本申請涉及半導體，特別是涉及一種存儲單元結構與存儲器件。
背景技術：
1、存儲器件是計算機系統中用于存放數據的關鍵部分。存儲器件包括動態隨機存取存儲器（dram）和靜態隨機存取存儲器（sram）等。
2、現有的靜態隨機存取存儲器件包括多個存儲單元結構，為了提高存儲單元的存儲速度和功耗，對于存儲單元的版圖設計是必不可少的。但是現有的版圖設計中，要提高存儲單元的性能，存儲單元的面積就會因此增大。
3、基于此，如何在不增加存儲單元結構面積的同時，提高存儲單元的性能成為了本領域技術人員亟需解決的技術問題。
技術實現思路
1、基于此，有必要針對如何在不增加存儲單元結構面積的同時，提高存儲單元的性能，提供一種存儲單元結構與存儲器件。
2、為了實現上述目的，一方面，本發明提供了一種存儲單元結構，包括：
3、襯底，所述襯底包括在第一方向上依次設置的第一有源區以及第二有源區；且在所述第一方向上，所述第一有源區與所述第二有源區在平行于第二方向的投影線上的正投影部分交疊；所述第一方向與所述第二方向平行于所述襯底所在平面，且所述第一方向與所述第二方向垂直；
4、位于所述襯底一側且沿所述第二方向排布的第一柵極以及第二柵極；
5、所述第一柵極包括在所述第一方向上相互連接的第一子柵極與第二子柵極；所述第一子柵極在所述第一方向上延伸，且沿所述第一方向穿越所述第一有源區，所述第二子柵極包括第一端部以及第二端部，所述第一端部連接所述第一子柵極，所述第一端部在所述投影線上的正投影與所述第二有源區在所述投影線上的正投影部分交疊，所述第二端部在所述投影線上的正投影與所述第二有源區在所述投影線上的正投影間隔設置；所述第二柵極沿所述第一方向穿越所述第二有源區；第一共享接觸結構沿所述第二方向延伸，所述第一共享接觸結構連接所述第二端部，且連接所述第二子柵極與所述第二柵極之間的所述第二有源區。
6、在其中一個實施例中，在所述第二方向上，所述第二端部與所述第二有源區具有第一間距，所述第二子柵極靠近所述第二有源區的一側設置有第一側墻；
7、在所述第二方向上，所述第一間距的長度大于或等于所述第一側墻的寬度。
8、在其中一個實施例中，所述第二柵極與所述第二端部之間的所述第二有源區設置有第一重摻雜區，所述第一重摻雜區在所述第二方向上延伸至所述第二有源區的端部。
9、在其中一個實施例中，所述存儲單元結構還包括：
10、第三有源區，所述第三有源區位于所述第二有源區遠離所述第一有源區的一側，所述第三有源區在所述投影線上的正投影至少覆蓋所述第一有源區在所述投影線上的正投影以及所述第二有源區在所述投影線上的正投影；
11、所述第二柵極在所述第一方向上延伸，且穿越所述第三有源區。
12、在其中一個實施例中，所述存儲單元結構還包括：
13、第三柵極，所述第三柵極穿越所述第三有源區，且所述第三柵極在所述投影線上的正投影與所述第一子柵極在所述投影線上的正投影重疊。
14、在其中一個實施例中，所述第二柵極包括在所述第一方向上相互連接的第三子柵極與第四子柵極；所述第三子柵極在所述第一方向上延伸，且沿所述第一方向穿越所述第二有源區，所述第四子柵極包括第三端部以及第四端部，所述第三端部連接所述第三子柵極，所述第三端部在所述投影線上的正投影與所述第一有源區在所述投影線上的正投影部分交疊，所述第四端部在所述投影線上的正投影與所述第一有源區在所述投影線上的正投影間隔設置；
15、第二共享接觸結構沿所述第二方向延伸，所述第二共享接觸結構連接所述第四端部，且連接所述第四子柵極與所述第一子柵極之間的所述第一有源區。
16、在其中一個實施例中，在所述第二方向上，所述第四子柵極與所述第一有源區具有第二間距，所述第四端部靠近所述第一有源區的一側設置有第二側墻，在所述第二方向上，所述第二間距的長度大于或等于所述第二側墻的寬度。
17、在其中一個實施例中，所述第四子柵極與所述第四端部之間的所述第一有源區設置有第二重摻雜區，所述第二重摻雜區在所述第二方向上延伸至所述第一有源區的端部。
