專利名稱：顯示元件的結構、顯示元件的制造方法及接墊結構的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種顯示元件的結構、其制造方法及接墊結構，且特別是有關于ー種顯示器的顯示元件的結構、其制造方法及接墊結構。
背景技術：
隨著顯示技術的突飛猛進，顯示器已從早期的陰極射線管(CRT)顯示器逐漸地發展到目前的平面顯示器(Flat Panel Display,FPD)。相較于硬質載板(諸如玻璃基板)所構成的平面顯示器，由于可撓性基板(諸如塑膠基板)具有可撓曲及耐沖擊等特性，因此近年來已著手研究將主動元件制作于可撓性基板上的可撓式顯示器。一般來說，顯示器是由多個像素結構所構成，而每ー個像素結構包括薄膜晶體管以及與薄膜晶體管電性連接的像素電極。對于穿透式顯示面板來說，像素電極通常是采用銦錫氧化物(ITO)透明電極材料。傳統形成像素電極的方法是利用沉積方式形成銦錫氧化物薄膜之后，再以光刻以及蝕刻程序將上述的銦錫氧化物薄膜圖案化，以形成各像素電極圖案。然而，由于銦錫氧化物屬于無機氧化物，此種材料本身具有易脆性。因此，若將銦錫氧化物應用于可撓式顯示器的像素電極時，將容易有像素電極碎裂(crack)的問題產生,如此將導致該像素結構無法正常驅動。
發明內容
本發明提供一種顯示元件的結構、顯示元件的制造方法及接墊結構，可以避免可撓式顯示器的像素電極容易產生碎裂的問題。本發明提出一種顯示元件的結構，其包括主動元件、保護層、像素電極以及第ー導電材料。保護層覆蓋主動元件，其中保護層中具有第一接觸窗開ロ以暴露出主動元件的一部分。像素電極位于保護層上，其中像素電極是由多個微導電結構構成的非薄膜形式的電極或是包括有機導電高分子材料。第一導電材料位于第一接觸窗開ロ處并且與被暴露出的主動元件電性連接，其中像素電極與第一導電材料電性連接。本發明提出一種顯示元件的制造方法。此方法包括在基板上形成主動元件。在基板上形成保護層以覆蓋主動元件。在保護層中形成第一接觸窗開ロ以暴露出主動元件的一部分。在保護層上形成像素電極，其中所述像素電極是由多個微導電結構構成的非薄膜形式的電極或是包括有機導電高分子材料。在第一接觸窗開ロ處形成第一導電材料，其中所述第一導電材料與被暴露出的主動元件電性連接，且像素電極與第一導電材料電性連接。本發明提出ー種接墊結構，其包括接墊、保護層、接觸圖案以及導電材料。保護層覆蓋接墊，且保護層內具有至少ー接觸窗開ロ以暴露出接墊。接觸圖案位于保護層上，其中接觸圖案是由多個微導電結構所構成的非薄膜形式的圖案。導電材料位于接觸窗開ロ處并與被暴露出的接墊電性連接，其中接觸圖案與導電材料電性連接。基于上述，本發明采用由微導電結構所構成的非薄膜形式的電極或是有機電高分子材料作為像素電極，并且通過第一導電材料將像素電極與主動元件電性連接。另外本發明亦采用由微導電結構所構成的非薄膜形式的電極作為接墊結構的接觸圖案。由于由微導電結構所構成的非薄膜形式的電極或是有機電高分子材料具有可撓曲性質，因而將其用于可撓式顯示器不會有碎裂的問題。另外，因本發明是通過第一導電材料將像素電極與主動元件電性連接，因此可以避免像素電極因是非薄膜形式之故而容易與主動元件之間有電性接觸不佳的問題。為讓本發明的上述特征和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附附圖作詳細說明如下。
圖I是根據本發明ー實施例的顯示元件的剖面示意圖；圖2A至圖2C是根據本發明數個實施例的顯示元件的接觸開ロ處的俯視示意圖；圖3是根據本發明ー實施例的顯示元件的剖面示意·
圖4是根據本發明ー實施例的顯示元件的剖面示意圖；圖5是根據本發明ー實施例的接墊結構的俯視示意圖；圖6是圖5沿著剖面線A-A’的剖面示意圖；圖7以及圖8是根據本發明的實施例的接墊結構的剖面示意圖；圖9是根據本發明ー實施例的顯示面板的俯視示意圖；圖IOA是根據本發明ー實施例的顯示元件于顯示區的剖面示意圖；圖IOB是根據本發明ー實施例的顯示元件于接合區的剖面示意圖；圖IOC是圖IOA的顯示元件的區域R處的俯視圖；圖IlA是根據本發明ー實施例的顯示元件于顯示區的剖面示意圖；圖IlB是根據本發明ー實施例的顯示元件于接合區的剖面示意圖；圖IlC是圖IlA的顯示元件的區域R處的俯視圖；圖12A是根據本發明ー實施例的顯示元件于顯示區的剖面示意圖；圖12B是根據本發明ー實施例的顯示元件于接合區的剖面示意圖；圖12C是圖12A的顯示元件的區域R處的俯視圖；圖13A是根據本發明ー實施例的顯示元件于顯示區的剖面示意圖；圖13B是根據本發明ー實施例的顯示元件于接合區的剖面示意圖；圖13C是圖13A的顯示元件的區域R處的俯視圖；圖14是根據本發明ー實施例的顯示元件的剖面示意圖。其中，附圖標記100 :基板102 :絕緣層104，106:保護層110，210，310，112，212，312 :導電材料120 :細致金屬線段或導電納米管 130:網狀結構的金屬線140:納米導電顆粒T :主動元件G :柵極S :源極D :漏極CH :通道0M:歐姆接觸層PE:像素電極
150:接觸圖案Cl，C2:接觸窗開ロA:顯示區B :接合區BP :接墊OV :覆蓋層/粘著劑PV :保護層R:區域SL :掃描線DL :數據線P :像素單元
具體實施例方式
