一種防頂傷倒裝led芯片的制作方法
【專利摘要】一種防頂傷倒裝LED芯片，包括：襯底、發光結構、第一絕緣層，第一N型電極、第二絕緣層、第二N型電極和P型電極，其中，第一N型電極位置錯開了芯片在封裝時第一N型電極與頂針接觸的位置，第一N型電極具有圖形化隔離，防止在封裝過程中頂針將絕緣層頂穿而導致的P、N電極導通造成的短路，提高芯片在封裝時的可靠性。
【專利說明】
一種防頂傷倒裝LED芯片
技術領域
[0001]本實用新型涉及半導體光電器件以及半導體照明制造領域，尤其是涉及一種倒裝LED芯片。
【背景技術】
[0002]LED作為新一代的固體冷光源，具有低能耗、壽命長、易控制、安全環保等特點，是理想的節能環保產品，適用各種照明場所。
[0003]傳統LED芯片一般為藍寶石襯底，散熱性能較差，容易使發生漏電、光衰嚴重、電壓高等問題，嚴重影響LED芯片的可靠性能。
[0004]倒裝LED芯片和傳統LED芯片相比，具有電流分布均勻、散熱好、電壓降低、效率高等優點。倒裝LED芯片在封裝使用過程中，芯片的正面需翻轉朝下，通過頂針直接作用在倒裝LED芯片的金屬電極上，因此，如圖1所示，頂針容易把金屬電極和絕緣層頂傷，造成倒裝LED芯片短路和漏電等冋題。
【發明內容】
[0005]有鑒于此，本實用新型提供了一種防頂傷倒裝LED芯片，以解決現有技術中頂針頂傷倒裝LED芯片的問題。
[0006]為實現上述目的，本實用新型提供如下技術方案:
[0007]—種防頂傷倒裝LED芯片，包括:
[0008]襯底；
[0009]發光結構，所述發光結構位于所述襯底表面包括:位于所述襯底表面的N型氮化鎵層，位于所述N型氮化鎵層背離所述襯底一側的有源層，位于所述有源層背離所述N型氮化鎵層一側的P型氮化鎵層，位于所述P型氮化鎵層背離所述N型氮化鎵層一側的金屬反射層；
[0010]第一絕緣層，所述第一絕緣層位于所述金屬反射層背離所述P型氮化鎵層一側；
[0011]第一N型電極，所述第一 N型電極位于所述第一絕緣層背離所述金屬反射層一側，并貫穿所述第一絕緣層和所述發光結構并延伸至所述N型氮化鎵層表面，且所述第一 N型電極不在芯片封裝時與頂針接觸的位置上；
[0012]第二絕緣層，所述第二絕緣層位于所述N型電極及所述第一絕緣層背離所述金屬反射層一側；
[0013]第二N型電極，所述第二 N型電極位于所述第二絕緣層背離所述第一絕緣層一側，貫穿所述第二絕緣層并延伸至所述第一 N型電極表面；
[0014]P型電極，所述P型電極位于所述第二絕緣層背離所述第一絕緣層一側，貫穿所述第二絕緣層、第一絕緣層和發光結構并延伸至所述P型氮化鎵層表面。
[0015]優選的，所述第一N型電極的數量大于等于2。
[0016]優選的，所述第二N型電極的數量少于等于所述第一N型電極的數量。
[0017]優選的，所述第一N型電極具有圖形化隔離。
[0018]與現有技術相比，本實用新型所提供的技術方案具有以下優點:
[0019]本實用新型提供的一種防頂傷倒裝LED芯片，第一N型電極位置錯開了芯片在封裝時第一 N型電極與頂針接觸的位置，第一 N型電極具有圖形化隔離，防止在封裝過程中頂針將絕緣層頂穿而導致的P、N電極導通造成的短路，提高芯片在封裝時的可靠性。
【附圖說明】
[0020]為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0021 ]圖1為現有技術中倒裝LED芯片的結構示意圖；
[0022]圖2為本實用新型實施例提供的一種防頂傷倒裝LED芯片的結構示意圖；
[0023]圖中，1-襯底，2-N型氮化鎵層，3-有源層，4-P型氮化鎵層，5_P型電極，6_第一絕緣層，7-N型電極，8-第二絕緣層。
【具體實施方式】
[0024]正如【背景技術】所述，現有技術中的倒裝LED芯片在封裝過程中頂針容易把金屬電極和絕緣層頂傷，造成倒裝LED芯片短路和漏電等問題。
[0025]基于此，本實用新型提供了一種防頂傷倒裝LED芯片，以克服現有技術存在的上述問題，包括:
[0026]襯底;發光結構，所述發光結構位于所述襯底表面包括:位于所述襯底表面的N型氮化鎵層，位于所述N型氮化鎵層背離所述襯底一側的有源層，位于所述有源層背離所述N型氮化鎵層一側的P型氮化鎵層，位于所述P型氮化鎵層背離所述N型氮化鎵層一側的金屬反射層;第一絕緣層，所述第一絕緣層位于所述金屬反射層背離所述P型氮化鎵層一側;第一 N型電極，所述第一 N型電極位于所述第一絕緣層背離所述金屬反射層一側，并貫穿所述第一絕緣層和所述發光結構并延伸至所述N型氮化鎵層表面，且所述第一 N型電極不在芯片封裝時與頂針接觸的位置上;第二絕緣層，所述第二絕緣層位于所述N型電極及所述第一絕緣層背離所述金屬反射層一側;第二 N型電極，所述第二 N型電極位于所述第二絕緣層背離所述第一絕緣層一側，貫穿所述第二絕緣層并延伸至所述第一 N型電極表面;P型電極，所述P型電極位于所述第二絕緣層背離所述第一絕緣層一側，貫穿所述第二絕緣層、第一絕緣層和發光結構并延伸至所述P型氮化鎵層表面。
