有源矩陣有機發光二極管面板及其制造方法
【專利摘要】本發明提供一種有源矩陣有機發光二極管面板及其制造方法。該有源矩陣有機發光二極管面板包括：第一導電層；柵極絕緣層，形成于第一導電層的上方；氧化物半導體層，具有預設圖案；蝕刻阻止層；以及第二導電層。其中，氧化物半導體層的預設圖案包括一第一區域和多個第二區域，第一區域與第一導電層的邊緣形成四個交界部，每個第二區域為正方形圖案且位于交界部的遠離蝕刻阻止層的一側。相比于現有技術，本發明可透過改善第一導電層的柵極圖案或者氧化物半導體層的預設圖案，使氧化物半導體層被蝕刻時所形成的側蝕裂縫可避開蝕刻阻止層的干蝕刻區域，因此有效避免下層柵極與上層源極/漏極之間的短路不良情形，提升了產品制程的可靠性。
【專利說明】有源矩陣有機發光二極管面板及其制造方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種顯示面板，尤其涉及一種有源矩陣有機發光二極管面板及其制造方法。
【背景技術】
[0002]有機發光二極管(Organic Light Emitting Diode, 0LED)依驅動方式可分為被動式矩陣驅動(Passive Matrix OLED, PM0LED)和主動式矩陣驅動(Active Matrix OLED,AM0LED)兩種。其中，PMOLED是當數據未寫入時并不發光，只在數據寫入期間發光。這種驅動方式結構簡單、成本較低、較容易設計，主要適用于中小尺寸的顯示器。AMOLED與PMOLED最大的差異是在于，每一像素都有一電容存儲數據，讓每一像素皆維持在發光狀態。由于AMOLED耗電量明顯小于PM0LED，加上其驅動方式適合發展大尺寸與高解析度的顯示器，使得AMOLED成為未來發展的主要方向。
[0003]在現有技術中，針對下柵極(Bottom Gate)晶體管結構組件，為增加柵極開啟時可以導通最大的電流量，柵極與上層的源極/漏極往往會設計為部分重疊。但是，該重疊區域存在的風險是在于，一旦處在下層柵極與上層源極/漏極間的夾層柵極絕緣層(GateInsulator，GI)出現破損，柵極端將有非常高的機率會與源極/漏極發生短路現象，而這種情形也是目前蝕刻阻止型氧化物半導體(諸如IGZ0)組件合格率偏低的最大主因，其產量損失大約為50%?90%。具體地，IGZO氧化物半導體層為組件的載子傳輸層，位于下層柵極與上層源極/漏極之間，在IGZO蝕刻制程后，于下層柵極邊緣處十分容易發生側向蝕刻現象進而產生裂縫，隨后，蝕刻阻止層的干蝕刻制程將透過上述產生的裂縫侵蝕柵極絕緣層，造成下層柵極外露，出現柵極與源極/漏極間的短路情形。此外，在柵極線和數據線彼此相交的區域上，柵極絕緣層在柵極線的上面部分沉積得比柵極線的側表面更薄，由此產生臺階部分，導致在柵極線的側表面發生缺陷，諸如柵極線與數據線之間的短路。
[0004]有鑒于此，如何設計一種有源矩陣有機發光二極管面板，以改善或消除現有技術中的上述缺陷，是業內相關技術人員亟待解決的一項課題。
【發明內容】
[0005]針對現有技術中的有源矩陣有機發光二極管面板存在的上述缺陷，本發明提供了一種新穎的、可有效防止柵極與源極/漏極之間出現短路情形的有源矩陣有機發光二極管面板及其制造方法。
[0006]依據本發明的一個方面，提供了一種有源矩陣有機發光二極管面板，包括一薄膜晶體管，其特征在于，所述有源矩陣有機發光二極管面板還包括:
