300a_ 上 表面；300-液晶顯示裝置；302A-對置基板；311-像素電極；312-液晶層；313-公共電極； 314、315_取向膜；316-電介質突起；317-間隔件；321-遮光膜；330、340_偏光板；Cl-電 容器；C31-蓄積電容器；Dl、D2-有機發光二極管；E31-液晶元件；Ld-數據線山廠掃描 線；Lp-驅動線；Lc-電容線；Li、L2、L31-布線；QU Q31-開關晶體管；Q2-驅動晶體管；RC, RCM-立體布線。
具體實施例方式以下參照附圖詳細說明用以實施本發明的最佳形態。另外，本發明并不限定于以 下的實施方式。此外，在以下的說明中，各圖僅是概略性表示可理解本發明的內容程度的形 狀、大小及位置關系，因此，本發明非僅限定于各圖例所示的形狀、大小及位置關系。再者， 在各圖中，為使構成明了化，省略剖面中的陰影的一部分。此外，后述中所例示的數值，僅是 本發明的較佳例，因此本發明并不限定于例示的數值。<實施方式1>首先，作為本發明實施方式1的顯示裝置，以有機EL顯示裝置100為例進行說明。 圖1是表示有機EL顯示裝置100的概略性構成的框圖。另外，在本實施方式中，以可經由 元件基板(參照例如圖4中的有源矩陣基板101A)將來自發光元件(參照例如圖4中的有 機發光二極管Dl)的光，從該基板的下表面(參照例如圖4中的下表面100a)輸出至外部 的所謂背面發光型(bottom emission type)的有機EL顯示裝置100為例。(整體構成)如圖1所示，有機EL顯示裝置100具備包括排列成二維矩陣狀的像素(PX) IOla 的顯示面板101、與該顯示面板101連接的掃描驅動部103、數據驅動部104、電容線驅動部 105及驅動信號生成部106、以及用以控制各部的信號控制部102。另外，顯示面板101具備 分別關于紅色(R)、綠色(G)及藍色(B)的三原色的各色的像素101a。在此，顯示面板101包括連接于掃描驅動部103，分別傳遞掃描信號的掃描線Lei、 Lg2,…、Lai(以下將任意的掃描線設為Le)；連接于數據驅動部104，分別傳遞數據信號的數 據線LD1、LD2、LD3、…、Lllm(以下將任意的數據線設為U ；連接于電容線驅動部105，分別傳 遞電容線驅動信號的電容線La、Lc2, L。3、…、Lcm(以下將任意的電容線設為L。)；及連接于 驅動信號生成部106，分別傳遞驅動信號的驅動線LP1、Lp2, LP3、…、Lpm(以下將任意的驅動 線設為Lp)。各掃描線Lei至Len朝圖中大致行方向延伸，各數據線Ldi至Lllm朝圖中大致列方向 延伸。因此，掃描線Lei至Lai與數據線Ldi至Lllm交叉成二維矩陣狀。各像素IOla分別配 置在此二維矩陣中的交叉部分，與對應的掃描線Le及數據線Ld連接。此外，各電容線La至 Lcm與數據線Ldi至Lllm大致平行延伸，與配置于各交叉部分的像素IOla連接。同樣，各驅動 線Lpi至Lpm與數據線Ldi至Lllm大致平行延伸，與配置于各交叉部分的像素IOla連接。本 實施方式中，分別在掃描線Le、數據線LD、電容線L。與驅動線Lp中，將彼此交叉地沿行列方 向延伸的布線部分作為主布線，將從此主布線分支而與各像素IOla中的開關元件Q1、驅動 晶體管Q2、電容器Cl (參照例如圖2)等元件連接的布線部分作為副布線。此外，以連接各 元件間的布線(L1、L2等)作為副布線。
信號控制部102根據從外部輸入的視頻信號R、G、B及用以控制其顯示的輸入控制 信號(數據使能(enable)信號DE、水平同步信號Hsync、垂直同步信號Vsync、主時鐘(main clock) MCLK等)，產生用以控制影像再生的掃描控制信號CONTl、數據控制信號C0NT2、電容 線控制信號C0NT3、發光控制信號C0NT4及視頻數據信號DAT等。產生的掃描控制信號CONTl輸入于掃描驅動部103。掃描控制信號CONTl包括 指示后述的柵極導通電壓Von的輸出開始的垂直同步開始信號、控制柵極導通電壓Von的 輸出時序(timing)的柵極時鐘信號、及控制柵極導通電壓Von的輸出期間的輸出使能信號 等。此外，在掃描驅動部103中，還輸入有用以使各像素IOla所含的開關晶體管Ql (參照 圖2)導通·截止的柵極導通電壓Von與柵極截止電壓Voff。掃描驅動部103依據掃描控 制信號C0NT1，從柵極導通電壓Von與柵極截止電壓Voff產生掃描信號，且將此掃描信號輸 入于掃描線Le。此外，數據控制信號C0NT2及視頻數據信號DAT，輸入于數據驅動部104。數據控 制信號C0NT2包括指示視頻數據信號DAT的輸入開始的水平同步開始信號、用以輸入數據 信號至數據線Ld的載入(load)信號等。數據驅動部104依據數據控制信號C0NT2，將所接 收的視頻數據信號DAT鎖存(latch)之后，適當產生與視頻數據信號DAT對應的數據信號， 且將該信號輸入于數據線U。此外，電容線控制信號C0NT3輸入于電容線驅動部105。電容線控制信號C0NT3是 用以產生電容線L。驅動用的電容線驅動信號的信號。電容線驅動部105依據電容線控制 信號C0NT3而產生用以驅動電容線L。的電容線驅動信號，且將該信號輸入于電容線L。。此外，發光控制信號C0NT4輸入于驅動信號生成部106。發光控制信號C0NT4是用 以產生有機發光二極管Dl (參照圖2、驅動用的驅動信號的信號。驅動信號生成部106依 據發光控制信號C0NT4使有機發光二極管Dl發光，或產生用以設為非發光的驅動信號，且 將該信號輸入于驅動線LP。另外，驅動信號輸入于后述的有機發光二極管Dl的陽極。此外，對于有機發光二 極管Dl的陰極輸入公共電壓Vcom(參照圖2)。因此，在本實施方式中，通過將使有機發光 二極管Dl發光的期間的驅動信號的電壓電平設為比公共電壓Vcom的電壓電平高，而其以 外期間的驅動信號的電壓電平設為與公共電壓Vcom相同或比其低，來控制有機發光二極 管Dl的發光/非發光。在此，公共電壓Vcom例如可設為接地電位。此外，也可使用電源線 以取代驅動線LP。此時，驅動信號生成部106被省略，對電源線施加電源電壓。(像素構成)接著使用圖2說明各像素IOla的概略性構成及其動作。另外，在以下說明中，對 于R、G、B中的任一像素IOla均相同。圖2是表示像素IOla的概略性電路構成的示意圖。如圖2所示，像素IOla包括 開關晶體管Q1、驅動晶體管Q2、電容器Cl、及有機發光二極管D1。開關晶體管Ql例如為η型TFT，其源極S例如與在節點(Iiode)M從數據線Ld的 主布線分支的副布線連接，而漏極D經由包括節點m的布線Ll而與驅動晶體管Q2的柵極 G連接。此外，開關晶體管Ql的柵極G，例如與在節點N3從掃描線Le的主布線分支的副布 線連接。因此，開關晶體管Ql依據掃描信號的電壓電平Vg(掃描控制電壓)使數據線Ld及 節點附間導通或截止。
電容器Cl的一個端子例如經由在節點m分支的布線部分(這也包含于布線Li) 與布線Ll連接。電容器Cl的另一個端子，例如與在節點N5從電容線Lc的主布線分支的 副布線連接。對于電容線L。，從上述的電容線驅動部105賦予電容線驅動信號。此電容線 驅動信號的電壓電平Vc (電容線驅動電壓)，例如可設為接地電位。換言之，電容線L。可設 為接地線。此時，可省略電容線驅動部105。在此，當輸入于掃描線Le的掃描信號的電壓電平Vg(掃描控制電壓)成為高電平 時，開關晶體管Ql成為導通狀態，經由該開關晶體管Ql對驅動晶體管Q2的柵極G注入與 數據信號的電壓電平Vd(數據驅動電壓)對應的電荷。結果，驅動晶體管Q2成為導通狀態， 使節點N3及有機發光二極管Dl間導通。在此，電容器Cl在從掃描線Le的電壓電平Vg成為低電平而開關晶體管Ql完全 成為截止狀態之后，到接著電壓電平Vg成為高電平而開關晶體管Ql成為導通狀態并且輸 入下一個數據信號為止的期間，發揮維持驅動晶體管Q2中的柵極G的電位的作用。S卩，電 容器Cl將輸入于數據線Ld的數據信號保持預定期間。驅動晶體管Q2例如為η型TFT，其漏極D例如連接于在節點Ν6從驅動線Lp的主 布線分支的副布線，源極S經由節點Ν2與有機發光二極管Dl的陽極連接。另外，對于有機 發光二極管Dl的陰極，施加公共電壓Vcom(例如接地電位GND)。因此，驅動晶體管Q2成為 導通狀態，當對于陽極施加電源電壓VDD時，由于電流I流通于有機發光二極管D1，因此有 機發光二極管Dl以與電流I的電流量對應的亮度發光。另一方面，驅動晶體管Q2處于截 止狀態時，由于電流不流通于有機發光二極管D1，因此不發光。接著使用圖3及圖4詳細說明各像素IOla的布局構造及層構造。