形成包含保護層的凸塊結構的方法

專利名稱：形成包含保護層的凸塊結構的方法
技術領域：
本揭示內容大體有關于精密半導體裝置的制造，且更特別的是，形成導電凸塊結構于集成電路裝置上的各種方法以及包含該等結構的裝置。
背景技術：
在制造現代集成電路時，通常需要在構成微型電子裝置的各種半導體芯片之間提供電氣連接。取決于芯片的類型與整體的裝置設計要求，可用各種方法實現這些電氣連接，例如，打線接合法、卷帶式自動接合法(TAB)，覆晶接合法及其類似者。近年來，利用覆晶技術，其中半導體芯片用由所謂焊料凸塊形成的焊球來附著至基板、載體或其它芯片，已變成半導體加工工業的重要方面。在覆晶技術中，焊球是形成于待連接芯片中的至少一個芯片的接觸層上，例如，在形成于包含多個集成電路的半導體芯片的最后金屬化層上方的電介質鈍化層上。同樣，有適當大小及定位的接合墊形成于另一芯片上，例如，承載封裝件，各個接合墊對應至形成于半導體芯片上的焊球。然后，這兩種單元(亦即，半導體芯片與承載封裝件)的電氣連接是通過“翻轉”半導體芯片以及使焊球與接合墊物理接觸，以及進行“回焊”工藝使得每個焊球粘著至對應接合墊。通常有數百甚至數千個焊料凸塊可分布于整個芯片區域，借此提供，例如，現代半導體芯片所要求的輸入及輸出性能，而現代半導體芯片經常包括復雜的電路，例如微處理器、儲存電路、三維(3D)芯片及其類似者，及/或形成完整復雜電路系統的多個集成電路。圖1A至圖1F圖標用于形成半導體裝置的導電凸塊的一個示范現有技術加工流程。圖1A圖標在早期制造階段的示范現有技術裝置100。如圖標，在一層絕緣材料10中形成多個導電墊12。在該層絕緣材料上方形成示范鈍化層14。在一個示范實施例中,鈍化層14可由多層材料構成。更具體而言，在圖標實施例中，鈍化層14可由示范厚度約100納米的氮化硅碳(BLOK) 14A層，示范厚度約450納米的二氧化硅14B層以及示范厚度約400納米的氮化硅層構成。可用傳統沉積工藝來形成層14A、14B及14C，例如化學氣相沉積(CVD)工藝。接下來，如圖1B所示，在鈍化層14中形成數個開口 16以借此部分暴露導電墊12。開口 16可用傳統微影技術及蝕刻工藝形成。更具體而言，通過圖案化光阻屏蔽(未圖標)完成一個或多個蝕刻工藝以形成該等開口 16。開口的尺寸可隨著特定應用而有所不同。接下來，如圖1C所示，形成聚酰亞胺層18。聚酰亞胺層18的形成通常通過用旋涂技術初始沉積聚酰亞胺材料，之后，以例如約360°C的溫度執行加熱工藝，以固化聚酰亞胺層18。在有些情形下，聚酰亞胺層18可具有約2至10微米的厚度。可惜，在形成聚酰亞胺層18的加工期間，在聚酰亞胺層18與導電墊12的接口處形成氧化物材料19，例如，氧化銅。應注意，盡管氧化物材料19被圖標成為均勻層，然而實際上氧化可能并非如此均勻地分布于導電墊12上。氧化物材料19的存在可能傾向局部增加導電墊12與將形成于導電墊12上方的導電凸塊之間的電阻。電阻增加可能降低所得半導體裝置的績效性能。圖1D圖標在已執行數個工藝操作之后的裝置100。首先，已用現有微影技術及蝕刻技術圖案化聚酰亞胺層18。更具體而言，通過形成于聚酰亞胺層18上方的圖案化光阻屏蔽(未圖標)執行一個或多個蝕刻工藝以形成圖1D的圖案化聚酰亞胺層18。然后，凸塊下金屬化(UBM)層20是以毯覆方式沉積(blanket-d印osited)在整個裝置100上。UBM層20可由多層材料構成以及可用一個或多個沉積工藝形成。