圖I是根據本發明ー實施例的顯示元件的剖面示意圖。圖9是根據本發明ー實施例的顯示元件的俯視示意圖。請參照圖I以及圖9，本實施例所提出的顯示元件的制造方法首先提供基板100。根據本實施例，基板100具有顯示區A以及接合區B。基板100的材質可為玻璃、石英、有機聚合物、或是不透光/反射材料(例如導電材料、金屬、晶圓、陶瓷、或其它可適用的材料)、或是其它可適用的材料。若使用導電材料或金屬吋，則在基板100上覆蓋ー層絕緣層(未繪示)，以避免短路問題。接著,在基板100的顯示區A中形成主動元件T。主動元件T包括柵極G、通道CH、源極S以及漏極D。柵極G電性連接掃描線SL，源極S電性連接數據線DL。一般而言，主動元件T的類型包含底柵型元件及頂柵型元件，而上述ニ種元件，以通道CH位于柵極G上方或下方來做區分，其中，底柵型元件的通道CH位于柵極G下方，而頂柵型元件的通道CH位于柵極G上方。本發明實施例的主動元件T皆以底柵型元件為范例，然而，主動元件T為頂柵型元件亦可實施之。因此，本發明主動元件T以底柵型元件為范例說明如下柵極G位于基板100上，且于形成柵極G時一般會同時在基板100上形成與柵極G電性連接的掃描線SL0另外，在柵極G上方覆蓋有絕緣層102，此絕緣層102—般又可稱為柵極絕緣層。通道CH是位于柵極G的上方的絕緣層102上。源極S以及漏極D是位于通道CH的上方。在此，在形成源極S時可同時形成與源極S電性連接的數據線DL。另外，在通道CH與源極S及漏極D之間可進一歩形成歐姆接觸層0M。根據本發明的ー實施例，在基板100的主動區A形成主動元件T的同吋，更進一歩在基板100的接合區B形成接墊電極BP。接墊電極BP可為與柵極G同一層或是與源極S/漏極D同一層。本實施例的圖示的接墊電極BP是以與柵極G同一層為例以詳細說明之，但不限于此。在形成主動元件T之后,接著在基板100上形成保護層104,106以覆蓋主動元件T。根據本實施例，保護層104可為單層結構或多層結構，且其材料包含無機材料(例如是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、其它合適的材料、或上述的組合)或是有機材料，(例如是聚酯類、聚烯類、聚丙酰類、聚碳酸酯類、聚環氧烷類、聚苯烯類、聚醚類、聚酮類、聚醇類、聚醛類、或其它合適的材料或上述的組合)。保護層106可為單層結構或多層結構，且其材料亦可選用保護層104所述材料。本發明實施例的保護層104是選用無機材料且保護層106是選用有機材料為范例，但不限于此。在其它實施例，保護層104與保護層106可選用相同的材料或不同的材料。當保護層106是選用有機材料時，一般又可以稱為平坦層。再者，上述的保護層104，106也可選擇性的進ー步覆蓋接墊電極BP。值得ー提的是，雖然本實施例是以在主動元件T上形成保護層104，106為例來說明，但本發明不限于此。根據其他實施例，也可以在主動元件T及/或(and/or)接墊電極BP上僅形成保護層104,或是在主動元件T及/或接墊電極BP上僅形成保護層106。在形成保護層104，106之后，接著在保護層104，106中形成第一接觸窗開ロ Cl以暴露出主動元件T的一部分。更詳細來說，第一接觸窗開ロ Cl是暴露出主動元件T的漏極D0另外，也在保護層104，106中形成第二接觸窗開ロ C2以暴露出接墊電極BP。在保護層104，106中形成第一接觸窗開ロ Cl及第ニ接觸窗開ロ C2的方法例如是采用光刻程序以及蝕刻程序。之后，在第一接觸窗開ロ Cl內形成第一導電材料110。另外，在第二接觸窗開ロ C2內形成第二導電材料112。在本實施例中，第一/第二導電材料110，112例如是采用沉積程序以及圖案化程序所形成的膜層。在此，第一 /第二導電材料110，112是分別覆蓋第一接觸窗開ロ Cl與第二接觸窗開ロ C2的表面。也就是說，第一/第二導電材料110，112可 以完全覆蓋第一/第二接觸窗開ロ C1，C2的底部或是部分覆蓋第一/第二接觸窗開ロ Cl，C2的底部。導電材料110，112可為單層或多層結構，且其材質可包括導電材料(例如是鑰、鋁、鈦、鉭、金、銅、銀、或其它合適的材料、或上述材料的合金、或上述材料的氮化物、或是上述材料的氧化物)或是透明導電材料(例如是氧化銦錫(Indium-Tin Oxide, ΙΤ0)、氧化銦鋒(Indium-Zinc Oxide, ΙΖ0)、氧化嫁鋒(Gallium-Zinc Oxide, GZ0)、氧化鋒錫(Zinc-TinOxide, ΖΤ0)等等)，且形成第一/第二導電材料110，112的步驟可以在同一エ藝或是不同エ藝中完成。接著，在保護層104，106上形成像素電極PE，像素電極PE直接覆蓋導電材料110。每ー像素電極PE與對應的主動元件T構成ー個像素單元P。另外，在保護層104，106上形成接觸圖案150，其中，像素電極PE不會與接觸圖案150相互分隔開來的。特別是，所形成的像素電極PE與接觸圖案150是由多個微導電結構所構成的非薄膜形式的電極。在圖I的實施例中，所述微導電結構是彼此堆疊，例如是彼此交錯堆疊的細致金屬絲(metal wires)(或稱為金屬線段)或導電納米管。更詳細來說，所述細致金屬絲或導電納米管為各自獨立的金屬絲或導電納米管，并通過彼此堆疊或接觸的方式而使細致金屬絲之間或導電納米管之間彼此電性接觸以作為單ー像素單元P內的像素電極PE以及單一接觸圖案150。承上所述，由于像素電極PE以及接觸圖案150是由細致金屬絲或導電納米管所構成，其并非傳統的薄膜形式。