圖3是用以說 明像素IOla中的有源矩陣基板IOlA(參照例如圖4)的布局構造的概略性俯視圖。此外， 圖4是用以說明像素IOla的層構造的概略性剖視圖。另外，在圖3中，為了簡化說明，省略 了透明基板10、層間絕緣膜40及50等的結構(參照例如圖4)。此外，圖4是連續性表示 在圖3的A-A'的切斷端面的像素IOla的概略性層構造。再者，在以下的說明中，為了說明 的明確化，對于相同層的相同種類的膜賦予相同符號。如圖3或圖4所示，像素IOla具備作為陣列基板的有源矩陣基板IOlA(參照例如 圖4)、及有源矩陣基板IOlA上的有機發光二極管Dl (參照例如圖4)。有源矩陣基板IOlA 例如包括掃描線Le、數據線Ld、電容線L。、驅動線LP、布線Ll及L2、開關晶體管Q1、驅動晶 體管Q2、及電容器Cl。有機發光二極管Dl包括由陽極電極61及陰極電極63所包夾的有 機膜62，例如經由布線L2連接于驅動晶體管Q2的源電極Ms。另外，也可相對于有機發光 二極管Dl在光的取出側設置濾色器。掃描線Le例如由包括透明基板10上的第一金屬布線41M(主布線)及透明布線 41 (副布線)的第一布線層所構成(參照例如圖3)。數據線Ld及驅動線Lp是例如分別由 包括透明基板10上的第一金屬布線41M及透明布線41的第一布線層、層間絕緣膜40上的 第二布線層43、形成于層間絕緣膜40的接觸孔(contact)內的接觸孔內布線42、用以連接 相鄰的像素IOla間的第一金屬布線41M的接觸孔內金屬布線42M及第二金屬布線43M所 組成的立體布線RCM所構成。布線Ll及L2例如分別由透明基板10上的第一布線層與層 間絕緣膜40上的第二布線層43、及形成于層間絕緣膜40的接觸孔內的接觸孔內布線42所 構成。此外，在布線L2中例如還包括接觸插塞(contact plug) 51，用以將第二布線層43電
12連接于有機發光二極管Dl的陽極電極61，該第二布線層43連接于驅動晶體管Q2的源電極 24So再者，圖2所示的各節點Ni、N2、N3、N4、N5及N6例如分別可定義于圖3所示的各位置。在第一布線層中，朝大致行方向或大致列方向延伸的第一金屬布線41M，分別相當 于掃描線Le、數據線Ld或驅動線Lp的主布線部分。此外，透明布線41是從主布線分支用以 連接該主布線與各像素IOla中的元件Oil、Q2、Cl等)的布線部分，相當于各布線(Le、LD、 Lp等)的副布線部分。另外，關于電容線L。，朝大致列方向延伸的部分相當于主布線部分， 而從其分支的部分相當于副布線部分。然而，不限于此，關于電容線Lc，也可由第一金屬布 線41M形成朝大致列方向延伸的主布線部分。此外，接觸孔內布線42及第二布線層43例如為用以將數據線L 、電容線Lc或驅 動線Lp電性引導于層間絕緣膜40上的布線部分，包含于各布線(Le、LD、LP等)的副布線部 分。然而，構成用以電連接電容線Lc的主布線間的立體布線RC的接觸孔內布線42及第二 布線層43包含于主布線部分。再者，接觸孔內金屬布線42M及第二金屬布線43M是跨越朝與各布線(U、Lp等) 大致垂直方向延伸的掃描線Le，而用以將各布線(LD、LP等)的主布線間電連接的立體布線 RCM，包含于各布線(LD、LP等)的主布線部分。如此，通過使用形成于層間絕緣膜40(參照例如圖4)內的接觸孔內布線42或接 觸孔內金屬布線42M，將層間絕緣膜40下的透明布線41或第一金屬布線41M與層間絕緣膜 40上的第二布線層43或第二金屬布線43M電連接，能夠使各信號線(Le、LD、LP等)立體交 叉。由此，可將各布線(Le、LD、LP等)的較多區域形成于單一層(在本實施方式中是透明基 板10上的層)，因此可使有源矩陣基板IOlA的層構造簡化及布線布局明確化等，并且可提 高形成于位于更上層的層上表面的平坦性。此外，在透明基板10上，在未形成有各種布線(Le、LD、Lc、LP、Ll、L2等)及各種元 件(Q1、Q2、C1等)的區域，例如通過將第一布線層中的透明布線41的一部分形成冗余的冗 余布線41a(參照例如圖3)，而提高形成于透明基板10上的層上表面的平坦性。開關晶體管Ql例如為所謂底柵極(bottom gate)構造的薄膜晶體管(TFT)(參照 例如圖4)，該薄膜晶體管例如由下述所構成透明基板10上的柵電極11、覆蓋柵電極11的 柵極絕緣膜12、柵極絕緣膜12上的源電極Hs與漏電極14d、以及源電極Hs與漏電極14d 間的柵極絕緣膜12上的透明半導體層13。柵電極11可使用例如構成掃描線Le的第一布線層中的透明布線41的一部分。柵 極絕緣膜12可使用例如層間絕緣膜40的一部分。透明半導體層13可使用例如透明半導 體層44的一部分。源電極Hs可使用例如構成數據線Ld的一部分的第二布線層43的一 部分。漏電極14d可使用例如構成布線Ll的一部分的第二布線層43的一部分。然而，本 發明并不限定于此，例如，也可設為對柵電極11使用第二布線層43的一部分，對源電極Hs 及漏電極14d使用第一布線層中的透明布線41的一部分的所謂頂柵極(top gate)構造的 薄膜晶體管(TFT)。同樣，驅動晶體管Q2例如為所謂的底柵極構造的薄膜晶體管(TFT)(參照例如圖 4)，該薄膜晶體管例如由下述所構成透明基板10上的柵電極21、覆蓋柵電極21的柵極絕 緣膜22、柵極絕緣膜22上的源電極2 與漏電極Md、以及漏電極24d與源電極Ms間的
13柵極絕緣膜22上的透明半導體層23。柵電極21可使用例如構成布線Ll的一部分的第一布線層中的透明布線41的一 部分。柵極絕緣膜22可使用例如層間絕緣膜40的一部分。透明半導體層23可使用例如 透明半導體層44的一部分。漏電極24d可使用例如構成驅動線Lp的一部分的第二布線層 43的一部分。源電極2 可使用例如構成布線L2的一部分的第二布線層43的一部分。然 而，本發明并不限定于此，例如，也可設為柵電極21使用第二布線層43的一部分，漏電極4d 及源電極2 分別使用第一布線層中的透明布線41的一部分的所謂頂柵極(top gate)構 造的薄膜晶體管(TFT)。另外，本實施方式的有源矩陣基板IOlA是稱為所謂的陣列基板的基板，具備作為 晶體管元件的TFT。電容器Cl例如由透明基板10上的下部電極31、下部電極31上的上部電極33、及 下部電極31與上部電極33間的電容絕緣膜32所構成(參照例如圖4)。下部電極31可 使用例如構成電容線L。的一部分的第一布線層中的透明布線41的一部分。電容絕緣膜32 可使用例如層間絕緣膜40的一部分。上部電極33可使用例如構成驅動線Lp的第二布線 層43的一部分。此外，有源矩陣基板IOlA上的有機發光二極管Dl例如由陽極電極61、陽極電極 61上的有機膜62、及有機膜62上的陰極電極63所構成(參照例如圖4)。另外，在相對于 有機發光二極管Dl為取出光側的層，可配置濾色器或波長移換器(shifter)等色轉換膜。 在圖4中以空心箭頭表示發光方向(光的取出方向)。在相鄰的像素IOla間，形成有例如用以按每一像素劃分濾色器64、陽極電極61與 有機膜62的隔壁70 (參照例如圖4)。在層間絕緣膜50上，形成用以保護有機發光二極管 Dl及下層的各元件以及各布線的鈍化膜80 (參照例如圖4)。在此，透明基板10可使用玻璃基板。然而，并不限定于此，例如可使用玻璃基板或 石英基板或塑料基板等各種透明的絕緣性基板。此外，通過使用撓性的基板作為透明基板 10，也可實現撓性的有機EL顯示裝置100。另外，在本發明中，所謂透明是指至少相對于包 含在可見光波段的波長的光為透明或半透明。透明布線41、接觸孔內布線42及第二布線層43以及接觸插塞51，使用以鋅錫氧 化物(Zinc Tin Oxide :ΖΤ0)為主成分的導電體材料而形成。然而并不限定于此，例如也可 使用例如銦錫氧化物andium Tin Oxide :ΙΤ0)的含銦氧化物或其它導電性無機氧化物導 電體材料、或以有機物材料等可獲得透明導電性膜的導電體材料而形成。另外，ZTO材料例 如可通過將Sn的(摩爾)量增加為比Si多(例如Si Sn的摩爾比為1 2等)，而作為 導電體材料來使用。此外，作為導電體材料的ITO通常h Sn的摩爾比為0.9 0.1左 右，而作為導電體材料的IZO通常h Si的摩爾比為0.9 0.1左右。尤其，ZTO導電性膜可形成作為非晶膜，因此具有可實現撓性的透明布線41、第二 布線層43、接觸孔內布線42及接觸插塞51的優點。再者，非晶的ZTO導電性膜可低溫形 成，因此例如在將塑料基板等耐高溫性低的基板作為透明基板10時，還具有易于形成的優 點。從這些優點觀察，使用ZTO導電性膜形成透明布線41、第二布線層43、接觸孔內布線42 及接觸插塞51，可謂適用于形成撓性的有機EL顯示裝置100之際。第一金屬布線41M是具備比上述透明布線41更高導電性的布線。此第一金屬布