[0007]—第一導電層，具有一柵極圖案；
[0008]一柵極絕緣層，形成于所述第一導電層的上方；
[0009]一氧化物半導體層，位于所述柵極絕緣層的上方，且具有一預設圖案；
[0010]一蝕刻阻止層，位于所述柵極絕緣層和所述氧化物半導體層的上方；以及[0011]一第二導電層，包括一源極圖案和一漏極圖案，通過蝕刻工藝對所述蝕刻阻止層進行處理，以定義出所述薄膜晶體管的源極區和漏極區，
[0012]其中，所述氧化物半導體層的預設圖案包括一第一區域和多個第二區域，所述第一區域為長方形圖案并且與所述第一導電層的邊緣形成四個交界部，每個第二區域為正方形圖案并且位于所述交界部的遠離所述蝕刻阻止層的一側。
[0013]在其中的一實施例中，所述蝕刻阻止層采用干蝕刻方式形成一開洞區域，當所述氧化物半導體層被蝕刻時，于其側向形成一側蝕裂縫，所述側蝕裂縫的遠端與所述開洞區域間隔一安全距離。
[0014]在其中的一實施例中，所述側蝕裂縫的長度小于9微米。
[0015]在其中的一實施例中，該氧化物半導體層為氧化銦鎵鋅材質。
[0016]依據本發明的另一個方面，提供了一種有源矩陣有機發光二極管面板的制造方法，該有源矩陣有機發光二極管面板包括一薄膜晶體管，該制造方法包括以下步驟:
[0017]形成一第一導電層，該第一導電層具有一柵極圖案；
[0018]形成一柵極絕緣層于所述第一導電層的上方；
[0019]形成一氧化物半導體層于所述柵極絕緣層的上方，該氧化物半導體層具有一預設圖案；
[0020]形成一蝕刻阻止層，該蝕刻阻止層位于所述柵極絕緣層和所述氧化物半導體層的上方；以及
[0021]形成一第二導電層，該第二導電層包括一源極圖案和一漏極圖案，
[0022]其中，所述氧化物半導體層的預設圖案包括一第一區域和多個第二區域，所述第一區域為長方形圖案并且與所述第一導電層的邊緣形成四個交界部，每個第二區域為正方形圖案并且位于所述交界部的遠離所述蝕刻阻止層的一側。
[0023]在其中的一實施例中，所述氧化物半導體層以濕蝕刻方式形成所述預設圖案，所述蝕刻阻止層采用干蝕刻方式形成一開洞區域，其中，所述氧化物半導體層被蝕刻從而形成一側蝕裂縫，該側蝕裂縫的遠端與所述開洞區域間隔一安全距離。
[0024]依據本發明的又一個方面，提供了一種有源矩陣有機發光二極管面板，包括一薄膜晶體管，該有源矩陣有機發光二極管面板還包括:
[0025]一第一導電層，具有一柵極圖案；
[0026]一柵極絕緣層，形成于所述第一導電層的上方；
[0027]—氧化物半導體層，位于所述柵極絕緣層的上方，且具有一預設圖案；
[0028]一蝕刻阻止層，位于所述柵極絕緣層和所述氧化物半導體層的上方；以及
[0029]一第二導電層，包括一源極圖案和一漏極圖案，通過蝕刻工藝對所述蝕刻阻止層進行處理，以定義出所述薄膜晶體管的源極區和漏極區，
[0030]其中，所述氧化物半導體層的預設圖案至少部分地覆蓋所述第一導電層的柵極圖案，并且所述柵極圖案的轉角位置具有多個尖端部，每一尖端部用以阻擋所述氧化物半導體層的側蝕裂縫向所述蝕刻阻止層的蝕刻區域延伸。
[0031 ] 在其中的一實施例中，所述尖端部的夾角小于90度。
[0032]在其中的一實施例中，該氧化物半導體層為氧化銦鎵鋅材質。
[0033]依據本發明的再一個方面，提供了一種有源矩陣有機發光二極管面板的制造方法，該有源矩陣有機發光二極管面板包括一薄膜晶體管，該制造方法包括以下步驟:
[0034]形成一第一導電層,該第一導電層具有一柵極圖案；
[0035]形成一柵極絕緣層于所述第一導電層的上方；
[0036]形成一氧化物半導體層于所述柵極絕緣層的上方，該氧化物半導體層具有一預設圖案；
[0037]形成一蝕刻阻止層，該蝕刻阻止層位于所述柵極絕緣層和所述氧化物半導體層的上方；以及
[0038]形成一第二導電層，該第二導電層包括一源極圖案和一漏極圖案，
[0039]其中，所述氧化物半導體層的預設圖案至少部分地覆蓋所述第一導電層的柵極圖案，并且所述柵極圖案的轉角位置具有多個尖端部，每一尖端部用以阻擋所述氧化物半導體層的側蝕裂縫向所述蝕刻阻止層的蝕刻區域延伸。
[0040]在其中的一實施例中，所述氧化物半導體層以濕蝕刻方式形成所述預設圖案，所述蝕刻阻止層采用干蝕刻方式形成一開洞區域，其中，所述氧化物半導體層被蝕刻從而形成所述側蝕裂縫。
[0041]采用本發明的有源矩陣有機發光二極管面板及其制造方法，依次形成第一導電層、柵極絕緣層、氧化物半導體層、蝕刻阻止層以及第二導電層，該第一導電層具有一柵極圖案，該第二導電層包括一源極圖案和一漏極圖案，通過蝕刻工藝對該蝕刻阻止層進行處理，以定義出薄膜晶體管的源極區和漏極區，該氧化物半導體層的預設圖案包括一第一區域和多個第二區域，第一區域為長方形圖案并且與第一導電層的邊緣形成四個交界部，每個第二區域為正方形圖案并且位于交界部的遠離蝕刻阻止層的一側。此外，本發明還可改善第一導電層上的柵極圖案的形狀，使其轉角位置具有小于90度的尖端部，通過每一尖端部阻擋氧化物半導體層的側蝕裂縫向蝕刻阻止層的蝕刻區域延伸，同樣也可有效避免下層柵極與上層源極/漏極之間的短路不良情形。
[0042]相比于現有技術，本發明可透過改善第一導電層的柵極圖案或者氧化物半導體層的預設圖案，使得氧化物半導體層被蝕刻時所形成的側蝕裂縫可以避開蝕刻阻止層的干蝕刻區域，如此一來，蝕刻阻止層的干蝕刻制程并不會透過上述側蝕裂縫侵蝕柵極絕緣層而導致下層柵極外露，因此可有效避免下層柵極與上層源極/漏極之間的短路不良情形，提升了產品制程的可靠性。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0043]讀者在參照附圖閱讀了本發明的【具體實施方式】以后，將會更清楚地了解本發明的各個方面。其中，
[0044]圖1示出現有技術的一種有源矩陣有機發光二極管面板的下柵極薄膜晶體管的俯視圖；
[0045]圖2A?圖2E分別示出圖1的有源矩陣有機發光二極管面板的下柵極薄膜晶體管的制造流程示意圖；
[0046]圖3示出依據本發明的一實施方式的有源矩陣有機發光二極管面板的下柵極薄膜晶體管的俯視圖；
[0047]圖4示出依據本發明的另一實施方式的有源矩陣有機發光二極管面板的下柵極薄膜晶體管的俯視圖；以及
[0048]圖5示出圖4的有源矩陣有機發光二極管面板中，第一導電層中的尖端部阻擋氧化物半導體層被蝕刻所形成的側蝕裂縫向蝕刻阻止層的蝕刻區域延伸的狀態示意圖。
【具體實施方式】
[0049]為了使本申請所揭示的技術內容更加詳盡與完備，可參照附圖以及本發明的下述各種具體實施例，附圖中相同的標記代表相同或相似的組件。然而，本領域的普通技術人員應當理解，下文中所提供的實施例并非用來限制本發明所涵蓋的范圍。此外，附圖僅僅用于示意性地加以說明，并未依照其原尺寸進行繪制。
[0050]下面參照附圖，對本發明各個方面的【具體實施方式】作進一步的詳細描述。