在一個實施例中，UBM層20可由由鈦構成的初始層與由銅構成的第二層構成。然后，如圖1E所示，在裝置100上方形成圖案化屏蔽層22，例如，光阻屏蔽，以及在裝置100上形成用于導電凸塊的導電材料24。在一個示范實施例中，執行鍍覆工藝以形成一層鎳(未圖標)于裝置的暴露部分上，接著用另一鍍覆工藝形成導電材料24的塊材(bulk)。在一個示范實施例中，導電材料24由錫-銀構成，但是也可使用其它材料。圖1F圖標在已執行其它工藝操作之后的裝置100。起先，移除圖案化屏蔽層22(參考圖1E)。之后，執行加熱或回焊工藝導致形成圖1F的示范導電凸塊24B。本揭示內容針對形成導電凸塊于半導體裝置上的各種方法用以避免或至少減少上述問題中的一個或多個的影響。

發明內容
為供基本理解本發明的一些態樣，提出以下簡化的總結。此總結并非本發明的詳盡總覽。它不是想要識別本發明的關鍵或重要組件或者是描繪本發明的范疇。唯一的目的是要以簡要的形式提出一些概念作為以下更詳細的說明的前言。一般而言，本揭示內容針對形成導電凸塊結構于集成電路裝置上的各種方法，其中，在一些具體實施例中，使用保護層，以及包含此類結構的裝置。在一實施例中，該方法包括:在一層絕緣材料中形成導電墊，形成鈍化層于該導電墊及該層絕緣材料上方，對該鈍化層執行至少一個蝕刻工藝以在該鈍化層中定義暴露該導電墊的至少一部分的開口以及在該鈍化層上、在該開口中以及在該導電墊的該暴露部分上形成保護層。在此實施例中，該方法更包括下列步驟:形成熱固化材料層(例如，聚酰亞胺層或PBO層)于該保護層上方，對熱固化材料層執行蝕刻工藝以定義有暴露該保護層的一部分的開口的圖案化熱固化材料層，執行蝕刻工藝以移除該保護層的該暴露部分以借此暴露該導電墊的至少一部分，以及在移除該保護層的該暴露部分后，形成導電耦合至該導電墊的導電凸塊。在一個示范具體實施例中，揭示于本文的裝置包含:位于絕緣材料層中的第一及第二隔開導電墊，各自導電耦合至該第一及該第二導電墊的第一及第二凸塊下金屬化層，以及各自導電耦合至該第一及該第二凸塊下金屬化層的第一及第二隔開導電凸塊。在此實施例中，該裝置更包含在該第一及該第二隔開導電凸塊之間位于該層絕緣材料上方的鈍化層，以及位在該層絕緣材料上的保護層，其中該保護層在該第一及該第二凸塊下金屬化層之間延伸以及與彼等接觸。揭示于本文的另一示范方法包括:在一層絕緣材料中形成導電墊，形成積層鈍化層(mult1-layer passivation layer)于該導電墊上方以及于該層絕緣材料上方,其中該積層鈍化層的第一層與該導電墊及該層絕緣材料接觸，對該積層鈍化層執行至少一個蝕刻工藝以移除該積層鈍化層的至少一層，以借此定義有凹處的蝕刻后鈍化層，該凹處暴露該第一層的至少一部分以及形成熱固化材料層于該蝕刻后鈍化層及該第一層的該暴露部分上方。在此實施例中，該方法更包括:對該熱固化材料層執行蝕刻工藝以定義有開口的圖案化熱固化材料層，該開口是暴露該蝕刻后鈍化層的一部分以及該第一層的該暴露部分，執行蝕刻工藝以移除該第一層的該暴露部分以借此暴露該導電墊的至少一部分，以及在移除該第一層的該暴露部分后，形成導電耦合至該導電墊的一導電凸塊。