14線41M例如可使用比ZTO導電體材料具備更高導電性的鋁(Al)來形成。然而并不限定于 此，例如也可使用包含鋁(Al)或銀(Ag)或銅(Cu)或鉬(Mo)等導電性比透明布線41更高 的金屬材料或其合金材料之中的1種以上的一層以上的導電體膜、或是包含導電性比透明 布線41更高的其它導電性材料的一層以上的導電體膜來形成。如此，通過使用具備比其它布線(副布線)更高的導電性的材料來形成主布線的 至少一部分，可縮窄主布線的截面積(尤其寬度)，因此可降低有源矩陣基板IOlA中主布線 部分相對于光取出面所占比例，結果，可提高有源矩陣基板IOlA的開口率。此外，通過以導 電性高的第一金屬布線41M形成主布線，可降低主布線部分的電阻值，且可降低有源矩陣 基板IOlA的驅動電壓，因此結果可降低有機EL顯示裝置100的耗電。此外，連接第一金屬布線41M間的接觸孔內金屬布線42M及第二金屬布線43M，與 第一金屬布線41M同樣，例如可使用具備比ZTO導電體材料更高的導電性的鋁(Al)來形 成。然而，不限定于此，例如也可使用包含鋁(Al)或銀(Ag)或銅(Cu)或鉬(Mo)等金屬材 料或其合金材料之中的1種以上的一層以上的導電體膜、或是包含其它導電體材料的一層 以上的導電體膜來形成。由此，可進一步降低主布線的電阻值。另外，也可取代接觸孔內金 屬布線42M及第二金屬布線43M，在此部分形成接觸孔內布線42及第二布線層43。此時， 此部分的接觸孔內布線42及第二布線層43也可由例如透明半導體層44所覆蓋。層間絕緣膜40及50例如可使用由SOG (Spin On Glass)或氧化硅(SiO2)或氮化 硅(SiNx)等硅系氧化物或氧化鋁(Al2O3)等鋁氧化物或二氧化鉿(HfO2)等鉿氧化物或氧化 釔(Y2O3)等釔氧化物或La2O3等鑭氧化物等、或可使用如透明的感光性樹脂等能夠通過涂敷 工序成膜的絕緣物所構成的透明的絕緣性單層膜、或包含這些的1個以上的透明的絕緣性 多層膜。在本實施方式中，以例如包含氧化鋁(Al2O3)膜與二氧化鉿(HfO2)膜的多層構造 的絕緣膜形成層間絕緣膜40，且以例如由感光性樹脂所構成的單層構造的絕緣膜形成層間 絕緣膜50。另外，在本實施方式中，層間絕緣膜40及50除可發揮作為用以絕緣各層間的絕 緣膜功能外，尚可發揮作為用以確保各層平坦性的平坦化膜的功能。在層間絕緣膜40上形成有透明半導體層44，用以覆蓋第二布線層43及接觸孔內 布線42。在后述的制造工序中例如蝕刻工序時，透明半導體層44可發揮作為降低位于下 層的第二布線層43及接觸孔內布線42等受到的工藝損害的保護膜等功能。在本實施方式 中，作為透明半導體層44的例子，使用能夠使載流子濃度降低為比所述導電體材料(ΖΤ0導 電體材料、含銦氧化物導電體材料)所構成的布線更低的半導體材料，且為由ZTO或含銦氧 化物所構成的半導體材料所構成的透明半導體層。另外，ZTO材料例如可通過將Si的(摩 爾)量增為比Sn更多(例如Si Sn的摩爾比為2 1等)，而可使用作為半導體材料。 此外，在此ZTO半導體層成膜時，能以增加氣氛的氧濃度等方式，進行降低半導體層的載流 子濃度的調整。此外，與由上述ZTO導電體材料所構成的ZTO導電性膜相同，ZTO透明半導 體層也可形成為非晶膜，因此可實現撓性的透明半導體層44，而可適于形成撓性的有機EL 顯示裝置100。此外，本發明并不限定于此種ZTO半導體材料，也可使用含銦氧化物半導體 材料(例如h 的摩爾比為4 6的IZO等)等透明無機氧化物半導體材料、及其它 包含并五苯(pentacene)或四苯并卟啉(Tetrabenzoporphyrin)的前驅物等的透明有機半 導體材料等各種透明半導體材料。另外，在本實施方式中，對于形成透明半導體層44的導電體材料的主成分、及各元件中形成與此透明電極接觸的電極部分的導電體材料的主成分使用相同種類的材料。因 此，在本實施方式中，用以ZTO為主成分的ZTO導電性膜形成包含源電極Hs及漏電極14d 以及源電極2如及漏電極Md的第二布線層43，而透明半導體層44則是由以ZTO為主成 分，且載流子濃度比第二布線層43的濃度大的ZTO半導體膜形成。如此，通過以相同種類 的材料形成兩者，即可例如使開關晶體管Ql中的源電極14s或漏電極14d與透明半導體層 13進行歐姆接觸。同樣，可使驅動晶體管Q2中的漏電極24d或源電極2如與透明半導體層 23進行歐姆接觸。由此，降低各TFT元件0!1、Q2等)中的電阻成分，因此可降低各TFT元 件的驅動電力，結果可降低有機EL顯示裝置100的耗電。隔壁70可例如由感光性樹脂所構成的單層構造的絕緣膜形成。然而，不限定于 此，例如可使用由SOG或Si02、SiNx等硅系絕緣物、Al2O3等鋁氧化物、HfO2等鉿氧化物、^O3 等釔氧化物、La2O3等鑭氧化物等、或可使用如透明的感光性樹脂等能夠通過涂敷工序成膜 的絕緣物所構成的透明的絕緣性單層膜、或包含這些的1個以上的透明的絕緣性多層膜。此外，開關晶體管Q1、驅動晶體管Q2及電容器Cl可使用上述的第一布線層、第二 布線層43及層間絕緣膜40的一部分而構成，因此其材料也可設為與上述部件相同。然而， 也可在各電極上形成用以使電極低電阻化的透明的導電體膜等方式，予以適當變形。此外，在有機發光二極管Dl中，有機膜62例如為包含空穴注入層、空穴輸送層、 有機發光層、電子輸送層、電子注入層及空穴障壁層的多層構造的層疊膜。在有機膜62 中，于有機發光層的主體(host)材料中，可根據與空穴輸送層等的組合或目標波長等，使 用例如聚芴(poly fluorene)、其衍生物及共聚物、聚次芳基(polyarylene)、其衍生物及 共聚物、聚芳香烴乙烯(polyarylenevinylene)、其衍生物及共聚物、或聚烯丙胺(poly allylamine)、其衍生物及共聚物等高分子材料、及其它熒光性或磷光性的各種低分子發光 材料或高分子材料等各種發光材料。在配置于光取出側的陽極電極61中，例如可使用ZTO或ITO等氧化物導電體材 料、或銀(Ag)或鋁(Al)等金屬材料所構成的透明單層膜、或是包含這些單層膜的多層構造 的透明層疊膜。另外，使用金屬材料時，包含此材料的層作成能夠透過光的程度的薄層膜。 在本實施方式中，以使用ZT0/Ag/ZT0的層疊膜，且以光透過的程度的薄膜形成其中的Ag膜 的情形為例。再者，陰極電極63可使用銀(Ag)或鋁(Al)或鎂(Mg)等兼具高導電性與反 射率的金屬或合金等導電性材料。在本實施方式中，以使用Mg與Ag的合金膜的情形為例。鈍化膜80例如可使用以CVD法成膜的SW2膜或SiNx膜等的多層膜而形成。在本 實施方式中，以使用SiA膜或SiNx膜的多層膜的情形為例。由以上可明了，本實施方式的有機EL顯示裝置100，主布線的至少一部分具備比 其它布線更大的導電性，因此可將相對于主布線部分的發光方向為垂直方向的寬度縮窄， 由此，即可將主布線部分相對于有源矩陣基板101A的光取出面所占的比例降低，結果，可 提高有源矩陣基板101A的開口率。此外，通過以導電性較高的第一金屬布線41M形成主布 線，可降低主布線部分的電阻值，由此，可降低有源矩陣基板101A的驅動電壓，結果，可降 低有機EL顯示裝置100的耗電。(制造方法)接著參照附圖詳細說明本實施方式的有機EL顯示裝置100的制造方法。圖5-1 至第5-12圖是表示本實施方式的有機EL顯示裝置100中的顯示面板101的制造方法的工序剖視圖。另外，在第5-1至第5-12圖中，表示在圖3所示的A-A'切斷的連續的端面。在本制造方法中，首先，準備透明基板10，在與該基板的厚度方向垂直的面的 2個主面中的一個主面(以下將此稱為上表面)上，例如可使用濺鍍法、CVD(ChemiCal Vapor D印osition，化學氣相沉積)法或真空蒸鍍法等堆積ZT0/A1層疊膜，由此形成 透明非晶狀的ZTO導電性膜與Al金屬膜的ZT0/A1層疊膜。接下來，例如使用光刻法 (photolithography)(在本說明書中，在“光刻法”中有包括如蝕刻工序的圖案化工序的情 況)，僅將該ZT0/A1層疊膜中的Al膜圖案化，由此在下層的ZTO導電性膜上，形成作為主 布線的第一金屬布線41M(主布線形成工序其1)。然而，不限定于此，例如也可使用利用金 屬納米微粒子分散液的印刷技術或噴墨印刷技術等涂敷工藝技術等來形成第一金屬布線 41M。接下來，例如使用光刻法將該ZTO導電性膜進行圖案化，由此在透明基板10上，形成 包含柵電極11及21、下部電極31、以及冗余布線41a(參照圖3)等的透明布線41 (第一副 布線形成工序)。