[0051]圖1示出現有技術的一種有源矩陣有機發光二極管面板的下柵極薄膜晶體管的俯視圖。圖2A?圖2E分別示出圖1的有源矩陣有機發光二極管面板的下柵極薄膜晶體管的制造流程示意圖。
[0052]參照圖1以及圖2A?圖2E,現有技術中的AMOLED包括一第一導電層100、一柵極絕緣層101、一氧化物半導體層102、一蝕刻阻止層104和一第二導電層106。
[0053]詳細地，柵極絕緣層101形成于第一導電層100的上方。氧化物半導體層102位于柵極絕緣層101的上方。蝕刻阻止層104位于柵極絕緣層101和氧化物半導體層102的上方。第二導電層106包括一源極圖案和一漏極圖案，通過蝕刻工藝對蝕刻阻止層104進行處理，以定義出薄膜晶體管的源極區和漏極區。
[0054]如圖2A和圖2B所示，首先在第一導電層100的上方形成柵極絕緣層101，然后在柵極絕緣層101的上方形成氧化物半導體層102。接著，在氧化物半導體層102的上方涂覆一光刻膠(PR，Photo Resistance)層105，以便后續工藝對該氧化物半導體層102進行蝕刻，如圖2C所示。從前文的描述可知，在氧化物半導體層102蝕刻制程后，于第一導電層100 (即，下層柵極)的邊緣處十分容易發生側向蝕刻現象進而產生側蝕裂縫APl (圖1的斜線部分)，如圖2D所示。如此一來，位于柵極絕緣層101和氧化物半導體層102的上方的蝕刻阻止層104在干蝕刻時，將會透過上述裂縫APl侵蝕柵極絕緣層101，造成下層柵極外露，也就是說，當側蝕裂縫APl進入蝕刻阻止層104的區域時，下層柵極與后續形成的源極/漏極之間將有極高的短路可能性。最后，第二導電層106與第一導電層100之間將會出現短路情形，如圖2E所示。
[0055]為了有效地消除現有技術中的上述缺陷或不足，圖3示出依據本發明的一實施方式的有源矩陣有機發光二極管面板的下柵極薄膜晶體管的俯視圖。
[0056]參照圖3，類似于圖1，本發明的AMOLED包括一第一導電層200、一氧化物半導體層202、一蝕刻阻止層204。本領域的技術人員應當理解，AMOLED的結構組件在圖3中僅僅繪示了其中的一部分，未繪示的部分與現有技術中的對應組件相同或相似，為描述方便起見，在此不再贅述。
[0057]圖3與圖1的主要區別是在于，氧化物半導體層202，諸如IGZO (Indium GalliumZinc Oxide,氧化銦鎵鋅)材質，的預設圖案包括一第一區域2021和多個第二區域2022。其中，預設圖案的第一區域2021為長方形圖案，并且該第一區域2021與第一導電層200的邊緣形成四個交界部，每個第二區域2022為正方形圖案并且位于該交界部的遠離蝕刻阻止層204的一側，如圖3所示。
[0058]通過本發明的氧化物半導體層202的獨特預設圖案之設計，透過額外增加的四個正方形第二區域，使得氧化物半導體層202的側蝕裂縫AP2可以避開蝕刻阻止層204的干蝕刻區域。例如，氧化物半導體層202以濕蝕刻方式形成上述預設圖案。因此，蝕刻阻止層204的干蝕刻制程并不會透過上述側蝕裂縫AP2 (圖3的斜線部分)侵蝕柵極絕緣層而導致下層柵極外露，進而能夠避免下層柵極與上層源極/漏極之間的短路不良情形。
