層疊線圈的制作方法
【專利摘要】本發明的目的在于提供在將線圈設置成偏向層疊體的上側的層疊線圈中，能夠抑制在設置有線圈的部分與未設置線圈30的部分的邊界附近產生的層間剝離的層疊線圈。本發明的一方式的層疊線圈(1)具備層疊體(20)與線圈(30)。線圈(30)被設置成偏向層疊體20的上側，并通過線圈導體與通孔導體構成。在線圈導體中存在第一線圈導體以及第二線圈導體，第二線圈導體的與上述第二線圈導體的延伸方向正交的截面的截面積(S2)比第一線圈導體的與上述第一線圈導體的延伸方向正交的截面的截面積(S1)小。另外，層疊線圈(1)中位于最下側的線圈導體(32f)為第二線圈導體，層疊體(20)的下表面為安裝面。
【專利說明】層疊線圈
【技術領域】
[0001]本發明涉及層疊線圈，特別是涉及線圈被設置成偏向層疊體的上側的層疊線圈。
【背景技術】
[0002]作為現有的層疊線圈，例如已知有專利文獻I所記載的片式電感器。在這種層疊線圈中，在層疊了多個絕緣體層的層疊體內置有線圈。另外，層疊體的下表面是將層疊線圈安裝于印刷電路基板時的安裝面。而且，在上述層疊線圈中，為了抑制由線圈產生的磁通與印刷電路基板上的導體圖案交鏈，而將線圈設置成偏向層疊體的上側。
[0003]然而，在上述層疊線圈中，由于線圈被設置成偏向層疊體的上側，因此在燒制時，在設置有線圈的部分與未設置有線圈的部分產生急劇的收縮率的差。因該急劇的收縮率的差，在上述層疊線圈中，有可能在設置有線圈的部分與未設置有線圈的部分的邊界附近的絕緣體層之間產生過大的應力，而產生層間剝離。
[0004]專利文獻1:日本特開2005-45103號公報
【發明內容】
[0005]因此，本發明的目的在于提供一種層疊線圈，該層疊線圈的線圈被設置成偏向層疊體的上側，能夠抑制在設置有線圈的部分與未設置有線圈的部分的邊界附近產生的層間剝離。
[0006]本發明的一方式的層疊線圈的特征在于，具備:
[0007]由在上下方向層疊多個絕緣體層而構成的層疊體；和
[0008]線圈，其被設置成偏向上述層疊體的上側，通過經由貫通上述絕緣體層的通孔導體連接線狀的多個線圈導體而構成，
[0009]上述多個線圈導體包括第一線圈導體以及第二線圈導體，
[0010]上述第二線圈導體的與上述第二線圈導體的延伸方向正交的截面的截面積，比上述第一線圈導體的與上述第一線圈導體的延伸方向正交的截面的截面積小，
[0011]上述多個線圈導體中位于最下側的線圈導體為上述第二線圈導體，
[0012]上述層疊體的下表面為安裝面。
[0013]在本發明的一方式的層疊線圈中，第二線圈導體的與上述第二線圈導體的延伸方向正交的截面的截面積比第一線圈導體的與上述第一線圈導體的延伸方向正交的截面的截面積小，層疊線圈所包含的多個線圈導體中位于最下側的線圈導體為第二線圈導體。換言之，位于最下側的線圈導體的截面積比位于該最下側的線圈導體的上側的線圈導體的截面積小。由此，在上述層疊線圈中，收縮率在設置有線圈的部分與未設置有線圈的部分的邊界附近逐漸變化。其結果，能夠緩和設置有線圈的部分與未設置有線圈的部分的邊界附近的絕緣體層之間的應力，從而能夠抑制層間剝離。
[0014]根據本發明所涉及的層疊線圈，能夠抑制在設置有線圈的部分與未設置有線圈的部分的邊界附近產生的層間剝離。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0015]圖1是一實施方式的層疊線圈的外觀立體圖。