因此由細致金屬絲或導電納米管所構成的像素電極PE以及接觸圖案150具有較佳的可撓性及延展性。當將此像素電極PE以及接觸圖案150應用于可撓式顯示器中，就可避免因撓曲而產生碎裂。另外，因為構成像素電極PE以及接觸圖案150的細致金屬絲或導電納米管并非連續薄膜形式，因而細致金屬絲在第一 /第二接觸窗開ロCl，C2內有可能與主動元件T的漏極D以及接墊電極BP電性接觸的面積不足而有電性接觸不佳的問題。因此，本實施例在形成像素電極PE以及接觸圖案150之前，先在第一/第ニ接觸窗開ロ Cl, C2內形成第一 /第二導電材料110,112,以使第一 /第二導電材料110,112與主動元件T的漏極D以及接墊電極BP電性連接。之后，在保護層106上形成像素電極PE以及接觸圖案150之后，像素電極PE以及接觸圖案150便可直接與第一 /第二導電材料110，112電性接觸。如此ー來，像素電極PE可通過第一 /第二導電材料110，112而與漏極D以及接觸圖案150電性連接。根據另ー實施例，上述的像素電極PE以及接觸圖案150也可以是包括有機導電高分子材料。另外，根據本發明的ー實施例，上述的像素電極PE以及接觸圖案150中更包括粘著劑，以將微導電結構粘著在一起。根據另ー實施例，在像素電極PE以及接觸圖案150上更包括覆蓋層OV以增加像素電極PE以及接觸圖案150的微導電結構的附著性，如圖14所示。所述覆蓋層OV包括有機材料，且其厚度相當薄。由于覆蓋層OV的厚度足夠薄，因而可使得像素電極PE以及接觸圖案150的部分金屬絲(或金屬線段)可凸出于覆蓋層0V，如此一來覆蓋層OV不會影響接觸圖案150與后續元件之間的接合。為了詳細說明上述的像素電極PE以及接觸圖案150的組成結構，以下以圖2A至圖2C的圖示來說明，且圖2A至圖2C是對應圖I的第一接觸窗開ロ Cl處(區域R)的俯視示意圖。請先參照圖I以及圖2A，在本實施例中，第一接觸窗開ロ Cl暴露出漏極D，且導電材料110是形成在第一接觸窗開ロ Cl內以與漏極D電性連接。另外，因導電材料110是直接與像素電極PE電性接觸，因此構成像素電極PE的細致金屬絲120，除了可直接在第一接觸窗開ロ Cl內與漏極D電性接觸之外，更可通過導電材料110而與漏極D電性連接。 換言之，本實施例在像素電極PE與漏極D之間形成導電材料110，使得導電材料110形成在第一接觸窗開ロ Cl內以與漏極D電性連接，以改善構成像素電極PE的細致金屬絲120與漏極D之間可能有電性接觸不佳的問題。而由于導電材料110僅形成在第一接觸窗開ロ Cl內，在此顯示元件內的大部分的像素電極PE仍是細致金屬絲120。因此，此種顯示元件仍具有絕佳的可撓曲特性。在上述的圖I以及圖2A實施例中，像素電極PE是由彼此堆疊的細致金屬線段120所構成。但，本發明不限于此。根據另ー實施例，上述的像素電極PE亦可為導電納米管(nano-tubes)。另外，根據其他實施例，像素電極PE還可以是由其他種形式的微導電結構所構成，如圖2B以及圖2C所示。請參照圖2B，其為對應圖I的第一接觸窗開ロ Cl處的示意圖，在圖2B的實施例中，構成像素電極PE的微導電結構是組成網狀結構的金屬線/絲130。在本實施例中，由于像素電極PE是由組成網狀結構的金屬線130所構成的非薄膜形式。換言之，本實施例的像素電極PE是由金屬網狀結構130所構成。通過所述網狀結構的金屬線130來構成像素電極PE同樣具有甚佳的可撓性。此外，本實施例同樣在網狀結構的金屬線130(像素電極PE)與漏極D之間形成導電材料110，使得導電材料110形成在第一接觸窗開ロ Cl內以與漏極D電性連接，因此可以改善網狀結構的金屬線130 (像素電極PE)與漏極D之間可能有電性接觸不佳的問題。請參照圖2C，其為對應圖I的第一接觸窗開ロ Cl處的示意圖，在圖2C的實施例中，像素電極PE是由納米導電顆粒(nano-particles)所構成。上述的納米導電顆粒或是納米導電結構140是通過彼此堆疊或接觸的方式而使納米導電顆粒或是納米導電結構140之間彼此電性接觸，以作為單ー顯示元件內的像素電極PE。類似地，由于像素電極PE是由納米導電顆粒或是納米導電結構140所構成的非薄膜形式，因此由納米導電顆粒或是納米導電結構140所構成的像素電極PE具有較佳的可撓性。此外，本實施例亦在納米導電顆粒或是納米導電結構140(像素電極PE)與漏極D之間形成導電材料110，使得導電材料110形成在第一接觸窗開ロ Cl內以與漏極D電性連接，因此可以改善納米導電顆粒或是納米導電結構140 (像素電極PE)與漏極D之間可能有電性接觸不佳的問題。