參考以下結合附圖的說明可明白本揭示內容，其中類似的組件是以相同的組件符號表不。圖1A至圖1F圖標用來形成凸塊結構于集成電路裝置上的示范現有技術的技術；圖2A至圖2G圖標揭示于本文用以形成導電凸塊結構于集成電路裝置上的示范加工流程，其中凸塊結構是包含保護層；以及圖3A至圖3G圖標揭示于本文用以形成導電凸塊結構于集成電路裝置上的另一示范加工流程。盡管本發明容易做成各種修改及替代形式，本文仍以附圖為例圖標幾個本發明的特定具體實施例且詳述其中的細節。不過，應了解本文所描述的特定具體實施例不是想要把本發明限定成本文所揭示的特定形式，反而是，本發明是要涵蓋落在如隨附權利要求書所界定的本發明精神及范疇內的所有修改、等價及替代性陳述。主要組件符號說明
10絕緣材料層12導電墊
14圖案化鈍化層14A、302氮化硅碳(BLOK)層
14B 二氧化硅層14C 氮化硅層
16開口18聚酰亞胺層
19氧化物材料20凸塊下金屬化(UBM)
22圖案化屏蔽層24導電材料
24B 第一及第二隔開導電凸塊
100 示范現有技術裝置
200、300半導體裝置202、302 保護層
202A 圖案化保護層218熱固化材料層 218A 圖案化熱固化材料層
302A 圖案化層304凹處。
具體實施例方式以下描述本發明的各種示范具體實施例。為了清楚說明，本專利說明書沒有描述實際具體實作的所有特征。當然，應了解，在開發任一此類的實際具體實施例時，必需做許多與具體實作有關的決策以達成開發人員的特定目標，例如遵循與系統相關及商務有關的限制，這些都會隨著每一個具體實作而有所不同。此外，應了解，此類開發即復雜又花時間，但對本領域一般技術人員而言，在閱讀本揭示內容后不過是例行工作。此時以參照附圖來描述本發明。示意圖標于附圖的各種結構、系統及裝置是僅供解釋以及避免本領域技術人員所已知的細節混淆本揭示內容。盡管如此，仍納入附圖用來描述及解釋本揭示內容的示范實施例。應使用與相關領域的技術人員所熟悉的意思一致的方式理解及解釋用于本文的字匯及詞組。本文沒有特別定義的用語或詞組(亦即，與熟諳此藝者所理解的普通慣用意思不同的定義)是想要用用語或詞組的一致用法來暗示。在這個意義上，希望用語或詞組具有特定的意思時(亦即，不同于本領域技術人員所理解的意思)，則會在本專利說明書中以直接明白地提供特定定義的方式清楚地陳述用于該用語或詞組的特定定義。本揭示內容針對形成導電凸塊結構于集成電路裝置上的各種方法。本領域技術人員在讀完本申請案會明白，揭示于本文的方法可應用于各種裝置，包括但不受限于:ASIC，邏輯裝置，內存裝置、等等。參考圖2A至圖2G及圖3A至圖3G，此時會更詳細地描述揭示于本文的方法及裝置的各種示范具體實施例。只要用于圖1A至圖1F以及圖2A至圖2G或圖3A至圖3G的組件符號相同，該等結構的先前說明同樣可應用于圖2A至圖2G及圖3A至圖3G。圖2A至圖2G圖標揭示于本文用于形成半導體裝置200的導電凸塊的一個示范加工流程。圖2A圖標在早期制造階段的新穎裝置200。如圖標，在一層絕緣材料10中形成多個隔開的導電墊12。該層絕緣材料10可由各種絕緣材料構成，例如，低k(k值小于3)材料、二氧化硅、等等。該層絕緣材料10的形成可通過執行各種現有沉積工藝，例如，CVD工藝。導電墊12可由各種材料構成，例如，銅、銅合金、鋁、鋁合金、等等。導電墊12可具有任何所欲組構以及它們可用傳統技術形成。也圖標于圖2A的是形成于該層絕緣材料10上方的圖案化鈍化層14。一般而言，圖2A的裝置200對應至圖1B的裝置100。在一個示范實施例中，鈍化層14可由多層材料構成。更具體而言，在圖標實施例中，鈍化層14可由以下3層構成:示范厚度約100納米的氮化娃碳(BLOK) 14A層、示范厚度約450納米的二氧化硅14B層、以及示范厚度約400納米的氮化硅層。