[0059]在一具體實施例中，蝕刻阻止層采用干蝕刻方式形成一開洞區域。當氧化物半導體層被蝕刻時，于其側向形成一裂縫AP2，該裂縫AP2的遠端與開洞區域間隔一安全距離h。在此，安全距離是指裂縫與開洞區域的間隔距離足以防止蝕刻阻止層透過其侵蝕柵極絕緣層從而導致柵極與源極/漏極發生短路故障。較佳地，氧化物半導體層202的側蝕裂縫長度小于9微米。
[0060]本領域的技術人員應當理解，圖3不僅可描述本發明的AMOLED的氧化物半導體層的特定預設圖案，而且還可示意性說明AMOLED的制造方法。結合圖1、圖2A?圖2E和圖3，在本發明的制造方法中，依次形成第一導電層200、柵極絕緣層、氧化物半導體層202、蝕刻阻止層204和第二導電層，其中，氧化物半導體層202的預設圖案包括一第一區域2021和多個第二區域2022。第一區域2021為長方形圖案并且與第一導電層200的邊緣形成四個交界部，每個第二區域為正方形圖案并且位于交界部的遠離蝕刻阻止層204的一側。由上述可知，本發明的制造方法可保持原有薄膜晶體管溝道的寬度/長度(Width/Length)設計，其他的層結構設計也不需作任何改變，因此可確保在維持現有組件特性的前提下改善制程容錯度(process window),提升組件合格率。
[0061]由上述可知，相比于現有技術，本發明的氧化物半導體層的預設圖案除了設置第一區域之外，還額外增加了四個第二區域，通過正方形的這些第二區域使氧化物半導體層的側蝕裂縫可避開蝕刻阻止層的干蝕刻區域，如此一來，蝕刻阻止層的干蝕刻制程并不會透過上述側蝕裂縫侵蝕柵極絕緣層而導致下層柵極外露，因此可有效避免下層柵極與上層源極/漏極之間的短路不良情形。
[0062]圖4示出依據本發明的另一實施方式的有源矩陣有機發光二極管面板的下柵極薄膜晶體管的俯視圖。圖5示出圖4的有源矩陣有機發光二極管面板中，第一導電層中的尖端部阻擋氧化物半導體層被蝕刻所形成的側蝕裂縫向蝕刻阻止層的蝕刻區域延伸的狀態示意圖。
[0063]參照圖4，在該實施方式中，本發明的AMOLED包括一第一導電層300、一氧化物半導體層302、一蝕刻阻止層304。本領域的技術人員應當理解，AMOLED的結構組件在圖4中僅僅繪示了其中的一部分，未繪示的部分與現有技術中的對應組件相同或相似，為描述方便起見，在此不再贅述。
[0064]圖4與圖1的主要區別是在于，氧化物半導體層302的預設圖案至少部分地覆蓋第一導電層300的柵極圖案，并且該柵極圖案的轉角位置具有多個尖端部3001，每一尖端部3001用以阻擋氧化物半導體層302的側蝕裂縫AP3向蝕刻阻止層304的蝕刻區域延伸。在一具體實施例中，該尖端部3001的夾角小于90度。較佳地，該尖端部3001的夾角為30度或45度。
[0065]更具體地，如圖5所示，第一導電層300的柵極圖案在其轉角位置包括多個尖端部3001，該尖端部3001的夾角α為銳角，S卩，小于90度。如此一來，氧化物半導體層被蝕刻時所形成的側蝕裂縫可避開蝕刻阻止層的干蝕刻區域，則蝕刻阻止層的干蝕刻制程也就不能透過該側蝕裂縫侵蝕柵極絕緣層而導致下層柵極外露。
[0066]本領域的技術人員應當理解，圖4不僅可描述本發明的AMOLED的氧化物半導體層的特定預設圖案，而且還可示意性說明AMOLED的制造方法。結合圖4和圖5，在該制造方法中，依次形成第一導電層300、柵極絕緣層、氧化物半導體層302、蝕刻阻止層304和第二導電層，其中，氧化物半導體層302的預設圖案至少部分地覆蓋第一導電層300的柵極圖案，并且柵極圖案的轉角位置具有多個尖端部3001，每一尖端部3001用以阻擋氧化物半導體層302的側蝕裂縫向蝕刻阻止層304的蝕刻區域延伸。