上述圖2A至圖2C繪示出第一接觸窗開ロ Cl處的結構。但實際上，第二接觸窗開ロ C2處的結構也與圖2A至圖2C的結構相同或相似。圖3是根據本發明ー實施例的顯示元件的剖面示意圖。請參照圖3,圖3的實施例與圖I的實施例相似，因此與圖I相同的元件以相同的符號表示，且不再重復贅述。在本實施例中，在形成第一/第二接觸窗開ロ Cl，C2之后，先在第一/第二接觸窗開ロ Cl，C2內填入第一/第二導電材料210，212，之后在保護層106上形成像素電極PE/接觸圖案150。值得注意的是，此部分可以依設計的需求將第一 /第二導電材料210，212填滿第一 /第二接觸窗開ロ Cl，C2(圖未示)、不完全填滿(圖未示)第一/第二接觸窗開ロ Cl，C2、或者第一 /第二導電材料210，212填滿第一 /第二接觸窗開ロ C1，C2且延伸至部分保護層106的表面(如圖3所示)，等任何的行式，本發明并不依此為限。在此，在第一/第二接觸窗開ロ C1，C2內填入第一/第二導電材料210，212的方法例如是采用噴墨印刷程序或是網板印刷程序。根據本實施例，第一/第二導電材料210，212是含導電納米顆粒的導電墨水材料，例如是納米金屬粒子，包含金、銀、銅或是其他金屬；或是納米金屬氧化物粒子，例如是氧化 銦錫(Indium-Tin Oxide, ΙΤ0)納米粒子、氧化鋅(ZnO)氧化錫(SnO)納米粒子、氧化銦鋅(Indium-Zinc Oxide, ΙΖ0)納米粒子、氧化嫁鋒(Gallium-Zinc Oxide, GZ0)納米粒子、氧化鋅錫(Zinc-Tin Oxide,ΖΤ0)納米粒子或是其他的金屬氧化物粒子。類似地，由于像素電極PE以及接觸圖案150是由非薄膜形式的微導電結構所構成的電極，因此此像素電極PE/接觸圖案150具有甚佳的可撓性。另外，本實施例在形成像素電極PE/接觸圖案150之前，更進一歩通過噴墨印刷程序或是網板印刷程序在第一 /第二接觸窗開ロ C1，C2填入第一 /第二導電材料210，212，使得導電材料210，212形成在接觸窗開ロ Cl，C2內以與漏極D電性連接，以改善像素電極PE與漏極D之間以及接觸圖案150與接墊電極BP之間的電性接 觸不佳的問題。另外，根據另ー實施例，形成像素電極PE/接觸圖案150以及第一/第二導電材料210，212也可以是，先在保護層104，106上形成像素電極PE/接觸圖案150，再通過噴墨印刷程序或是網板印刷程序在第一/第二接觸窗開ロ Cl，C2內填滿入第一/第二導電材料210，212。由于像素電極PE以及接觸圖案150可以與第一/第二導電材料210，212直接接觸，因而通過第一 /第二導電材料210，212可使像素電極PE與主動元件T的漏極D電性連接，并且使接觸圖案150與接墊電極BP電性連接。承上所述，若是米用先在第一 /第二接觸窗開ロ Cl, C2內填滿第一 /第二導電材料210，212或者是先在第一 /第二接觸窗開ロ Cl，C2內填滿第一 /第二導電材料210，212且第一 /第二導電材料延伸至部分保護層106的表面，再在保護層104，106上形成像素電極PE以及接觸圖案150的方法，那么像素電極PE以及接觸圖案150將不會填入第一/第二接觸窗開ロ C1，C2內。換言之，當第一/第二接觸窗開ロ C1，C2內填滿第一/第二導電材料210，212時，像素電極PE以及接觸圖案150是在保護層106的表面上第一/第二接觸窗開ロ Cl，C2上與第一/第二導電材料210，212電性接觸；而當第一/第二接觸窗開ロ Cl，C2內填滿第一 /第二導電材料210, 212且第一 /第二導電材料延伸至部分保護層106的表面時，像素電極PE以及接觸圖案150是在第一 /第二接觸窗開ロ C1，C2上以及保護層106的表面上與第一 /第二導電材料210，212電性接觸。圖4是根據本發明ー實施例的顯示元件的剖面示意圖。請參照圖4，圖4的實施例與圖I的實施例相似，因此與圖I相同的元件以相同的符號表示，且不再重復贅述。在本實施例中，在形成第一/第二接觸窗開ロ Cl，C2之后，先于第一/第二接觸窗開ロ Cl，C2內填入第一/第二導電材料310，312，之后在保護層106上形成像素電極PE以及接觸圖案150。值得注意的是，此部分可以依設計的需求將第一 /第二導電材料310，312填滿第一 /第二接觸窗開ロ C1，C2(圖未示)、不完全填滿(圖未示)第一/第二接觸窗開ロ C1，C2或第一/第二導電材料210，212填滿第一/第二接觸窗開ロ C1，C2并延伸至部分保護層106的表面(如圖4所示)。在此，在第一/第二接觸窗開ロ Cl，C2內填入第一/第二導電材料310，312的方法例如是采用噴墨印刷程序或是網板印刷程序。根據本實施例，第一 /第ニ導電材料310，312是含有機導電材料，其例如是聚對苯こ烯磺酸的混合物(3，4-polyethyIenedioxythiophene:polystyrenesulfonate, PEDOT:PSS)、聚苯胺(polyaniline)、聚乙炔(polyacetylene)、聚舭咯(polypyrrole)、聚噻吩(polythiophene)或是其他的有機導電材料。類似地，由于像素電極PE以及接觸圖案150是由非薄膜形式的微導電結構所構成的電極，因此此像素電極PE以及接觸圖案150具有甚佳的可撓性。另外，本實施例在形成像素電極PE以及接觸圖案150之前，更進一歩通過噴墨印刷程序或是網板印刷程序在第一/第二接觸窗開ロ Cl，C2填入第一 /第二導電材料310，312，可以改善像素電極PE與漏極 D之間以及接觸圖案150與接墊電極BP之間的電性接觸不佳的問題。另外，根據另ー實施例，形成像素電極PE/接觸圖案150以及第一/第二導電材料310，312也可以是，先于保護層104，106上形成像素電極PE以及接觸圖案150。之后，再通過噴墨印刷程序或是網板印刷程序在第一/第二接觸窗開ロ C1，C2內填入第一/第二導電材料310，312。由于像素電極PE以及接觸圖案150可與第一/第二導電材料310，312直接接觸，因而通過第一 /第二導電材料310，312可使像素電極PE與主動元件T的漏極D電性連接，并使接觸圖案150與接墊P電性接觸。