[0027]本實用新型提供的一種防頂傷倒裝LED芯片，第一N型電極位置錯開了芯片在封裝時第一 N型電極與頂針接觸的位置，第一 N型電極具有圖形化隔離，防止在封裝過程中頂針將絕緣層頂穿而導致的P、N電極導通造成的短路，提高芯片在封裝時的可靠性。
[0028]以上是本實用新型的核心思想，為使本實用新型的上述目的、特征和優點能夠更加明顯易懂，下面結合附圖對本實用新型的【具體實施方式】做詳細的說明。
[0029]在下面的描述中闡述了很多具體細節以便于充分理解本實用新型，但是本實用新型還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來實施，本領域技術人員可以在不違背本實用新型內涵的情況下做類似推廣，因此本實用新型不受下面公開的具體實施例的限制。
[0030]其次，本實用新型結合示意圖進行詳細描述，在詳述本實用新型實施例時，為便于說明，表示器件結構的剖面圖會不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在此不應限制本實用新型保護的范圍。此外，在實際制作中應包含長度、寬度及深度的三維空間尺寸。
[0031 ]下面通過具體實施例詳細描述。
[0032]本實施例提供了一種防頂傷倒裝LED芯片，如圖2所示，包括:
[0033]襯底10;
[0034]發光結構20，發光結構20位于襯底1表面包括:位于襯底1表面的N型氮化鎵層21，位于N型氮化鎵層21背離襯底10—側的有源層22，位于有源層22背離N型氮化鎵層21 —側的P型氮化鎵層23，位于P型氮化鎵層23背離N型氮化鎵層21—側的金屬反射層23;
[0035]第一絕緣層30，第一絕緣層30位于金屬反射層24背離P型氮化鎵層23—側；
[0036]第一N型電極40，第一 N型電極40位于第一絕緣層30背離所述金屬反射層24—側，并貫穿第一絕緣層30和發光結構20并延伸至N型氮化鎵層21表面，且第一 N型電極40不在芯片封裝時與頂針接觸的位置上；
[0037]第二絕緣層50，第二絕緣層50位于第一N型電極40及第一絕緣層30背離金屬反射層24—側；
[0038]第二 N型電極61，第二 N型電極61位于第二絕緣層50背離第一絕緣層30—側，貫穿第二絕緣層50并延伸至第一 N型電極40表面；
[0039]P型電極62，P型電極62位于第二絕緣層50背離第一絕緣層30—側，貫穿第二絕緣層50、第一絕緣層30和發光結構20并延伸至P型氮化鎵層23表面。
[0040]本實施例中的第一N型電極40的數量大于等于2。其中，第二N型電極61的數量少于等于第一 N型電極40的數量。
[0041]進一步地，第一N型電極40具有圖形化隔離。
[0042]本實施例提供的一種防頂傷倒裝LED芯片，第一N型電極位置錯開了芯片在封裝時第一 N型電極與頂針接觸的位置，第一 N型電極具有圖形化隔離，防止在封裝過程中頂針將絕緣層頂穿而導致的P、N電極導通造成的短路，提高芯片在封裝時的可靠性。其中，所述發光結構包括依次形成的N型氮化鎵層、有源層、P型氮化鎵層和金屬反射層。
[0043]對所公開的實施例的上述說明，使本領域專業技術人員能夠實現或使用本實用新型。對這些實施例的多種修改對本領域的專業技術人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本實用新型的精神或范圍的情況下，在其它實施例中實現。因此，本實用新型將不會被限制于本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的范圍。
【主權項】
1.一種防頂傷倒裝LED芯片，包括: 襯底； 發光結構，所述發光結構位于所述襯底表面包括:位于所述襯底表面的N型氮化鎵層，位于所述N型氮化鎵層背離所述襯底一側的有源層，位于所述有源層背離所述N型氮化鎵層一側的P型氮化鎵層，位于所述P型氮化鎵層背離所述N型氮化鎵層一側的金屬反射層； 第一絕緣層，所述第一絕緣層位于所述金屬反射層背離所述P型氮化鎵層一側； 第一 N型電極，所述第一 N型電極位于所述第一絕緣層背離所述金屬反射層一側，并貫穿所述第一絕緣層和所述發光結構并延伸至所述N型氮化鎵層表面，且所述第一 N型電極不在芯片封裝時與頂針接觸的位置上； 第二絕緣層，所述第二絕緣層位于所述N型電極及所述第一絕緣層背離所述金屬反射層一側； 第二 N型電極，所述第二 N型電極位于所述第二絕緣層背離所述第一絕緣層一側，貫穿所述第二絕緣層并延伸至所述第一 N型電極表面； P型電極，所述P型電極位于所述第二絕緣層背離所述第一絕緣層一側，貫穿所述第二絕緣層、第一絕緣層和發光結構并延伸至所述P型氮化鎵層表面。2.根據權利要求1所述的倒裝LED芯片，其特征在于，所述第一N型電極的數量大于等于2。3.根據權利要求2所述的倒裝LED芯片，其特征在于，所述第二N型電極的數量少于等于所述第一N型電極的數量。4.根據權利要求1所述的倒裝LED芯片，其特征在于，所述第一N型電極具有圖形化隔離。
【文檔編號】H01L33/38GK205723602SQ201620583722
【公開日】2016年11月23日
【申請日】2016年6月16日
【發明人】徐亮, 何鍵云
【申請人】佛山市國星半導體技術有限公司