多層布線結構及其制造方法

專利名稱：：多層布線結構及其制造方法
技術領域：
：本發明基本上涉及制造多層布線結構的方法，特別涉及制造這樣的多層布線結構的方法，在所述多層布線結構中，上金屬電極和下金屬電極通過通孔彼此連接。本發明還涉及印刷板、陶資基片、平板顯示器、制造多層布線印刷版的方法、制造多層布線陶瓷基片的方法和制造用于平板顯示器的驅動電路的方法。本發明進一步涉及多層布線結構、包含該結構的元件基片、使
背景技術：
：多層布線結構廣泛應用于印刷板和具有層壓陶瓷綠片的陶瓷基片。當制造布線結構時，使用將下金屬布線元件和上金屬布線元件通過通孔而連接的技術，所述的下金屬布線元件和上金屬布線元件被夾層絕緣層隔開。尤其是，在近年來并且仍在持續，用來連接下金屬布線元件和上金屬布線元件通過通孔而連接的技術，因在印刷布線板和陶瓷基片上有更高密度的安裝件的需求不斷增長，而且連同朝向更高集成度和更高速的LSI發展的趨勢，正在吸引人們的興趣。果通孔的直徑為幾百個nm,則可以用絲網印刷法，利用導電焊膏將通孔容易地填充。但是，如果通孔的直徑像大約lOOpm那樣小，則通孔中的空氣不能完全被導電焊膏去除，所以不希望的氣泡和空隙留在導電焊膏填充的通孔中。結果，通孔的接觸電阻增大，這降低了輸出信號和頻率特性。接觸電阻增大，降低了印刷板和陶瓷基片的長期可靠性。專利件1,題為"印刷布線板的制造方法"(MANUFACTURINGMETHODOFPRINTEDWIRINGBOARD),公開了填充小通孔的方法。根據專利文件1公開的方法，參照圖16,使用帶有直徑大于通孔50直徑的噴射孔44的絲網掩膜17,以導電焊膏15填充通孔50。然后，導電焊膏15加熱固化，同時基片51以l-100Hz振動。在固化導電焊膏15過程中，通孔50中的氣泡和空隙被振動排出，并且清空的空間以導電焊膏15填充。因此，既沒有氣孔也沒有氣隙留在通孔50內。但是，當通孔50直徑更小時，使用了具有更高粘性的導電焊膏15。由于粘性增大，所以通過振動去除氣泡和氣隙變得困難和不完全。在專利文件1圖示的一種實施例中，該方法用來以粘性為1000-3000Pas的導電焊膏(Ag焊膏)15來填充直徑為100jim的通孔50。似乎該方法不能用來填充直徑小于lOOpm的通孔。該方法的另一個問題在于，需要特殊的加熱爐來產生l-100Hz的振動。另一種填充小通孔的方法在專利文件2中公開，該專利文件題為絲網印刷方法以及制造層壓陶瓷電子部件的方法(SCREENPRINTINGMETHODANDMETHODFORMANUFACTURINGLAMINATEDCERAMICELECTRONICPART)。根據專利文件2公開的方法，參照圖17，兩個具有不同沖角(attachangle)的刮板布置在移動方向上。在所述兩個刮板在待印刷表面上朝向相同方向移動的同時，同時實施印刷上金屬電極的過程和填充通孔的過程。由于布置在移動方向上游的刮板的沖角相對較大，所以可以形成上電極，而不出現模糊(blur)。另一方面，由于布置在移動方向下游的刮板的沖角相對較小，所以可以有效填充通孔。但是，用來填充通孔的刮板布置在移動方向下游。使用小沖角的刮板來填充通孔是本領域熟知的。因此，似乎使用專利文件2的方法，難于填充小于傳統通孔的通孔。專利文件2的方法的主要優勢在于，在印刷上電極也沒有模糊的同時，可以填充與傳統通孔大約相同尺寸的通孔。專利文件3公開了通過小通孔連接上金屬布線元件和下金屬布線元件的方法。根據專利文件3，參照圖18A-18E，導電焊膏制成的柱狀導體46形成在下金屬布線元件45上。然后，用絕緣層47覆蓋下金屬布線元件45和柱狀導體46。絕緣層47的表面以機械拋光法拋光，直到柱狀導體46的頭部露出。然后上金屬布線元件49形成在拋光的絕緣層47上，所以下金屬布線元件45和上金屬布線元件49彼此連接。專利文件3的方法并不內在地具有關于留在通孔中的氣泡和空隙的問題，因為用柱狀導體46來代替被導電焊膏填充的通孔。形成在印刷布線板和陶瓷上的電路包括各種電容、電感、電阻和LSI。用來將電容嵌入所述板的技術正在？)起人們的注意，因為存在更高信號速度和更高安裝密度的需求。根據熟知的方法，通過施加介電焊膏，然后用上下電極將絕緣焊膏夾住，可以形成內電容。但是，用這種方法形成的電容占據相對較大的面積，而且即使通孔的尺寸減小，也有礙在板上提供高密度安裝，為此，需要更小的內電容。形成小內電容的方法在專利文件4中公開。根據專利文件4的方法，用于電容焊膏的孔和用于噴鍍(plating)柱的孔形成在下金屬布線元件上。然后，用于電容焊膏的孔用絲網印刷法以電容焊膏填充，然后，通過噴鍍將噴鍍柱形成在另一個孔中。此后，去除光阻材料，電容焊膏和噴鍍柱被絕緣樹脂制成的夾層所覆蓋。絕緣樹脂夾層的表面用拋光輪(buff)等以機械拋光法拋光，從而露出電容焊膏和噴鍍柱的頭部。然后，上金屬布線元件形成在電容焊膏和噴鍍柱上。于是，形成了帶內電容的多層布線結構，且上下金屬布線元件通過通孔而連接。專利文件1公開的方法利用了專利文件3公開的方法，且使用包含合適相對介電常數的填料的電容焊膏，可以形成小內電容。專利文件3和4公開的方法的通病在于，在用來露出柱狀導體46(電容焊膏和噴鍍柱)的頭部的拋光過程中，會產生粉塵，且如果沉積在柱狀導體46(電容焊膏和噴鍍柱)和上金屬布線元件49之間的話，所述粉塵可能導致接觸失效。因此，在機械拋光過程之后增加了清潔過程，使得制造過程更為復雜。而且，拋光機和清潔機增加了制造設備的成本。另外，需要更大的生產空間，因為拋光機和清潔機需要從其他工作工件隔離，以防止粉塵飛濺。至于專利文件4公開的方法，如果氣泡和空隙存在于夾層絕緣樹脂和電容焊膏之間，則內電容的可靠性降低。從上述說明中可以看出，在制造具有多層布線結構的印刷板和陶瓷基片過程中，填充小通孔是個巨大的挑戰。例如包括液晶顯示設備、EL設備和電焚光設備的平板顯示器使用具有相對松散DR的多層布線結構。因為對于平板顯示器來說，更高的解析度(defmation)、更快的響應以及更低的成本是重要的，所以需要以低成本制造活性矩陣驅動電路的技術。已經利用諸如影印法和干法蝕刻的LSI生產技術制造出了活性矩陣驅動電路。但是，金屬布線寬度DR和通孔約為10-100pm,且LSI生產技術是過高的技術規格(overspecification)。為此，印刷技術，特別是用絲網印刷法的布線過程，正在作為低成本生產方法吸引人們的興趣。在印刷布線板和陶瓷基片生產中，已經將絲網印刷法付諸實踐。用在大量生產層面，用導電焊膏獲得的最小線寬為30-50pm,而在研究層面，獲得最小線寬是10-3(^m。希望通過實施這種絲網印刷法來實現活性矩陣驅動電路的金屬布線，從而生產活性矩陣驅動電路。但是，活性矩陣驅動電路還具有多層布線結構，且幾乎沒有在夾層絕緣膜上印刷直徑像大約50-100iim那樣小的通孔的技術。因此，激光鉆孔和影印法和干法蝕刻主要用于研究和開發。而且，用來以導電坪膏填充50-100(im的孔的技術尚未像印刷布線板和陶瓷基片那樣建立起來。絲網印刷法使用帶乳膠圖案的絲網掩膜來印刷通孔。形成在絲網掩膜上且相應于通孔的乳膠圖案是隔離的圖案。例如，在乳膠圖案中，大約只有一個直徑為50nm的節點形成在380-590網眼的絲網掩膜上，用于高解析度印刷。因此，乳膠圖案較之傳統絲網掩膜而言更容易脫落。由于在生產絲網掩膜過程中，乳膠圖案可能脫落，所以難于生產無缺陷的絲網掩膜。即使能生產無缺陷的絲網掩膜，形成在其上的乳膠圖案在印刷過程中也溶液脫落。于是，絲網掩膜的壽命較之傳統絲網掩膜而言更短。可以看出，在生產平板顯示器生產過程中，在以絲網印刷法形成活性矩陣驅動電路時，制造無缺陷并且長壽命的用于形成通孔的絲網掩膜以及以導電焊膏完全填充小通孔是巨大的技術難題。近年來，使用有機半導體的TFT(有機TFT)作為平板顯示器活性矩陣驅動電路的開關元件，已經開始吸引人們的注意。盡管結晶有機半導體，諸如并五苯具有高遷移性(mobility)且在高速驅動方面富有前景，但是結晶有機半導體的劣勢在于，生產大尺寸且均勻的半導體很難，因為要使用真空沉積；而且還在于，所述半導體容易氧化，因為其離子化電勢相對較低。另一方面，聚噻吩、聚對苯乙烯(polyphenylenevinylene)以及聚芴等是用于平板顯示器的合適材料，因為這些材料能溶于有機溶劑中，因此可以適用旋轉涂覆法或噴墨法來沉積，所述旋轉涂覆法和噴墨法可以產生大尺寸和均勻的半導體。尤其是，三芳基胺聚合物比其他材料更容易溶解，因此在用于旋轉涂覆法和噴墨法使用的溶液中的時候，容易調節。而且，三芳基胺聚合物不容易氧化，因為其相對高的離子化電勢，因此長期可靠性高。為此，已經加強了對三芳基胺聚合物開發的研究。但是，由于上述能溶于有機溶劑中的有機半導體材料容易溶解在影印法過程中的顯影劑和去除劑中，所以難于以影印法處理這種有機半導體。另外，在用夾層絕緣膜覆蓋有機半導體后，顯影劑和去除劑可能滲透穿過有機半導體和夾層絕緣膜的界面，并且在形成通孔和像素電極的過程中，溶解有機半導體。因此，優選避免使用影印法。于是，特別需要在覆蓋有機半導體的夾層絕緣膜上印刷直徑約為50-100)im的通孔的技術，用來生產包括有機TFT的平板顯示器，但是正如以上所述，幾乎不存在這種技術。度，因此容易被加熱和等離子所損壞。另外，如果用激光鉆孔和干法蝕刻來在夾層絕緣膜上形成通孔，則有機TFTIon/Ioff以及遷移性將會降低。因此，考慮到有機TFT開關性能，也強烈希望有用于在夾層絕緣膜上印刷通孔的技術。在形成像素電極過程中，也優選通過印刷法而不是影印法來以導電材料填充直徑50-100(im的通孔，但是正如以上所述，這種技術尚未建立起來。保持指示的平板顯示器中，與TFT并聯提供了用來積累電荷的電容。因此，強烈需求將小電容嵌入活性矩陣驅動電路的方法。由于電子紙張需要輕、薄、剛性、記憶特性，所以厚度為0.1-0.2mm的膜基片代替玻璃基片，用作平板顯示器的活性矩陣驅動電路的基片。另外，具有記憶特性的顯示元件也用于平板顯示器中。在加熱過程中，所述膜基片顯著地收縮。因此，如果用干法蝕刻形成TFT,則在焙燒防腐劑(resist)和形成膜的過程中加熱時，所述基片收縮，導致上下層之間不對齊。尤其是，如果大尺寸基片用在活性矩陣驅動電路中，則在基片附近，在上下層之間引起較大的對齊誤差。在最差的情況下，通孔被帶離與TFT和像素電極的接觸，而無法將TFT與像素電極連接，導致產生缺陷位(bit)。因此，使用膜基片的平板顯示器(電子紙張)不能具有像使用玻璃基片的平板顯示器那樣多的像素。專利文件5，題為"FORMATIONOFINTERLAYERINSULATINGFILMINMULTILAYERINTERCONNECTION"涉及相同的放大傳感器的接觸孔。根據專利文件5公開的方法，以絲網印刷法形成夾層絕緣膜，且其中形成接觸孔。然后，形成上電極來填充接觸孔。由于以絲網印刷法形成夾層絕緣膜，所以可以形成具有較大平面的夾層絕緣膜。因此，可以防止形成在夾層絕緣膜上的上電極發生斷路。<專利文件1>日本專利7^開No.2001-274547<專利文件2>日本專利公開No.2003-48303<專利文件3>日本專利公開No.11-87925<專利文件4>日本專利公開No.9-11624<專利文件5>日本專利7>開No.61-13646如上所述，相關領域生產多層布線結構的方法存在的問題在于，如果通孔的直徑像100pm那樣小，則不能用導電焊膏將通孔內的空氣完全去除，所以不希望的氣泡和空隙留在填充的通孔中。另一個問題在于，當通孔直徑更小時，使用了更高粘性的導電焊膏，導致通過振動去除氣泡和空隙更為困難和不完全。使用小沖角刮板來填充通孔是本領域所熟知的，但是似乎燕語用專利文件2的方法來填充比傳統通孔更小的通孔。根據某些方法，在機械拋光過程后增加了清潔過程，這使得制造過程更為復雜。而且，拋光機和清潔機增大了制造設備的成本。另外，需要更大的生產空間，因為拋光機和清潔機需要從其他工作空間隔離，以防止粉塵飛濺。優選包括有機TFT的平板顯示器的制造方法在以夾層絕緣膜覆蓋有機半導體之后，避免使用影印法，因為有機半導體材料容易溶解在影印法過程中使用的顯影劑和去除劑中。因此，參照圖19A和19B1-19B2,在覆蓋半導體的夾層絕緣膜23上印刷直徑為50-100iim的通孔的技術和用印刷法以導電材料填充通孔的技術是重要的。但是現在幾乎沒有可用的這些方法，并且難于生產圖像質量高的平板顯示器。對于目前，僅實施了用某些材料來實驗性地生產顯示器。有機半導體材料具有較低的玻璃轉變溫度，因此容易被熱量和等離子破壞。另外，如果以激光鉆孔和干法蝕刻在夾層絕緣膜上形成通孔，則有機TFT的開關性能降低。