另外，在有些情形下，層14A、14B及14C的順序可顛倒，然而在其它情形下，用來構成積層鈍化層的層數可大于3，例如，4層鈍化層14(BLoK/Si02/SiN/Si02)。本領域技術人員在讀完本申請案后會明白，鈍化層14可由各種材料構成，例如二氧化硅、氮化硅、TEOS、FTEOS、SiOF、等等，包括該等材料的組合物。層14A、14B及14C可用傳統沉積工藝形成，例如CVD工藝。如圖2A所示，在鈍化層14中形成多個開口 16以借此部分暴露導電墊12。開口 16可用傳統微影技術及蝕刻工藝形成。更具體而言，通過圖案化光阻屏蔽(未圖標)執行一個或多個蝕刻工藝以形成該等開口 16。開口 16的尺寸可隨著特定應用而有所不同。接下來，如圖2B所示，形成保護層202于裝置200上方，特別是于導電墊12的暴露部分上方。在一個示范實施例中，保護層202可由二氧化硅、含氟硅玻璃(SiOF)、氮化硅、氮化硅碳(SiCN)等等構成，它可厚約20至300納米，以及可通過執行各種現有沉積工藝(例如，CVD)、原子層沉積(ALD)、或該等工藝的電漿增強版來形成。然后，如圖2C所示，形成熱固化材料層218。熱固化材料218可由各種材料形成，例如，聚酰亞胺、聚苯惡唑(PBO)、等等。熱固化材料層218的形成通常通過用旋涂技術初始沉積熱固化材料，之后以例如約360°C的溫度執行加熱工藝，以固化熱固化材料層218。在有些情形下，熱固化材料層218可厚約2至10微米。除了別的以外，保護層202用來保護底下導電墊12免受害于在使用圖1A至圖1F的現有技術加工流程執行加熱工藝以固化聚酰亞胺層18時發生的不合意氧化作用。圖2D圖標在已用現有微影技術及蝕刻技術圖案化熱固化材料層218之后的裝置200。更具體而言，通過形成于熱固化材料層218上方的圖案化光阻屏蔽(未圖標)執行一個或多個蝕刻工藝以形成圖2D的圖案化熱固化材料層218A。接下來，如圖2E所示，通過圖案化熱固化材料層218A，對保護層202執行蝕刻工藝以形成圖2E的圖案化保護層202A。此蝕刻工藝暴露導電墊12的部分供進一步加工。圖2F圖標在已執行數個工藝操作之后的裝置200。首先，毯覆式沉積凸塊下金屬化(UBM)層20于裝置200上。UBM層20可由多層材料構成以及可用一個或多個沉積工藝形成。在一個實施例中，UBM層20可由厚約50至300納米由鈦構成的初始層(未圖標)以及形成于該鈦層或鈦-鎢層上厚約100至500納米的銅層(未圖標)構成。UBM層20的形成可通過執行各種現有技術，例如，執行一個或多個物理氣相沉積(PVD)工藝。然后，繼續參考圖2F，在裝置200上方形成圖案化屏蔽層22，例如，光阻屏蔽，以及在裝置200上形成用于導電凸塊的導電材料24。在一個示范實施例中，執行鍍覆工藝以形成一層鎳(未圖標)于裝置200的暴露部分上，接著用另一鍍覆工藝形成導電材料24的塊材。在一個示范實施例中，導電材料24由錫-銀構成，但是也可使用其它材料，例如SnCu或SnAgCu。 圖2G圖標在已執行其它工藝操作之后的裝置200。初始，移除圖案化屏蔽層22 (參考圖2F)。之后，執行加熱或回焊工藝導致形成圖2G的示范導電凸塊24B。由圖2G可見，揭示于本文的新穎裝置200包含位在一層絕緣材料10之中的第一及第二隔開導電墊12，各自導電耦合至第一及第二導電墊12的第一及第二隔開凸塊下金屬化層20，以及各自導電耦合至該第一及該第二凸塊下金屬化層20的第一及第二隔開導電凸塊24B。