[0067]在一具體實施例中，氧化物半導體層302以濕蝕刻方式形成預設圖案，蝕刻阻止層304采用干蝕刻方式形成一開洞區域，且氧化物半導體層302被蝕刻從而形成該側蝕裂縫。
[0068]由上述可知，本發明還可改善第一導電層上的柵極圖案的形狀，使其轉角位置具有小于90度的尖端部，通過每一尖端部阻擋氧化物半導體層的側蝕裂縫向蝕刻阻止層的蝕刻區域延伸，同樣也可有效避免下層柵極與上層源極/漏極之間的短路不良情形。
[0069]此外，依據上述，前述實施例亦可應用于如圖2Ε所示第一導電層100的斜坡處上方存在第二導電層106斷裂的情形，或者第一導電層100的斜坡處上方存在氧化物半導體層102與第二導電層106同時斷裂的情形。
[0070]采用本發明的有源矩陣有機發光二極管面板及其制造方法，依次形成第一導電層、柵極絕緣層、氧化物半導體層、蝕刻阻止層以及第二導電層，該第一導電層具有一柵極圖案，該第二導電層包括一源極圖案和一漏極圖案，通過蝕刻工藝對該蝕刻阻止層進行處理，以定義出薄膜晶體管的源極區和漏極區，該氧化物半導體層的預設圖案包括一第一區域和多個第二區域，第一區域為長方形圖案并且與第一導電層的邊緣形成四個交界部，每個第二區域為正方形圖案并且位于交界部的遠離蝕刻阻止層的一側。此外，本發明還可改善第一導電層上的柵極圖案的形狀，使其轉角位置具有小于90度的尖端部，通過每一尖端部阻擋氧化物半導體層的側蝕裂縫向蝕刻阻止層的蝕刻區域延伸，同樣也可有效避免下層柵極與上層源極/漏極之間的短路不良情形。相比于現有技術，本發明可透過改善第一導電層的柵極圖案或者氧化物半導體層的預設圖案，使得氧化物半導體層被蝕刻時所形成的側蝕裂縫可以避開蝕刻阻止層的干蝕刻區域，如此一來，蝕刻阻止層的干蝕刻制程并不會透過上述側蝕裂縫侵蝕柵極絕緣層而導致下層柵極外露，因此可有效避免下層柵極與上層源極/漏極之間的短路不良情形，提升了產品制程的可靠性。
[0071]上文中，參照附圖描述了本發明的【具體實施方式】。但是，本領域中的普通技術人員能夠理解，在不偏離本發明的精神和范圍的情況下，還可以對本發明的【具體實施方式】作各種變更和替換。這些變更和替換都落在本發明權利要求書所限定的范圍內。
【權利要求】
1.一種有源矩陣有機發光二極管面板，包括一薄膜晶體管，其特征在于，所述有源矩陣有機發光二極管面板還包括: 一第一導電層，具有一柵極圖案； 一柵極絕緣層，形成于所述第一導電層的上方； 一氧化物半導體層，位于所述柵極絕緣層的上方，且具有一預設圖案； 一蝕刻阻止層，位于所述柵極絕緣層和所述氧化物半導體層的上方；以及一第二導電層，包括一源極圖案和一漏極圖案，通過蝕刻工藝對所述蝕刻阻止層進行處理，以定義出所述薄膜晶體管的源極區和漏極區， 其中，所述氧化物半導體層的預設圖案包括一第一區域和多個第二區域，所述第一區域為長方形圖案并且與所述第一導電層的邊緣形成四個交界部，每個第二區域為正方形圖案并且位于所述交界部的遠離所述蝕刻阻止層的一側。
2.根據權利要求1所述的有源矩陣有機發光二極管面板，其特征在于，所述蝕刻阻止層采用干蝕刻方式形成一開洞區域，當所述氧化物半導體層被蝕刻時，于其側向形成一側蝕裂縫，所述側蝕裂縫的遠端與所述開洞區域間隔一安全距離。
3.根據權利要求2所述的有源矩陣有機發光二極管面板，其特征在于，所述側蝕裂縫的長度小于9微米。