[0016]圖2是一實施方式的層疊線圈的分解立體圖。
[0017]圖3是圖1的A-A剖面的剖視圖。
[0018]圖4是第一變形例的層疊線圈的剖視圖。
[0019]圖5是第二變形例的層疊線圈的剖視圖。
[0020]圖6是第三變形例的層疊線圈的剖視圖。
[0021]圖7是第四變形例的層疊線圈的剖視圖。
[0022]圖8是第五變形例的層疊線圈的分解立體圖。
[0023]圖9是第五變形例的層疊線圈的剖視圖。
[0024]圖10是第六變形例的層疊線圈的剖視圖。
[0025]附圖標號的說明:dl?d6…線寬；S1?S4…截面積；tl、t2…厚度;1、1A?IF…層疊線圈；20…層疊體；22a?221…絕緣體層；30…線圈；32a?32f…線圈導體；34a?34e、34aE、34bE…通孔導體。
【具體實施方式】
[0026]以下，對一實施方式的層疊線圈以及該層疊線圈的制造方法進行說明。
[0027](層疊線圈的結構，參照圖1、圖2)
[0028]以下，參照附圖對一實施方式的層疊線圈的結構進行說明。其中，將層疊線圈I的層疊方向定義為z軸方向,將在從z軸方向俯視觀察時沿著層疊線圈的長邊的方向定義為X軸方向，將沿著短邊的方向定義為I軸方向。其中，X軸、y軸以及z軸相互正交。
[0029]層疊線圈I具備層疊體20、線圈30以及外部電極40a、40b。另外，如圖1所示，層疊線圈I的形狀為立方體。
[0030]如圖2所示，通過將絕緣體層22a?221層疊為從z軸方向的正方向側依次排列而構成層疊體20。另外，在從z軸方向俯視觀察時，各絕緣體層22a?221形成長方形形狀。因此，如圖1所示，通過層疊絕緣體層22a?221而構成的層疊體20的形狀為立方體。而且，層疊體20的z軸方向的負方向側的面是將層疊線圈I安裝在印刷電路基板上時的安裝面。其中，以下，將各絕緣體層22a?221的z軸方向的正方向側的面稱為上表面，將各絕緣體層22a?221的z軸方向的負方向側的面稱為下表面。另外，作為絕緣體層22a?221的材料能夠列舉磁性體(鐵氧體等)或者非磁體(玻璃、氧化鋁等及其復合材料)。
[0031]如圖1所示，外部電極40a被設置成覆蓋層疊體20的X軸方向的正方向側的表面及其周圍的面的一部分。另外，外部電極40b被設置成覆蓋層疊體20的X軸方向的負方向側的表面及其周圍的面的一部分。此外，外部電極40a、40b的材料為Au、Ag、Pd、Cu、Ni等導電性材料。
[0032]如圖2所示，線圈30位于層疊體20的內部，由線圈導體32a?32f以及通孔導體34a?34e構成。另外，線圈30呈螺旋狀，該螺旋的中心軸與z軸平行。換言之，線圈30呈一邊沿層疊方向前進一邊卷繞的螺旋狀。此外，線圈30的材料為Au、Ag、Pd、Cu、Ni等導電性材料。
[0033]線圈導體32a (第一線圈導體)為設置于絕緣體層22b的上表面的線狀的導體。另夕卜，線圈導體32a被設置成沿著絕緣體層22b的X軸方向的正負兩側的外緣以及y軸方向的正負兩側的外緣，在從層疊方向觀察時呈口字形。而且，線圈導體32a的一端從絕緣體層22b的X軸方向的正方向側的外緣朝層疊體20的表面露出，而與外部電極40a連接。并且，線圈導體32a的另一端在絕緣體層22b的X軸方向的正方向側的外緣與y軸方向的正方向側的外緣所成的角附近與在z軸方向貫通絕緣體層22b的通孔導體34a連接。
