單行載流子光電二極管的收集區結構的制作方法

技術特征：

1.一種單行載流子光電二極管的收集區結構，其特征在于，所述收集區結構包括摻雜區和非摻雜區，其中，所述摻雜區靠近吸收區一側。

2.根據權利要求1所述的單行載流子光電二極管的收集區結構，其特征在于，所述摻雜區的摻雜濃度其中，d為摻雜區的摻雜濃度，最小摻雜濃度D＝1×10¹⁶/cm³，L_C為收集區的長度，L_D為摻雜區的長度。

3.根據權利要求2所述的單行載流子光電二極管的收集區結構，其特征在于，所述摻雜區的長度其中，最大摻雜濃度d_o＝1×10¹⁷/cm³。

4.根據權利要求1所述的單行載流子光電二極管的收集區結構，其特征在于，所述收集區的長度100nm≤L_C≤1μm。

5.根據權利要求1所述的單行載流子光電二極管的收集區結構，其特征在于，所述摻雜區為n型硅摻雜。

6.根據權利要求1所述的單行載流子光電二極管的收集區結構，其特征在于，所述收集區的材料為InP。

7.根據權利要求1所述的單行載流子光電二極管的收集區結構，其特征在于，所述單行載流子光電二極管包括依次相連的p型接觸層、擴散阻擋層、吸收區、收集區、以及n型接觸層。

8.根據權利要求7所述的單行載流子光電二極管的收集區結構，其特征在于，所述單行載流子光電二極管還包括過渡層以及亞接觸層，所述過渡層連接于所述吸收區和所述收集區之間，所述亞接觸層連接于所述收集區和所述n型接觸層之間。