發明內容本發明解決了至少一個上述問題。根據本發明的一個方面，提供了帶更小通孔的多層布線結構的制造方法，所述布線結構中幾乎沒有留下空隙。根據本發明的另一個方面，提供了以低成本制造多層布線結構的方法。根據本發明進一步的方面，提供了具有接觸電阻良好的小通孔的多層布線結構的制造方法。根據本發明另一個方面，提供了印刷板或陶瓷基片，其包括具有接觸電阻良好的小通孔的多層布線結構。根據本發明的另一個方面，提供了包括圖像質量高的有機TFT的平板顯示器。根據本發明的另一個方面，提供了包括圖像質量高的有機TFT的平板顯示器的制造方法。根據本發明的另一個方面，提供了包括圖像質量高且具有記憶特性的有機TFT的平板顯示器。根據本發明的另一個方面，提供了包括圖像質量高且具有記憶特性的有機TFT的平板顯示器的制造方法。根據本發明的另一個方面，提供了多層布線結構的制造方法，該方法包括在第一金屬布線元件上形成通孔柱的步驟；使用非噴射區域略大于通孔柱頭部的絲網掩膜，在第一金屬布線元件上印刷夾層絕緣膜的步驟，使得夾層絕緣膜的上表面位于低于通孔柱頭部的高度，同時非噴射區域基本上與通孔柱的頭部對齊；固化夾層絕緣膜的步驟；在夾層絕緣膜上形成第二金屬布線元件的步驟，所述第二金屬布線元件與通孔柱接觸，使得第一金屬布線元件和第二金屬布線元件通過通孔而連接。因此，可以容易地形成比相關領域的方法形成的通孔更小的通孔，尤其是直徑為100(im或者更小的通孔。由于印刷夾層絕緣膜，使其上表面位于低于通孔柱頭部的高度，所以通孔柱向外延伸超過夾層絕緣膜的表面，而不會被夾層絕緣膜完全覆蓋。因此，僅通過在通孔柱上直接形成第二金屬布線元件，就實現了良好的接觸電阻。可以用非噴射區域略大于通孔柱頭部的絲網掩膜，以絕緣焊膏印刷夾層絕緣膜，同時非噴射區域基本上與通孔柱的頭部對齊。因此，可以在鋪平絕緣焊膏的同時，通過適當控制絕緣焊膏的粘性，填充通孔柱和絕緣焊膏之間的氣隙。即使在鋪平絕緣焊膏之后，小空隙留在通孔柱和夾層絕緣膜之間，由于小空隙存在于夾層絕緣膜的表面上，所以能在印刷第二金屬布線元件的過程中，容易地用導電焊膏將這些小空隙填充。因此，較之使用相關的領域的方法的情況，在通孔柱和夾層絕緣膜之間留下空隙的頻率降低，改善了多層布線結構的長期可靠性。根據本發明的另一個方面，提供了多層布線結構的制造方法，該方法包括在第一金屬布線元件上形成通孔柱的步驟；以噴墨法或者分散器法在第一金屬布線元件上印刷夾層絕緣膜的步驟，使得夾層絕緣膜的上表面位于低于通孔柱的頭部的高度；固化夾層絕緣膜的步驟；和在夾層絕緣膜上形成第二金屬布線元件的步驟，所述第二金屬布線元件與通孔柱接觸，使得第一金屬布線元件和第二金屬布線元件通過通孔柱而連接。因此，可以容易地形成比相關領域的方法形成的通孔更小的通孔，尤其是直徑為100pm或者更小的通孔。由于印刷夾層絕緣膜，使其上表面位于低于通孔柱的頭部的高度，所以通孔柱向外延伸超過夾層絕緣膜的表面，而不會被夾層絕緣膜完全覆蓋。因此，僅通過在通孔柱上直接形成第二金屬布線元件，就實現了良好的接觸電阻。當不需要圖案成形時，可以將粘性相對較低的絕緣墨水用于噴墨法或者分散器法。當這種絕緣墨水噴射到除略大于通孔柱的外圓周的非印刷區域(不印刷的區域)以外的區域時，噴射的絕緣墨水容易填充通孔柱和絕緣墨水之間的氣隙。因此，較之使用相關領域方法的情況，在通孔柱和夾層絕緣膜之間留下空隙的頻率降低，改善了多層布線結構的長期可靠性。根據本發明的另一方面，提供了多層布線結構的制造方法，所述方法包括在第一金屬布線元件上形成通孔柱的步驟；使用非噴射區域略大于通孔柱頭部的絲網掩膜，在第一金屬布線元件上印刷夾層絕緣膜的步驟，使得夾層絕緣膜的上表面位于低于通孔柱頭部的高度，同時將非噴射區域基本上與通孔柱的頭部對齊；在低于夾層絕緣膜固化溫度的溫度下加熱夾層絕緣膜的步驟；固化夾層絕緣膜的步驟；在夾層絕緣膜上形成第二金屬布線元件的步驟，該第二金屬布線元件與通孔柱接觸，使得第一金屬布線元件和第二金屬布線元件通過通3W主而連4妻。由于在低于夾層絕緣膜固化溫度的溫度下加熱的步驟的中，固化后形成夾層絕緣膜的絕緣焊膏的粘性降低，所以絕緣焊膏能填充與通孔柱交界處的氣隙。因此，在通孔柱和夾層絕緣膜之間留下空隙的頻率較之上述方法而言進一步降低。根據本發明的另一個方面，提供了多層布線結構，所述多層布線結構包括形成在第一金屬布線元件上的夾層絕緣膜；形成在夾層絕緣膜上的第二金屬布線元件；和形成在第一金屬布線元件上的通孔柱，該通孔柱延伸穿過夾層絕緣膜，使得第一金屬布線元件和第二金屬布線元件通過通孔柱連接；其中通孔柱的頭部延伸出夾層絕緣膜。延伸出夾層絕緣膜的通孔柱的頭部被第二金屬布線元件覆蓋，或者可以延伸穿過第二金屬布線元件。由于通孔柱在其頭部或者側表面與第二金屬布線元件接觸，所以通孔柱的接觸電阻較低。根據本發明的另一個方面，提供了包括活性(active)矩陣驅動電路的平板顯示器，所述活性矩陣驅動電路包括多個TFT，每個TFT包括有機半導體；覆蓋TFT的夾層絕緣膜；和布置在夾層絕緣膜上呈矩陣形式的多個像素電極；其中每個TFT的至少一個源電極和漏電極通過通孔柱連接到相應的像素電極，所述通孔柱的頭部延伸出夾層絕緣膜；和顯示設備，其形成在活性矩陣驅動電路上。由于通孔柱在其頭部或者側面與^f象素電極接觸，所以通過通孔柱而連接的像素電極和源電極或者漏電極之間的接觸電阻非常低。因此，如果通過輸入到門電極的選定信號和輸入到漏電極或者源電極的數據信號的特定組合開啟任何一個TFT,則因為電壓損耗非常小，所以可以有效地在連接到開啟的有機TFT的像素電極上感生出高電勢。根據本發明的另一個方面，提供了平板顯示器的制造方法，所述方法包括在TFT的至少一個源電極和漏電極上形成通孔柱的步驟；使用非噴射區域略大于通孔柱頭部的絲網掩膜，印刷夾層絕緣膜的步驟，使得夾層絕緣膜的上表面位于低于第一通孔柱頭部的高度，同時將非噴射區域基本上與通孔柱的頭部對齊；固化夾層絕緣膜的步驟；和在夾層絕緣膜上以印刷法形成像素電極的步驟，其中的像素電極與通孔柱接觸。根據本發明的另一方面，提供了平板顯示器的制造方法，所述方法包括在TFT的至少一個源電極和漏電極上形成通孔柱的步驟；以噴墨法或者分散器法印刷夾層絕緣膜的步驟，使得夾層絕緣膜的上表面位于低于通孔柱的頭部的高度；固化夾層絕緣膜的步驟；和在夾層絕緣膜上以印刷法形成像素電極的步驟，其中的像素電極與通孔柱接觸。根據本發明的另一個方面，提供了平板顯示器，所述平板顯示器包括活性矩陣驅動電路，所述活性矩陣驅動電路包括多個TFT,每個TFT包括有機半導體；覆蓋TFT的夾層絕緣膜；多個以所述順序堆疊在夾層絕緣膜上的下電極和介電膜；和在介電膜上布置成矩陣形式的多個像素電極；其中每個TFT的至少一個源電極和漏電極通過通孔柱連接到相應的像素電極，所述通孔柱的頭部延伸出介電膜；下電極、介電膜和相應的像素電極形成電容；和顯示設備，其形成在活性矩陣驅動電路上。由于下電極、介電膜和像素電極堆疊形成電容，所以即使已經通電的相應TFT斷電時，像素電極的電勢也能由所述電容保持。因此，平板顯示器具有良好的記憶特性。在所述平板顯示器中，開關特性取決于TFT的結構，而電荷保持能力主要取決于電容。因此，可以通過單獨優化TFT的結構和電容的結構來優化平板顯示器的結構。根據本發明的另一個方面，提供了平板顯示器的制造方法，所述方法包括在TFT的至少一個源電極和漏電極上形成通孔柱的步驟；用非噴射區域略大于通孔柱的頭部的第一絲網掩膜印刷夾層絕緣膜的步驟，同時將所述非噴射區域基本上與通孔柱的頭部對齊；固化夾層絕緣膜的步驟；在夾層絕緣膜上以印刷法形成下電極的步驟；用非噴射區域略大于通孔柱頭部的第二絲網掩膜印刷介電夾層絕緣膜的步驟，同時所述非噴射區域基本上與通孔柱的頭部對齊；固化介電膜的步驟；和在介電膜上以印刷法形成像素電極的步驟，所述像素電極與通孔柱接觸；其中夾層絕緣膜、下電極和介電膜的膜厚度經過調節，使得通孔柱延伸出介電膜。根據本發明的另一個方面，提供了平板顯示器的制造方法，所述方法包括在TFT的至少一個源電極和漏電極上形成通孔柱的步驟；以噴墨法或者分散器法印刷夾層絕緣膜的步驟；固化夾層絕緣膜的步驟；在夾層絕緣膜上以印刷法形成下電極的步驟；使用非噴射區域略大于通孔柱頭部的第二絲網掩膜印刷介電夾層絕緣膜的步驟，同時將所迷非噴射區域基本上與通孔柱的頭部對齊；固化介電膜的步驟；和在介電膜上以印刷法形成像素電極的步驟，所述像素電極與通孔柱接觸；其中夾層絕緣膜、下電極和介電膜的膜厚度經過調節，使得通孔柱延伸出介電膜。根據本發明的另一個方面，提供平板顯示器的制造方法，所述方法包括在TFT的至少一個源電極和漏電極上形成通孔柱的步驟；使用非噴射區域略大于通孔柱頭部的第一絲網掩膜印刷夾層絕緣膜的步驟，同時將所迷非噴射區域基本上與通孔柱的頭部對齊；固化夾層絕緣膜的步驟；在夾層絕緣膜上以印刷法形成下電極的步驟；以噴墨法或者分散器法印刷介電膜的步驟；固化介電膜的步驟；和在介電膜上以印刷法形成像素電極的步驟，所述像素電極與通孔柱接觸；其中夾層絕緣膜、下電極和介電膜的膜厚度經過調節，使得通孔柱延伸出介電膜。'才艮據本發明的另一個方面，提供了平板顯示器的制造方法，所述方法包括在TFT的至少一個源電極和漏電極上形成通孔柱的步驟；以噴墨法或者分散器法印刷夾層絕緣膜的步驟；固化夾層絕緣膜的步驟；在夾層絕緣膜上以印刷法形成下電極的步驟；以噴墨法或者分散器法印刷介電膜的步驟；固化介電膜的步驟；和在介電膜上以印刷法形成像素電極的步驟，所述像素電極與通孔柱接觸；其中夾層絕緣膜、下電極和介電膜的膜厚度經過調節，使得通孔柱延伸出介電膜。根據本發明的另一個方面，提供了帶小內電容的多層布線結構。根據本發明的另一個方面，提供了不增加拋光過程或者清潔過程來制造帶小內電容的多層布線結構的方法。根據本發明的另一個方面，提供了元件基片，其包括帶小內電容的多層布線結構。根據本發明的另一個方面，提供了平板顯示設備，其包括帶小內電容的多層布線結構。根據本發明的另一個方面，提供了多層布線結構，其包括第一金屬布線元件；形成在第一金屬布線元件上行的夾層絕緣膜；形成在夾層絕緣膜上的第二金屬布線元件；和延伸穿過夾層絕緣膜并連接到第一和第二金屬布線元件的中間體，其中所述中間體包括在第二金屬布線元件那一側延伸超過夾層絕緣膜表面的端部。根據本發明的另一個方面，提供了元件基片，其包括絕緣基片和上述形成在絕緣基片上的多層布線結構。根據本發明的另一個方面，提供了平板顯示器，其包括上述多層布線結構。根據本發明的另一個方面，提供了多層布線結構的制造方法，所述方法包括在基片上以絲網印刷法形成第一金屬布線元件的第一步驟；在第一金屬布線元件上以絲網印刷法形成中間體的第二步驟；在第一金屬布線元件上以絲網印刷法形成夾層絕緣膜的第三步驟，所述夾層絕緣膜的膜厚度小于中間體的高度；和在中間體和夾層絕緣膜上以絲網印刷法形成第二金屬布線元件的第四步驟。根據本發明上述的某些方面，第一金屬布線元件、中間體、夾層絕緣膜和第二金屬布線元件以所述順序形成。因此，可以在不使用機械拋光過程和清潔過程的條件下，形成多層布線結構。圖1A-1E圖示了根據本發明實施例1的多層布線結構的制造方法；圖2圖示了根據本發明實施例用于印刷夾層絕緣膜的過程的絲網掩膜；圖3A-3C是示出填充通孔柱和夾層絕緣膜之間空隙的過程的示意圖；圖4是根據本發明實施例，在形成雙層布線結構之后，示出接觸電阻的測量結果的表；圖5A-5E圖示了根據本發明實施例5的多層布線結構的制造方法；圖6A-6F圖示了根據本發明實施例6的多層布線結構的制造方法；圖7是根據本發明實施例，在形成雙層布線結構之后，示出評估結果的表；圖8A-8E圖示了根據本發明實施例8的多層布線結構的制造方法；圖9A-9F圖示了根據本發明實施例9的多層布線結構的制造方法；圖IOA和10B圖示了根據本發明實施例11的平板顯示器；圖11是示出實施例12的評估結果的表；圖12A和12B圖示了根據本發明實施例13的平板顯示器；圖13A和13B圖示了根據本發明實施例17的平板顯示器；圖14是示出實施例18的評估結果的表；圖15A和15B圖示了根據本發明實施例19的平板顯示器；圖16是圖示相關領域印刷布線板的截面圖；圖17圖示了相關領域填充小通孔的方法；圖18A-18E圖示了通過小通孔連接上金屬布線元件和下金屬布線元件的方法；圖19A和19B1-19B4圖示了根據本發明實施例的通孔和通孔柱；圖20是示意性地示出根據本法發明實施例23的多層布線結構的截面圖21A-21E圖示了圖20的多層布線結構的制造方法；圖22示出了圖21C的步驟C1中介電柱和非噴射區域之間的位置關系；圖23A-23C更為詳細地示出了圖21C的步驟C1;圖24是示意性地示出根據是實力24的多層布線結構的截面圖25A-25F圖示了圖24中的多層布線結構的制造方法；圖26是示意性地圖示根據實施例25的多層布線結構的截面圖27A-27F圖示了圖26的多層布線結構的制造方法；圖28是示意性地圖示包括圖26中的多層布線結構的平板顯示器的截面圖29是圖示圖28所示TFT的截面圖。