[0034]線圈導體32b (第一線圈導體)為設置于絕緣體層22c的上表面的線狀的導體。另夕卜，線圈導體32b被設置成沿著絕緣體層22c的X軸方向的正負兩側的外緣以及y軸方向的正負兩側的外緣，在從層疊方向觀察時呈口字形。而且，線圈導體32b的一端在絕緣體層22c的X軸方向的正方向側的外緣與I軸方向的正方向側的外緣所成的角Cl的附近與通孔導體34a連接。并且，線圈導體32b的另一端在角Cl的附近與通孔導體34b連接，該通孔導體34b位于比線圈導體32b的一端更靠近絕緣體層22c的中心附近且在z軸方向貫通絕緣體層22c。
[0035]線圈導體32c (第一線圈導體)為設置于絕緣體層22d的上表面的線狀的導體。另夕卜，線圈導體32c被設置成沿著絕緣體層22d的X軸方向的正負兩側的外緣以及y軸方向的正負兩側的外緣，在從層疊方向觀察時呈口字形。而且，線圈導體32c的一端在絕緣體層22d的X軸方向的正方向側的外緣與I軸方向的正方向側的外緣所成的角C2的附近與通孔導體34b連接。并且，線圈導體32c的另一端在角C2的附近與通孔導體34c連接，該通孔導體34c位于比線圈導體32b的一端更靠近絕緣體層22d的外緣附近且在z軸方向貫通絕緣體層22d。
[0036]線圈導體32d(第一線圈導體)為設置于絕緣體層22e的上表面的線狀的導體。另夕卜，線圈導體32d被設置成沿著絕緣體層22e的X軸方向的正負兩側的外緣以及y軸方向的正負兩側的外緣，在從層疊方向觀察時呈口字形。而且，線圈導體32d的一端在絕緣體層22e的X軸方向的正方向側的外緣與I軸方向的正方向側的外緣所成的角C3的附近與通孔導體34c連接。并且，線圈導體32d的另一端在角C3的附近與通孔導體34d連接，該通孔導體34d位于比線圈導體32d的一端更靠近絕緣層22e的中心附近且在z軸方向貫通絕緣體層22e。
[0037]線圈導體32e (第一線圈導體)為設置于絕緣體層22f的上表面的線狀的導體。另夕卜，線圈導體32e被設置成沿著絕緣體層22f的X軸方向的正負兩側的外緣以及y軸方向的正負兩側的外緣，在從層疊方向觀察時呈口字形。而且，線圈導體32e的一端在絕緣體層22f的X軸方向的正方向側的外緣與I軸方向的正方向側的外緣所成的角C4的附近與通孔導體34d連接。并且，線圈導體32e的另一端在角C4的附近與通孔導體34e連接，該通孔導體34e位于比線圈導體32e的一端更靠近絕緣體層22f的外緣附近且在z軸方向貫通絕緣體層22f。
[0038]線圈導體32f (第二線圈導體)為設置于絕緣體層22g的上表面的線狀的導體，其線寬d2比線圈導體32a?32e的線寬dl細。另外，線圈導體32f的厚度與線圈導體32a?32e的厚度實際上相等。因此，如圖3所示，線圈導體32f的與該線圈導體32f的延伸方向正交的截面的截面積S2比線圈導體32a?32e的與該線圈導體32a?32e的延伸方向正交的截面的截面積SI小。另外，如圖2所示，線圈導體32f被設置成沿著絕緣體層22g的X軸方向的正負兩側的外緣以及y軸方向的負方向側的外緣，在從層疊方向觀察時呈大致3字形。而且，線圈導體32f的一端在絕緣體層22g的X軸方向的正方向側的外緣與y軸方向的正方向側的外緣所成的角C5的附近與通孔導體34e連接。并且，線圈導體32e的另一端從絕緣體層22g的X軸方向的負方向側的外緣朝層疊體20的表面露出，而與外部電極40b連接。