承上所述，若是米用先在第一/第二接觸窗開ロ Cl, C2內填入第一/第二導電材料310，312之后再在保護層104，106上形成像素電極PE的方法，那么像素電極PE以及接觸圖案150將不會填入第一/第二接觸窗開ロ Cl，C2內。換言之，當第一/第二接觸窗開ロ C1，C2內填滿第一/第二導電材料310，312時，像素電極PE以及接觸圖案150是于第一/第二接觸窗開ロ Cl，C2上與第一/第二導電材料310，312電性接觸；而當第一/第二接觸窗開ロ Cl, C2內填滿第一 /第二導電材料310, 312且第一 /第二導電材料延伸至部分保護層106的表面時，像素電極PE以及接觸圖案150是于第一/第二接觸窗開ロ C1，C2上以及保護層106的表面上與第一/第二導電材料310，312電性接觸。值的ー提的是，在上述圖3以及圖4的實施例中，像素電極PE是以彼此堆疊的細致金屬絲或導電納米管120為例來說明。但，本發明不限于此。根據其他實施例，像素電極PE/接觸圖案150還可以是由其他種形式的微導電結構所構成。換言之，圖3以及圖4的實施例中的像素電極PE/接觸圖案150也可以是由如圖2B所示的組成網狀結構的金屬線所構成，或是由如圖2C所示的納米導電顆粒或是納米導電結構所構成。根據另ー實施例，上述的像素電極PE以及接觸圖案150也可以是包括有機導電高分子材料。值得ー提的是，本發明不限接合區B中的結構為如上述圖I、圖3、圖4的實施例。實際上，接合區B中的結構還可以是如圖5 圖8所示，詳細說明如下。圖5是根據本發明ー實施例的接墊結構的俯視示意圖。圖6是圖5沿著剖面線A-A’的剖面示意圖。請參照圖5以及圖6，在此，接墊電極BP上具有保護層PV，所述保護層PV可為包含先前實施例所述的保護層104及絕緣層102或是僅有単獨的保護層104或絕緣層102。換言之，保護層PV為覆蓋在接墊電極BP上的絕緣材料。而在接墊電極BP上方的保護層PV中具有多個接觸窗開ロ C2，暴露出接墊電極BP。類似地，第二導電材料112覆蓋接觸窗開ロ C2的表面，且導電材料112可以完全覆蓋接觸窗開ロ C2的底部或是部分覆蓋接觸窗開ロ C2的底部，以與漏極D電性連接。導電材料112的材質可可為單層或多層結構，且其材質可包括導電材料(例如是鑰、鋁、鈦、鉭、金、銅、銀、或其它合適的材料、或上述材料的合金、或上述材料的氮化物、或是上述材料的氧化物)或是透明導電材料(例如是氧化銦錫(Indium-Tin Oxide, ΙΤ0)、氧化銦鋅(Indium-Zinc Oxide, ΙΖ0)、氧化嫁鋒(Gallium-Zinc Oxide, GZ0)、氧化鋒錫(Zinc-TinOxide, ΖΤ0)等等)。
另外，接觸圖案150形成在第二導電材料112的上方，且接觸圖案150是由多個微導電結構所構成的非薄膜形式的電極。在圖5 圖6的實施例中，所述微導電結構是彼此堆疊的細致金屬絲/線段(metal wires)。更詳細來說，所述細致金屬絲為各自為獨立的金屬絲，并通過彼此堆疊或接觸的方式而使細致金屬絲之間彼此電性接觸以作為単一接觸圖案150。上述的接觸電極150除了可以是彼此堆疊的細致金屬絲之外，其還可以是彼此堆疊的導電納米管、構成網狀結構的金屬絲、或是納米導電顆粒。圖7是根據本發明ー實施例的接墊結構的俯視示意圖。請參照圖7，圖7的實施例與圖6的實施例相似，因此與圖6相同的元件以相同的符號表示，且不再重復贅述。在本實施例中，在形成接觸窗開ロ C2之后，先在接觸窗開ロ C2內填入第二導電材料212，之后于保護層PV上形成接觸圖案150。值得注意的是，此部分可以依設計的需求將第二導電材料212填滿接觸窗開ロ C2(圖未示)、不完全填滿(圖未示)接觸窗開ロ C2、或者將第二導電材料212填滿接觸窗開ロ C2并延伸至部分保護層PV的表面(如圖7所示)。在此，在第二接觸窗開ロ C2內填入第二導電材料212的方法例如是采用噴墨印刷程序或是網板印刷程序。第二導電材料212是含導電納米顆粒的導電墨水材料，例如是納米金屬粒子，包含金、銀、銅或是其他金屬；或是納米金屬氧化物栗子，例如是氧化銦錫(Indium-Tin Oxide, ΙΤ0)納米粒子、氧化鋅(ZnO)氧化錫(SnO)納米粒子、氧化銦鋅(Indium-Zinc Oxide, IZO)納米粒子、氧化鎵鋅(Gallium-Zinc Oxide,GZ0)納米粒子、氧化鋅錫(Zinc-Tin Oxide,ΖΤ0)納米粒子或是其他的金屬氧化物粒子。另外，形成接觸圖案150以及第ニ導電材料212也可以是先在保護層PV上形成接觸圖案150，之后再通過噴墨印刷程序或是網板印刷程序在接觸窗開ロ C2內填入第二導電材料212。圖8是根據本發明ー實施例的顯示元件的剖面示意圖。請參照圖8,圖8的實施例與圖6的實施例相似，因此與圖6相同的元件以相同的符號表示，且不再重復贅述。在本實施例中，在形成接觸窗開ロ C2之后，先在接觸窗開ロ C2內填入第二導電材料312，之后在保護層PV上形成接觸圖案150。值得注意的是，此部分可以依設計的需求將第二導電材料312填滿接觸窗開ロ C2(圖未示)、不完全填滿(圖未示)接觸窗開ロ C2、或者將第二導電材料312填滿接觸窗開ロ C2并延伸至部分保護層PV的表面(如圖8所示)。在此，在接觸窗開ロ C2內填入第二導電材料312的方法例如是采用噴墨印刷程序或是網板印刷程序。