然而，不限定于此，例如也可使用利用溶膠凝膠(sol gel)法的涂敷工藝 技術等來形成透明布線41。另外，通過此工序，如圖5-1所示，在透明基板10上，形成由透 明布線41及第一金屬布線41M所構成的第一布線層。接著，在形成有各電極及布線(ll、21、31、41、41a、41M等)的透明基板10上表面 上，例如使用濺鍍法、CVD法或真空蒸鍍法等而依次堆積氧化鋁(Al2O3)與二氧化鉿(HfO2), 由此形成由透明的絕緣性層疊膜所構成的層間絕緣膜40 (第一層間絕緣膜形成工序)。接 下來，例如使用光刻法將該層間絕緣膜40圖案化，由此如圖5-2所示，在層間絕緣膜40內， 形成使透明布線41及第一金屬布線41M中的電極部分以外的一部分露出的接觸孔apl及 ap2。然而，不限定于此，例如也可使用上述的涂敷工藝技術等而形成具備接觸孔apl及ap2 的層間絕緣膜40。另外，本工序中所形成的層間絕緣膜40之中，至少柵電極11上的層間 絕緣膜40，發揮作為開關晶體管Ql的柵極絕緣膜12的功能，至少柵電極21上的層間絕緣 膜40，發揮作為驅動晶體管Q2的柵極絕緣膜22的功能，至少下部電極31上的層間絕緣膜 40，發揮作為電容器Cl的電容絕緣膜32的功能。再者，接觸孔ap2是在之后工序中用以形 成與第一布線層的透明布線41電連接的接觸插塞51的一部分的接觸孔。接著，在形成有接觸孔apl及ap2的層間絕緣膜40上，例如使用濺鍍法、CVD法或 真空蒸鍍法等堆積ΖΤ0，由此形成透明的非晶狀的ZTO導電性膜。此時，也可在接觸孔ap2 內形成ZTO導電性膜。接下來，例如使用光刻技術、蝕刻技術而將該ZTO導電性膜進行圖案 化。此時，也將使作為主布線的第一金屬布線41M露出的接觸孔apl內及其周圍的ZTO導電 性膜去除。由此，如圖5-3所示，在層間絕緣膜40上形成源電極Hs及漏電極14d、漏電極 24d及源電極Ms、上部電極33、以及第二布線層43等，并且在層間絕緣膜40的接觸孔apl 內形成與透明布線41電連接的接觸孔內布線42 (第二副布線形成工序)。然而，不限定于 此，例如也可使用上述的涂敷工藝技術等來形成源電極14s及漏電極14d、漏電極Md、源電 極Ms、上部電極33、接觸孔內布線42及第二布線層43。另外，在此工序中，接觸孔ap2內 的ZTO導電性膜可以不必完全去除。接著，在形成有各電極及布線(14S、14d、24d、24S、33、42、42a、43、43a等)的層間 絕緣膜40上，例如使用濺鍍法、CVD法或真空蒸鍍法等而堆積Al，由此形成Al膜。接下來， 例如使用光刻法而將該Al膜進行圖案化，由此如圖5-4所示，在層間絕緣膜40上，形成用 以連接作為主布線的第一金屬布線41M間的第二金屬布線43M，并且在使第一金屬布線41M露出的接觸孔apl內，形成與作為主布線的第一金屬布線41M電連接的接觸孔內金屬布線 42M(主布線形成工序其2、。然而，不限定于此，例如也可使用上述的涂敷工藝技術等來形 成接觸孔內金屬布線42M及第二金屬布線43M。接著，在形成有各電極及布線(14s、14d、Md、Ms、33、42、43、42M、43M等)的層間 絕緣膜40上，例如使用濺鍍法、CVD法或真空蒸鍍法等而堆積ΖΤ0，由此形成載流子濃度比 ZTO導電性膜的載流子濃度低的ZTO半導體膜(半導體層形成工序)。此時，也可在接觸孔 ap2內形成ZTO半導體膜。另外，如上所述，通過控制Si與Sn的組成比，ZTO半導體膜可作 成其載流子濃度比構成第一布線層的透明布線41或第二布線層43等的ZTO導電性膜低的 透明半導體膜。接下來，例如使用光刻技術、蝕刻技術將該ZTO半導體膜進行圖案化，由此 如圖5-5所示，在層間絕緣膜40上，形成覆蓋各電極及布線(14s、14d、Md、Ms、33、42、43 等)的透明半導體層44。此時，優選過蝕刻(over etch)至完全去除接觸孔ap2內的ZTO 半導體膜的程度。另外，所形成的透明半導體層44之中，至少源電極Hs及漏電極14d間 的透明半導體層44，發揮具有作為開關晶體管Ql的溝道形成層功能的透明半導體層13的 功能，至少漏電極24d及源電極Ms間的透明半導體層44，發揮具有作為驅動晶體管Q2的 溝道形成層功能的透明半導體層23的功能。在此，在本實施方式中，由于使用相同種類的材料形成透明半導體層44與第二布 線層43及接觸孔內布線42，因此難以獲得透明半導體層44與第二布線層43等的蝕刻中的 選擇比。因此，如本實施方式所示，以覆蓋第二布線層43及接觸孔內布線42的方式構成圖 案化后的透明半導體層44，由此，由于蝕刻中第二布線層43及接觸孔內布線42不會暴露于 蝕刻氣氛中，因此能夠在不考慮與第二布線層43等的選擇比的情況下將透明半導體層44 進行圖案化。然而，不限定于此，也可例如使用上述的涂敷工藝技術等來形成透明半導體層 44。此時，由于不再需要通過蝕刻等將所形成的透明半導體層進行圖案化，因此透明半導體 層44可不一定需要覆蓋第二布線層43及接觸孔內布線42。此外，在本實施方式中，由于可 獲得第二金屬布線43M及接觸孔內金屬布線42M與透明半導體層44在蝕刻中的選擇比，因 此第二金屬布線43M及接觸孔內金屬布線42M可以不被透明半導體層44覆蓋。如上所述，當形成透明半導體層(13、23、44等)時，接著在形成有透明半導體層 (13、23、44等)的層間絕緣膜40上，例如旋涂感光性阻劑(resist)液，且將其進行曝光及 顯影，由此如圖5-6所示，形成具備與層間絕緣膜40的接觸孔ap2相連接的接觸孔ap3，且 由透明的感光性樹脂所構成的層間絕緣膜50(第二層間絕緣膜形成工序)。然而，不限定于 此，例如也可使用上述的涂敷工藝技術等來形成具備接觸孔ap3的層間絕緣膜50。接著，在形成有接觸孔ap3的層間絕緣膜50上，例如使用濺鍍法、CVD法或真空蒸 鍍法等而堆積ΖΤ0，由此如圖5-7所示，至少在層間絕緣膜50的接觸孔ap3內及層間絕緣 膜40的接觸孔ap2內形成與第一布線層的透明布線41電連接的透明的非晶狀的接觸插塞 51。另外，此時形成的層間絕緣膜50上的不需要的ZTO導電性膜，例如使用深蝕刻(etch back)等的技術等去除。然而，不限定于此，也可例如使用上述的涂敷工藝技術等在層間絕 緣膜40及50內形成接觸插塞51。經由以上所說明的工序，在本實施方式中，制得所謂作為陣列基板的有源矩陣基 板 IOlA0接著，在有源矩陣基板IOlA上，例如使用濺鍍法、CVD法或真空蒸鍍法等而依次堆積ZTO與Ag與ΖΤ0，由此形成具備與接觸插塞51電性接觸的接點的透明的ZT0/Ag/ZT0層 疊膜。接下來，例如使用光刻法將該ZT0/Ag/ZT0層疊膜進行圖案化，由此如圖5-8所示，在 層間絕緣膜50上，形成與接觸插塞51電連接的陽極電極61。然而，不限定于此，例如也可 使用上述的涂敷工藝技術等來形成陽極電極61。接著，在形成有陽極電極61的有源矩陣基板IOlA上，例如旋涂感光性阻劑液，且 將其進行曝光及顯影，由此如圖5-9所示，在劃分有源矩陣基板IOlA上的各像素IOla的區 域，形成由透明的感光性樹脂所構成的隔壁70。然而，不限定于此，也可例如使用上述的涂 敷工藝技術等來形成隔壁70。接著，至少在陽極電極61上，例如使用既有的成膜技術依次層疊形成空穴注入 層、空穴輸送層、有機發光層、電子輸送層、電子注入層及空穴障壁層，由此如圖5-10所 示，將有機膜62形成于由隔壁70所劃分的陽極電極61上。另外，在有機膜62中，例如 空穴注入層與空穴輸送層與電子輸送層與電子注入層與空穴障壁層，可使用例如使用高 分子聚合物溶液的印刷技術或噴墨印刷技術等涂敷工序來形成。然而，不限定于此，也 可例如使用由真空蒸鍍法所代表的網板(shadow mask)蒸鍍法或由轉印法所代表的激 光熱轉印法(LITI法)、激光再蒸鍍法(RIST法、LIPS法)等來依次使空穴注入層、空穴 輸送層、有機發光層、電子輸送層、電子注入層及空穴障壁層成膜，由此形成與像素IOla 對應的有機膜62。此外，在陽極電極61使用例如IT0/PED0T(3，4-亞乙二氧基噻吩，3， 4-ethylenedioxythiophene) :PSS (Polystyrene sulfonate，聚苯乙烯磺酸鹽)等無機氧 化物導電體膜與導電性高分子聚合物膜的層疊膜時，可將有機膜62從下層例如作成空穴 注入層/有機發光層/電子注入層的層疊膜。接著，在形成了有機膜62及隔壁70的有源矩陣基板101A上的整體，例如使用真 空蒸鍍法等堆積Mg與Ag的合金材料，由此形成具有導電性的合金膜。此時，使用網板法而 防止在所希望區域以外蒸鍍多余的合金膜，由此如圖5-11所示，至少在像素(IOla)的整個 排列區域形成陰極電極63。