在此實施例中，裝置200更包含在第一及第二隔開導電凸塊24B之間位于該層絕緣材料10上方的鈍化層以及位在該層絕緣材料10上的保護層302，其中保護層302在第一及第二凸塊下金屬化層20之間延伸及與彼等接觸。圖3A至圖3G圖標揭示于本文用以形成半導體裝置300的導電凸塊的另一示范加工流程。圖3A圖標在早期制造階段的新穎裝置300。如圖標，在一層絕緣材料10中形成多個隔開導電墊12。也圖標于圖2A的是積層鈍化層(mult1-layer passivation layer) 14。在圖標實施例中，積層鈍化層14是由以下3層構成:形成于該層絕緣材料10上有示范厚度約100納米的氮化硅碳(BLOK) 302層、形成于層302上有示范厚度約450納米的二氧化硅14B層、以及形成于層14B上有示范厚度約400納米的氮化硅14C層。前文已討論過鈍化層14的替代材料。層302、14B及14C可用傳統沉積工藝形成，例如CVD工藝。在圖3A中，已通過圖案化屏蔽層(未圖標)，例如，光阻屏蔽，對鈍化層14執行一個或多個蝕刻工藝，以部分移除構成積層鈍化層14的材料層。這些蝕刻工藝導致在鈍化層14中形成數個凹處304以及部分暴露層302，該層與導電墊12及該層絕緣材料10接觸。然后，如圖3B所示，如上述，形成熱固化材料層218。除了別的以外，第一層302用來保護底下導電墊12免受害于在使用圖1A至圖1F的現有技術加工流程來形成聚酰亞胺層18時發生的不合意氧化作用。圖3C圖標在已用現有微影技術及蝕刻技術圖案化熱固化材料層218之后的裝置300。更具體而言，通過形成于熱固化材料層218上方的圖案化光阻屏蔽(未圖標)，執行一個或多個蝕刻工藝以形成圖3C的圖案化熱固化材料層218A。接下來，如圖3D所示，通過圖案化熱固化材料層218A，對層302執行蝕刻工藝以形成圖3D的圖案化層302A。此蝕刻工藝暴露導電墊12以便進一步加工。圖3E圖標在毯覆式沉積凸塊下金屬化(UBM)層20于裝置300上之后的裝置300。UBM層20可由多層材料構成以及可用一個或多個沉積工藝形成。在一個實施例中，UBM層20可由厚約50至300納米由鈦構成的初始層(未圖標)以及形成于該鈦層或鈦-鎢層上厚約100至500納米的銅層(未圖標)構成。UBM層20的形成可通過執行各種現有技術，例如，執行一個或多個物理氣相沉積(PVD)工藝。然后，如圖3F所示，在裝置300上方形成圖案化屏蔽層22，例如，光阻屏蔽，以及在裝置300上形成用于導電凸塊的導電材料24。在一個示范實施例中，執行鍍覆工藝以形成一層鎳(未圖標)于裝置300的暴露部分上，接著用另一鍍覆工藝形成導電材料24的塊材。在一個示范實施例中，導電材料24由錫-銀構成，但是也可使用其它材料，例如SnCu或 SnAgCu。圖3G圖標在已執行其它工藝操作之后的裝置300。起先，移除圖案化屏蔽層22 (參考圖3F)。之后，執行加熱或回焊工藝導致形成圖3G的示范導電凸塊24B。以上所揭示的特定具體實施例均僅供圖解說明，因為本領域技術人員在受益于本文的教導后顯然可以不同但等價的方式來修改及實施本發明。例如，可用不同的順序完成以上所提出的工藝步驟。此外，除非在以下權利要求有提及，不希望本發明受限于本文所示的構造或設計的細節。因此，顯然可改變或修改以上所揭示的特定具體實施例而所有此類變體都被認為仍然是在本發明的范疇與精神內。因此，本文提出以下的權利要求書尋求保護。
權利要求