根據本實施例，第二導電材料312是含有機導電材料，其例如是聚對苯こ烯磺酸的混合物(3，4-poIyethylenedioxythiophene:polystyrenesulfonate,PEDOT:PSS)、聚苯胺(polyaniline)、聚こ炔(polyacetylene)、聚舭咯(polypyrrole)、聚噻吩(polythiophene)或是其他的有機導電材料。另外，形成接觸圖案150以及第ニ導電材料312也可以是先于保護層PV上形成接觸圖案150，之后再通過噴墨印刷程序或是網板印刷程序在接觸窗開ロ C2內填入第二導電材料312。圖IOA是根據本發明ー實施例的顯示元件在顯示區的剖面示意圖。圖IOB是根據本發明ー實施例的顯示元件于接合區的剖面示意圖。圖IOC是圖IOA的顯示元件的區域R處的俯視圖。請參照圖10A、圖IOB以及圖10C，本實施例與圖I的實施例相似，因此相同的元件以相同的符號表示，且不再重復贅述。本實施例與圖I的實施例不相同之處在于，在顯示區中(如圖10A所示)，第一導電材料110更延伸至第一接觸窗開ロ Cl之外，因此像素電極PE與第一導電材料110具有相同的圖案。因此在圖10C所示的俯視圖中，區域R完全被第一導電層110以及像素電極PE所覆蓋。另外，在接合區中(如圖10B所示)，第二 導電材料112覆蓋保護層PV，在此保護層PV可包含保護層104及絕緣層102或是僅有単獨的保護層104或絕緣層102。因此，第二導電材料112與接觸圖案150具有相同的圖案。在本實施例中，像素電極PE以及接觸圖案150是由彼此交錯堆疊的細致金屬絲(metal wires)/金屬線段或是導電納米管(nano-tubes) 120所構成。更詳細來說，所述細致金屬絲/線段或是導電納米管為各自獨立的金屬絲/線段或是導電納米管，并通過彼此堆疊或接觸的方式而使細致金屬絲/線段或是導電納米管之間彼此電性接觸以作為像素電極PE以及接觸圖案 150。圖IlA是根據本發明ー實施例的顯示元件在顯示區的剖面示意圖。圖IlB是根據本發明ー實施例的顯示元件在接合區的剖面示意圖。圖IlC是圖IlA的顯示元件的區域R處的俯視圖。請參照圖11A、圖IlB以及圖11C，本實施例與圖I的實施例相似，因此相同的元件以相同的符號表示，且不再重復贅述。本實施例與圖I的實施例不相同之處在于，在顯示區中(如圖IIA所示)，第一導電材料110更延伸至第一接觸窗開ロ Cl之外，因此像素電極PE與第一導電材料110具有相同的圖案。因此在圖IlC所示的俯視圖中，區域R完全被第一導電層110以及像素電極PE所覆蓋。另外，在接合區中(如圖IlB所示)，第二導電材料112覆蓋保護層PV，在此保護層PV可包含保護層104及絕緣層102或是僅有単獨的保護層104或絕緣層102。因此，第二導電材料112與接觸圖案150具有相同的圖案。在本實施例中，像素電極PE以及接觸圖案150是由組成網狀結構的金屬線/絲130所構成。圖12A是根據本發明ー實施例的顯示元件于顯示區的剖面示意圖。圖12B是根據本發明ー實施例的顯示元件于接合區的剖面示意圖。圖12C是圖12A的顯示元件的區域R處的俯視圖。請參照圖12A、圖12B以及圖12C，本實施例與圖I的實施例相似，因此相同的元件以相同的符號表示，且不再重復贅述。本實施例與圖I的實施例不相同之處在于，在顯示區中(如圖12A所示)，第一導電材料110更延伸至第一接觸窗開ロ Cl之外，因此像素電極PE與第一導電材料110具有相同的圖案。因此在圖12C所示的俯視圖中，區域R完全被第一導電層110以及像素電極PE所覆蓋。另外，在接合區中(如圖12B所示)，第二導電材料112覆蓋保護層PV，在此保護層PV可包含保護層104及絕緣層102或是僅有単獨的保護層104或絕緣層102。因此，第二導電材料112與接觸圖案150具有相同的圖案。在本實施例中，像素電極PE以及接觸圖案150是由彼此堆疊的納米導電顆粒或是納米導電結構140所構成。圖13A是根據本發明ー實施例的顯示元件在顯示區的剖面示意圖。圖13B是根據本發明ー實施例的顯示元件于接合區的剖面示意圖。圖13C是圖13A的顯示元件的區域R處的俯視圖。請參照圖13A、圖13B以及圖13C，本實施例與圖I的實施例相似，因此相同的元件以相同的符號表示，且不再重復贅述。本實施例與圖I的實施例不相同之處在于，在顯示區中(如圖13A所示)，第一導電材料110更延伸至第一接觸窗開ロ Cl之外，因此像素電極PE與第一導電材料110具有相同的圖案。因此在圖13C所示的俯視圖中，區域R完全被第一導電層110以及像素電極PE所覆蓋。另外，在接合區中(如圖13B所示)，第二導電材料112覆蓋保護層PV，在此保護層PV可包含保護層104及絕緣層102或是僅有単獨的保護層104或絕緣層102。因此，第二導電材料112與接觸圖案150具有相同的圖案。在本實施例中，像素電極PE以及接觸圖案150包括有機導電高分子材料。在上述各實施例中，像素電極PE以及接觸圖案150是由多個微導電結構所構成的非薄膜形式的電極或是包括有機導電高分子材料，其中微導電結構例如是彼此堆疊的細致金屬絲、彼此堆疊的導電納米管、構成網狀結構的金屬絲或是納米導電顆粒。但是，本發明 不限制像素電極PE以及接觸圖案150是由單ー種微導電結構所組成。換言之，像素電極PE以及接觸圖案150可以是由(a)彼此堆疊的細致金屬絲、(b)彼此堆疊的導電納米管、(c)構成網狀結構的金屬絲、(d)納米導電顆粒以及(e)有機導電高分子材料的組合所構成。特別是，所述組合也可以是由(a)細致金屬絲、(b)導電納米管、(C)構成網狀結構的金屬絲、(d)納米導電顆粒以及(e)有機導電高分子材料的組合所構成的迭層或是混合材料層。舉例來說，在一實施例中，像素電極PE以及接觸圖案150是由細致金屬絲層以及納米導電顆粒層兩層所構成。在另ー實施例中，像素電極PE以及接觸圖案150是由導電納米管以及納米導電顆粒混合所形成的混合材料層。以下表一列示出由兩種材料構成像素電極PE以及接觸圖案150的組合。表一
