量子點發光器件的制作方法及量子點發光器件與流程

本發明涉及發光器件制作領域，特別是涉及一種量子點發光器件的制作方法及量子點發光器件。

背景技術：

量子點發光器件因具有廣色域,制作成本低,發光譜線可調以及光照下穩定性好而受到廣泛關注,因此很可能取代OLED成為下一代的核心顯示器件。

其中量子點發光器件包括陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、量子點發光層、電子傳輸層(其同時具備阻擋空穴、傳輸電子以及注入電子的作用)以及陰極。

ZnO材料由于能起到較好的空穴阻擋作用，同時又與陰極具有良好的能級匹配，而常作為電子傳輸層的材料。但是其電子傳輸能力較差，從而會對相應的量子點發光器件的發光效率造成影響。

故，有必要提供一種量子點發光器件的制作方法及量子點發光器件，以解決現有技術所存在的問題。

技術實現要素：

本發明的目的在于提供一種可加強量子點發光器件的發光效率的量子點發光器件的制作方法及量子點發光器件；以解決現有的量子點發光器件的發光效率較低的技術問題。

本發明實施例提供一種量子點發光器件的制作方法，其包括：

提供一基板，在所述基板上通過濺射沉積制作陽極；

通過懸涂，霧化法或噴墨打印工藝，在所述陽極上制作空穴注入層；

通過懸涂，噴墨打印或霧化工藝，將空穴傳輸層涂布到所述空穴注入層上；

通過懸涂，噴墨打印或霧化工藝，將量子點發光層涂布到所述空穴傳輸層；

通過濺射沉積或溶液法，將IZO電子傳輸層沉積到所述量子點發光層；以及

通過熱蒸鍍工藝，在所述IZO電子傳輸層上制作陰極，以得到相應的量子點發光器件。

在本發明所述的量子點發光器件的制作方法中，所述IZO電子傳輸層中的銦摻雜比例為0.01％至20％。

在本發明所述的量子點發光器件的制作方法中，所述陽極的材料為氧化銦錫；

所述空穴注入層的材料為3,4-乙烯二氧噻吩單體的聚合物(PEDOT)；

所述空穴傳輸層的材料為三苯基二胺衍生物(TPD)、N,N’-二苯基-N,N’-(1-萘基)-1,1’-聯苯-4,4’-二胺(NPD)、聚合物三苯基二胺衍生物(poly-TPD)、4,4'-雙(9H-咔唑-9-基)聯苯(CBP)或8-羥基喹啉鋁(Alq3)；

所述量子點發光層的材料為硒化鎘；

所述陰極的材料為鎂銀合金。

在本發明所述的量子點發光器件的制作方法中，所述量子點發光層包括發光層以及保護殼層，所述發光層的材料為硒化鎘，所述保護殼層的材料為硫化鋅。

在本發明所述的量子點發光器件的制作方法中，所述發光層分散配合基為油酸、三辛基氧化膦或三辛基膦。

在本發明所述的量子點發光器件的制作方法中，所述通過懸涂，噴墨打印或霧化工藝，將量子點發光層涂布到所述空穴傳輸層的步驟之前包括：

對所述空穴傳輸層進行溶劑烘干操作，以使得所述空穴傳輸層與所述量子點發光層產生相分離。

本發明實施例還提供一種量子點發光器件，其包括依次設置的基板、陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、量子點發光層、電子傳輸層以及陰極，其中所述電子傳輸層為銦摻雜比例為0.01％至20％的IZO電子傳輸層。

在本發明所述的量子點發光器件中，所述陽極的材料為氧化銦錫；

所述空穴注入層的材料為3,4-乙烯二氧噻吩單體的聚合物(PEDOT)；

所述空穴傳輸層的材料為三苯基二胺衍生物(TPD)、N,N’-二苯基-N,N’-(1-萘基)-1,1’-聯苯-4,4’-二胺(NPD)、聚合物三苯基二胺衍生物(poly-TPD)、4,4'-雙(9H-咔唑-9-基)聯苯(CBP)或8-羥基喹啉鋁(Alq3)；