然而，不限定于此，也可例如使用上述的涂敷工藝技術等來形成 陰極電極63。接著，在形成有由隔壁70所劃分的陽極電極61及有機膜62與陰極電極63所構 成的有機發光二極管Dl的有源矩陣基板101A的整個上表面，使用CVD法等而形成SiO2及 SiNx的多層膜，由此形成保護下層的各元件Oil、Q2、Cl、Dl等)及布線(Lc、LD、Lc、LP、Li、 L2等)的鈍化膜80。再者，最后在位于其上表面的基板101A的相反側貼附基板而密封，或 是通過濺鍍法或CVD法形成膜而進行密封。經由以上的工序，制造包含具備圖4所示的層 構造的像素IOla的顯示面板101。此時，基板101A相反側的基板，例如有以玻璃、PET等為 代表的透明聚合物薄膜、及為了提高薄膜的阻障(barrier)性而以濺鍍法或CVD法等將有 機膜與無機膜交替層疊形成的密封膜等。之后，將按以上方式制造的顯示面板101，安裝到搭載有信號控制部102、掃描驅 動部103、數據驅動部104、電容線驅動部105、驅動信號生成部106及其它零件的框體，由此 制造本實施方式的有機EL顯示裝置100。另外，在以上的制造工序中，雖適當包含清洗基板的工序等，但在此為了簡化說明 而省略這些工序。如以上所說明，本實施方式的有機EL顯示裝置100，由于主布線的至少一部分具備比其它布線更大的導電性，因此可將主布線的截面積(尤其寬度)縮窄，由此，可將主布 線部分相對于有源矩陣基板IOlA的光取出面所占的比例降低，結果，可提高有源矩陣基板 IOlA的開口率。此外，通過以導電性高的第一金屬布線41M形成主布線，可降低主布線部 分的電阻值，且可降低有源矩陣基板IOlA的驅動電壓，因此，結果可降低有機EL顯示裝置 100的耗電。此外，通過采用這樣提高了開口率的構成，可提高發光元件(在本實施方式中是 有機發光二極管Dl)的配置自由度，因此可實現設計自由度大的有機EL顯示裝置100。再者，在本實施方式的制造方法中，由于在制造工序中接觸孔內布線42及第二布 線層43等被透明半導體層44所覆蓋，因此可降低在之后蝕刻工序等中各布線02、43等) 受到的工藝損害。再者，此外，在上述的實施方式中，構成有機EL顯示裝置100的各層也可使用撓性 的材料來形成。另外，在上述的本發明實施方式1中，雖是以發光層(在本實施方式中是有機膜 62)為由有機材料所形成的有機EL顯示裝置100為例進行了說明，但本發明并不限定于此， 例如也可作成發光層由無機材料所形成的無機EL顯示裝置。〈實施方式2>接著，作為本發明實施方式2的顯示裝置，以有機EL顯示裝置為例進行說明。另 外，在本實施方式中，以可將來自發光元件(參照例如圖6中的有機發光二極管D2)的光從 顯示面板101的上表面(參照例如圖6中的上表面200a)及下表面(參照例如圖6中的下表 面100a)的雙方輸出至外部的有機EL顯示裝置為例。在圖6中，以空心箭頭表示發光方向 (光的取出方向)。即，本實施方式的有機EL顯示裝置，是兼具上面發光型(top emission type)與背面發光型的雙方的所謂兩面發光型的有機EL顯示裝置。此外，在以下說明中，關 于與本發明實施方式1相同的構成，為了使說明更為明確，賦予相同符號，并省略其詳細的 說明。本實施方式的有機EL顯示裝置的概略方塊構成，與圖1所示的有機EL顯示裝置 100的概略方塊構成相同。然而，在本實施方式中，將圖1中的像素IOla置換為像素201a。 此外，像素201a的概略電路構成，與圖2所示的像素IOla的概略電路構成相同。然而，在 本實施方式中，將圖2中的有機發光二極管Dl置換為有機發光二極管D2。(像素構成)接著詳細說明各像素201a的布局構造及層構造。本實施方式的像素201a中的有 源矩陣基板IOlA的布局構造，與圖3所示的像素IOla的布局構造相同。然而，本實施方式 的像素201a的概略性層構造，成為圖6所示者。另外，圖6與圖4同樣是將像素201a在與 圖3的A-A'相同位置切斷的連續端面所表示的概略性剖視圖。比較圖6與圖4可明了，本實施方式的有機EL顯示裝置，在與本發明實施方式1 的有機EL顯示裝置100相同的構成中，將陰極電極63(參照例如圖4)置換為由透明的電 極材料所形成的陰極電極65，并且在陰極電極65上設有用以降低有機發光二極管D2中的 陰極的電阻值的輔助電極66。陰極電極65例如與陽極電極61同樣可使用能夠透過可見光的電極材料來形成。 此電極材料例如可使用如ZTO或ITO等的氧化物導電體材料、或是由銀(Ag)或鋁(Al)等
20金屬材料所構成的透明單層膜、或是包含這些單層膜的多層構造的透明層疊膜。另外，使用 金屬材料時，包含此金屬材料的層作成能夠透過光的程度的較薄的半透過膜。在本實施方 式中，以使用Mg與Ag合金膜，且由能夠透過光的程度的薄膜形成的情形為例進行說明。如 此，通過在本發明實施方式1的底發射型的構成的基礎上，以透明的電極構成陰極電極65， 由此實現可從顯示面板101的下表面IOOa及上表面200a雙方取出光的所謂兩面發光型的 有機EL顯示裝置。此外，陰極電極65上的輔助電極66，例如形成于用以劃分有源矩陣基板IOlA上的 各像素201a的區域(例如隔壁70上方)。此輔助電極材料例如可使用如ZTO或ITO等無 機氧化物導電體材料、或由銀(Ag)或鋁(Al)等金屬材料所構成的單層膜、或是包含這些單 層膜的多層構造的層疊膜。然而，如本實施方式將輔助電極66配置于各像素201a的各區 域上時，輔助電極66未必需要使用透明的電極材料來形成，例如也可以具備例如Al或Ag 等較高導電性的材料來形成。在本實施方式中，以使用由ZTO所構成的導電性單層膜形成 輔助電極66的情形為例進行說明。如此，通過設置降低有機發光二極管D2中的陰極的電 阻值的輔助電極66，可降低有機發光二極管D2的驅動電壓，因此結果可降低有機EL顯示裝 置的耗電。(制造方法)此外，本實施方式有機EL顯示裝置的制造方法，在與本發明實施方式1的有機EL 顯示裝置100的制造方法相同的制造方法中，將圖5-11所示的陰極電極63的形成工序，變 成為透明的陰極電極65的形成工序，并且添加了在陰極電極65上形成輔助電極66的工 序。另外，其它制造工序與本發明實施方式1中使用圖5-1至圖5-10及圖4所說明的工序 相同，故在此省略詳細的說明。在陰極電極65的形成工序中，在使用圖5-1至圖5-10所制造的有源矩陣基板 IOlA上的整體，使用真空蒸鍍法等堆積Mg與Ag的合金薄膜，由此形成透明的陰極電極65。 此時，通過使用網板法，在所希望的區域整體形成陰極電極65。此外，在輔助電極66的形成工序中，在如上述工序那樣形成陰極電極65之后，至 少在陰極電極65上，使用例如利用網板法的濺鍍法、CVD法或真空蒸鍍法等來堆積ZTO或 ITO等氧化物導電材料或Ag、Al、Cu等低電阻率的金屬，由此在例如陰極電極65上表面中 的隔壁70上方的區域形成輔助電極66。之后，與本發明實施方式1相同，在形成鈍化膜80之后，將所制造的顯示面板101， 安裝在搭載有信號控制部102、掃描驅動部103、數據驅動部104、電容線驅動部105、驅動信 號生成部106及其它零件的框體，由此制造本實施方式的有機EL顯示裝置。另外，在以上的制造工序中，雖適當包括清洗基板的工序等，但在此為了簡化說明 而省略這些工序。如以上所說明，本實施方式的有機EL顯示裝置與本發明實施方式1相同，由于主 布線的至少一部分具備比其它布線更大的導電性，因此可將主布線的截面積(尤其寬度) 縮窄，由此，可降低主布線部分相對于有源矩陣基板IOlA的光取出面所占比例，結果，可提 高有源矩陣基板IOlA的開口率。此外，通過以導電性高的第一金屬布線41M形成主布線， 可降低主布線部分的電阻值，從而可降低有源矩陣基板IOlA的驅動電壓，結果，可降低有 機EL顯示裝置100的耗電。