組合I
I (a)+ (b)的迭層或混合材料層 —2 (a)+ (c)的迭層或混合材料層 I (a)+ (d)的迭層或混合材料層 I (a)+ (e)的迭層或混合材料層 ~ (b) + (c)的迭層或混合材料層 ~6 (b) + (d)的迭層或混合材料層 ~ (b) + (e)的迭層或混合材料層
權利要求
1.一種顯示元件的結構，其特征在于，包括 一主動元件； 一保護層，覆蓋該主動元件，其中該保護層中具有一第一接觸窗開口，暴露出該主動元件的一部分； 一像素電極，位于該保護層上，其中該像素電極是由多個微導電結構所構成的一非薄膜形式的電極或是包括一有機導電高分子材料；以及 一第一導電材料，位于該第一接觸窗開口處，并與被暴露出的該主動元件電性連接，其中該像素電極與該第一導電材料電性連接。
2.根據權利要求I所述的顯示元件的結構，其特征在于，其中這些微導電結構包括彼此堆疊的細致金屬絲或導電納米管、構成一網狀結構的金屬絲、納米導電顆粒或是其組合。
3.根據權利要求I所述的顯示元件的結構，其特征在于，其中該像素電極是由彼此堆疊的細致金屬絲或導電納米管、構成一網狀結構的金屬絲、納米導電顆粒以及該有機導電高分子材料至少其中之二所構成的一混合材料層或是一迭層。
4.根據權利要求I所述的顯示元件的結構，其特征在于，其中該像素電極中還包括一粘著劑。
5.根據權利要求I所述的顯示元件的結構，其特征在于，還包括一覆蓋層，至少部分覆蓋該像素電極。
6.根據權利要求I所述的顯示元件的結構，其特征在于，其中該第一導電材料覆蓋該第一接觸窗開口的表面，且該像素電極覆蓋該第一導電材料。
7.根據權利要求I所述的顯示元件的結構，其特征在于，其中該第一導電材料填入該第一接觸窗開口。
8.根據權利要求I所述的顯示元件的結構，其特征在于，其中該像素電極填入該第一接觸窗開口內以與該導電材料電性連接，或是未填入該第一接觸窗開口而與該第一導電材料于該保護層的表面上電性接觸。
9.根據權利要求I所述的顯示元件的結構，其特征在于，其中該第一導電材料包括一有機導電材料、含導電納米顆粒的一導電墨水材料、一金屬材料或是一金屬氧化物材料。
10.根據權利要求I所述的顯示元件的結構，其特征在于，其中該第一導電材料更延伸至該第一接觸窗開口之外，且該像素電極與該第一導電材料具有相同的圖案。
11.根據權利要求10所述的顯示元件的結構，其特征在于，其中該第一導電材料位于該像素電極的下方。
12.根據權利要求I所述的顯示元件的結構，其特征在于，還包括 一接墊； 該保護層覆蓋該接墊，且該保護層內具有至少一第二接觸窗開口，其暴露出該接墊； 一接觸圖案，位于該保護層上，其中該接觸圖案是由多個微導電結構所構成的一非薄膜形式的電極或是包括一有機導電高分子材料；以及 一第二導電材料，位于該第二接觸窗開口處，并與被暴露出的該接墊電性連接，其中該接觸圖案與該第二導電材料電性連接。
13.根據權利要求12所述的顯示元件的結構，其特征在于，其中這些微導電結構包括彼此堆疊的細致金屬絲或導電納米管、構成一網狀結構的金屬絲或是納米導電顆粒或是其組合。
14.根據權利要求12所述的顯示元件的結構，其特征在于，其中該接觸圖案是由彼此堆疊的細致金屬絲或導電納米管、構成一網狀結構的金屬絲、納米導電顆粒以及該有機導電高分子材料至少其中之二所構成的一混合材料層或是一迭層。
15.一種顯示元件的制造方法，其特征在于，包括 于一基板上形成一主動兀件； 在該基板上形成一保護層，覆蓋該主動元件； 在該保護層中形成一第一接觸窗開口，暴露出該主動元件的一部分； 于該保護層上形成一像素電極，其中該像素電極是由多個微導電結構構成的一非薄膜形式的電極或是包括一有機導電高分子材料；以及 于該第一接觸窗開口處形成一第一導電材料，其中該第一導電材料與被暴露出的該主動元件電性連接，且該像素電極與該第一導電材料電性連接。
16.根據權利要求15所述的顯示元件的制造方法，其特征在于，其中這些微導電結構包括彼此堆疊的細致金屬絲或導電納米管、構成一網狀結構的金屬絲或是納米導電顆粒或是其組合。
17.根據權利要求15所述的顯示元件的制造方法，其特征在于，其中該接觸圖案是由彼此堆疊的細致金屬絲或導電納米管、構成一網狀結構的金屬絲、納米導電顆粒以及該有機導電高分子材料至少其中之二所構成的一混合材料層或是一迭層。
18.根據權利要求15所述的顯示元件的制造方法，其特征在于，其中該像素電極中還包括一粘著劑。
19.根據權利要求15所述的顯示元件的制造方法，其特征在于，還包括在該像素電極上形成一覆蓋層。
20.根據權利要求15所述的顯示元件的制造方法，其特征在于，其中形成該像素電極與形成該第一導電材料的方法包括 于該第一接觸窗開口的表面形成該第一導電材料；以及 于形成該第一導電材料之后，在該保護層上形成該像素電極，其中該像素電極與該第一導電材料電性連接。
