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單行載流子光電二極管的收集區結構的制作方法

文檔序號：11136670閱讀：來源：國知局

導航： X技術> 最新專利>電氣元件制品的制造及其應用技術>單行載流子光電二極管的收集區結構的制造方法與工藝

技術總結
本發明提供一種單行載流子光電二極管的收集區結構，所述收集區結構包括摻雜區和非摻雜區，其中，所述摻雜區靠近吸收區一側。通過本發明提供的單行載流子光電二極管的收集區結構，解決了現有單行載流子光電二極管因空間電荷效應飽和電流較小的問題，進一步提升了單行載流子光電二極管的飽和電流。

技術研發人員：張戎;姚辰;符張龍;曹俊誠
受保護的技術使用者：中國科學院上海微系統與信息技術研究所
文檔號碼：201611152276
技術研發日：2016.12.14
技術公布日：2017.02.15

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