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此外，通過采用這樣提高了開口率的構成，可提高發光元件(在本實施方式中是 有機發光二極管D2)的配置自由度，因此可實現設計自由度大的有機EL顯示裝置。再者， 由于本實施方式的有機EL顯示裝置具備用以降低陰極電極65的電阻值的輔助電極66，因 此可降低有機發光二極管D2的驅動電壓，結果，可降低有機EL顯示裝置的耗電。再者，此 外，本實施方式的有機EL顯示裝置，可作為例如貼附在車輛的窗戶或玻璃窗或玻璃制水槽 等的透明面所使用的顯示器等各種目的來使用。再者，在本實施方式的制造方法中，與本發明實施方式1同樣，由于制造工序中接 觸孔內布線42及第二布線層43等被透明半導體層44覆蓋，因此可降低在之后的蝕刻工序 等中各布線G2、43等)受到的工藝損害。再者，此外，在上述的實施方式中，也可使用撓性材料來形成構成有機EL顯示裝 置100的各層。另外，本實施方式與本發明實施方式1同樣，也可設計成例如以無機材料來形成 發光層的無機EL顯示裝置。此外，在本實施方式中，也可通過在一方的光取出側的上下任 一側的層設置例如反射膜(reflector)，而實現亮度等提高的上面發光型或背面發光型的 有機EL顯示裝置。〈實施方式3>接著，作為本發明實施方式3的顯示裝置，以液晶顯示裝置300為例進行說明。圖7 是表示液晶顯示裝置300的概略性構成的框圖。另外，在本實施方式中，以在稱為所謂背光 等的光源(參照例如圖10中的光源350)與液晶元件(參照例如圖10中的液晶元件E31) 之間夾設元件基板(參照例如圖10中的有源矩陣基板301A)的構成的液晶顯示裝置300 為例。此外，在本實施方式中，關于與本發明實施方式1或2相同的構成，賦予相同符號，并 省略其詳細的說明。(整體構成)如圖7所示，液晶顯示裝置300具備包括排列成二維矩陣狀的像素(PX) 301a的 顯示面板301 ；與該顯示面板301連接的掃描驅動部103、數據驅動部104及電容線驅動部 105 ；以及用以控制各部的信號控制部102。另外，顯示面板301具備關于紅色(R)、綠色(G) 及藍色(B)三原色中的各色的像素301a。在此，信號控制部102、掃描驅動部103、數據驅動部104及電容線驅動部105的構 成與本發明實施方式ι相同。此外，關于掃描控制信號C0NT1、數據控制信號C0NT2、電容線 控制信號C0NT3及視頻數據信號DAT，也適當作為與液晶元件的驅動方式匹配的信號而生 成并輸出。然而，在本實施方式中，可省略驅動線LP、驅動信號生成部106及發光控制信號 C0NT4o此外，顯示面板301連接于掃描線Le、數據線Ld與電容線L。。另外，在本實施方式 中，在掃描線Le、數據線Ld與電容線L。各個中，以延伸成彼此交叉的布線部分為主布線，且 以從此主布線分支而與各像素301a中的開關晶體管Q31及蓄積電容器C31 (參照例如圖8) 連接的布線為副布線。此外，以連接各元件間的布線部分為副布線。此外，其它構成與本發 明實施方式1相同，因此在此省略詳細的說明。(像素構成)接著使用圖8說明各像素301a的概略構成及其動作。另外，以下的說明也適用于R、G、B中的任一像素301a。圖8是表示像素301a的概略電路構成的示意圖。如圖8所示，像素301a包括開 關晶體管Q31、蓄積電容器C31、及液晶元件E31。開關晶體管Q31是例如為η型TFT，其源極S例如與在節點Ν34處從數據線Ld的 主布線分支的副布線連接，漏極D與包括節點Ν31的布線L31連接。此外，開關晶體管Q31 的柵極G，例如與在節點Ν33處從掃描線Le的主布線分支的副布線連接。因此，開關晶體管 Q31根據掃描信號的電壓電平Vg(掃描控制電壓)使數據線Ld及節點Ν31間導通或斷開。蓄積電容器C31的一個端子例如經由在節點Ν31處分支的布線部分(這也包含于 布線L31)而與布線L31連接。此外，蓄積電容器C31的另一個端子，例如與在節點Ν35處 從電容線L。的主布線分支的副布線連接。與本發明實施方式1同樣，對電容線L。賦予從電 容線驅動部105輸出的電容線驅動信號。此電容線驅動信號的電壓電平Vc(電容線驅動電 壓)例如可設為接地電位。例如，與液晶元件Cpx(E31)連接于相同的公共電極即GND (Vcom) 端子。換言之，電容線L。可設為接地線。此時，可省略電容線驅動部105。此外，在布線L31上，還連接有液晶元件E31的一個電極(參照例如圖10中的像素 電極311)。液晶元件E31的另一個電極是公共電極(參照例如圖10中的公共電極313)。 因此，液晶元件E31在電路上發揮作為所謂液晶電容器Cpx的功能。如圖7或圖8所示，對 此公共電極313施加公共電壓Vcom。從以上的連接關系觀察，蓄積電容器C31與液晶元件 E31，發揮作為并聯連接于開關晶體管Q31的輸出端子的負載電容器的功能。另外，公共電 壓Vcom例如可設為接地電位GND。在此，當輸入于掃描線Le的掃描信號的電壓電平Vg(掃描控制電壓)成為高電平 時，開關晶體管Q31成為導通狀態，經由該開關晶體管Q31而電荷注入至液晶元件E31的像 素電極311(參照例如圖10)。結果，像素電極311的電位成為數據信號的電壓電平Vd，在 與公共電極313(參照例如圖10)之間產生電位差(Vd-Vcom)，從而使液晶元件E31的分子 排列變化。在此，蓄積電容器C31在從掃描線Le的電壓電平Vg成為低電平而開關晶體管Q31 完全成為截止狀態之后，接著電壓電平Vg成為高電平而開關晶體管Q31成為導通狀態并且 輸入下一個數據信號為止的期間，發揮維持像素電極311的電位的作用。即，蓄積電容器 C31將輸入于數據線Ld的數據信號SD保持預定期間。另外，在本實施方式中，例如也可采用所謂的反轉驅動方式，使輸入于數據線Ld的 數據信號的極性與輸入于電容線L。的電容線驅動信號的電位按預定期間反轉。作為反轉 驅動方式，存在點(dot)反轉驅動方式及線反轉驅動方式等，可采用任一種反轉驅動方式。接著，使用圖9及圖10詳細說明各像素301a的布局構造及層構造。圖9是用以 說明像素301a中的有源矩陣基板301A(參照例如圖10)的布局構造的概略性俯視圖。此 外，圖10是用以說明像素301a的層構造的概略性剖視圖。另外，在圖9中，為了簡化說明， 省略了透明基板10、層間絕緣膜40及50、以及對置基板302A等的構成(參照例如圖10)。 此外，圖10是連續顯示在圖9的B-B'的切斷剖面的像素301a的概略性層構造。如圖9及圖10所示，像素301a具備作為陣列基板的有源矩陣基板301A(參照例 如圖10)；與此基板對置的對置基板302A(參照例如圖10)；及配置在有源矩陣基板301A與 對置基板302A之間的液晶元件E31 (參照例如圖10)。有源矩陣基板301A例如包括掃描線Le、數據線Ld、電容線L。、布線L31、開關晶體管Q31及蓄積電容器C31。在對置基板302A 中具備作為用以防止不需要的光泄漏的黑矩陣(black matrix)的遮光膜321;及用以按 每個像素301a透過適當的波段的波長的濾色器64。液晶元件E31包括將液晶層312包夾 的像素電極311與公共電極313、以及將這些再予以包夾的取向膜314及315，例如以經由 布線L31連接于開關晶體管Q31及蓄積電容器C31的方式配置于有源矩陣基板301A上。另 外，對置基板302A與有源矩陣基板301A—同以包夾液晶元件E31的方式配置。再者，由有 源矩陣基板301A與液晶元件E31與對置基板302A所形成的層疊構造體，例如由用以僅使 朝預定方向振動的光透過的偏光板330及340包夾。掃描線Le、數據線LD、電容線L。及布線L31與本發明實施方式1同樣，分別例如由 包括第一金屬布線41M及透明布線41的第一布線層、接觸孔內布線42、第二布線層43、接 觸孔內金屬布線42M、第二金屬布線43M、及接觸插塞51中的至少一部分形成。開關晶體管 Q31是由以下部分構成構成掃描線Le的第一布線層中的透明布線41的一部分即柵電極 15 ；層間絕緣膜40的一部分即柵極絕緣膜16 ；構成數據線Ld的一部分的第二布線層43的 一部分即源電極18s ；構成布線L31的一部分的第二布線層43的一部分即漏電極18d ；及透 明半導體層44的一部分即透明半導體層17。再者，蓄積電容器C31由以下部分構成構成 布線L31的第一布線層的一部分即下部電極35 ；層間絕緣膜40的一部分即電容絕緣膜36 ； 及構成電容線L。的第二布線層43的一部分即上部電極37。再者，此外，圖8所示的各節點 N3UN33至N35分別可定義于例如圖9所示的各位置。此外，本實施方式的開關晶體管Q31與本發明實施方式1的開關晶體管Ql同樣， 為所謂的底柵極構造的TFT，但本發明并不限定于此，也可例如設為頂柵極構造的TFT。再 者，本實施方式的有源矩陣基板301A與本發明實施方式1的有源矩陣基板IOlA同樣是被 稱為所謂的陣列基板的基板。在透明基板10上，在未形成各種布線(Lg、Ld、Lc、L31等)及各種元件(Q31、C31 等)的區域，與本發明的實施方式1同樣，例如形成第一布線層中的透明布線41的一部分 冗余的冗余布線41a(參照例如圖9)，由此提高形成于透明基板10上的層上表面的平坦性。 再者，在本實施方式中，透明半導體層44不僅發揮作為各元件(例如開關晶體管Q31)的溝 道層的功能，也可發揮作為用以降低位于下層的第二布線層43及接觸孔內布線42等受到 的工藝損害的保護膜功能。