具體實施例方式以下說明參照附圖提供了本發明的示例實施例。<實施例1>圖1A-1E圖示了根據本發明實施例1的制造多層布線結構的方法。在圖1A所示的步驟中，第一金屬布線元件11用絲網印刷法形成在玻璃基片12上。這里用來印刷的導電焊膏(paste)是Ag焊膏，其包含Ag微粒、腈綸樹脂、卡必醇醋酸酯等，并且粘性為100-220Pa's。應該注意在室溫下，用BrookfieldHBTNo.14心軸以10rpm來測量粘性。這些條件應用于以下的其他粘性測量中。這里所用的絲網掩膜(mask)是不銹鋼網No.500，乳膠厚度為8pm。第一金屬布線元件的寬度為50(im,用Ag焊膏印刷，使用上述絲網掩膜和橡膠硬度為70的刮板(squeegee)14。通孔焊盤直徑為150jim，第一金屬布線元件11和第二金屬布線元件19穿過該通孔連接。用Ag焊膏印刷第一金屬布線元件11以后，在爐子中以180。C加熱30分鐘將Ag焊膏固化，以完成第一金屬布線元件11。在圖1B所示的步驟中，直徑為100pm的通孔柱13用絲網印刷法形成在第一金屬布線元件11的焊盤上。這里用來印刷的導電焊膏是Ag焊膏，其包含Ag微粒、腈綸樹脂、卡必醇醋酸酯等，且粘性為150-300Pa's。這里所用的絲網掩膜是不銹鋼網No.500，乳膠厚度為10jam。這種絲網掩膜具有直徑100(im的噴射孔，該孔不會被乳膠密封。所述絲網掩膜的對齊標記與第一金屬布線元件11的對齊標記對齊。然后，利用橡膠硬度為70的刮板14，通過Ag焊膏印刷通孔柱13。然后，在爐子中以180。C加熱30分鐘將Ag焊膏固化，以完成通孔柱13。通孔柱13為錐形，頭部尺寸為50-60(im,高度為ll-13|_im。在圖1C所示的步驟中，夾層絕緣膜18用非接觸式絲網印刷法形成在第一金屬布線元件11上。這里用來印刷的絕緣焊膏15包括硅石填料、酚醛清漆環氧樹脂(cresolnovolacepoxyresin)、環氧樹脂和丁基溶纖劑醋酸酯等，且粘性為90-100Pa.s。這里所用的絲網掩膜17是不銹鋼網No.640,且乳膠厚度為5pm。絲網掩膜17具有非噴射區域16，其直徑為130pm,被乳膠密封。絲網掩膜17的對齊標記與基片上和通孔柱D位于同一層的對齊標記對齊，使得非噴射區域16位于通孔柱13的頭部。由于這里所用的印刷機具有士10nm的對齊精度，所以即使存在對齊誤差，形成在第一金屬布線元件11上的通孔柱13的頭部也完全位于絲網掩膜17的非噴射區域16內。通孔柱13(位于底部)和非噴射區域16之間的距離OL(見圖2)的設計要求是在絲網掩膜17定位后，在圖1D所示的步驟中，用橡膠硬度為60的刮板14印刷絕緣焊膏15。在該步驟中，形成絕緣焊膏15,通過適當控制網眼、橡膠厚度、印刷壓力、沖角，使得上表面位于比通孔柱13頭部更低的高度。在該實施例中，絕緣焊膏15的印刷厚度是6-8(im，且通孔柱13頭部延伸超過印刷的絕緣焊膏15的表面3-5(am。在非接觸式印刷中，當絲網掩膜17從基片12分開時，向絕緣焊膏15施加了較高剪切應力。然后，絕緣焊膏15的粘性降低，使得絕緣焊膏15平鋪(level)。如果絕緣焊膏15具有適當的粘性，則絕緣焊膏15在絲網掩膜從極片分離時被流態化，并且填充絕緣焊膏15和通孔柱13之間的空隙(見圖3A-3C)。本實施例中使用的絕緣焊膏15具有1.5-4.5的TI(用BrookfieldHBTNo.14心軸在10rpm和50rpm下測量)，所述TI是粘彈性的指標。在某些情況下，小空隙21A留在夾層絕緣膜18和通孔柱13之間，沒有被流態化的絕緣焊膏15填充。但是，該小空隙21A在印刷第二金屬布線元件19的下一個步驟中被導電焊膏所填充。因此，空隙21A留在通孔柱13和夾層絕緣膜18之間的頻率低于采用相關領域方法的情況。原因在以下更為詳細地r說明。在爐子中以150。C加熱30分鐘將絕緣焊膏15固化，完成夾層絕緣膜18。因為固化過程后絕緣焊膏15的體積減小約20%-30%,所以通孔柱13的頭部延伸超過夾層絕緣膜18的表面5-7(im。在圖1E所示的步驟中，第二金屬布線元件19用絲網印刷法形成在夾層絕緣膜18的表面上。第二金屬布線元件19的焊盤定位在通孔柱l3的頭部上，所述通孔柱延伸出夾層絕緣膜18。這里用來印刷的導電焊膏與用于第一金屬布線元件11的Ag焊膏相同，所述Ag焊膏包含Ag微粒、腈綸樹脂、卡必醇醋酸酯等，粘性為100J00Pas。這里所用的絲網掩膜是不銹鋼網No.500,其乳膠厚度為8pm。所述絲網掩膜的對齊標記與極片上和通孔柱13位于同一層的對齊標記對齊，使得第二金屬布線元件19的焊盤定位在通孔柱13的頭部上。第二金屬布線元件19寬度為10(Him,用上述Ag焊膏印刷，使用上述的絲網掩膜和橡膠硬度為70的刮板14。連接到通孔柱13的焊盤直徑為150nm。如上所述，在印刷夾層絕緣膜18的過程中，小空隙"A可以留下，在鋪平絕緣焊膏15的過程中不完全填充。但是，空隙21A存在于夾層絕緣膜18的表面上，且因此易于在印刷第二金屬布線元件19的過程中用導電焊膏填充。因此，空隙21A留在通孔柱13和夾層絕緣膜18之間的頻率低于相關
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的結構。用Ag焊膏印刷完第二金屬布線元件19后，在爐子中以180。C加熱30分鐘將Ag焊膏固化，完成第二金屬布線元件19。第二金屬布線元件19的膜厚度為8(im,且延伸出夾層絕緣膜18的通孔柱13的頭部被第二金屬布線元件19覆蓋。第一金屬布線元件11和第二金屬布線元件19的接觸鏈(chain)在所產生的雙層布線結構中通過通孔柱13連接，且對該接觸鏈進行評估，發現通孔柱13的接觸電阻為IOQ或更小，這樣凈皮認為比較好。另外，一千個通孔柱13隨機選出并且用超聲顯微鏡進行觀察。結果示出僅有一個通孔柱13在與夾層絕緣膜18的界面上存在空隙21A。從該結果發現，絕緣焊膏15和通孔柱13之間的空隙21A采用本實施例的制造方法進行了有效填充。如上所述，根據實施例1的制造方法，通孔柱13形成在第一金屬布線元件11上，然后夾層絕緣膜18和第二金屬布線元件19以所述順序形成。于是，第一金屬布線元件11和第二金屬布線元件19通過通孔(相應于實施例1中的通孔柱13)而連接。基本上，絲網印刷更適合點印刷，而不是孔印刷。目前，雖然難于印刷直徑像100萍那樣大的孔，但是容易印刷直徑像50nm那樣小的點。在實施例l中，由于通孔柱13具有點形，且用于形成通孔，所以通孔小于用相關領域的方法形成的通孔，特別是直徑為100(im或者更小的通孔可以容易地形成。由于印刷有夾層絕緣膜18，使得上表面位于比通孔柱13的頭部低的高度，但是通孔柱13延伸超過夾層絕緣膜19的表面，而沒有完全被夾層絕緣膜18覆蓋。因此，通過僅在通孔柱13上直接形成第二金屬布線元件19,能獲得良好的接觸電阻。而且，制造過程簡化，這是因為相對于專利文件3所披露的方法來說必須有的機械拋光過程可以被排除。而且，由于通孔柱13的頭部延伸出夾層絕緣膜18,且該頭部連接到第二金屬布線元件19，所以較之相關領域用導電焊膏填充通孔的方法，可以容易地獲得更低電阻的觸點。采用絲網掩膜17印刷絕緣焊膏15，所述絲網掩膜具有非噴射區域16,該區域略樣t大于通孔柱13的頭部，而該非噴射區域16基本上與通孔柱13的頭部對齊。因此，通孔柱13和絕緣焊膏15之間的空隙21A可以在鋪平過程中，通過適當控制絕緣焊膏15的粘彈性而進行填充。在絕緣焊膏鋪平后，即使小空隙21A留在通孔柱13和夾層絕緣膜18之間，由于該小空隙21A存在于夾層絕緣膜18的表面上，所以該小空隙21A也可以在印刷第二金屬布線元件19的過程中容易地用導電焊膏填充。因此，空隙21A留在通孔柱13和夾層絕緣膜18之間的的頻率低于相關領域的方法，且多層布線結構的長期可靠性得到提高。根據實施例1的制造方法，由于第一和第二金屬布線元件11和19,通孔柱13以及夾層絕緣膜18都用低成本的絲網印刷法形成，所以帶小通孔的多層布線結構可以低成本制造。盡管絲網印刷法用在實施例1的所有印刷步驟中，但是金屬布線元件還可以用噴墨法或者分散器法以低成本形成。可以形成帶小通孔(通孔柱)的多層布線結構。因此，第一和第二金屬布線元件11和19可以用噴墨法和分散器法形成。盡管在實施例1中用Ag焊膏形成第一和第二金屬布線元件11和19以及通孔柱13，但是其他通用導電焊膏，諸如Cu焊膏、Ni焊膏、Pd焊膏、碳焊膏以及導電聚合樹脂都可以替代地使用。盡管包括酚醛清漆環氧樹脂和環氧樹脂的絕緣焊膏15用在實施例l，但是其他絕緣焊膏，包括聚合聚酰亞胺樹脂、酚醛樹脂、丙烯酸樹脂、聚乙烯樹脂等也可以用作絕緣焊膏15。而且，絕緣焊膏15可以是熱固型的或者可以是光固型(photocuring)。如果采用光固型絕緣焊膏，則夾層絕緣膜18不是被加熱固化而是被紫外線輻射固化。盡管在實施例1中圖示了形成雙層布線結構的方法，但三層或者更多層的多層布線結構可以通過重復上述步驟形成。<實施例2>以下再次參照圖1A-1E說明實施例2。以與實施例1的相同方式，第一金屬布線元件11(寬度為5(Vm且焊盤直徑為150|im)形成在玻璃基片12上，然后通孔柱13形成在第一金屬布線元件11的焊盤上。通孔柱13的頭部尺寸為50-60(im且高度為11-13pm。此后，用絲網印刷法印刷絕緣焊膏15且通過加熱固化，從而形成夾層絕緣膜18。這里所用的絲網掩膜17具有非噴射區域16。非噴射區域16和帶有一個側部的通孔柱13之間的距離OL的設計要求是處于10-50(mi范圍內。實施例2中所用的絕緣焊膏15和刮板14與實施例1相同。然后，以與實施例1的相同方式，第二金屬布線元件19(寬度為10(Vm,且焊盤直徑為150pm)用絲網印刷法形成在夾層絕緣膜18的表面上。第二金屬布線元件19的焊盤定位在通孔柱13的頭部上，所述通孔柱延伸出夾層絕緣膜18。處于10-50pm范圍內的距離OL的設計要求是根據以下評估結杲選出的。用上迷方法制備雙層布線結構，其中非噴射區域16和帶有一個側部的通孔柱13之間的距離OL變為處于0-100pm范圍內，用于評估。所述雙層布線結構的4^觸電阻以與實施例1相同的方法進行測量。而且，一千個通孔柱13隨機選出且通過超聲顯微鏡進行觀察。圖4的表格示出了評估結果。在圖4的表格中，0表示接觸電阻小于這被認為是希望的范圍，或者換句話說，獲得了良好的接觸電阻；A表示接觸電阻增大；而x表示導電失效。當距離OL處于10-50pm范圍內時，接觸電阻處于希望的范圍內，且幾乎沒有發現空隙。但是，當距離OL處于0-5pm范圍內時，在某些雙層布線結構中接觸電阻增大。當距離OL處于60-10(Vm范圍內時，接觸電阻處于希望的范圍內，但是在所述一千個通孔中發現了3-20個空隙。從上述結果看，發現處于10-50pm范圍內的距離OL是優選的，且選擇用于本實施例的制造方法。但是，由于通孔直徑為100pm且OL距離處于60-100jam范圍內的雙層布線結構實現了良好的接觸電阻，所以在實施例2中距離OL可以處于60-100|am范圍內，如果空隙的尺寸滿足目標多層布線結構的規格的話。<實施例3>以下再次參照圖1A-1E說明實施例3。以與實施例l相同的方式，形成第一金屬布線元件ll(寬度為50jim)。然后，直徑為50)im的通孔柱13用分散器法形成在第一金屬布線元件11的焊盤上。這里用來印刷的導電焊膏是包含Ag微粒、丙烯酸樹脂、丁基卡必醇等、粘性為300-600Pas的Ag焊膏。