[0039]在如以上那樣構成的層疊線圈I中，線圈導體32a?32f的中心被設置于比層疊體20的中心更靠近z軸方向的上側。換言之，由線圈導體32a?32f以及通孔導體34a?34e構成的線圈30被設置成偏向層疊體20的z軸方向的正方向側(上側)。由此，從層疊體20的上表面到線圈導體32a的距離比從層疊體20的下表面到線圈導體32f的距離短。
[0040](制造方法)
[0041]以下，對一實施方式的層疊線圈的制造方法進行說明。其中，將生片的層疊方向定義為z軸方向。另外，將通過一實施方式的層疊線圈的制造方法制成的層疊線圈I的長邊方向定義為X軸方向，并將短邊方向定義為y軸方向。
[0042]首先，準備要成為絕緣體層22a?221的陶瓷生片。具體而言，對以BaO、A1203、S12為主體的結構成分稱重規定量，進行混合，在進行濕式粉碎成為漿液狀后，在850°C?950°C下進行預燒，制成預燒粉末(瓷器組成物粉末)。相同地對以民03、1(20、5102為主體的結構成分稱重規定量，進行混合，在進行濕式粉碎成為漿液狀后，在850°C?90(TC下進行預燒，制成預燒粉末(硼硅酸玻璃粉末)。
[0043]對上述預燒粉末稱重規定量，添加結合劑(醋酸乙烯、水溶性丙烯酸等)、增塑劑、潤濕劑、分散劑通過球磨機進行混合，然后，通過減壓進行消泡。通過刮片法使已獲得的陶瓷漿液在載片上形成片狀并對其進行干燥，制成要成為絕緣體層22a?221的生片。
[0044]接下來，對要成為絕緣體層22b?22f的生片照射激光束，從而形成通孔。并且，將以Au、Ag、Pd、Cu、Ni等為主成分的導電性糊填充于通孔，從而形成通孔導體34a?34e。此外，向通孔填充導電性糊的工序也可以與形成后述的線圈導體32a?32f的工序同時進行。
[0045]在形成通孔后或者形成通孔導體后，通過絲網印刷在要成為絕緣體層22b?22g的印刷電路基板的表面上涂覆以Au、Ag、Pd、Cu、Ni等為主成分的導電性糊，從而形成線圈導體32a?32g。
[0046]接下來，依次層疊、壓接要成為絕緣體層22a?221的生片，從而獲得未燒制的母層疊體。通過等靜壓等對已獲得的未燒制的母層疊體進行加壓，而進行正式壓接。
[0047]在正式壓接后，通過切割刀片將母層疊體切割成規定尺寸的層疊體20。然后，對未燒制的層疊體20實施脫粘合劑處理以及燒制。脫粘合劑處理例如在低氧環境中，在500°C的條件下進行2小時。燒制例如在800°C?900°C的條件下進行2.5小時。
[0048]在燒制后，形成外部電極40a、40b。首先，將由以Ag為主成分的導電性材料構成的電極糊涂覆在層疊體20的表面。接下來，將涂覆的電極糊以約800°C的溫度在I時間的條件下燒接在一起。由此，形成外部電極40a、40b的基底電極。
[0049]最后，對基底電極的表面實施鍍Ni/Sn。由此，形成外部電極40a、40b。通過以上的工序，層疊線圈I完成。
[0050](效果，參照圖2、圖3)
[0051]在上述的一實施方式的層疊線圈I中，通過以下的理由，能夠抑制層間剝離。燒制時的絕緣體層22a?221的收縮率比燒制時的線圈導體32a?32f的收縮率大。因此，在層疊體20未設置有線圈30的第一部分的收縮率比在層疊體20設置有線圈30的第二部分的收縮率大。因此，在層疊線圈I中，如圖3所示，將位于未設置有線圈30的第一部分與設置有線圈30的第二部分的邊界附近的線圈導體32f的截面積S2設為比線圈導體32a?32e的截面積SI小。因此，在第一部分相對地設置有較多的導體，在第一部分與第二部分的邊界附近相對地設置有較少的導體，在第二部分未設置導體。換言之，按第一部分、邊界附近、第二部分的順序，含有導體的比例逐漸減少，從而按該順序收縮率逐漸增大。由此，能夠抑制收縮率的急激的變動。其結果，能夠緩和設置有線圈30的部分與未設置線圈30的部分的邊界附近的絕緣體層之間的應力，從而能夠抑制層間剝離。