此外，具備上述構成的有源矩陣基板301A上的液晶元件E31，例如由像素電極 311、像素電極311上的液晶層312、液晶層312上的公共電極313、從上下包夾液晶層312的 取向膜314及315所構成(參照例如圖10)。另外，在液晶元件E31中，也可在液晶層312 的上部設置大致三角形的電介質突起316(參照例如圖10)。此外，相對于液晶元件E31在 取出光的一側，也可配置用以防止來自光源350的不需要的光的泄漏的黑色矩陣、濾色器 或波長位移器等顏色轉換膜。在本實施方式中，以在公共電極313與對置基板302A之間配 置作為黑色矩陣的遮光膜321及濾色器64的情形為例。此外，在有源矩陣基板30IA及對置基板302A的更外側，設有將這些基板包夾的偏 光板330及340。此外，光源350例如配置于有源矩陣基板301A下。因此，來自光源350的 光，經由偏光板330、有源矩陣基板301A、液晶元件E31、濾色器64、對置基板302A及偏光板 340，從作為顯示面板301的光取出面的上表面300a輸出至外部。另外，在圖10中，以空心箭頭表示發光方向(光的取出方向)。在此，包括第一金屬布線41M及透明布線41的第一布線層、層間絕緣膜40、透明半 導體層44及第二布線層43，可使用與本發明實施方式1同樣的材料來形成。因此，開關晶 體管Q31及蓄積電容器C31也可使用與上述相同的材料來形成。此外，透明基板10、接觸孔 內布線42、接觸孔內金屬布線42M、第二金屬布線43M、接觸插塞51、層間絕緣膜50及濾色 器64也可使用與本發明實施方式1相同的材料來形成。對于濾色器64，可按照根據R、G、B各個像素301a透過適當的波段的波長的方式 使用混合了預定顏料的感光性樹脂等各種過濾材料來形成。在本實施方式中，以使用根據 各個像素301a混合了預定顏料的透明感光性樹脂而形成的情形為例。在有源矩陣基板301A上的液晶元件E31中，對于液晶層312的母材，可例如使用 酉旨系、聯苯(biphenyl)系、苯基環己燒(phenylcyclohexane)系、環己燒(cyclohexane) 系、苯基嘧啶(phenylpyrimidine)系、或二氧六環(dioxane)系的材料等各種材料。液晶 層312通過在上述的母材中混合與目的相符的材料來形成。在像素電極311中，可使用例如ZTO或ITO等氧化物導電體材料。在本實施方式 中，以使用ZTO的透明導電膜的情形為例進行說明。再者，公共電極313與像素電極311同 樣，例如可使用如ZTO或ITO等氧化物導電體材料。在本實施方式中，以使用ZTO的透明導 電膜的情形為例進行說明。取向膜314及315是分別為用以使液晶層312的分子排列朝一定方向排齊的膜， 且根據使用于液晶層312的材料而適當通過例如聚酰亞胺(polyimide)等材料來形成。電介質突起316用以控制向液晶層312施加偏壓電壓時的液晶分子的排列方向， 例如以隔著液晶層312而與像素電極311的中央部對置的方式從液晶層312上表面朝向內 部突出設置。此種電介質突起316可使用例如感光性樹脂等電介質材料來形成。遮光膜321例如可使用如鉻(Cr)等金屬膜或由如碳黑(carbon black)所代表的 分散有遮光性分散顏料的黑色阻劑的感光性阻劑膜來形成。在本實施方式中，以使用Cr所 形成的情形為例。間隔件(spacer) 317是用以在源矩陣基板301A與對置基板302A之間確保密封液 晶的空間的構件，例如可使用感光性樹脂等來構成。然而，并不限定于此。此外，偏光板330及340是與光的行進方向垂直且用以使朝特定的方向強烈振動 的光透過的濾光器，例如可使用吸附碘(I)的聚乙烯醇(Polyvinyl alcohol, PVA)等的膜 來形成。然而，并不限定于此。此外，對置基板302A例如由透明基板320所構成。在此透明基板320中，可使用 例如玻璃基板或石英基板或塑料基板等各種透明的絕緣性基板。另外，也可使用撓性基板 作為透明基板320。(制造方法)接著參照附圖詳細說明本實施方式的液晶顯示裝置300的制造方法。圖11-1及 圖11-2、圖12-1至圖12-6、以及圖13是表示本發明實施方式的液晶顯示裝置300中的顯 示面板301的制造方法的工序圖。另外，在圖11-1及圖11-2、圖12-1至圖12_6以及圖13 中，表示在與圖9中的B-B ‘相同位置切斷的連續的端面。在本制造方法中，首先，使用與在本發明實施方式1中使用圖5-1至圖5-7所說明的各工序相同的工序，來制造包含開關晶體管Q31與蓄積電容器C31的有源矩陣基板301A。接著，在有源矩陣基板301A上，例如使用濺鍍法、CVD法等使ZTO成膜，形成具備 與接觸插塞51電性接點的透明ZTO膜。接下來，例如使用光刻法將該ZTO膜進行圖案化， 如圖11-1所示，在層間絕緣膜50上，形成與接觸插塞51電連接的像素電極311。然而，并 不限定于此，例如也可使用利用了溶膠凝膠法的印刷技術或噴墨印刷技術等的涂敷工藝技 術來形成像素電極311。接著，在形成有像素電極311的有源矩陣基板30IA上，例如旋涂聚酰亞胺溶液，且 使其干燥且固化之后，例如使用磨擦(riAbing)法摩擦聚酰亞胺膜，由此如圖11-2所示，在 有源矩陣基板301A上，形成覆蓋像素電極311的取向膜314。然而，并不限定于此，例如也 可使用如上所述的涂敷工藝技術等來形成取向膜314，且將此取向膜314以磨擦法等來處理。之后，在有源矩陣基板301A中的像素301a的排列區域周圍，形成用以防止液晶材 料流出的密封件。另外，也可視需要進行涂敷轉移劑(transfer)等各種工序。此外，在本制造方法中，準備對置基板302A用的透明基板320，且在與該基板的厚 度方向垂直的兩個主面中的一個主面(以下將此面稱為上表面)上，例如使用濺鍍法、CVD 法或真空蒸鍍法等堆積Cr，由此形成具備遮光性的鉻膜。接下來，例如使用光刻法將該鉻膜 進行圖案化，由此如圖12-1所示，在例如劃分有源矩陣基板301A上的各像素301a的區域， 形成作為有源矩陣的具備遮光性的遮光膜321。然而，并不限定于此，也可使用黑色阻劑及 光刻法來形成遮光膜321。接著，在形成有遮光膜321的對置基板302A上，例如反復進行旋涂根據R、G、B而 混合了預定顏料的感光性阻劑液且將其曝光及顯影的工序，如圖12-2所示，根據R、G、B各 個像素301a，形成使適當波段波長透過的濾色器64。然而，并不限定于此，也可使用例如如 上所述的涂敷工藝技術等，按R、G、B各個像素301a來形成濾色器64。另外，例如遮光膜 321位于相鄰的濾色器64間的邊界面下。接著，在形成有濾色器64的對置基板302A上，例如通過使用濺鍍法、CVD法等使 ZTO成膜來形成透明的ZTO膜。接下來，例如使用光刻法將多余的ZTO膜去除，由此如圖 12-3所示，在至少與像素(301a)的排列區域對置的整體區域形成公共電極313。然而，并 不限定于此，也可例如使用如上所述的涂敷工藝技術等來形成公共電極313。接著，在形成有公共電極313的對置基板302A上，例如旋涂聚酰亞胺溶液，且使其 干燥且固化之后，例如使用磨擦法摩擦聚酰亞胺膜，由此如圖12-4所示形成取向膜315。然 而，并不限定于此，也可例如使用如上所述的涂敷工藝技術等來形成取向膜315，且將此膜 以磨擦法等進行處理。接著，在形成有取向膜315的對置基板302A上，旋涂感光性阻劑液，且將其進行曝 光及顯影之后，將所形成的樹脂膜的角落部分，例如通過提高后烘(post-bake)的溫度，由 此如圖12-5所示在取向膜315上形成三角形的電介質突起316。然而，并不限定于此，也可 例如使用如上所述的涂敷工藝技術等來形成預定形狀的電介質突起316，也可以光刻法使 用半色調屏蔽(halftone mask)將圖案進行三維加工。接著，在形成有電介質突起316的對置基板302A上，例如旋涂感光性阻劑液，且將 其進行曝光及顯影，由此如圖12-6所示，在劃分對置基板302A上的各像素301a的區域的至少一部分，形成由感光性樹脂所構成的間隔件317。然而，并不限定于此，也可例如使用如 上所述的涂敷工藝技術等來形成間隔件317。或是，也可使用散布球體狀的間隔件的方式來 確保密封液晶層312的空間。綜上所述，當制造形成有像素電極311及取向膜314的有源矩陣基板301A、及形成 有遮光膜321、濾色器64、公共電極313、取向膜315、電介質突起316及間隔件317的對置 基板302A時，接著在對置基板302A中的由密封件所包圍的區域填充液晶之后，如圖13所 示，通過將該有源矩陣基板301A與對置基板302A貼合，將液晶層312密封于有源矩陣基板 301A與對置基板302A之間。