為了更具體地說明上述過程，基片12在分散器的基片臺上以真空進行吸收，且第一金屬布線元件11上的對齊標記通過CCD攝像機讀取，以發現極片12的位置。然后，印刷圖案輸入分散器，且Ag焊膏施加到第一金屬布線元件11的焊盤上從而形成通孔柱13。在爐子中以250。C加熱20分鐘將Ag焊膏固化。通孔柱13基本上是垂直形式的，且頭部尺寸為40-50(im，高度為4-5(am。然后，用非接觸式絲網印刷法在第一金屬布線元件11上形成夾層絕緣膜18。這里用來印刷的絕緣焊膏15包括硅石填料、可溶性聚酰亞胺樹脂、NMP等，且粘性為10-20Pa's。這里所用的絲網掩膜17是不銹鋼網No.640,其乳膠厚度為l(im或更小。所述絲網掩膜17具有非噴射區域16,其直徑為卯pm，被乳膠密封。在實施例3中，和實施例1一樣，絲網掩膜17的對齊標記與基片上和通孔柱13位于同一層的對齊標記對齊，4吏得非噴射區域16定位在通孔柱13的頭部上。絲網掩膜17定位后，絕緣焊膏15用橡膠硬度為70的刮板14進行印刷。絕緣焊膏15的印刷厚度為2-3(im,使得通孔柱13的頭部延伸超過印刷的絕纟彖焊膏15的表面2-3|im。在爐子中以20(TC加熱30分鐘，將絕緣焊膏15固化，完成夾層絕緣膜18。固化過程后，絕緣焊膏15的體積減少20-30%,所以固化過程后，通孔柱13的頭部仍舊延伸超過夾層絕緣膜18的表面。然后，以與實施例l相同的方式，第二金屬布線元件19(寬度為50|im，且焊盤直徑為120|im)用絲網印刷法形成在夾層絕緣膜18的表面上行。第二金屬布線元件19的焊盤定位在通孔柱13的頭部上，所述通孔柱延伸出夾層絕緣膜18。這里用來印刷的導電焊膏與第一金屬布線元件11所用的是相同的Ag焊膏。用Ag焊膏印刷第二金屬布線元件19以后，在爐子中以180。C加熱60分鐘將Ag焊膏固化，完成第二金屬布線元件19。第二金屬布線元件19的膜厚度約為8)im，且延伸出夾層絕緣膜18的通孔柱13的頭部被第二金屬布線元件19^隻蓋。在實施例3中，接觸電阻和通孔形狀以與實施例1相同的方式進行評估，且發現即使當通孔13的直徑為5(^m時，仍能獲得良好的接觸電阻，且幾乎沒有在通孔柱13和夾層絕緣膜18之間發現空隙。從上述結果發現，即使當通孔柱13用分散器法形成，也可以實現通孔13完全用導電焊膏填充且具有良好接觸電阻的多層布線結構。<實施例4>以下再次參照圖1A-1E說明實施例4。以與實施例l相同的方式，第一金屬布線元件11(寬度為50(im，且焊盤直徑為100(im)形成在聚碳酸酯基片12上，且多對對齊標記形成在基片12的每一個端部。然后直徑為70pm的通孔柱13用噴墨法形成在第一金屬布線元件11的焊盤上。這里用來印刷的導電墨水是納米Ag墨水(HarimaChemicals,Inc.)。所述墨水被兩次或多次噴射到相同的點上，從而形成具有希望厚度的通孔柱13，具有希望厚度的通孔柱13不能通過一次噴射來形成。為了更具體地說明上述過程，聚碳酸酯基片12在噴射機的基片臺上以真空進行吸收，且第一金屬布線元件11上任意一對對齊標記由CCD攝像機讀取，以發現基片12的位置。然后，印刷圖案輸入到噴墨機，且納米Ag墨水施加到第一金屬布線元件11的焊盤上，從而形成通孔柱13,同時順序讀取形成在基片12每個端部上的所述各對對齊標記，將對齊標記的位置反饋給噴墨機，且校正基片臺的位置。在爐子中以180。C加熱60分鐘將納米Ag墨水固化，完成通孔柱13。通孔柱13為錐形，頭部尺寸為30-40(am,且高度為3-4pm。然后，在第一金屬布線元件11上用非接觸式絲網印刷法形成夾層絕緣膜18。這里用來印刷的絕緣焊膏15包括硅石填料、聚乙烯醇樹脂、乙二醇丁醚等，且粘性為10-20Pa's。這里所用的絲網掩膜17是不銹鋼網No.640，其乳膠厚度為lpm或更小。所述絲網掩膜17具有非噴射區域16,直徑為llOpm,被乳膠密封。在該實施例中，和實施例l一樣，絲網掩膜17的對齊標記與基片上和通孔柱13位于同一層的對齊標記對齊，-使得非噴射區域16定位在通孔柱13頭部上。絲網掩膜17定位后，絕緣焊膏15用橡膠硬度為70的刮板14印刷。絕緣焊膏15的印刷厚度為2-3pm，使得通孔柱13的頭部延伸超過印刷的絕緣焊膏15的表面。在爐子中以150。C加熱30分鐘將絕緣焊膏15固化，完成夾層絕緣膜18。固化過程后，絕緣焊膏15的體積減小約20-30%,使得固化過程后，通孔柱13的頭部仍延伸超過夾層絕緣膜18的表面。然后，以與實施例l相同的方式，第二金屬布線元件19(寬度為50pm且焊盤直徑為lOOpim)用絲網印刷法形成在夾層絕緣膜18的表面上。第二金屬布線元件19的焊盤定位在通孔柱13的頭部上，所述通孔柱延伸出夾層絕緣膜18。這里用來印刷的導電焊膏與用于印刷第一金屬布線元件11的是相同的Ag焊膏。用Ag焊膏印刷第二金屬布線元件19后，在爐子中以15(TC加熱60分鐘將Ag焊膏固化，完成第二金屬布線元件19。第二金屬布線元件19的膜厚度約為8[im,且延伸出夾層絕緣膜18的通孔柱13的頭部被第二金屬布線元件19^隻蓋。在該實施例中，以與實施例1相同的方式評估接觸電阻和通孔形狀，且發現即使當通孔13的直徑為70pm時，也能實現良好的接觸電阻，且幾乎沒有發現空隙。從上述結果發現，即使當用噴墨法形成通孔柱13時，也可以實現通孔13完全被導電焊膏填充且具有良好接觸電阻的多層布線結構。通過^^頭部噴射墨滴，噴墨才幾一個一個形成通孔柱13。在該實施例中，由于多對對齊標記形成在基片的每個端部，所以可以形成通孔柱13，于此同時依次讀取各對對齊標記且在每次讀取對齊標記時校正基片12的位置。因此，通孔柱13和第一金屬布線元件1可以更為精確地對齊。如果膜基片用作基片12，則一次形成通孔柱13的絲網印刷法將在基片12內導致較大的對齊誤差，因為基片12由于第一金屬布線元件11的熱固化過程中熱量而發生了收縮。特別是在較大尺寸的基片12的情況下，通孔柱13可能定位到第一金屬布線元件11的焊盤之外。但是，使用噴墨機，可以形成通孔柱13,同時像本實施例一樣，參照多對對齊標記實施位置校正。因此，在基片12的全部區域內進行了正確的對齊，且可以形成第一金屬布線元件11與通孔柱13之間對齊誤差很小的多層布線結構。<實施例5>根據本發明的實施例5，圖5A-5E圖示了制造多層布線結構的方法。在圖5A和5B所示的步驟中，以與實施例l相同的方式，第一金屬布線元件11(寬度為5(Him且焊盤直徑為150fim)用絲網印刷法形成在玻璃基片12上，然后通孔柱13形成在第一金屬布線元件11的焊盤上。通孔柱13的頭部尺寸為50-60(am,且高度為11-13pm。如實施例1,在圖5C和5D所示的步驟中，厚度處于6-8[mi范圍內的絕緣焊膏15以絲網印刷法印刷，然后通過加熱而固化，從而形成夾層絕緣膜18。這里所用的絲網掩膜17具有非噴射區域16,從通孔柱13隔開等于15pm的距離OL。在圖5E所示的步驟中，第二金屬布線元件19(寬度為100(im且焊盤直徑150pm)用噴墨法形成在夾層絕緣膜18的表面上。這里所用的導電墨水是粘性為10-15cP的納米Ag墨水，其中被分散劑包圍的納米尺寸的Ag微粒分散在有機溶劑中。為了更具體地說明上述過程，以噴墨機的CCD攝像才幾讀取第一金屬布線元件11的對齊標記，同時定位基片12。然后，印刷納米Ag墨水。在爐子中以20CTC加熱30分鐘將納米Ag墨水固化，完成第二金屬布線元件19。由于第二金屬布線元件19的膜厚度是0.5pm，所以延伸超過夾層膜18表面的通孔柱13延伸穿過第二金屬布線元件19。在本實施例中，以與實施例1相同的方式評估接觸電阻，發現通孔柱13的接觸電阻是IOD或更小。換句話說，實現了良好的接觸電阻。根據實施例5的制造方法，由于通孔柱13延伸穿過第二金屬布線元件19,所以通孔柱13在側面連接到第二金屬布線元件19。因此，形成具有良好電阻的多層布線結構。<實施例6>在圖6A所示的步驟中，第一金屬布線元件11用絲網印刷法形成在玻璃極片12上。這里用來印刷的導電焊膏是Ag焊膏，其包含Ag微粒、丙烯酸樹脂、醋酸卡比醇等，且粘性為150-250Pas。這里所用的絲網掩膜是不銹鋼網No.500,其乳膠厚度為5pm。寬度為5(Him的第一金屬布線元件利用橡膠硬度為70的刮板14與Ag焊膏一起印刷。通孔的焊盤直徑為100pm,第一金屬布線元件11和第二金屬布線元件19通過該通孔連接。用Ag焊膏印刷第一金屬布線元件11后，在爐子中以20(TC加熱30分鐘，將Ag焊膏固化，完成第一金屬布線元件11。在圖6B所示的步驟中，直徑為75(im的通孔柱13用接觸式絲網印刷法形成在第一金屬布線元件11上。這里用來印刷的導電焊膏是Ag焊膏，其包含Ag微粒、丙烯酸樹脂、丁基卡比醇等，且粘性為250-420Pas。這里所用的絲網掩膜是Ni金屬網，其厚度為20)am。直徑為75^m的噴射孔形成在該絲網掩膜上。在腔室中，絲網掩膜的對齊標記與第一金屬布線元件11的對齊標記對齊，且用橡膠硬度為70的刮板14印刷Ag焊膏。然后，在該腔室中膨脹氣嚢。于是，抵靠絲網掩膜的壓力增大，從而迫使Ag焊膏從絲網掩膜噴射出來。然后，在爐子中以200。C加熱30分鐘，將Ag焊膏固化，完成通孔柱13。通孔柱13基本上為垂直形式，頭部尺寸為65-75pm，高度為8-9(im。在圖6C所示的步驟中，夾層絕緣膜18用非接觸式絲網印刷法形成在第一金屬布線元件ll上。這里用來印刷的非金屬焊膏15包括硅石填料、可溶性聚酰亞胺樹脂、NMP等，且粘性為50-60Pas。這里所用的絲網掩膜17是不銹鋼網No.640，其乳膠厚度為l(im或更小。絲網掩膜17具有非噴射區域16,其直徑為100pim,被乳膠密封。絲網掩膜17的對齊標記與基片上和通孔柱位于同一層的對齊標記對齊，使得非噴射區域16定位在通孔柱13頭部上。絲網掩膜17定位后，在圖6D所示的步驟中，用橡膠硬度為60的刮板14印刷絕緣焊膏15。絕緣焊膏15的印刷厚度為5-6(im。在圖6E所示的步驟中，印刷有絕緣焊膏15(夾層絕緣膜18)的玻璃基片12在低于絕緣焊膏15固化溫度(在本實施例中為20CTC)的溫度下加熱。在實施例圖5中，玻璃基片12在爐子中以5(TC加熱IO分鐘。絕緣焊膏15的粘性因加熱而降低，所以絕緣焊膏15填充與通孔柱13交界處存在的空隙。特別是在加熱過程的早期節段，估計這種填充效果將會提升。然后，在爐子中以20CTC加熱30分鐘，將絕緣焊膏15固化，完成夾層絕緣膜18。固化過程后絕緣焊膏15的體積縮小20-30%,所以固化過程后通孔柱13的頭部仍舊延伸超過夾層絕緣膜18的表面。在圖6F所示的步驟中，第二金屬布線元件19用絲網印刷法形成在夾層絕緣膜18表面上。第二金屬布線元件19的焊盤定位在延伸出夾層絕緣膜18的通孔柱13的頭部上。這里用來印刷的導電焊膏與第一金屬布線元件11所用的焊膏是相同的Ag悍膏，其包含Ag微粒、丙烯酸樹脂、醋酸卡比醇等，且粘性為230-250Pas。這里所用的絲網掩膜是不銹鋼網No.500,其乳膠厚度為5pm。絲網掩膜的對齊標記與基片上和通孔柱13位于同一層的對齊標記對齊，所以第二金屬布線元件19的焊盤定位在通孔柱13的頭部上。第二金屬布線元件19(寬度為50(im且焊盤直徑為100pm)用上述絲網掩膜和橡膠硬度為80的刮板14與上述Ag焊膏一起印刷。然后，在爐子中以18(TC加熱30分鐘，將Ag焊膏固化，完成第二金屬布線元件19。第二金屬布線元件19的膜厚度為8jam,且延伸出夾層絕緣膜18的通孔柱13頭部被第二金屬布線元件19覆蓋。3在實施例6中，進行與實施例1一樣的評估，并發現即使在用絲網印刷法形成直徑為75pm的通孔13時，也能實現良好的接觸電阻，且幾乎沒有在夾層絕緣膜18和通孔柱13之間發現空隙。根據實施例6的制造方法，通孔柱13形成在第一金屬布線元件11上，且低于通孔柱13的夾層絕緣膜18用絲網掩膜17印刷，所述絲網掩膜具有非噴射區域16,該區域略大于通孔柱13的頭部，同時非接觸區域16基本上與通孔柱13的頭部對齊。然后，基片12在低于夾層絕緣膜18(絕緣焊膏15)固化溫度的溫度下加熱。因此，絕緣焊膏15的粘性因加熱而降低，所以絕緣焊膏15填充與通孔柱13交界處出現的空隙。因此，空隙留在通孔柱13和夾層絕緣膜18之間的頻率進一步被降低。盡管絲網印刷法在實施例6中用來形成通孔柱13,但是也可以像實施例3和4一樣，用分散器法和噴墨法替代地形成通孔柱13。<實施例7>以下再次參照圖6A-6F說明實施例7。