所述量子點發光層的材料為硒化鎘；

所述陰極的材料為鎂銀合金。

在本發明所述的量子點發光器件中，所述量子點發光層包括發光層以及保護殼層，所述發光層的材料為硒化鎘，所述保護殼層的材料為硫化鋅。

在本發明所述的量子點發光器件中，所述發光層分散配合基為油酸、三辛基氧化膦或三辛基膦。

相較于現有的量子點發光器件的制作方法及量子點發光器件，本發明的量子點發光器件的制作方法及量子點發光器件使用銦摻雜比例為0.01％至20％的IZO材料作為電子傳輸層，提高了量子點發光器件的發光效率；解決了現有的量子點發光器件的發光效率較低的技術問題。

為讓本發明的上述內容能更明顯易懂，下文特舉優選實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下：

附圖說明

圖1為本發明的量子點發光器件的制作方法的優選實施例的流程圖；

圖2為本發明的量子點發光器件的優選實施例的結構示意圖。

具體實施方式

以下各實施例的說明是參考附加的圖式，用以例示本發明可用以實施的特定實施例。本發明所提到的方向用語，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內」、「外」、「側面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本發明，而非用以限制本發明。

在圖中，結構相似的單元是以相同標號表示。

本發明的量子點發光器件可作為平面顯示器的顯示元件，由于該量子點發光器件具有較高的發光效率，因此可較好的提高相應的平面顯示器的畫面顯示品質。

請參照圖1，圖1為本發明的量子點發光器件的制作方法的優選實施例的流程圖。本優選實施例的量子點發光器件的制作方法包括：

步驟S101，提供一基板，在基板上通過濺射沉積制作陽極；

步驟S102，通過懸涂、霧化法或噴墨打印工藝，在陽極上制作空穴注入層；

步驟S103，通過懸涂、噴墨打印或霧化工藝，將空穴傳輸層涂布到空穴注入層上；

步驟S104，對空穴傳輸層進行溶劑烘干操作，以使得空穴傳輸層與量子點發光層產生相分離；

步驟S105，通過懸涂，噴墨打印或霧化工藝，將量子點發光層涂布到空穴傳輸層；

步驟S106，通過濺射沉積或溶液法，將IZO電子傳輸層沉積到量子點發光層；

步驟S107，通過熱蒸鍍工藝，在IZO電子傳輸層上制作陰極，以得到相應的量子點發光器件。

下面詳細說明本優選實施例的量子點發光器件的制作方法的各步驟的具體流程。

在步驟S101中，提供一基板，在基板上通過濺射沉積陽極材料來制作陽極，這里陽極材料優選為氧化銦錫(ITO)，以便從底端進行出光操作。隨后轉到步驟S102。

在步驟S102中，通過懸涂，霧化法或噴墨打印工藝，在陽極上制作空穴注入層，這里的空穴輸入層的材料優選為3,4-乙烯二氧噻吩單體的聚合物(PEDOT)。隨后轉到步驟S103。

在步驟S103中，通過懸涂、噴墨打印或霧化工藝，將空穴傳輸層涂布到空穴注入層上，這里的空穴傳輸層的材料優選為三苯基二胺衍生物(TPD)、N,N’-二苯基-N,N’-(1-萘基)-1,1’-聯苯-4,4’-二胺(NPD)、聚合物三苯基二胺衍生物(poly-TPD)、4,4'-雙(9H-咔唑-9-基)聯苯(CBP)或8-羥基喹啉鋁(Alq3)。隨后轉到步驟S104。

在步驟S104中，對空穴傳輸層進行溶劑烘干操作，以使得空穴傳輸層與量子點發光層產生相分離。由于后續需要涂布量子點發光層，這里為了使涂布后的空穴傳輸層與量子點發光層自動產生相分離，在本步驟中，先對空穴傳輸層進行溶劑烘干操作。隨后轉到步驟S105。