1.一種方法，其包含: 在一層絕緣材料中形成導電墊； 形成鈍化層于該導電墊及該層絕緣材料上方； 對該鈍化層執行至少一個蝕刻工藝，以在該鈍化層中定義暴露該導電墊的至少一部分的開口 ； 在該鈍化層上、在該開口中以及該導電墊的該暴露部分上形成保護層； 在該保護層上方形成熱固化材料層； 對該熱固化材料層執行蝕刻工藝，以定義具有暴露該保護層的一部分的開口的圖案化熱固化材料層； 執行蝕刻工藝，以移除該保護層的該暴露部分，借此暴露該導電墊的至少一部分；以及 在移除該保護層的該暴露部分后，形成導電耦合至該導電墊的導電凸塊。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，形成該熱固化材料層于該保護層上方包括:沉積用于該熱固化材料層的熱固化材料以及執行加熱工藝以固化用于該熱固化材料層的該熱固化材料，同時該保護層位在該導電墊的該暴露部分上。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，形成該鈍化層于該導電墊及該層絕緣材料上方包括:形成積層鈍化層于該導電墊及該層絕緣材料上方。
4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，該積層鈍化層由以下三層所構成:由形成于該層絕緣材料上的娃、 碳及氮構成的第一層，由形成于該第一層上的二氧化娃構成的第二層，以及由形成于該第二層上的氮化硅構成的第三層。
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在該層絕緣材料中形成該導電墊包括:在該層絕緣材料中形成由銅構成的導電墊。
6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，形成該導電凸塊包括:形成由錫及銀、SnAg、或SnAgCu構成的導電凸塊。
7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在形成該導電凸塊之前，形成與該導電墊、該保護層及該圖案化熱固化材料層接觸的凸塊下金屬化層。
8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在該鈍化層上形成該保護層包括:在該鈍化層上沉積由二氧化硅或含氟硅玻璃、氮化硅或氮化硅碳中的一個構成的保護層。
9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，該保護層具有20至300納米的厚度。
10.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，該熱固化材料層是由聚酰亞胺與聚苯惡唑中的一個構成。
11.一種裝置，其包含: 位于一層絕緣材料中的第一及第二隔開導電墊； 各自導電耦合至該第一及該第二導電墊的第一及第二凸塊下金屬化層； 各自導電耦合至該第一及該第二凸塊下金屬化層的第一及第二隔開導電凸塊； 在該層絕緣材料上方位于該第一及該第二隔開導電凸塊之間的鈍化層；以及位在該層絕緣材料上的保護層，該保護層在該第一及該第二凸塊下金屬化層之間延伸并與該第一及該第二凸塊下金屬化層接觸。
12.根據權利要求11所述的裝置，其特征在于，該保護層是由二氧化硅或含氟硅玻璃、氮化硅或氮化硅碳中的一個構成。
13.根據權利要求12所述的裝置，其特征在于，該保護層具有20至300納米的厚度。