以與實施例6相同的方式，第一金屬布線元件ll(寬度為50pm且焊盤直徑為lOO[im)形成在玻璃基片12上，然后通孔柱13形成在第一金屬布線元件ll的焊盤上。通孔柱13的頭部尺寸為65-75|im,且高度為8-9pm。然后，用絲網印刷法印刷絕緣焊膏15。這里所用的絲網掩膜17具有非噴射區域16。非噴射區域16和帶有一個側部的通孔柱13之間的距離OL的設計要求是處于10-50(im范圍內。本實施例所用的絕緣焊膏15和刮板l4與實施例6相同。由于與實施例6方式相同，所以印刷有絕緣焊膏15(夾層絕緣膜18)的玻璃基片12在低于絕緣焊膏15固化溫度(在本實施例中為200°C)的溫度下加熱。在實施例7中，玻璃基片12在爐子中以50。C加熱IO分鐘。然后，在爐子中以200。C加熱30分鐘，將絕緣焊膏15固化，完成夾層絕緣膜18。然后，第二金屬布線元件19(寬度為50lim且焊盤直徑為lOOpm)用絲網印刷法形成在夾層絕緣膜18的表面上，第二金屬布線元件19的焊盤定位在延伸出夾層絕緣膜18的通孔柱13的頭部上。處于10-50|am范圍內的距離OL的設計要求是基于以下評估結果選定的。與實施例1進行相同的評估。用上述方法制備了雙層布線結構，其中非噴射區域16和帶有一個側部的通孔柱13之間的距離OL變為處于O-lOOpim范圍內，用于評估。圖7的表格示出了評估結果。在圖7的表格中，0表示接觸電阻小于這被認為是希望的范圍，或者換句話說，獲得了良好的接觸電阻；A表示接觸電阻增大；而x表示導電失效。當距離OL處于10-50pm范圍內時，接觸電阻處于希望的范圍內，且幾乎沒有發現空隙。但是，當距離OL處于0-5pm范圍內時，在某些雙層布線結構中，接觸電阻增大。當距離OL處于60-100(im范圍內時，在某些通孔中發現了空隙。從上述結果發現，處于10-50pm范圍內的距離OL是優選的，并且選擇用于本實施例的制造方法，其中在印刷完夾層絕緣膜18后，基片12在低于絕緣焊膏15的固化溫度的溫度下加熱。<實施<列8>圖8A-8E圖示了根據本發明實施例8的制造多層布線結構的方法。在圖8A和8B所示的步驟中，以與實施例l相同的方式，第一金屬布線元件11(寬度為50[im且焊盤直徑為150(im)形成在玻璃基片12上，然后通孔柱13形成在第一金屬布線元件11的焊盤上。通孔柱13的頭部尺寸為50-60pm，且高度為11-13pm。在圖8C所示的步驟中，夾層絕緣膜23用噴墨印刷法形成在第一金屬布線元件11上。這里用來印刷的絕緣墨水21包含聚乙烯醇、分散劑等，且粘性為5-30Pa■s。為了更為具體地i兌明上述過程，在以噴墨機的CCD4聶像才幾讀耳又通孔柱13的對齊標記的同時，將基片12定位。然后，夾層絕緣膜23的印刷數據輸入到噴墨機，其通過從噴射頭20噴射絕緣墨水21來實施印刷。為了防止絕緣墨水21印刷到通孔柱13的頭部，考慮到頭部20的傾斜、墨水目標的精度以及噴墨機的對齊精度，比通孔柱13的外圓周略大的區域確定為非印刷區域(不印刷的區域)。在本實施例中，非印刷區域是通孔柱13外圓周內側的區域和圍繞通孔柱13的外圓周向外延伸20pm的區域。當夾層絕緣膜23不像本實施例那樣需要圖案成形時，噴墨機可以采用粘性相對較低的墨水。因此，噴出的絕緣墨水21容易分布到第一金屬布線元件11，并且可以填充通孔柱13和絕緣墨水21之間的空隙。由于目標厚度的夾層絕緣膜23不能用噴墨法在一次噴射中形成，所以絕緣墨水21兩次或者更多次噴射到相同的點上，直到夾層絕緣膜23具有目標厚度。噴出的絕緣墨水21形成約2pm厚，從而在本實施例中，讓上表面位于低于通孔柱13頭部的高度。因此，通孔柱13延伸超過印刷的夾層絕緣膜23的表面約10|im。在圖8D所示的步驟中，在爐子中以150。C加熱30分鐘，將絕緣墨水21固化，完成夾層絕緣膜23。固化過程后絕緣墨水21的體積縮小，所以固化過程后通孔柱13仍舊延伸超過夾層絕緣膜23的表面。在圖8E所示的步驟中，以與實施例l相同的方式，第二金屬布線元件24(寬度為50pm且焊盤直徑為150pm)用絲網印刷法形成在夾層絕緣膜23的表面上。第二金屬布線元件24的膜厚度約為8|im，且延伸出夾層絕緣膜23的通孔柱13的頭部被第二金屬布線元件24覆蓋。在本實施例中，以與實施例1相同的方式評估接觸電阻，發現通孔柱13的接觸電阻為IOQ或更小。換句話說，實現了良好的接觸電阻。另外，一千個通孔柱13隨機選出，并用超聲顯微鏡觀察，發現在通孔柱13和夾層絕緣膜23之間幾乎沒有通孔存在空隙。從這些結果發現，絕緣墨水21和通孔柱13之間的空隙利用本發明的制造方法被有效地填充。根據實施例8的制造方法，由于印刷了夾層絕緣膜23,且在第一金屬布線元件11上形成通孔柱13后，讓上表面低于通孔柱13的頭部，所以通孔柱13延伸超過夾層絕緣膜18的表面。因此，通過僅在通孔柱13上直接形成第二金屬布線元件24，實現了良好的接觸電阻。而且，制造過程被簡化，因為對于專利文件3公開的方法所必須的機械拋光過程，可以被排除。當夾層絕緣膜23不像本實施例一樣需要圖案成形時，噴墨機可以使用粘性相對較低的墨水。除了比通孔柱外圓周略大的非印刷區域外，印刷這種絕緣墨水21時，噴出的絕緣墨水容易分布到第一金屬布線元件11上，并且填充通孔柱13和絕緣墨水21之間的空隙。盡管用于該實施例的絕緣墨水21包含聚乙烯醇，但是包含酚醛清漆環氧樹脂、環氧樹脂、聚酰亞胺樹脂、酚醛樹脂、丙烯酸樹脂、聚乙烯樹脂等的其他絕緣墨水也可以用作絕緣墨水21。盡管在本實施例中用噴墨法印刷夾層絕緣膜23,但是噴射墨滴的分散器法也可以替代地用來印刷夾層絕緣膜23。即使使用分散器法，也可以使用粘性相對較低的絕緣墨水21，只要夾層絕緣膜23不需要像本實施例那樣需要圖案成形即可。因此，可以實現相同的效果。盡管在本實施例中用絲網印刷法形成通孔柱13，但是分散器法和噴墨法也可以像實施例3和4那樣，替代地用來形成通孔柱13。<實施例9>圖9A-9E圖示了根據本發明實施例9的制造多層布線結構的方法。在圖9A和9B所示的步驟中，以與實施例8相同的方式，第一金屬布線元件11(寬度為50(im且焊盤直徑為150|am)形成在玻璃基片12上，然后通孔柱13形成在第一金屬布線元件11的焊盤上。通孔柱13的頭部尺寸為50-60(im，且高度為ll-13|im。在圖8C所示的步驟中，夾層絕緣膜23用噴墨法形成在第一金屬布線元件11上。這里用來印刷的絕緣墨水21與實施例8中所用的相同。在本實施例中，為了防止絕緣墨水21印刷到通孔柱13的頭部，大于通孔柱13外圓周的區域確定為非印刷區域(不印刷的區域)。更具體地說，非印刷區域是通孔柱13外圓周內側的區域和圍繞通孔柱13的外圓周延伸40jim的區i或。在圖9D所示的步驟中，印刷有絕緣墨水21的玻璃基片12在低于絕緣墨水21固化溫度(在本實施例中為150°C)的溫度下加熱。在本實施例中，玻璃基片12在爐子中以40。C加熱15分鐘。絕緣墨水21的粘性因加熱而降低，所以絕緣墨水21填充與通孔柱13交界處出現的空隙。在圖9E所示的步驟中，在爐子中以150。C加熱30分鐘，將絕緣墨水21固化，完成夾層絕緣膜23。絕緣墨水21固化過程后，通孔柱13的頭部仍舊延伸超過夾層絕緣膜23的表面。在圖9F所示的步驟中，以與實施例8相同的方式，第二金屬布線元件24(寬度為50pm且焊盤直徑為150nm)用絲網印刷法形成在夾層絕緣膜23的表面上。第二金屬布線元件24的膜厚度在本實施例中約為8ym,且延伸出夾層絕緣膜23的通孔柱13的頭部被第二金屬布線元件24覆蓋。在本實施例中，以與實施例8相同的方式評估接觸電阻，并發現通孔柱13的接觸電阻是IOQ或更小。換句話說，實現了良好的接觸電阻。另外，一千個通孔柱13被隨機選出，用超聲顯微鏡觀察，發現在通孔柱13和夾層絕緣膜23之間沒有通孔存在空隙。從這些結果發現，夾層絕緣膜23和通孔柱13之間的空隙利用本實施例的制造方法一皮有效填充。根據本實施例的制造方法，夾層絕緣膜23用噴墨法印刷，從而讓上表面處于低于通孔柱13的頭部的高度。然后，在低于夾層絕緣膜23(絕緣模數21)固化溫度的溫度下加熱基片12。絕緣墨水21的粘性因加熱而降低，所以絕緣墨水21填充與通孔柱13交界處出現的空隙。因此，在通孔柱13和夾層絕緣膜23之間留下空隙的頻率進一步降低。<實施例10>以下參照圖1A-1E、圖6A-6F以及圖8A-8E說明實施例10。根據實施例10的撓性印刷板(未示出)包括形成在聚酰亞胺極片12上的三層布線結構(未示出)。該三層布線結構用與實施例l相同的方法形成，并包括第一金屬布線元件11(50pm)、第二金屬布線元件19(lOO(am)、第三金屬布線元件(100(im)以及通孔柱13(100pm)。為了評估，熱影響測試(-65。C和+20(TC的一百個熱循環)在撓性印刷板上實施。測試后，在通過通孔(通孔柱13)連接的第一金屬布線元件11和第二金屬布線元件19之間、在通過通孔(通孔柱13)連接的第二金屬布線元件19和第三金屬布線元件之間存在良好的導電性。根據實施例10,撓性印刷板可以替代地包括多層布線結構，該布線結構以與實施例6或者實施例8相同的方法形成。為了評估，熱影響測試也要在該撓性印刷板上進行，該撓性印刷板包括以與實施例6或者實施例8相同的方法形成多層布線結構，且通孔(通孔柱13)沒有不良連接。使用絲網印刷法印刷孔并且用導電焊膏填充這些孔，利用這樣的方法形成的多層布線元件的通孔直徑約為150-200pm。用本實施例的方法，通孔直徑可以減小到1/2-2/3。實施例10的撓性印刷板可以替代地包括多層布線陶瓷基片，該極片包括以與實施例1、6或者8相同的方法形成的多層布線結構。多層布線陶瓷基片和上述一樣提供相同效果。<實施例11>圖IOA和10B圖示了#4居本發明實施例11的平板顯示器示例。圖10A是包括活性(active)矩陣驅動電路31的平板顯示器的截面圖，而圖10B是包括有機TFT29A的活性矩陣驅動電路31的截面圖。活性矩陣驅動電路31包括320x240個有機TFT29A的元件，以300(mi的間隔以矩陣形式布置在以聚酰亞胺制成的膜基片35上。有機TFT29A的門電極40、源電極39、漏電極38用Ag制成。由芳基胺聚合物制成的有機半導體37形成活性層。門絕緣膜34由聚酰亞胺制成。以矩陣形式布置的有機TFT29A被夾層絕緣膜23覆蓋，該絕緣膜包含硅石系統填料。在夾層絕緣膜23上，由Ag制成的多個像素電極36(320x240元件)以矩陣形式布置。有機TFT29A的源電極39和相應的像素電極36通過相應的通孔(通孔柱13)連接。形成在源電極39上的通孔柱13(通孔)的頭部和實施例1一樣，延伸超過夾層絕緣膜23的表面，并且被像素電極36覆蓋。電泳設備30連接到活性矩陣驅動電路31上，該電路包括有機TFT29A,從而形成平板顯示器。在電泳設備30中，微膠嚢28插置在像素電極36和由聚碳酸酯制成的相對的極片33之間，且在所述微膠嚢內，帶電石墨微粒26和TiCM效粒27分散在硅油中。由ITO制成的常用透明電極25設置在相對的極片33表面上，與微膠嚢28接觸。包括有機TFT29A的平板顯示器用下述根據本實施例的方法制造。利用噴墨法，以納米Ag墨水將寬度為60jim的門電極40印刷到膜基片35上，該膜基片一個表面帶有二氧化硅膜。基片35在爐子中以20(TC加熱，完成門電才及40。然后，聚酰亞胺通過旋轉涂覆法并在爐子中以250。C加熱而設置到門電極40上，所以聚酰亞胺^^皮亞胺化，變成門絕緣膜34。光掩膜放置在門絕緣膜34上，使得紫外線只能輻射到待形成源電極39和漏電極38的區域。于是，暴露在紫外線下的聚酰亞胺表面被修改。然后，用噴墨法將納米Ag墨水噴射到被修改的聚酰亞胺表面上。在爐子中以200。C進行熱處理，形成寬度為140pm的源電極39和寬度為60pm的漏電極38。源電極39和漏電極38之間的距離(通道長度)為20(im。用噴墨法將包含有機半導體材料的溶液噴射到通道區域。然后，以100。C進行干燥過程，形成有機半導體37。于是，形成了有機TFT29A。有機半導體材料是用作墨水的三芳基胺，溶解在曱苯、二曱苯、TFT等內。以與實施例1相同的方式，直徑為100pm的通孔柱13用Ag焊膏印刷，并且在130。C下進行加熱，于是獲得高度約為12!im的通孔柱13。包含硅石填料、聚乙烯醇丁縮醛樹脂等的絕緣焊膏用絲網印刷法印刷，并在13CTC下進行加熱而固化，形成夾層絕緣膜23。