[0052](第一變形例，參照圖4)
[0053]第一變形例的層疊線圈IA與層疊線圈I的不同點在于線圈導體32e的線寬。具體而言，如圖4所示，層疊線圈IA的線圈導體32e的線寬d3為線圈導體32a?32d的線寬dl以及線圈導體32f的線寬d2的中間的線寬。換言之，在層疊線圈I中，在位于線圈30的z軸方向的負方向側的部分(下部)且在z軸方向(上下方向)相鄰的兩個線圈導體32e、32f中，位于z軸方向的負方向側的線圈導體32f的截面積S2比位于z軸方向的正方向側的線圈導體32e的截面積S3小。
[0054]此處，所謂線圈30的z軸方向的負方向側的部分是距線圈30的z軸方向的下端規定的范圍內的部分，是線圈30的一部分。在層疊線圈IA中，從線圈30的z軸方向的下端開始的兩個線圈導體32e、32f相當于線圈30的z軸方向的負方向側的部分。然而，線圈30的z軸方向的負方向側的部分并不局限于從線圈30的z軸方向的下端開始的兩個線圈導體，也可以為一個線圈導體，也可以為三個以上的線圈導體。
[0055]在如上述那樣構成的層疊線圈IA中，與層疊線圈I相比，收縮率在設置有線圈30的部分與未設置線圈30的部分的邊界附近更加緩慢地變化。其結果，能夠進一步緩和設置有線圈30的部分與未設置線圈30的部分的邊界附近的絕緣體層之間的應力，從而能夠抑制層間剝離。此外，層疊線圈IA的其他的結構與層疊線圈I相同。因此，在層疊IA中，線圈導體32e的線寬以外的說明如在層疊線圈I中的說明。
[0056](第二變形例，參照圖5)
[0057]第二變形例的層疊線圈IB與層疊線圈I的不同點在于線圈導體32a?32f的線寬。具體而言，如圖5所示，層疊線圈IB的線圈導體的線寬從位于z軸方向的正方向側的線圈導體32a朝向位于z軸方向的負方向側的線圈導體32f而逐漸變細。換言之，在層疊線圈I中，在z軸方向(上下方向)相鄰的線圈導體中的位于z軸方向的負方向側的線圈導體的截面積比位于z軸方向的正方向側的線圈導體的截面積小。
[0058]在如上述那樣構成的層疊線圈IB中，與層疊線圈I相比，收縮率從設置有線圈30的部分朝向未設置線圈30的部分進一步緩慢地變化。其結果，能夠進一步緩和設置有線圈30的部分與未設置部分的絕緣體層之間的應力，從而能夠抑制層間剝離。此外，層疊線圈IB中的其他的結構與層疊線圈I相同。因此，在層疊IB中，線圈導體32a?32f的線寬以外的說明如在層疊線圈I中的說明。
[0059](第三變形例，參照圖6)
[0060]第三變形例的層疊線圈IC與層疊線圈I的不同點在于線圈導體32a的線寬。具體而言，如圖6所示，層疊線圈IC的線圈導體32a的線寬d4比線圈導體321d?32e的線寬dl細。
[0061]在如上述那樣構成的層疊線圈IC中，與層疊線圈I相比，能夠減少在線圈30與外部電極40a、40b之間產生的雜散電容的產生。另外，與層疊線圈I相同地，在層疊線圈IC中，能夠抑制設置有線圈30的部分與未設置線圈30的部分的邊界附近的層間剝離。此外，層疊線圈IC中的其他的結構與層疊線圈I相同。因此，在層疊I中，線圈導體32a的線寬以外的說明如在層疊線圈I中的說明。
