一種基于ncsp封裝技術的封裝裝置的制造方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種基于NCSP封裝技術的封裝裝置，它涉及CSP封裝工藝領域，鋼板表面覆蓋一層UV膜，UV膜上蒸鍍上相應面積的銅層，銅層表面蒸鍍上同等面積的鎳層，鎳層上蒸鍍銀層，銀層的上方設置有錫膏，倒裝芯片貼固在錫膏表面，銀層厚度為2.0?3.0um，三種蒸鍍層疊加在一起形成一個產品固晶區域，倒裝芯片的上部封裝有熒光膠，形成一個半成品，半成品的四周設置有一圈圓形蒸鍍銅層。它通過蒸鍍工藝來實現產品的基板，其總厚度約為60um，芯片底部焊盤與基板緊密的結合，正負級焊盤中間區域也被熒光膠所填充，從而避免了NCSP燈珠在冷熱交替環境下使用自身所產生應力而導致芯片受損，燈珠死燈現象。
【專利說明】
一種基于NCSP封裝技術的封裝裝置
技術領域
[0001]本實用新型涉及一種基于NCSP封裝技術的封裝裝置，屬于CSP封裝工藝技術領域。
【背景技術】
[0002]典型的CSP封裝技術，不再需要額外的次級基板或是導線架，直接貼合在載板上，因此業界還稱之為白光芯片，免去封裝基板后，封裝體面積進一步縮小，提高出光角度和光密度，不僅如此，還把傳統倒裝芯片封裝技術中固晶工藝所需的金錫共晶焊接變為低成本的無鉛焊錫焊接，進一步降低封裝成本;就目前封裝技術來看，完全免基板暫時不易實現，當前絕大部分企業在生產CSP產品時，多會采用帶基板的倒裝焊技術；因此，從嚴格意義上分析，市場上大部分CSP可以歸結于NCSP產品，現有的CSP封裝是基于倒裝技術而存在的，隨著LED在材料、工藝、封裝制程技術等方面的研究不斷進步，尤其是倒裝芯片的逐漸成熟與熒光粉涂覆技術的多樣化，同時為滿足應用市場對LED器件小型化需求，源于硅半導體技術的芯片級封裝技術衍生出帶基板芯片級封裝，為LED白光封裝形態帶來新選擇。
[0003]NCSP技術依靠倒裝結構的芯片，將倒裝芯片通過共晶焊技術焊接在陶瓷或柔性基板上，再將熒光粉層涂覆在作為出光窗口的藍寶石及芯片四周側壁上，形成五面發光型光源;現有的基板多采用銅材與膠材結合的形式組成，由于倒裝芯片底部焊盤面積通常為對等設計，與基板上的銅材結合是通過錫膏作為電極傳導介質，共晶時需要在260°左右環境下進行，在燈珠使用時可能會面臨高溫和低溫的環境交替，由此一來，基板上的膠材會發生熱脹冷縮的應力現象，從而推擠和拉扯基板上的銅材，繼而導致基板拉扯芯片焊盤致使芯片損傷而造成燈珠死燈。
【發明內容】
[0004]針對上述問題，本實用新型要解決的技術問題是提供一種基于NCSP封裝技術的封駐駐罟
ο
[0005]本實用新型的一種基于NCSP封裝技術的封裝裝置，它包含鋼板1、UV膜2、第一銅層
3、鎳層4、銀層5、錫膏6、倒裝芯片7、熒光膠8和圓形蒸鍍銅層9，鋼板I表面覆蓋一層UV膜2，UV膜2上蒸鍍上相應面積的銅層3，所述的銅層3的厚度為20-30um，銅層3表面蒸鍍上同等面積的鎳層4，所述的鎳層4厚度20-30um，鎳層4上蒸鍍銀層5，銀層5的上方設置有錫膏6，倒裝芯片7貼固在錫膏6表面，所述的銀層5厚度為2.0-3.0um，三種蒸鍍層疊加在一起形成一個產品固晶區域B，倒裝芯片7的上部封裝有熒光膠8，形成一個半成品，半成品的四周設置有一圈圓形蒸鍍銅層9。
[0006]作為優選，所述的銀層5面積略大于倒裝芯片7底部焊盤面積。
[0007]本新型中的NCSP的封裝裝置的制備工藝包含蒸鍍基板工藝、固晶工藝、熒光膠涂布工藝和產品切割工藝。
[0008]本實用新型的有益效果:它通過蒸鍍工藝來實現產品的基板，其總厚度約為60um，芯片底部焊盤與基板緊密的結合，正負級焊盤中間區域也被熒光膠所填充，從而避免了NCSP燈珠在冷熱交替環境下使用自身所產生應力而導致芯片受損，燈珠死燈現象。
[0009]【附圖說明】
:
[0010]為了易于說明，本實用新型由下述的具體實施及附圖作以詳細描述。
[0011 ]圖1為本實用新型中NCSP基板形態正視圖；
[0012]圖2為本實用新型中NCSP結構側視圖。