21.根據權利要求15所述的顯示元件的制造方法，其特征在于，其中該像素電極填入該第一接觸窗開口內以與該第一導電材料電性連接，或是未填入該第一接觸窗開口而與該第一導電材料于該保護層的表面電性接觸。
22.根據權利要求21所述的顯示元件的制造方法，其特征在于，其中該第一導電材料包括一金屬材料或是一金屬氧化物材料。
23.根據權利要求15所述的顯示元件的制造方法，其特征在于，其中形成該像素電極與形成該第一導電材料的方法包括 于該第一接觸窗開口內填入該第一導電材料；以及 于形成該第一導電材料之后，在該保護層上形成該像素電極，其中該像素電極與該第一導電材料電性連接。
24.根據權利要求23所述的顯示元件的制造方法，其特征在于，其中形成該第一導電材料的方法包括進行一噴墨印刷程序或是一網板印刷程序。
25.根據權利要求23所述的顯示元件的制造方法，其特征在于，其中該第一導電材料包括一有機導電材料或是含導電納米顆粒的一導電墨水材料。
26.根據權利要求23所述的顯示元件的制造方法，其特征在于，其中該像素電極填入第一接觸窗開口，或是未填入該第一接觸窗開口。
27.根據權利要求15所述的顯示元件的制造方法，其特征在于，其中形成該像素電極與形成該第一導電材料的方法包括 在該保護層上形成該像素電極；以及 于形成該像素電極之后，于該第一接觸窗開口內填入該第一導電材料，其中該像素電極與該第一導電材料電性連接。
28.根據權利要求27所述的顯示元件的制造方法，其特征在于，其中形成該導電材料的方法包括進行一噴墨印刷程序或是一網板印刷程序。
29.根據權利要求24所述的顯示元件的制造方法，其特征在于，其中該第一導電材料包括一有機導電材料或是含導電納米顆粒的一導電墨水材料。
30.根據權利要求24所述的顯示元件的制造方法，其特征在于，其中該像素電極填入第一接觸窗開口，或是未填入該第一接觸窗開口。
31.根據權利要求15所述的顯示元件的制造方法，其特征在于，還包括 在該基板上形成一接墊； 該保護層覆蓋該接墊，且該保護層內具有一第二接觸窗開口，其暴露出該接墊； 于該保護層上形成一接觸圖案，其中該接觸圖案是由多個微導電結構所構成的一非薄膜形式的圖案或是包括一有機導電高分子材料；以及 于該第二接觸窗開口內形成一第二導電材料，其中該第二導電材料與被暴露出的該接墊電性連接，且該接觸圖案與該第二導電材料電性連接。
32.根據權利要求15所述的顯示元件的制造方法，其特征在于，其中該第一導電材料更延伸至該第一接觸窗開口之外，且該像素電極與該第一導電材料具有相同的圖案。
33.根據權利要求32所述的顯示元件的制造方法，其特征在于，其中該第一導電材料與該像素電極的形成方法包括先形成該第一導電材料之后再形成該像素電極，或是先形成該像素電極后再形成該第一導電材料。
34.一種接墊結構，其特征在于，包括 一接墊； 一保護層，覆蓋該接墊，且該保護層內具有至少一接觸窗開口以暴露出該接墊； 一接觸圖案，位于該保護層上，其中該接觸圖案是由多個微導電結構所構成的一非薄膜形式的圖案；以及 一導電材料，位于該接觸窗開口處并與被暴露出的該接墊電性連接，其中該接觸圖案與該導電材料電性連接。
35.根據權利要求34所述的接墊結構，其特征在于，其中這些微導電結構包括彼此堆疊的細致金屬絲或導電納米管、構成一網狀結構的金屬絲或是納米導電顆粒或是其組合。
36.根據權利要求35所述的接墊結構，其特征在于，其中該接觸圖案還包括一有機導電高分子材料，并與彼此堆疊的細致金屬絲或導電納米管、構成一網狀結構的金屬絲以及納米導電顆粒至少其中之一構成的一混合材料層或是一迭層。
37.根據權利要求34所述的接墊結構，其特征在于，其中該接觸圖案中還包括一粘著劑。
38.根據權利要求34所述的接墊結構，其特征在于，還包括一覆蓋層，至少部分覆蓋該接觸圖案。
39.根據權利要求34所述的接墊結構，其特征在于，其中該導電材料填入該接觸窗開口內。
40.根據權利要求34所述的接墊結構，其特征在于，其中該導電材料覆蓋該接觸窗開口的表面，且該接觸圖案覆蓋該導電材料。
41.根據權利要求34所述的接墊結構，其特征在于，其中該接觸圖案填入該接觸窗開口內以與該導電材料電性連接，或是未填入該接觸窗開口而與該導電材料于該保護層的表面上電性接觸。
42.根據權利要求34所述的接墊結構,其特征在于,其中該導電材料還延伸至該接觸窗開口之外，且該接觸圖案與該導電材料具有相同的圖案。
43.根據權利要求34所述的接墊結構，其特征在于，其中該導電材料位于該接觸圖案的下方。
全文摘要
一種顯示元件的結構、顯示元件的制造方法及接墊結構。顯示元件的結構包括主動元件、保護層、像素電極以及第一導電材料。保護層覆蓋主動元件，其中保護層中具有第一接觸窗開口以暴露出主動元件的一部分。像素電極位于保護層上，其中像素電極是由多個微導電結構構成的非薄膜形式的電極或是包括一有機導電高分子材料。第一導電材料位于第一接觸窗開口處并且與被暴露出的主動元件電性連接，其中像素電極與第一導電材料電性連接。
文檔編號H01L27/02GK102751305SQ20111044759
公開日2012年10月24日 申請日期2011年12月23日 優先權日2010年12月29日
發明者曾士豪, 洪仕馨, 胡至仁 申請人:友達光電股份有限公司