一種高速直流電子保險電路的制作方法

本發明用于直流電器設備的短路、過電流保護,具體涉一種高速直流電子保護電路。

背景技術：

目前,以前市電開關常見的是配有熔斷器,其實熔斷器的熔斷過程就是一個熱量積累的過程。當電路電流達到熔斷器的熔斷電流或者超過熔斷電流,熔斷器就迅速熔斷從而保護設備不會出現更大問題，如果過電流的時間足夠短,達不到熔斷絲的熔斷溫度，熔斷器是不會熔斷的,因為熔斷器的分散性較大不能快速熔斷常常對電器設備造成更大面積的損壞,因此可靠性就略顯不足。

技術實現要素：

本發明所解決的技術問題在于提供一種高速直流電子保險電路，以解決上述背景技術缺點。

本發明所解決的技術問題采用以下技術方案來實現:該直流高速電子保險電路,包括啟動電路(1)、過流保護電路(2)構成,所述啟動電路(1)與過流保護電路(2)電氣連接。

所述的一種直流高速電子保險電路,其特征在于：所述的啟動電路(1)由R1、R2、R3、C1、IC1組成。

所述的一種直流高速電子保險電路,其特征在于：所述的過流保護電路(2)由BT1、BG1,R4組成。

所述的一種直流高速電子保險電路,其特征在于：所述的電源正極VCC與R1、C1、R3、單向可控硅

BT1的陽極A、IGBT模塊BG1的集電極相連,所述并連電路R、1C1的下端與光電耦合器IC1的輸入端陽極相連,光電耦合器IC1的輸入端陰極與R2的上端相連,所述電源負極VSS與R2的下端相連,所電阻R3的下端與光電耦合器C1的集電極相連,光電耦合器IC1的發射極與單向可控硅BT1的觸發極G相連,所述串連電路BT1、R4的中間端與IGBT模塊BG1的基極相連,所述IGBT模塊BG1的發射極與R4的另一端相連。

所述的一種直流高速電子保險電路,其特征在于所述的光電耦合器IC1的型號采用PC817。

所述的一種直流高速電子保險電路,其特征在于所述的單向可控硅BT1的型號采用50RIA120。

所述的一種直流高速電子保險電路,其特征在于所述的IGBT模塊BG1的型號采用G40N150D。

有益效果是,本發明通過改變取樣電阻R4的阻值可實現對不同功率的負載設備使用,同時,本發明具有結構簡單,成本低廉,功率大,響應速度快和實用方便。

附圖說明

圖1為本發明的原理框圖。

圖2為本發明的電路原理圖。

具體實施方式

為使本發明實現的技術手段、創作特征、達成目地與功能易于明白了解,下面結合具體圖示,進一步闡述本發明。

參見圖1,該直流高速電子保險電路,包括啟動電路(1)、過流保護電路(2)構成,所述啟動電路(1)與過流保護電路(2)電氣連接。

所述的啟動電路(1)由R1、R2、R3、C1、IC1組成。

所述的過流保護電路(2)由BT1、BG1,R4組成。

參見圖2,所述的一種直流高速電子保險電路,其特征在于：所述的電源正極VCC與R1、C1、R3、單向可控硅BT1的陽極A、IGBT模塊BG1的集電極相連,所述并連電路R、1C1的下端與光電耦合器IC1的輸入端陽極相連,光電耦合器IC1的輸入端陰極與R2的上端相連,所述電源負極VSS與R2的下端相連,所電阻R3的下端與光電耦合器C1的集電極相連,光電耦合器IC1的發射極與單向可控硅BT1的觸發極G相連,所述串連電路BT1、R4的中間端與IGBT模塊BG1的基極相連,所述IGBT模塊BG1的發射極與R4的另一端相連。

上電時,電流通過C1經光電耦合器IC1輸入端發光二極管的陽極經電阻R2接地形成電流回路對電容C1進行充電,光電耦合器IC1輸出端集電極與發射極導通,所述電源正極VCC經電阻R3、光電耦合器對單向可控硅模BT1的觸發極G提供觸發電流使單向可控硅模BT1經取樣電阻向負載提供工作電源。當負載出現短路或過電流時取樣電阻兩端迅速產生電壓差導至IGBT模塊BG1導通,此時過載電流經過IGBT模塊BG1向負載提供電源,此時單向可控硅模BT1因失去觸發電壓而截止同時IGBT模塊BG1的基極失壓而截止關斷輸出電壓完成整過電流保護過程,達到保護設備的安全。

以上顯示和描述了本發明的基本原理和主要特征及本發明的優點，本行業的技術人員應該了解，本發明不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是說明本發明的原理，在不脫離本發明精神和范圍下，本發明還會有各種變化和改進，這些變化和改進都落入要求保護的發明范圍內，本發明要求保護范圍由所附的權利要求書及其等效物界定。