[0013]1-鋼板;2-UV膜;3-第一銅層;4-鎳層;5_銀層;6_錫膏；7_倒裝芯片；8-熒光膠;9-圓形蒸鍍銅層。
[0014]【具體實施方式】:
[0015]如圖1-2所示，本【具體實施方式】采用以下技術方案:它包含鋼板1、UV膜2、第一銅層
3、鎳層4、銀層5、錫膏6、倒裝芯片7、熒光膠8和圓形蒸鍍銅層9，鋼板I表面覆蓋一層UV膜2，UV膜2上蒸鍍上相應面積的銅層3，所述的銅層3的厚度為20-30um，銅層3表面蒸鍍上同等面積的鎳層4，所述的鎳層4厚度20-30um，鎳層4上蒸鍍銀層5，銀層5的上方設置有錫膏6，倒裝芯片7貼固在錫膏6表面，所述的銀層5厚度為2.0-3.0um，三種蒸鍍層疊加在一起形成一個產品固晶區域B，倒裝芯片7的上部封裝有熒光膠8，形成一個半成品，半成品的四周設置有一圈圓形蒸鍍銅層9。
[0016]作為優選，所述的銀層5面積略大于倒裝芯片7底部焊盤面積。
[0017]本【具體實施方式】中的NCSP的封裝裝置的制備工藝包含蒸鍍基板工藝、固晶工藝、熒光膠涂布工藝和產品切割工藝。
[0018]本【具體實施方式】的制備原理為:蒸鍍基板工藝是利用0.1-0.2mmm厚度鋼板I作為基板載體，表面覆蓋一層UV膜2，根據倒裝芯片7焊盤的面積大小使用蒸鍍工藝在UV膜2上蒸鍍上相應面積的銅層3，銅層3厚度控制在20-30um，然后在銅層3表面蒸鍍上同等面積的鎳層4，鎳層4厚度20-30um，最后在鎳層4上蒸鍍銀層5，其銀層5面積略大于倒裝芯片7底部焊盤面積，厚度2.0-3.0um，三種蒸鍍層疊加在一起形成一個產品固晶區域B，由此區域面積所延伸形成的CSP產品外形進行陣列蒸鍍排布，產品與產品接合處蒸鍍切割定位圓銅層9;所述的固晶工藝是使用錫膏印刷機在基板銀層5上進行刷錫作業，然后使用固晶機將倒裝芯片7貼固在錫膏6表面，最后使用共晶爐設備進行共晶作業，讓倒裝芯片7與基板銀層5很好焊接起來，起到導電和散熱作用;所述的熒光膠涂布工藝是將固晶完畢的基板放置在熒光膠制模機上，通過調配好熒光膠8成份，將其注入到模具型腔中，最后利用模機工藝將熒光膠涂布在基板上;所述的產品切割工藝是將涂布完成的連片半成品上的鋼板I從UV膜上2撕下來，然后將半成品放置在切割機上，通過切割定位圓形蒸鍍銅層9標示將連片半成品切割成單體NCSP產品，最后再通過UV解膠方式將UV膜2去除來得到最終形態的NCSP產品。
[0019]以上顯示和描述了本實用新型的基本原理和主要特征和本實用新型的優點。本行業的技術人員應該了解，本實用新型不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是說明本實用新型的原理，在不脫離本實用新型精神和范圍的前提下，本實用新型還會有各種變化和改進，這些變化和改進都落入要求保護的本實用新型范圍內。本實用新型要求保護范圍由所附的權利要求書及其等效物界定。
【主權項】
1.一種基于NCSP封裝技術的封裝裝置，其特征在于:它包含鋼板(I)、UV膜(2)、第一銅層(3)、鎳層(4)、銀層(5)、錫膏(6)、倒裝芯片(7)、熒光膠(8)和圓形蒸鍍銅層(9)，鋼板(I)表面覆蓋一層UV膜(2)，UV膜(2)上蒸鍍上相應面積的銅層(3)，所述的銅層(3)的厚度為20-30um，銅層(3)表面蒸鍍上同等面積的鎳層(4)，所述的鎳層(4)厚度20-30um，鎳層(4)上蒸鍍銀層(5)，銀層(5)的上方設置有錫膏(6)，倒裝芯片(7)貼固在錫膏(6)表面，所述的銀層(5)厚度為2.0-3.0um，三種蒸鍍層疊加在一起形成一個產品固晶區域(B)，倒裝芯片(7)的上部封裝有熒光膠(8)，形成一個半成品，半成品的四周設置有一圈圓形蒸鍍銅層(9)。2.根據權利要求1所述的一種基于NCSP封裝技術的封裝裝置，其特征在于:所述的銀層(5)面積略大于倒裝芯片(7)底部焊盤面積。
【文檔編號】H01L33/48GK205723615SQ201620593650
【公開日】2016年11月23日
【申請日】2016年6月17日
【發明人】李俊東, 張仲元, 張鐘文, 柳歡, 王鵬輝
【申請人】深圳市斯邁得半導體有限公司