用來印刷夾層絕緣膜23的絲網掩膜具有直徑為150nm的非噴射區域。在非噴射區域與源電極39上的通孔柱13對齊的同時，實施印刷。印刷夾層絕緣膜23，使得上表面位于低于通孔柱13頭部的高度，于是通孔柱13的頭部延伸超過固化的夾層絕緣膜23的表面3-4pm。然后用絲網印刷法將250nm的方形像素電極36印刷到夾層絕緣膜23上，并在130。C下加熱固化。于是，完成了包括有機TFT29A的活性矩陣驅動電路31(元件數320x240)。延伸超過夾層絕緣膜23表面的通孔柱13頭部被像素電極36覆蓋。施加厚度為5(Vm的微膠嚢28,在像素電極36上形成單層，其中在所述微膠嚢中，帶負電的石墨微粒26和帶正電的TiCM鼓粒27分散在硅油中。ITO通過濺射法設置在聚碳酸酯形成的相對的基片33表面上，并且用影印法和蝕刻法形成常用透明電極25。相對的基片33設置成讓微膠嚢28插置在像素電極36和常用透明電極25之間。相對的基片33和膜基片35被環氧粘結劑密封。于是形成包括有機TFT29A的平板顯示器。為了評估平板顯示器的圖像質量，通過向全部門電極40輸入選定信號和向全部漏電極38輸入數據信號，顯示全白、全黑和測試圖案。然后，發現黑色反射率為5%或者更小，而白色反射率為34%或者更高，且對比度為7或者更高。因此，發現平板顯示器的圖像質量較高。缺陷位(bit)少于是10位。如上所述，根據本實施例的平坦顯示器制造方法，在形成驅動電泳設備30的活性矩陣驅動電路31的過程中，通孔柱13形成在源電極39上，然后，夾層絕緣膜23和像素電極36以該順序形成。于是，源電極39和像素電極36通過直徑為lOOjim的通孔13連接。采用這種用配置，有機TFT29A和像素電極36之間的接觸電阻非常低。因此，如果通過將輸入到門電極40的選定信號和輸入到漏電極38的數據信200680016464.5說明書第31/73頁號相結合，而給有機TFT29通電，則因通孔柱13非常小的接觸電阻和幾乎沒有電壓損耗，而在連接到通電的有機TFT29的像素電極36內感生出高電勢。基本上，難于讓大電流流過有機TFT29A,因為有機TFT29A具有較低的遷移性(mobility)。因此，在使用電流驅動型的顯示設備的情況下，對比度降低，不容易產生較高的圖像質量。本實施例所用的電泳設備30是電壓驅動型的。因此，如本實施例一樣，通過使用具有非常低的通孔電阻并能在像素電極36上感生出高電壓的活性矩陣驅動電路31，因此當像素電極36保持正電勢時，微膠嚢28內存在的石墨微粒26容易聚集在像素電極36上，并且當像素電極36保持在負電勢時，微膠嚢28內存在的Ti02微粒27容易聚集在像素電極36上。因此，即使使用有機TFT29A,本實施例的平板顯示器也可以產生清晰的對比度，并且產生高質量的圖像。可以用在本實施例的顯示設備不限于電泳設備30。其他顯示設備諸如液晶顯示設備和EL設備可以替代地使用，如果有機TFT29A的遷移性提高的話，或者如果選擇適當的有機半導體材料、通道寬度和通道長度的話。根據本實施例，與通過影印法和干法蝕刻或者激光鉆孔形成的活性矩陣形成。如早先所述，絲網印刷更適合點印刷而不是孔印刷。目前，盡管難于印刷直徑像10(Vm那樣大的孔，但是容易印刷直徑像5(Vm那樣小的點。因此，用本實施例的方法可以將通孔(通孔柱13)的直徑減小到50pm。由于印刷夾層絕緣膜23,使得上層位于低于通孔柱13頭部的高度，所以通孔柱13向外延伸超過夾層絕緣膜23的表面，而不會完全被夾層絕緣膜28覆蓋。因此，可以通過僅在通孔柱13上直接形成像素電極36,而形成具有良好接觸電阻的通孔柱。于是，有機TFT29A的開關特性不會變差。用非噴射區域略大大于通孔柱13頭部的絲網掩膜印刷絕緣焊膏，同時非噴射區域基本上與通孔柱13的頭部對齊。因此，可以通過適當控制絕緣焊膏的粘性而在鋪平過程中填充通孔柱13和絕緣焊膏之間的空隙。即使鋪平絕緣焊膏后，小空隙留在通孔柱13和夾層絕緣膜23之間，由于小空隙出現在夾層絕緣膜23的表面上，所以該小空隙可以在印刷像素電極36過程中被容易地填充。所以，在通孔柱13和夾層絕緣膜23之間留下空隙的的頻率42降低，且可以生產具有長期可靠性的平板顯示器。根據本實施例的制造方法，在用噴墨法形成有機半導體37后，用絲網印刷法形成通孔柱13、夾層絕緣膜23和像素電極36。就是說，在形成有機半導體37后的過程中不包括影印法、干法蝕刻和激光鉆孔過程。因此，即使使用溶于有機溶劑的有機半導體材料，也可以形成具有良好開關特性的有機TFT29A,同時防止有機半導體被用于影印法的顯影劑和消除劑所溶解，以及防止對有機TFT29A造成等離子和熱損壞。因此，不象相關技術的方法一樣，可以用能溶解在有機溶劑內的有機半導體材料制造能產生高質量圖像的平板顯示器。而且，由于沒有用影印法、干法蝕刻和激光鉆孔，所以根據平板顯示器的特定用途，而使用寬泛的有機半導體材料，諸如聚p塞吩、聚亞苯乙烯和聚芴。特別是，三芳基胺聚合物引起相對高的電離電勢而不容易氧化，因此可以提高活性矩陣驅動電路31的長期可靠性。最后，包括有機TFT29A的平板顯示器的壽命也得到延長。盡管在本實施例中，絲網印刷法用來形成通孔柱13，即使像實施例3和4一樣，替代地用分散器法和噴墨法來形成通孔柱13，也能實現相同效果。在用噴墨法形成通孔柱13的情況下，在印刷源電極39的步驟之前，通過在基片35的每一端形成多對對齊標記，并且依次讀取所述多對對齊標記，可以在讀取每一對對齊標記時校正基片12的位置。因此，可以將通孔13更為精確地與源電極39對齊。如果使用一次全部形成通孔柱13的絲網印刷法，則在活性矩陣驅動電路31周圍發生較大的對齊誤差，因為膜基片35因源電極39和漏電極38的加熱固化過程中的熱量而收縮。由于這種對齊誤差，難于提高像素的數目。另一方面，當使用噴墨法時，可以如上所述，在參照所述多對對齊標記的同時，進行位置校正。因此，在活性矩陣驅動電路31的全部區域內正確地進行了對齊，且較之用絲網印刷法形成的平板顯示器而言，實現了具有較高分辨率的平板顯示器。盡管在本實施例中聚酰亞胺基片用做膜基片35,但是也可以替代地使用其他常用基片，諸如聚碳酸酯(PC)基片、聚乙烯對苯二酸酯(PET)基片、聚萘二曱酸乙二醇酯(PEN)基片和聚醚砜(PES)基片，以及無機絕緣基片，諸如玻璃基片、石英基片和陶瓷基片。盡管在本實施例中，通孔柱13形成在源電極39上，但是通孔柱13可以替代地形成在漏電極38上，使得漏電極38和像素電極36通過通孔柱13連接。在這一情況下，選定信號輸入到門電極40,而數據信號輸入到源電極39。盡管在本實施例中，像素電極36用絲網印刷法形成，也可以替代地使用其他符合像素電極36設計要求的常用印刷法，諸如分散器法、噴墨法和照像凹版印刷法。盡管在本實施例中，有機TFT29A用作活性矩陣驅動電路31的開關元件，但是通孔柱13和夾層絕緣膜23的制造方法和配置適用于垂直SIT和二極管。<實施例12>以下再次參照圖1OA和1OB說明實施例12。以與實施例11的相同方式，用三芳基胺聚合物作為活性層的有機TFT29A形成在聚酰亞胺基片35上，且通孔柱13用絲網印刷法形成在源電極39上。通孔柱13的直徑為lOOpm,高度約為12|im。此后，用絲網印刷法印刷與實施例11相同的絕緣焊膏，且加熱固化，從而形成夾層絕緣膜23。這里所用的絲網掩膜具有非噴射區域。非噴射區域和帶有一個側部的通孔柱13之間的距離OL的設計要求是處于10-50pm范圍內。然后，以與實施例11相同的方式，像素電極36用絲網印刷法形成在夾層絕緣膜23的表面上。于是，形成活性矩陣驅動電路31。要注意，用上述方法制備活性矩陣驅動電路31，其中非噴射區域和帶有一個側部的通孔柱13之間的距離OL變為處于0-100(im范圍內，用來評估。一千個通孔柱13隨機選出，并用超聲顯微鏡觀察。對每個不同的距離OL進行這種觀察。基于超聲顯微鏡觀察和缺陷位評估(以下說明)的結果，選擇的距離OL處于10-50pm范圍內。然后，包括微膠嚢28的電泳設備30連接到活性矩陣驅動電路31，于是形成了包括有機TFT29A的平板顯示器，其中所述的微膠嚢包含石墨微粒26和Ti02微粒27。如上所述，進行缺陷位評估，其中通過將選定信號輸入到全部門電極40和將數據信號輸入到全部漏電極38而顯示全白、全黑和測試圖案。結果示于圖11的表中。在圖ll的表中，O表示小于10個缺陷位；A表示有IO個或者更多，但是小于100個缺陷位；而x表示有100個或者更多缺陷位。當距離OL處于lO-lOO^im范圍內時，存在非常少的缺陷位，且產生高質量的圖像。而當距離OL處于60-100pm范圍內時，在一千個通孔中發現有5-32個存在空隙。從上述結果發現，距離OL處于10-50iim范圍是優選的，且選擇用于本實施例的制造方法。但是，由于通孔柱13直徑為lOO^rni且距離OL處于60-100nm范圍的平板顯示器僅有非常少量的缺陷位，所以源電極39和像素電極36之間的連接良好。因此，如果空隙尺寸滿足平板顯示器的目標可靠性的{舌，-巨離OL可以處于實施例11中的60-100|im范圍內。<實施例13>以下將參照圖12A和12B說明實施例13。以與實施例11相同的方式，將三芳基胺聚合物作為活性層的有機TFT41形成在聚酰亞胺基片35上，且通孔柱13用絲網印刷法形成在源電極39上。通孔柱13的直徑為100(im,且高度約為12pm。此后，以與實施例11相同的方式，用絲網印刷法印刷絕緣焊膏，并加熱固化，從而形成夾層絕緣膜23。所用的絲網掩膜具有非噴射區域。非噴射區域和帶有一個側部的通孔柱13之間的距離OL的設計要求是25|1111。固化的通孔柱3的頭部延伸超過夾層絕緣膜23的表面3-4pm。然后，250(im的方形像素電極36用導電墨水，通過絲網印刷法印刷在夾層絕緣膜23的表面上。這里所用的導電墨水是納米Ag墨水，其粘性為10-15Pa.s。像素電極36的膜厚度約為0.5pm,且延伸超過夾層絕緣膜23表面的通孔柱13延伸穿過像素電極36。然后，僅有像素電極36附近通過RTA在18(TC下進行加熱，從而固化像素電極36。然后，包括微膠嚢28的電泳設備30連接到活性矩陣驅動電路31,于是形成包括有機TFT41的平板顯示器，其中所述微膠嚢包括石墨微粒26和Ti02微粒27。在本實施例的平板顯示器上，進行與實施例11相同的觀察和評估，發現圖像質量較高。根據本實施例，在形成驅動電泳設備30的活性矩陣驅動電路31的過程中，通孔柱13形成在源電極39上，然后夾層絕緣膜23和像素電極36以該順序形成。于是，源電極39和像素電極36通過直徑為100(im的通孔柱13連接。就是說，具有較低接觸電阻的活性矩陣驅動電路31可以用筒單而低成本過程制造。而且，由于通孔(通孔柱13)中的電壓損耗降低，所以在像素電極36處感生的電壓不會降低。因此，平板顯示器可以產生高質量的圖像。在本實施例中，在形成有機TFT41的過程后，由于沒有在過程中包括影印法、干法蝕刻和激光鉆孔過程，所以防止了有機TFT41被熱和等離子破壞，并且可以保持開關特性。由于沒有使用影印法，所以可以使用可溶解于有機溶劑中的有機半導體材料。就是說，可以根據平板顯示器的特定用途使用多種不同的材料。<實施例14>以與實施例11相同的方式，將三芳基胺聚合物作為活性層的有機TFT41形成在聚酰亞胺基片35上，且通孔柱13用絲網印刷法形成在源電極39上。通孔柱13的直徑為80pm,且高度約為1(^m。然后，以與實施例11相同的方式，包含硅石填料的絕緣焊膏用絲網印刷法印刷。這里所用的絲網掩膜具有非噴射區域。非噴射區域和帶有一個側部的通孔柱之間的距離OL是25(im。印刷的通孔柱13的頭部延伸超過夾層絕緣膜23的表面。然后，印刷有絕緣焊膏(夾層絕緣膜23)的聚酰亞胺基片35在低于絕緣焊膏固化溫度(在本實施例中為130°C)的溫度下加熱。在本實施例中，聚酰亞胺基片35在爐子中以50。C加熱10分鐘。絕緣焊膏的粘性因加熱而降低，所以絕緣焊膏填充與通孔柱13交界處出現的空隙。通過在130。C加熱而固化絕緣焊膏，以完成夾層絕緣膜23。然后，用絲網印刷法將Ag焊膏印刷到夾層絕緣膜23的表面上，且在130。C下加熱固化而形成250)iim的方形像素電極36。于是，形成活性矩陣驅動電路31。然后，包括微膠嚢28的電泳設備30連接到活性矩陣驅動電路31,于是形成包括有機TFT41的平板顯示器，其中所述微膠嚢包括石墨微粒26和Ti02微粒27。