4.一種有源矩陣有機發光二極管面板的制造方法，該有源矩陣有機發光二極管面板包括一薄膜晶體管，其特征在于，該制造方法包括以下步驟: 形成一第一導電層，該第 一導電層具有一柵極圖案； 形成一柵極絕緣層于所述第一導電層的上方； 形成一氧化物半導體層于所述柵極絕緣層的上方，該氧化物半導體層具有一預設圖案； 形成一蝕刻阻止層，該蝕刻阻止層位于所述柵極絕緣層和所述氧化物半導體層的上方；以及 形成一第二導電層，該第二導電層包括一源極圖案和一漏極圖案， 其中，所述氧化物半導體層的預設圖案包括一第一區域和多個第二區域，所述第一區域為長方形圖案并且與所述第一導電層的邊緣形成四個交界部，每個第二區域為正方形圖案并且位于所述交界部的遠離所述蝕刻阻止層的一側。
5.根據權利要求4所述的有源矩陣有機發光二極管面板的制造方法，其特征在于，所述氧化物半導體層以濕蝕刻方式形成所述預設圖案，所述蝕刻阻止層采用干蝕刻方式形成一開洞區域，其中，所述氧化物半導體層被蝕刻從而形成一側蝕裂縫，該側蝕裂縫的遠端與所述開洞區域間隔一安全距離。
6.一種有源矩陣有機發光二極管面板，包括一薄膜晶體管，其特征在于，所述有源矩陣有機發光二極管面板還包括: 一第一導電層，具有一柵極圖案； 一柵極絕緣層，形成于所述第一導電層的上方； 一氧化物半導體層，位于所述柵極絕緣層的上方，且具有一預設圖案； 一蝕刻阻止層，位于所述柵極絕緣層和所述氧化物半導體層的上方；以及 一第二導電層，包括一源極圖案和一漏極圖案，通過蝕刻工藝對所述蝕刻阻止層進行處理，以定義出所述薄膜晶體管的源極區和漏極區， 其中，所述氧化物半導體層的預設圖案至少部分地覆蓋所述第一導電層的柵極圖案，并且所述柵極圖案的轉角位置具有多個尖端部，每一尖端部用以阻擋所述氧化物半導體層的側蝕裂縫向所述蝕刻阻止層的蝕刻區域延伸。
7.根據權利要求6所述的有源矩陣有機發光二極管面板，其特征在于，所述尖端部的夾角小于90度。
8.根據權利要求1或6所述的有源矩陣有機發光二極管面板，其特征在于，所述氧化物半導體層為氧化銦鎵鋅材質。
9.一種有源矩陣有機發光二極管面板的制造方法，該有源矩陣有機發光二極管面板包括一薄膜晶體管，其特征在于，該制造方法包括以下步驟: 形成一第一導電層，該第一導電層具有一柵極圖案； 形成一柵極絕緣層于所述第一導電層的上方； 形成一氧化物半導體層于所述柵極絕緣層的上方，該氧化物半導體層具有一預設圖案； 形成一蝕刻阻止層，該蝕刻阻止層位于所述柵極絕緣層和所述氧化物半導體層的上方；以及 形成一第二導電層，該第二導電層包括一源極圖案和一漏極圖案，` 其中，所述氧化物半導體層的預設圖案至少部分地覆蓋所述第一導電層的柵極圖案，并且所述柵極圖案的轉角位置具有多個尖端部，每一尖端部用以阻擋所述氧化物半導體層的側蝕裂縫向所述蝕刻阻止層的蝕刻區域延伸。
10.根據權利要求9所述的有源矩陣有機發光二極管面板的制造方法，其特征在于，所述氧化物半導體層以濕蝕刻方式形成所述預設圖案，所述蝕刻阻止層采用干蝕刻方式形成一開洞區域，其中，所述氧化物半導體層被蝕刻從而形成所述側蝕裂縫。
【文檔編號】H01L51/56GK103681770SQ201310733406
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2013年12月23日 優先權日:2013年12月23日
【發明者】林冠宇, 張凡偉, 李仁佑, 丁宏哲 申請人:友達光電股份有限公司