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半導體器件的制作方法

文檔序號：12680885閱讀：來源：國知局

導航： X技術> 最新專利>電氣元件制品的制造及其應用技術>半導體器件的制作方法與工藝

技術總結
一種半導體器件，具有在襯底上隔著柵極絕緣膜(GI)而形成的柵電極(GE)、和形成在襯底上的源極?漏極用的半導體層(EP1)。半導體層(EP1)的上表面處于比柵電極(GE)的正下方的襯底的上表面高的位置上。而且，柵電極(GE)的柵長方向上的端部位于半導體層(EP1)上。

技術研發人員：山本芳樹;槙山秀樹;角村貴昭;巖松俊明
受保護的技術使用者：瑞薩電子株式會社
文檔號碼：201710147384
技術研發日：2012.05.18
技術公布日：2017.06.13

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