18、在其中一個實施例中，所述存儲單元結構還包括：
19、第四有源區，所述第四有源區位于所述第一有源區遠離所述第二有源區的一側，所述第四有源區在所述投影線上的正投影至少覆蓋所述第一有源區在所述投影線上的正投影以及所述第二有源區在所述投影線上的正投影；
20、所述第一柵極在所述第一方向上延伸，且穿越所述第四有源區；
21、第四柵極，所述第四柵極穿越所述第四有源區，且所述第四柵極在所述投影線上的正投影與所述第三子柵極在所述投影線上的正投影重疊。
22、另一方面，本申請還提供了一種存儲器件，所述存儲器件包括至少一個上述任一所述的存儲單元結構。
23、與現有技術相比，上述技術方案具有以下優點：
24、本申請的存儲單元結構包括襯底，襯底包括第一有源區以及第二有源區；在第一方向上，第一有源區與第二有源區交錯設置；位于襯底一側且沿第二方向排布的第一柵極以及第二柵極。第一柵極包括在第一方向上相互連接的第一子柵極與第二子柵極；第一子柵極沿第一方向穿越第一有源區，第二子柵極包括第一端部以及第二端部，第一端部連接第一子柵極。
25、由于第一端部在投影線上的正投影與第二有源區在投影線上的正投影部分交疊，第二端部在投影線上的正投影與第二有源區在投影線上的正投影間隔設置，所以使得第二子柵極可以傾斜設置于第一有源區和第二有源區的交錯空位部分。第一共享接觸結構沿第二方向延伸，且第一共享接觸結構連接第二端部，且連接第二子柵極與第二柵極之間的第二有源區。
26、本申請中，由于第二子柵極的第二端部與第二有源區之間間隔設置，在設置第一共享接觸結構時，可以增加第一共享接觸結構的長度，這不僅降低了第一共享接觸結構的接觸電阻，還增加了第一共享接觸結構位置偏移的容忍度，進一步提高了存儲單元的性能。另外，由于第二子柵極在第一有源區和第二有源區的交錯空位部分傾斜設置，不會增加存儲單元的面積，有利于存儲單元結構的小型化。
1.一種存儲單元結構，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的存儲單元結構，其特征在于，在所述第二方向上，所述第二端部與所述第二有源區具有第一間距，所述第二子柵極靠近所述第二有源區的一側設置有第一側墻；
3.根據權利要求1所述的存儲單元結構，其特征在于，所述第二柵極與所述第二端部之間的所述第二有源區設置有第一重摻雜區，所述第一重摻雜區在所述第二方向上延伸至所述第二有源區的端部。
4.根據權利要求1所述的存儲單元結構，其特征在于，所述存儲單元結構還包括：
5.根據權利要求4所述的存儲單元結構，其特征在于，所述存儲單元結構還包括：
6.根據權利要求1所述的存儲單元結構，其特征在于，所述第二柵極包括在所述第一方向上相互連接的第三子柵極與第四子柵極；所述第三子柵極在所述第一方向上延伸，且沿所述第一方向穿越所述第二有源區，所述第四子柵極包括第三端部以及第四端部，所述第三端部連接所述第三子柵極，所述第三端部在所述投影線上的正投影與所述第一有源區在所述投影線上的正投影部分交疊，所述第四端部在所述投影線上的正投影與所述第一有源區在所述投影線上的正投影間隔設置；
7.根據權利要求6所述的存儲單元結構，其特征在于，在所述第二方向上，所述第四子柵極與所述第一有源區具有第二間距，所述第四端部靠近所述第一有源區的一側設置有第二側墻，在所述第二方向上，所述第二間距的長度大于或等于所述第二側墻的寬度。
8.根據權利要求6所述的存儲單元結構，其特征在于，所述第四子柵極與所述第四端部之間的所述第一有源區設置有第二重摻雜區，所述第二重摻雜區在所述第二方向上延伸至所述第一有源區的端部。
9.根據權利要求8所述的存儲單元結構，其特征在于，所述存儲單元結構還包括：
10.一種存儲器件，其特征在于，所述存儲器件包括至少一個權利要求1-9任一項所述的存儲單元結構。