14.根據權利要求11所述的裝置，其特征在于，該第一及該第二隔開導電凸塊中的每一個由錫及銀、SnAg或SnAgCu構成。
15.根據權利要求14所述的裝置，其特征在于，該第一及該第二隔開導電墊是由銅構成。
16.根據權利要求11所述的裝置，其特征在于，該鈍化層是由以下三層構成的積層鈍化層:由形成于該層絕緣材料上的硅、碳及氮構成的第一層，由形成于該第一層上的二氧化硅構成的第二層，以及由形成于該第二層上的氮化硅構成的第三層。
17.根據權利要求16所述的裝置，其特征在于，該保護層是形成于該第三層上。
18.根據權利要求11所述的裝置，更包含形成于該保護層上的熱固化材料層，該熱固化材料層在該第一及該第二凸塊下金屬化層之間延伸并與該第一及該第二凸塊下金屬化層接觸。
19.根據權利要求18所述的裝置，其特征在于，該熱固化材料層是由聚酰亞胺與聚苯惡唑中的一個構成。
20.一種方法，其包含: 在一層絕緣材料中形成導電墊； 形成積層鈍化層于該導電墊上方以及于該層絕緣材料上方，該積層鈍化層的第一層與該導電墊及該層絕緣材料接觸； 對該積層鈍化層執行至少一個蝕刻工藝，以移除該積層鈍化層的至少一個層，該至少一個蝕刻工藝定義具有暴露該第一層的至少一部分的凹處的蝕刻后鈍化層； 形成熱固化材料層于該蝕刻后鈍化層及該第一層的該暴露部分上方； 對該熱固化材料層執行蝕刻工藝，以定義具有開口的圖案化熱固化材料層，該開口是暴露該蝕刻后鈍化層的一部分以及該第一層的該暴露部分； 執行蝕刻工藝，以移除該第一層的該暴露部分，借此暴露該導電墊的至少一部分；以及 在移除該第一層的該暴露部分后，形成導電耦合至該導電墊的導電凸塊。
21.根據權利要求20所述的方法，其特征在于，形成該熱固化材料層于該蝕刻后鈍化層及該第一層的該暴露部分上方包括:沉積用于該熱固化材料層的熱固化材料以及執行加熱工藝以固化用于該熱固化材料層的該熱固化材料，同時該第一層的該暴露部分位在該導電墊上。
22.根據權利要求20所述的方法，其特征在于，形成該積層鈍化層包括:形成由在該層絕緣材料上的硅、碳及氮構成的第一層，形成由在該第一層上的二氧化硅構成的第二層，以及形成由在該第二層上的氮化硅構成的第三層。
23.根據權利要求20所述的方法，其特征在于，在該層絕緣材料中形成該導電墊包括:在該層絕緣材料中形成由銅構成的導電墊。
24.根據權利要求20所述的方 法，其特征在于，形成該導電凸塊包括:形成由錫及銀、SnAg或SnAgCu構成的導電凸塊。
25.根據權利要求20所述的方法，其特征在于，該熱固化材料層是由聚酰亞胺與聚苯惡唑中的一個構成。
全文摘要
本發明涉及一種形成包含保護層的凸塊結構的方法，揭示于本文的一個示范方法包括下列步驟在一層絕緣材料中形成導電墊，形成鈍化層于該導電墊上方，對該鈍化層執行至少一個蝕刻工藝以在該鈍化層中定義暴露該導電墊的至少一部分的開口，在該鈍化層上、在該開口中、以及在該導電墊的該暴露部分上形成保護層，形成熱固化材料層于該保護層上方，執行蝕刻工藝以定義有暴露該保護層的一部分的開口的圖案化熱固化材料層，對該保護層執行蝕刻工藝以借此暴露該導電墊的至少一部分，以及形成導電耦合至該導電墊的導電凸塊。
文檔編號H01L21/48GK103077897SQ20121041468
公開日2013年5月1日 申請日期2012年10月25日 優先權日2011年10月25日
發明者F·屈興邁斯特, L·萊曼, A·普拉茨克, G·容尼克爾, S·考斯蓋維斯 申請人:格羅方德半導體公司