[0062](第四變形例，參照圖7)
[0063]第四變形例的層疊線圈ID與層疊線圈I的不同點在于線圈導體32f的線寬以及厚度。具體而言，如圖7所示，層疊線圈ID的線圈導體32f的線寬是與線圈導體32a?32e的線寬dl相同的線寬。但是，層疊線圈ID的線圈導體32f的厚度t2比線圈導體32a?32e的厚度tl薄。
[0064]在如上述那樣構成的層疊線圈ID中，線圈導體32f的厚度t2比線圈導體32a?32e的厚度tl薄，因此線圈導體32f的截面積S4比線圈導體32a?32e的截面積SI小。由此，在層疊線圈ID中，收縮率在設置有線圈30的部分與未設置線圈30的部分的邊界附近逐漸變化。其結果，能夠緩和設置有線圈30的部分與未設置線圈30的部分的邊界附近的絕緣體層之間的應力，從而能夠抑制層間剝離。此外，層疊線圈ID中的其他的結構與層疊線圈I相同。因此，在層疊ID中，線圈導體32f的線寬以及厚度以外的說明如在層疊線圈I中的說明。
[0065](第五變形例，參照圖8、圖9)
[0066]第五變形例的層疊線圈IE與層疊線圈I的不同點在于線圈導體32b?32f的形狀以及它們的連接關系。以下，具體進行說明。
[0067]如圖8所示，層疊線圈IE的線圈導體32a與線圈導體32b為相同形狀，上述線圈導體以并聯的方式連接，并且與外部電極40a連接。
[0068]另外，層疊線圈IE的線圈導體32c以及線圈導體32d與層疊線圈I的線圈導體32b為相同形狀。并且，層疊線圈IE的線圈導體32c與線圈導體32d以并聯的方式連接，并且經由通孔導體34aE，以串聯的方式與線圈導體32a以及線圈導體32b連接。
[0069]另外，層疊線圈IE的線圈導體32e以及線圈導體32f除了它們的一端朝向x軸方向的負方向側折彎之外，為與層疊線圈I的線圈導體32f大致相同的形狀。并且，層疊線圈IE的線圈導體32e與線圈導體32f以并聯的方式連接。而且，線圈導體32e的一端以及線圈導體32f的一端經由通孔導體34bE以串聯的方式與線圈導體32c以及線圈導體32d連接，線圈導體32e的另一端以及線圈導體32f的另一端與外部電極40b連接。此外，如圖9所示，線圈導體32e、32f的線寬d5比線圈導體32a?32d的線寬dl細。換言之，在層疊線圈IE中，在位于線圈30的z軸方向的負方向側的部分(下部)且在z軸方向(上下方向)相鄰的兩個線圈導體32e、32f中，位于z軸方向的負方向側的線圈導體32f的截面積S5與位于z軸方向的正方向側的線圈導體32e的截面積S5相同。即線圈導體32f的截面積為線圈導體32e的截面積以下。
[0070]如上述那樣構成的層疊線圈IE是所謂的多重卷結構的層疊線圈，與層疊線圈I相t匕，線寬較細的線圈導體的個數較多，收縮率在設置有線圈30的部分與未設置線圈30的部分的邊界附近進一步緩慢地變化。其結果，能夠進一步緩和設置有線圈30的部分與未設置線圈30的部分的邊界附近的絕緣體層之間的應力，從而能夠抑制層間剝離。此外，層疊線圈IE中的其他的結構與層疊線圈I相同。因此，在層疊IE中，線圈導體32b?32f的形狀以及它們的連接關系以外的說明如在層疊線圈I中的說明。
[0071](第六變形例，參照圖10)
[0072]第六變形例的層疊線圈IF與第五變形例的層疊線圈IE的不同點在于線圈導體32a、32b的線寬。具體而言，如圖10所示，層疊線圈IF的線圈導體32a、32b的線寬d6比線圈導體32c、32d的線寬dl細。