在步驟S105中，通過懸涂，噴墨打印或霧化工藝，將量子點發光層涂布到空穴傳輸層。這里的量子點發光層的材料優選為硒化鎘(CdSe)。具體的，量子點發光層包括發光層以及保護殼層，發光層的材料為硒化鎘，保護殼層的材料為硫化鋅(ZnS)。發光層分散配合基可為油酸、三辛基氧化膦(TOPO)或三辛基膦(TOP)等具有長碳鏈結構的分子。隨后轉到步驟S106。

在步驟S106中，通過濺射沉積或溶液法，將IZO電子傳輸層沉積到量子點發光層。這里的IZO電子傳輸層可為銦摻雜比例為0.01％至20％，即IZO電子傳輸層的銦材料和鋅材料的比例為0.01％至20％。銦摻入氧化鋅后，能多提供一個電子，從而使得量子點發光層的電子傳輸特性提高。此外摻雜后的IZO電子傳輸層的電子濃度增大，空穴經過IZO電子傳輸層時，更加容易與電子復合，提高IZO電子傳輸層的空穴阻擋能力。隨后轉到步驟S107。

在步驟S107中，通過熱蒸鍍工藝，在IZO電子傳輸層上制作陰極，以得到相應的量子點發光器件。這里的陰極材料優選為鎂銀合金。

這樣即完成了本優選實施例的量子點發光器件的制作方法的制作過程。

本優選實施例的量子點發光器件的制作方法使用銦摻雜比例為0.01％至20％的IZO材料作為電子傳輸層，提高了量子點發光器件的發光效率。

本發明還提供一種量子點發光器件，請參照圖2，圖2為本發明的量子點發光器件的優選實施例的結構示意圖。本優選實施例的量子點發光器件20包括依次設置的基板21、陽極22、空穴注入層23、空穴傳輸層24、量子點發光層25、電子傳輸層26以及陰極27。

其中陽極22的材料為氧化銦錫；

空穴注入層23的材料為3,4-乙烯二氧噻吩單體的聚合物(PEDOT)；

空穴傳輸層24的材料為三苯基二胺衍生物(TPD)、N,N’-二苯基-N,N’-(1-萘基)-1,1’-聯苯-4,4’-二胺(NPD)、聚合物三苯基二胺衍生物(poly-TPD)、4,4'-雙(9H-咔唑-9-基)聯苯(CBP)或8-羥基喹啉鋁(Alq3)；

量子點發光層25的材料為硒化鎘；

電子傳輸層26為銦摻雜比例為0.01％至20％的IZO電子傳輸層；

陰極27的材料為鎂銀合金。

其中量子點發光層26包括發光層以及保護殼層，發光層的材料為硒化鎘，保護殼層的材料為硫化鋅(ZnS)。發光層分散配合基可為油酸、三辛基氧化膦(TOPO)或三辛基膦(TOP)等具有長碳鏈結構的分子。

本優選實施例的量子點發光器件20中的IZO電子傳輸層中的銦摻雜比例為0.01％至20％，即IZO電子傳輸層的銦原子和鋅原子的數量比例為0.01％至20％。銦摻入氧化鋅后，能多提供一個電子，從而使得量子點發光層的電子傳輸特性提高。此外摻雜后的IZO電子傳輸層的電子濃度增大，空穴經過IZO電子傳輸層時，更加容易與電子復合，提高IZO電子傳輸層的空穴阻擋能力。

本優選實施例的量子點發光器件20的制作流程可參照上述量子點發光器件的制作方法的優選實施例中的相關描述。

本發明的量子點發光器件的制作方法及量子點發光器件使用銦摻雜比例為0.01％至20％的IZO材料作為電子傳輸層，提高了量子點發光器件的發光效率；解決了現有的量子點發光器件的發光效率較低的技術問題。

綜上所述，雖然本發明已以優選實施例揭露如上，但上述優選實施例并非用以限制本發明，本領域的普通技術人員，在不脫離本發明的精神和范圍內，均可作各種更動與潤飾，因此本發明的保護范圍以權利要求界定的范圍為準。