接著，準備例如吸附有碘(I)的聚乙烯醇(Polyvinyl alcohol, PVA)等的偏光板 330及340，且按照包夾用以密封液晶層312的有源矩陣基板301A及對置基板302A的方式 分別將這些偏光板貼合。由此，來制造包含圖7所示的層構造的像素301a的顯示面板301。之后，將以上方式制造的顯示面板301，安裝在搭載有信號控制部102、掃描驅動 部103、數據驅動部104、電容線驅動部305及其它零件的框體，由此來制造本實施方式的液 晶顯示裝置300。另外，在以上的制造工序中，雖適當包括清洗基板的工序等，但在此為了簡化說明 而省略了這些工序。如以上所說明，本實施方式的液晶顯示裝置300與本發明實施方式1或3同樣，由 于主布線的至少一部分具備比其它布線更大的導電性，因此可將主布線的截面積(尤其寬 度)縮窄，由此，可降低主布線部分相對于有源矩陣基板301A的光取出面所占比例，結果， 可提高有源矩陣基板301A的開口率。此外，通過以導電性高的第一金屬布線41M來形成主 布線，可降低主布線部分的電阻值，且可降低有源矩陣基板301A的驅動電壓，結果可降低 液晶顯示裝置300的耗電。此外，通過采用按上述方式提高了開口率的構成，液晶元件E31及光源350的配置 自由度提高，因此可實現設計自由度大的液晶顯示裝置300。再者，在本實施方式的制造方法中，與本發明實施方式1或2同樣，由于在制造過 程中接觸孔內布線42及第二布線層43等被透明半導體層44所覆蓋，因此可降低在之后蝕 刻工序等中各布線G2、43等)受到的工藝損害。另外，上述各實施方式僅是用以實施本發明的例，本發明并不限定于這些實施例， 視規格等進行各種變形也均屬本發明的范圍，再者在本發明的范圍內，當然也可進行其它 各種實施方式。
2權利要求
1.一種有源矩陣基板，具備多個晶體管元件，其中， 該有源矩陣基板還具備基板，能夠透過可見光；布線，包括形成在所述基板上的主布線、及形成在所述基板上且用以連接所述主布線 與所述晶體管元件的副布線；半導體層，從所述基板的厚度方向觀察與所述布線的至少一部分重疊，并且能夠透過 可見光；和絕緣膜，覆蓋所述布線及半導體層的至少一部分，能夠透過可見光； 所述副布線由能夠透過可見光的導電體材料構成；所述主布線，至少一部分由具備比所述副布線更高的導電性的導電體材料構成。
2.根據權利要求1所述的有源矩陣基板，其中，所述半導體層由主成分與所述副布線中的導電體材料的主成分相同的半導體材料構成。
3.根據權利要求1所述的有源矩陣基板，其中，所述副布線中的導電體材料及所述半導體層中的半導體材料的各自的主成分是無機 氧化物。
4.根據權利要求1所述的有源矩陣基板，其中，所述副布線由鋅錫氧化物所構成的導電體材料構成；所述半導體層由鋅錫氧化物所構成的半導體材料構成，該半導體材料的載流子濃度比 所述副布線低。
5.根據權利要求1所述的有源矩陣基板，其中， 所述主布線的至少一部分由金屬或合金構成。
6.根據權利要求1所述的有源矩陣基板，其中，所述副布線的一部分發揮作為所述晶體管元件中的電極的功能。
7.根據權利要求1所述的有源矩陣基板，其中，所述副布線的一部分發揮作為所述晶體管元件中的柵電極、源電極及漏電極的功能， 所述絕緣膜的一部分發揮作為所述晶體管元件中的柵極絕緣膜的功能。
8.根據權利要求1所述的有源矩陣基板，其中， 具備第一及第二晶體管以及電容器；所述主布線構成1條以上掃描線的至少一部分、1條以上數據線的至少一部分及1條以 上驅動線的至少一部分；所述第一晶體管的控制端子連接于所述掃描線，輸入端子連接于所述數據線； 所述第二晶體管的控制端子連接于所述第一晶體管的輸出端子，輸入端子連接于所述 驅動線；所述電容器的一個電極連接于所述驅動線，另一個端子連接于所述第二晶體管的控制端子。
9.根據權利要求1所述的有源矩陣基板，其中， 具備第一晶體管及電容器；所述主布線構成1條以上掃描線的至少一部分、1條以上數據線的至少一部分及1條以上電容線的至少一部分；所述第一晶體管的控制端子連接于所述掃描線，輸入端子連接于所述數據線； 所述電容器的一個端子連接于所述晶體管的輸出端子。
10.一種顯示面板，具備權利要求1所述的有源矩陣基板； 第一電極，形成在所述有源矩陣基板上，能夠透過可見光； 有機膜，形成在所述第一電極上；和 第二電極，形成在所述有機膜上。
11.根據權利要求10所述的顯示面板，其中， 所述第二電極能夠透過可見光。
12.根據權利要求11所述的顯示面板，其中， 具備與所述第二電極電連接的輔助電極。
13.根據權利要求12所述的顯示面板，其中， 所述輔助電極是能夠透過可見光的電極。
14.根據權利要求10所述的顯示面板，其中，具備相對于所述有機膜形成于上層及下層的任一方或雙方的過濾膜。
15.—種顯示面板，具備權利要求1所述的有源矩陣基板； 對置基板，能夠透過可見光；和液晶元件，包括液晶層；雙層取向膜，用以包夾該液晶層；和像素電極及公共電極，用 以包夾由所述液晶層與所述雙層取向膜構成的層疊體； 所述像素電極及公共電極能夠透過可見光； 所述像素電極與所述有源矩陣基板中的所述布線電連接； 所述液晶元件被所述有源矩陣基板和所述對置基板所包夾。
16.根據權利要求15所述的顯示面板，其中，具備兩片偏光板，用以包夾由所述有源矩陣基板、所述液晶元件及所述對置基板構成的層疊體。
17.根據權利要求15所述的顯示面板，其中，具備 遮光膜，形成在所述公共電極上；和過濾膜，至少形成在所述公共電極上，用以透過預定波段的波長。
18.—種顯示裝置，具備權利要求10所述的顯示面板。
19.一種有源矩陣基板的制造方法，包括主布線形成工序，在能夠透過可見光的基板上形成主布線；第一副布線形成工序，在所述基板上形成第一副布線，該第一副布線與所述主布線電 連接，且一部分中包含用以形成晶體管元件的電極，并能夠透過可見光；第一絕緣膜形成工序，在所述基板上形成第一絕緣膜，該第一絕緣膜覆蓋所述主布線 及所述第一副布線的至少一部分，且一部分中包含用以構成所述晶體管元件的絕緣膜，并 能夠透過可見光；第二布線形成工序，在所述第一絕緣膜上，形成一部分中包含用以構成所述晶體管元件的電極且能夠透過可見光的第二副布線；半導體層形成工序，在所述第一絕緣膜上，形成覆蓋所述第二副布線的至少一部分且 能夠透過可見光的半導體層；和第二絕緣膜形成工序，在所述第一絕緣膜上，形成覆蓋所述半導體層及所述第二副布 線的至少一部分且能夠透過可見光的第二絕緣膜；使用具備比所述第一及/或第二副布線更高導電性的材料來形成所述主布線的至少 一部分。
20.根據權利要求19所述的有源矩陣基板的制造方法，其中，使用主成分與所述第二副布線的主成分相同的半導體材料來形成所述半導體層。
21.根據權利要求19所述的有源矩陣基板的制造方法，其中，所述第二副布線中的導電體材料及所述半導體層中的半導體材料的各自的主成分是 無機氧化物。
22.根據權利要求19所述的有源矩陣基板的制造方法，其中，使用由鋅錫氧化物構成的導電體材料來形成所述第二副布線；使用由能夠將載流子濃度降為比所述第二副布線低的鋅錫氧化物構成的半導體材料， 來形成所述半導體層。
23.根據權利要求19所述的有源矩陣基板的制造方法，其中，使用金屬或合金來形成所述主布線的至少一部分。
24.根據權利要求19所述的有源矩陣基板的制造方法，其中，在所述半導體層形成工序中，通過在所述第一絕緣膜上形成覆蓋所述第二副布線的半 導體膜，且以所述第二副布線不會露出的方式蝕刻該半導體膜，來形成所述半導體層。
25.根據權利要求19所述的有源矩陣基板的制造方法，其中，在所述主布線形成工序、所述第一布線形成工序、所述第一絕緣膜形成工序、所述第二 布線形成工序、所述半導體層形成工序及所述第二絕緣膜形成工序中的至少一個工序中， 使用印刷法或噴墨印刷法來形成所述主布線、所述第一副布線、所述第一絕緣膜、所述第二 副布線、所述半導體層或所述第二絕緣膜。
全文摘要
本發明提供一種有源矩陣基板。有源矩陣基板(101A)具備透明基板(10)；形成于透明基板上的布線(LG、LD、LP、L1、L2等)；覆蓋該布線的至少一部分的透明半導體層(44)；及覆蓋布線及透明半導體層的至少一部分的透明絕緣膜。布線包括作為主布線的第一金屬布線(41M)；及從主布線分支而作為副布線的透明布線(41、42、43等)。作為主布線的第一金屬布線，至少一部分使用比作為副布線的布線具備更高導電性的材料而形成。
文檔編號H01L29/423GK102099848SQ20098012853
公開日2011年6月15日 申請日期2009年7月16日 優先權日2008年7月25日
發明者松室智紀, 福原升, 長谷川彰 申請人:住友化學株式會社