[0073]在如上述那樣構成的層疊線圈IF中，與層疊線圈IE相比，能夠減少在線圈30與外部電極40a、40b之間產生的雜散電容的產生。另外，與層疊線圈IE相同地，在層疊線圈IF中，能夠抑制設置有線圈30的部分與未設置線圈30的部分的邊界附近的層間剝離。此夕卜，層疊線圈IF中的其他的結構與層疊線圈IE相同。因此，在層疊IF中，線圈導體32a、32b的線寬以外的說明如在層疊線圈IE中的說明。
[0074](其他實施方式)
[0075]本發明所涉及的層疊線圈不限定于上述實施方式的層疊線圈，能夠在其要旨的范圍內進行變更。例如，也可以將線圈導體32b的線寬形成比線圈導體32a的線寬更細，也可以將線圈導體32c的線寬形成與線圈導體32a的線寬相同。換言之，只要位于最下側的線圈導體的線寬比位于最下側的線圈導體的上側的任一個的線圈導體的線寬細即可。另外，在一個層疊線圈內，也可以混合有通過線寬縮小截面積的線圈導體、以及通過厚度縮小線圈導體的截面積的線圈導體。換言之，也可以對上述的實施例及其變形例進行組合。并且，也可以通過對線寬以及厚度進行變更的雙方的方法縮小線圈導體的截面積。
[0076]工業上的可利用性
[0077]如以上那樣，本發明能夠在層疊線圈中加以利用，特別是在將線圈設置成偏向層疊體的上側的層疊線圈中，在能夠抑制在設置有線圈的部分與未設置線圈的部分的邊界附近產生的層間剝離這點優越。
【權利要求】
1.一種層疊線圈，其特征在于， 具備: 由在上下方向層疊多個絕緣體層而構成的層疊體；和 線圈，其被設置成偏向所述層疊體的上側，通過經由貫通所述絕緣體層的通孔導體連接線狀的多個線圈導體而構成， 所述多個線圈導體包括第一線圈導體以及第二線圈導體， 所述第二線圈導體的與該第二線圈導體的延伸方向正交的截面的截面積，比所述第一線圈導體的與該第一線圈導體的延伸方向正交的截面的截面積小， 所述多個線圈導體中位于最下側的線圈導體為所述第二線圈導體， 所述層疊體的下表面為安裝面。
2.根據權利要求1所述的層疊線圈，其特征在于， 在位于所述線圈的下部的多個線圈導體中，在上下方向相鄰的兩個線圈導體中位于下側的線圈導體的與該位于下側的線圈導體的延伸方向正交的截面的截面積為，在上下方向相鄰的兩個線圈導體中位于上側的線圈導體的與該位于上側的線圈導體的延伸方向正交的截面的截面積以下。
3.根據權利要求1所述的層疊線圈，其特征在于， 在位于所述線圈的下部的多個線圈導體中，在上下方向相鄰的兩個線圈導體中位于下側的線圈導體的與延伸方向正交的截面的截面積，比在上下方向相鄰的兩個線圈導體中位于上側的線圈導體的與延伸方向正交的截面的截面積小。
4.根據權利要求1或3所述的層疊線圈，其特征在于， 在上下方向相鄰的兩個線圈導體中位于下側的線圈導體的延伸方向正交的截面的截面積，比在上下方向相鄰的兩個線圈導體中位于上側的線圈導體的與延伸方向正交的截面的截面積小。
5.根據權利要求1?4中任一項所述的層疊線圈，其特征在于， 所述第二線圈導體的線寬比所述第一線圈導體的線寬小。
6.根據權利要求1?5中任一項所述的層疊線圈，其特征在于， 所述第二線圈導體的厚度比所述第一線圈導體的厚度薄。
【文檔編號】H01F27/28GK104347239SQ201410363799
【公開日】2015年2月11日 申請日期:2014年7月28日 優先權日:2013年7月29日
【發明者】山內浩司, 小田原充 申請人:株式會社村田制作所