在本實施例的平^1顯示器上實施與實施例11相同的觀察和評估，且發現圖像質量較高。根據本實施例，通孔柱13形成在源電極39上，且低于通孔柱13的夾層絕緣膜23用絲網掩膜印刷，所述絲網掩膜具有略大于通孔柱13頭部的非噴射區域，同時非噴射區域基本上與通孔柱13的頭部對齊。然后，聚酰亞胺基片35在低于夾層絕緣膜23(絕緣焊膏)固化溫度的溫度下加熱。絕緣焊膏的粘性因加熱而降低，使得絕緣焊膏填充與通孔柱13交界處出現的空隙。因此，在通孔柱13和夾層絕緣膜23之間留下空隙的頻率進一步降低。就是說，本實施例的平板顯示器比實施例11-13的平板顯示器具有更高的長期可靠性。盡管在本實施例中用絲網印刷法形成通孔柱13,分散器法和噴墨法可以替代地用來形成通孔柱13。<實施例15>以下再次參照圖IOA和IOB說明實施例15。以與實施例11相同的方式，將三芳基胺聚合物作為活性層的有機TFT29A形成在聚酰亞胺基片35上，且通孔柱13用絲網印刷法形成在源電極39上。通孔柱13的直徑為80pm,且高度約為10^m。然后，夾層絕緣膜23用噴墨法形成在有機TFT29A上。這里用來印刷的絕緣墨水包含聚乙烯醇縮丁醛、分散劑等，且粘性為5-50Pas。為了更具體地說明上述過程，通過噴墨機的CCD攝像機讀取通孔柱13的對齊標記的同時，將基片35定位。然后，夾層絕緣膜23的印刷數據輸入到噴墨機，并從噴墨頭噴射絕緣墨水來進行印刷。為了防止絕緣墨水印刷到通孔柱13的頭部，考慮到噴射頭的傾斜、墨水目標精度以及噴墨機的對齊精度，略大于通孔柱13外圓周的區域確定為非印刷區域(不印刷的區域)。在本實施例中，非印刷區域是通孔柱13外圓周內側的區域和圍繞通孔柱13外圓周向外延伸15pm的區域。由于目標厚度的夾層絕緣膜23不能用噴墨方法在一次噴射中形成，所以絕緣墨水兩次或者更多次噴射到相同的點，直到夾層絕緣膜23具有目標厚度。因為噴射的絕緣墨水形成約2(im厚，從而在本實施例中使上表面位于低于通孔柱13頭部的高度，所以印刷絕緣墨水后，通孔柱延伸超過夾層絕緣膜23的表面約8fim。通過在120。C下加熱而固化絕緣墨水，以完成夾層絕緣膜23。固化絕緣墨水的過程之后，通孔柱13仍然延伸超過夾層絕緣膜23的表面。然后，以與實施例11的相同方式，像素電極36用絲網印刷法形成在夾層絕緣膜23的表面上。于是，完成活性矩陣驅動電路31。延伸出夾層絕緣膜23的通孔柱13的頭部被像素電極36覆蓋。然后，包括微膠嚢28的電泳設備30連接到活性矩陣驅動電路31,于是形成包括有機TFT29A的平板顯示器，其中所述微膠嚢包括石墨微粒26和Ti02微粒27。為了評估平板顯示器的圖像質量，以與實施例11相同的方式，通過將將選定信號輸入到全部門電極40和將數據信號輸入到全部漏電極38，從而顯示全白、全黑和測試圖案。然后，發現黑色反射率小于6。/。，白色反射率是32%或者更高，且對比度為6或者更高。因此，發現平板顯示器的圖像質量較高。缺陷位小于10位。根據本實施例的制造方法，由于印刷夾層絕緣膜23,使得在源電極39上形成通孔柱13后，上表面處于低于通孔柱13頭部的高度，所以通孔柱13延伸超過夾層絕緣膜23的表面。因此，通過僅在通孔柱13上印刷和固化像素電極36，形成了具有非常低的接觸電阻的通孔(通孔柱13),且與實施例ll一樣，可以在像素電極36上感生出大電勢。就是說，平板顯示器可以產生高質量圖像。由于在本實施例中，夾層絕緣膜23不需要圖案成形，所以可以在噴墨法中使用粘性相對較低的絕緣墨水。當這種絕緣墨水噴射到除略大于通孔柱13外圓周的非印刷區域之外的區域時，噴射出的絕緣模數容易分布到源電極39上，并且可以填充通孔柱13和絕緣墨水之間的空隙。因此，可以形成長期可靠性高的平板顯示器。根據本實施例的制造方法，在用噴墨法形成有機半導體37以后，用絲網印刷法和噴墨法形成通孔柱13、夾層絕緣膜23和像素電極36。就是說，在形成有機半導體37之后的過程中，不包括影印法、干法蝕刻和激光鉆孔過程。因此，防止了有機TFT29A熱和等離子損壞并且可以保持開關特性。由于沒有使用影印法，所以可以使用溶于有機溶劑的有機半導體材料。就是說，可以根據平板顯示器的特定用途，使用寬泛的材料。盡管在本實施例中，夾層絕緣膜23用噴墨法印刷，但是可以替代地使用噴射墨滴的分散器法來印刷夾層絕緣膜23。即使使用分散器法，也可以用粘性相對較低的絕緣墨水，只要不需圖案成形即可。因此，可以實現相同的效果。盡管在本實施例中，用絲網印刷法形成通孔柱13，但是分散器法和噴墨法可以替代地用來形成通孔柱13。<實施例16>以與實施例15相同的方式，將三芳基胺聚合物作為活性層的有機TFT29A形成在聚酰亞胺基片35上，且通孔柱13用絲網印刷法形成在源電極39上。通孔柱13的直徑為100pm,高度約為12pm。然后，夾層絕緣膜23用噴墨法形成在有機TFT29A上。這里用來印刷的絕緣墨水15與實施例15中相同。在本實施例中，為了防止絕緣墨水印刷到通孔柱13頭部，大于通孔柱13外圓周的區域確定為非印刷區域(不印刷的區域)。更具體地說，非印刷區域是通孔柱外圓周內側的區域和圍繞通孔柱13的外圓周向外延伸30(im的區域。由于具有目標厚度的夾層絕緣膜23不能用噴墨法在一次噴射中形成，所以絕緣墨水兩次或者更多次噴射到相同的點，直到夾層絕緣膜23具有目標厚度。然后，聚酰亞胺基片35在低于絕緣墨水固化溫度(在本實施例中為120。C)的溫度下加熱。在本實施例中，聚酰亞胺基片35在爐子中以40。C加熱15分鐘。絕緣墨水的粘性因加熱而降低，所以絕緣墨水填充與通孔柱13交界處出現的空隙。絕緣墨水在爐子中以130。C加熱，以完成夾層絕緣膜23。絕緣墨水固化過程后，通孔柱13的頭部仍然延伸超過夾層絕緣膜23的表面。然后，以與實施例11相同的方式，像素電極36用絲網印刷法形成在夾層絕緣膜23的表面上。要注意，在生產步驟中，一千個通孔柱13隨機選出，并用超聲顯微鏡觀察，并且沒有檢測到帶空隙的通孔。然后，包括微膠嚢28的電泳設備30連接到活性矩陣驅動電路31,于是形成包括有機TFT29A的平板顯示器，其中所述微膠嚢包括石墨微粒26和TiCM效粒27。在本實施例的平板顯示器上實施與實施例15相同的觀察和評估，且發現圖像質量較高。根據本實施例的制造方法，夾層絕緣膜23用噴墨法印刷，從而讓上表面位于低于通孔柱13頭部的高度。然后，基片35在低于夾層絕緣膜23固化溫度的溫度下加熱。因此，夾層絕緣膜23和通孔柱23之間出現的空隙被更為有效地填充。盡管在本實施例中，夾層絕緣膜23用噴墨法印刷，但是噴射墨滴的分散器法可以替代地用來印刷夾層絕緣膜23。即使在這種情況下，也能實現相同的效果。<實施例17>圖13A和13B圖示了根據本發明實施例17的平板顯示器示例。圖13A是包括活性矩陣驅動電路31的平板顯示器的截面圖，而圖13B是包括有機TFT41的活性矩陣驅動電路31的截面圖。活性矩陣驅動電路31包括320x240個有機TFT41單元，以300^m的間隔以矩陣形式布置在聚碳酸酯制成的膜基片35上。有機TFT41的門電極40、源電極39和漏電極38用Ag制成。由三芳基胺聚合物制成的有機半導體37形成活性層。門絕緣膜34由聚酰亞胺制成。和包含BaTi03填料的介電膜制成的下電極43堆疊在夾層絕緣膜23上。由Ag制成的多個像素電極(320x240個元件)以矩陣形式布置在介電膜42上。有機TFT41的源電極39和像素電極36通過相應的通孔(通孔柱13)連接。下電極43、介電膜43和像素電極36形成電容。當有機TFT斷電時，該電容保持像素電極36的電勢。形成在源電極39上的通孔柱13(通孔)延伸穿過夾層絕緣膜23和介電膜42并且延伸超過介電膜42的表面。延伸出介電膜42的通孔柱13的頭部被像素電極36覆蓋。電泳設備30連接到包括有機TFT41的活性矩陣驅動電路31,形成平板顯示器。在該電泳設備30中，微膠嚢28插置在像素電極36和由聚碳酸酯制成的相對基片33之間，其中所述微膠嚢包括石墨微粒26和Ti02微粒27。由ITO制成的常用透明電極25設置在相對的基片33的表面上，與微膠嚢28接觸。根據本實施例，包括有機TFT41的平板顯示器用下述方法制造。利用噴墨法，寬度為60pm的門電極40用納米Ag墨水印刷到膜電極35上，所述基片具有帶二氧化硅膜的表面。基片35在爐子中以180。C加熱以完成門電才及40。然后，通過旋轉涂覆法在門電極40上形成聚酰亞胺并在爐子中以180。C加熱，于是聚酰亞胺亞胺化，變成門絕緣膜34。光掩膜放置在門絕緣膜34上，使得紫外線僅輻射到將形成源電極39和漏電極38的區域。于是，曝露在紫外線下的聚酰亞胺表面被改性。然后，用噴墨法將納米Ag墨水噴射到改性的聚酰亞胺表面上。在爐子中以18CTC進行熱處理，以形成寬度為lOOjam的源電極39和寬度為60inn的漏電極38。源電極39和漏電極38之間的距離(通道長度)是2(Vm。包含有機半導體37材料的溶液用噴墨法噴射到通道區域。在IO(TC進行干燥過程以獲得有機TFT41。有機半導體材料是三芳基胺聚合物，并且溶解在曱苯、二曱苯、THF等中，用作墨水。以與實施例11相同的方式，直徑為60(im的通孔柱13用Ag焊膏印刷，并且在120。C下加熱，于是形成高度約為12)im的通孔柱13。包含硅石填料的絕緣焊膏用絲網印刷法印刷，并且在120°C下加熱固化，形成夾層絕緣膜23。用來印刷的絕緣焊膏粘性為10-50Pa.s。用來印刷夾層絕緣膜23的第一絲網掩膜具有直徑為100)im非噴射區域。在非噴射區域與源電極39上的通孔柱13對齊的同時，進行印刷。印刷的絕緣膜23的膜厚度約為5!im。通孔柱13的頭部延伸超過印刷并固化的夾層絕緣膜23的表面。然后，用Ag焊膏，以非接觸絲網印刷法將80^m的方形下電極43印刷到夾層絕緣膜23上，并在120。C下加熱固化。這里用來印刷的Ag焊膏包含Ag微粒、丙烯酸樹脂、丁基卡比醇等，且粘性為10-50Pa's。這里用來印刷的絲網掩膜是不銹鋼網No.500,其乳膠厚度為lpm或更小。用上述絲網掩膜和橡膠硬度為70的刮板，以上述Ag焊膏印刷80|im的方形下電極43。固化的下電極43的膜厚度約為3jim。然后，用非接觸式絲網印刷法將介電膜42印刷到夾層絕緣膜23和下電極43上，并在12(TC下加熱固化。用來印刷介電膜42的介電焊膏包含BaTi03填料、聚乙烯醇縮丁醛樹脂等，且粘性為1-10Pa.s。用來印刷介電膜42的第二絲網掩膜是不銹鋼網No.325,其乳膠厚度為lpm或更小。第二絲網掩膜具有直徑為100|im的非噴射區域，被乳膠密封。第二絲網掩膜的對齊標記與通孔柱13的對齊標記對齊，于是非噴射區域定位在通孔柱13的頭部上。由于這里所用的印刷機具有士10pm的對齊精度，所以即使存在定位誤差，形成在源電極39上的通孔柱13的頭部也會定位在第二絲網掩膜的非噴射區域內。第二絲網掩膜定位后，用橡膠硬度為60的刮板印刷介電焊膏。在本實施例中，介電焊膏的印刷厚度為0.5^m,且通孔柱13的頭部延伸超過印刷的介電焊膏的表面3-4pm。在非接觸式印刷法中，當第二絲網掩膜從膜基片35分開時，較高的剪切應力施加到介電焊膏上。然后，介電焊膏的粘性降低。通過適當調節介電焊膏的粘性，介電焊膏能填充介電焊膏和通孔柱13之間的空隙。介電焊膏在爐子中以120。C加熱固化，完成介電膜42。然后，以與實施例11相同的方式，用絲網印刷法在介電焊膏42上印刷250jim的方形像素電極36，且在120。C下加熱固化，完成像素電極36。于是，形成包括有機TFT41的活性矩陣驅動電路31(元件數目320x240)。延伸超過介電膜42表面的通孔柱13的頭部被像素電極36覆蓋。厚度為5(Vm的微膠嚢28在像素電極36上形成單層，其中負電性石墨微粒26和正電性TiCM鼓粒27分散在硅油中。ITO用賊射法設置在聚碳酸酯制成的相對基片33的表面上，且用影印法和蝕刻法形成常用透明電極25。設置相對的基片33，使得微膠嚢28插置在像素電極36和常用透明電極25之間。相對的基片33和膜基片35用環氧系統粘結劑密封。于是，形成包括有機TFT41的平板顯示器。為了評估平板顯示器的圖像質量，通過將選定信號輸入到全部門電極40并將數據信號輸入到全部漏電極38，顯示全白、全黑和測試圖案。然后，發現黑色反射率為4%或更小，白色反射率為36%或更高，且對比度為8或者更高。因此，發現平板顯示器的圖像質量較高。缺陷位少于10位。顯示完測試圖案后，全部選定信號和數據信號被切斷，以評估顯示圖像的記憶特性。一天后，測試圖案圖像的對比度沒有變差，并確定記憶特性滿足被用作電子紙張。如上所述，根據本實施例的平板顯示器制造方法，在形成驅動電泳設備30的活性矩陣驅動電路31的過程中，通孔柱13形成在源電極39上，然后夾層絕緣膜23、下電極43、介電膜42以及像素電極36以所述順序形成。于是，源電極39和像素電極26通過直徑為60pm的通孔柱13連接。利用這種配置，有機TFT41和像素電極36之間的接觸電阻非常小。因此，如果通過輸入到門電極40的選定信號和輸入到漏電極38的數據信號的特定組合，給有機TFT41通電，則因通孔柱13上電壓損耗非常小，在連接到通電的有機TFT41的像素電極36上有效地感生出高電勢。本實施例所用的電泳設備30是電壓驅動型的顯示元件。因此，盡管有機TFT41用在驅動電路31中，但是如本實施例一樣，通過使用電阻很小且能在像素電極36上感生出高電勢的活性矩陣驅動電路31,平板顯示器可以產生清晰的對比度并且提供高質量圖像。由于下電極43、介電膜42以及像素電極36堆疊形成電容，所以即使當有機TFT已經被斷電，像素電極36的電勢也能被該電容保持。因此，本實施例的平板顯示器具有良好的記憶特性。在不包括電容的實施例11的平板顯示器中，電荷被有機TFT41的門絕緣膜34和夾層絕緣膜23的電容所保持，且不容易平衡有機TFT41的開關特性和電荷保持能力。因此，一天后，測試圖案的對比度降低，且記憶特性不足以用作電子紙張。在本實施例的平板顯示器中，開關特性依賴于有機TFT41的結構，而電荷保持能力主要依賴于包括下電極43、介電膜42和像素電極36的電容。就是說，考慮到開關性能，主要確定有機TFT41的結構。另一方面，電荷保持能力與TFT結構無關，并且能由下電極43的面積和介電膜42的相對介電常數，即介電填料的相對介電常數、介電填料的數量以及介電膜的厚度來形成。因此，可以更為容易地制造具有希望結構的平板顯示器以及具有良好記憶特性的平板顯示器。根據本實施例的制造方法，與通過影印法和干法蝕刻或者激光鉆孔形成的熟知活性矩陣驅動電路的有機TFT的通孔具有相同尺寸的通孔可以更為容易地以低成本形成。目前，可以用絲網印刷法印刷直徑像50(im那樣小的點，用本實施例的方法可以將通孔(通孔柱13)的直徑減小到50iam。調節夾層絕緣膜23、下電極43以及介電膜42的膜厚度，使得通孔柱13的頭部延伸出介電膜442,而不一皮介電膜42覆蓋。因此，可以通過^(叉在通孔柱13上直接形成像素電極36而形成接觸電阻良好的通孔柱。要注意，夾層絕緣膜23、下電極43和介電膜42的膜厚度可以通過焊膏粘性、網眼、刮板橡膠硬度、間隙、印刷壓力、沖角、印刷速度等來調節。用每個都具有略大于通孔柱13頭部的非噴射區域的第一和第二絲網掩膜印刷絕緣焊膏和介電焊膏，同時非噴射區域大致與通孔柱13的頭部對齊。因此，可以在鋪平過程中，通過適當控制絕緣焊膏和介電焊膏的粘彈性而填充通孔柱13和絕緣焊膏之間、通孔柱13和介電焊膏之間的空隙。因此，在通孔柱13和夾層絕緣膜23之間、在通孔柱13和介電膜42之間留下空隙的頻率降低，且可以生產具有長期可靠性的平板顯示器。在本實施例中，通孔柱13、夾層絕緣膜23、下電極43、介電膜42以及像素電極36用絲網印刷法形成，且在形成有機TFT41之后的過程中，不包括影印法、干法蝕刻以及激光鉆孔過程。因此，防止了有機TFT41的熱和等離子損壞，并且保持了開關特性。另外，可以用簡單且低成本的過程制造平板顯示器。由于沒有用影印法，所以可以使用可溶解于有機溶劑的有機半導體材料，諸如聚噻吩、聚對苯乙烯和聚芴。就是說，根據平板顯示器的特定用途，可以使用寬泛的材料。盡管在本實施例中，通孔柱13形成在源電極39上，但是通孔柱13可以替代地形成在漏電極38上，使得漏電極38和像素電極36通過通孔柱13連接。在這種情況下，選定信號輸入到門電極40,且數據信號輸入到源電極39。盡管在本實施例中，下電極43和像素電極36用絲網印刷法形成，但是也可以替代地使用其他能滿足下電極43和像素電極36設計要求的常用印刷法，諸如分散器法、噴墨法、照像凹版印刷法。盡管在本實施例中，有機TFT41用作活性矩陣驅動電路31的開關元件，但是通孔柱13和夾層絕緣膜23的制造方法和配置可以適用于垂直SIT和二極管。盡管在本實施例中，絲網印刷法用來形成通孔柱13,但是分散器法和噴墨法也可以替代地用來形成通孔柱13。特別是在用噴墨法形成通孔柱13的情況下，在印刷源電極39的步驟之前，通過在基片的每個端部形成多對對齊標記并一次讀取所述多對對齊標記，可以在每次讀耳又一對對齊標記時沖交正基片12的4立置。因此，通孔柱13可以更為精確地與源電極39對齊。特別是在制造包括膜基片的平板顯示器時，提供這種用于精確對齊的對齊標記是有效的。<實施例18>以與實施例17相同的方式，將三芳基胺聚合物作為活性層的有機TFT41形成在聚碳酸酯基片35上，且通孔柱13用絲網印刷法形成在源電極39上，通孔柱13的直徑為60pm,高度約為12nm。此后，以與實施例17相同的方式，用絲網印刷法印刷絕緣焊膏并加熱固化，從而形成夾層絕緣膜23。這里所用的第一絲網掩膜具有非噴射區域。非噴射區域和帶有一個側部的通孔柱13之間的距離OL的設計要求是處于10-50,范圍內。然后，以與實施例17相同的方式，下電極43、介電膜42以及像素電極36用絲網印刷法形成在夾層絕緣膜23的表面上。用于印刷介電膜42的第二絲網掩膜具有非噴射區域。非噴射區域和帶有一個側部的通孔柱13之間的距離OL的設計要求是處于10-50^m范圍內。第一絲網掩膜的距離OL等于第二絲網掩膜的距離0L。注意到的是，用上述方法制備活性矩陣驅動電路31,其中非噴射區域和帶有一個側部的通孔柱13之間的距離OL變為0-100pm,用來評估。以與實施例ll相同的方式，一千個通孔柱13被隨機選出，并用超聲顯微鏡觀察。對每一個不同的距離OL都進行這種觀察。基于這種超聲顯微鏡觀察的結果以及缺陷位評估(以下說明)，選擇的距離OL處于10-5(Vm范圍內。然后，包括微膠嚢28的電泳設備30連接到活性矩陣驅動電路31,于是形成包括有機TFT41的平板顯示器，其中所述微膠嚢包括石墨微粒26和TiCM鼓粒27。如上所述，進行缺陷位評估，其中通過將選定信號輸入到全部門電極40并將數據信號輸入到全部漏電極38,顯示全白、全黑和測試圖案。結果示于圖14的表中。在圖14的表中，O表示存在少于10個缺陷位；A表示存在IO個或者更多，但是少于100個缺陷位；而x表示存在IOO或者更多個缺陷位。當距離OL處于10-100pm范圍內時，存在非常少的缺陷位，并且產生了高質量的圖像。但是，當距離OL處于60-100pm范圍內時，在一千個通孔中發現存在4-39個空隙。從上述結果，發現距離OL處于10-50pm范圍內是優選的，并且選擇用于本實施例的制造方法。但是，由于通孔13的直徑為60(im且距離OL處于60-10(Vm范圍內的平板顯示器具有非常少的缺陷位，所以在本實施例中距離OL可以處于60-100|im范圍內，如果空隙尺寸滿足目標平板顯示器的規格的話。<實施例19〉以下參照圖15A和15B說明實施例19。以與實施例17相同的方式，將三芳基聚合物作為活性層的有機TFT41形成在聚碳酸酯基片35上，且通孔柱13用絲網印刷法形成在源電極39上。通孔柱13的直徑為60(im，高度約為12(im。此后，以與實施例17相同的方式，用絲網印刷法印刷絕緣焊膏并加熱固化，從而形成夾層絕緣膜23。然后，以與實施例17相同的方式，下電極43和介電膜42用絲網印刷法形成在夾層絕緣膜23的表面上。這里所用的第一和第二絲網掩膜都有非噴射區域。非噴射區域和通孔柱13之間的距離OL的設計要求是20(im。固化的通孔柱13頭部延伸超過介電膜42的表面3-4(im。然后，用導電墨水，以絲網印刷法，將250pm的方形像素電極36印刷到介電膜42的表面上。這里所用的導電墨水是納米Ag墨水，粘性為10-15Pas。然后，僅像素電極36的附近用RTA在180。C下加熱，從而完成像素電極36。像素電極36的膜厚度約為0.5pm，且延伸超過介電膜42表面的通孔柱13延伸穿過像素電極36。然后，包括微膠嚢28的電泳設備30連接到活性矩陣驅動電路31，于是形成包括有機TFT41的平板顯示器，其中所述微膠嚢包括石墨微粒26和Ti02微粒27。在本實施例的平板顯示器上實施與實施例17相同的觀察和評估，且發現本實施例的平板顯示器能產生高質量圖像，且具有足以用作電子紙張的記憶特性。根據本實施例，在形成驅動電泳設備30的活性矩陣驅動電路31過程中，通孔柱13形成在源電極39上，然后夾層絕緣膜23、下電極43、介電膜42和像素電極36以所述順序形成。于是，源電極39和像素電極36通過直徑為60(im的通孔柱13連接。就是說，可以用簡單且低成本的過程制造具有較低接觸電阻的活性矩陣驅動電路31。本實施例所用的電泳設備30是電壓驅動型顯示元件。因此，通過使用本實施例所述的活性矩陣驅動電路31,平板顯示器可以提供高質量圖像，盡管使用了有機TFT41。即使當已經通電的有機TFT41被斷電，像素電極36的電勢也能由包括下電極43、介電膜42和像素電極36的電容所保持。因此，本實施例的平板顯示器具有良好的記憶特性。<實施例20〉以與實施例17相同的方式，將三芳基胺聚合物作為活性層的有機TFT41形成在聚碳酸酯基片35上，且通孔柱13用絲網印刷法形成在源電極39上。通孔柱13的直徑為60pm,高度約12pm。然后，以與實施例17相同的方式，用絲網印刷法印刷絕緣焊膏。這里所用的第一絲網掩膜具有非噴射區域。非噴射區域和通孔柱13之間的距離OL是20nm。印刷的夾層絕緣膜23的膜厚度約為5|im。然后，印刷有絕緣焊膏(夾層絕緣膜23)的聚碳酸酯基片35在低于絕緣焊膏固化溫度(在本實施例中為120°C)的溫度下加熱。在本實施例中，聚碳酸酯基片35在爐子中以50。C加熱IO分鐘。此后，在120。C下加熱固化夾層絕緣膜23。然后，以與實施例17相同的方式，下電極43用絲網印刷法形成在夾層絕緣膜23的表面上。然后，介電膜42用絲網印刷法印刷在夾層絕緣膜23和下電極43上。這里用來印刷介電膜42的第二絲網掩膜具有非噴射區域。非噴射區域和通孔柱13之間的距離OL是20pm。然后，印刷有絕緣焊膏(夾層絕緣膜23)的聚碳酸酯基片35在低于絕緣坪膏(介電膜42)固化溫度(在本實施例中為120°C)的溫度下加熱。在本實施例中，聚碳酸酯基片35在爐子中以5(TC加熱IO分鐘。然后，在120。C下進行加熱，固化介電膜42從而形成介電膜42。即使在固化介電焊膏的過程之后，通孔柱13的頭部仍然延伸超過介電膜42的表面。然后，250]am的方形像素電極36用絲網印刷法印刷在介電膜42上，且在120。C下加熱固化。于是，形成活性矩陣驅動電路31。然后，包括微膠嚢28的電泳設備30連接到活性矩陣驅動電路31，于是形成包括有機TFT41的平板顯示器，其中所述微膠嚢包括石墨微粒26和Ti02微粒27。在本實施例的平板顯示器上實施與實施例17相同的觀察和評估，且發現本實施例的平板顯示器能產生高質量圖像，且具有足以用作電子紙張的記憶特性。根據本實施例，通孔柱13形成在源電極39上，且夾層絕緣膜23用具有非噴射區域的第一絲網掩膜印刷，其中所述非噴射區域略大于通孔柱13的頭部，且非噴射區域基本上與通孔柱13的頭部對齊。然后，聚碳酸酯基片35在低于夾層絕緣膜23(絕緣焊膏)固化溫度的溫度下加熱。絕緣焊膏的粘性因加熱而降低，所以絕緣焊膏填充與通孔柱13交界處出現的空隙。而且，根據本實施例，在夾層絕緣膜23固化后，下電極43形成在夾層絕緣膜23上。然后，介電膜42用具有非噴射區域的第二絲網掩膜印刷，其中所述非噴射區域略大于通孔柱13的頭部，且非噴射區域基本上與通孔柱13的頭部對齊。然后，聚碳酸酯基片35在低于介電膜42(介電焊膏)固化溫度的溫度下加熱。介電焊膏的粘性因加熱而降低，所以介電悍膏填充與通孔柱13交界處出現的空隙。因此，在通孔柱13和階層絕緣膜23之間、在通孔柱13和介電膜42之間留下空隙的頻率進一步降低。就是說，本實施例的平板顯示器較之實施例17-19的平板顯示器，具有更高的長期可靠性。在本實施例中，印刷的絕緣焊膏在低于絕緣焊膏固化溫度的溫度下加熱，所以通孔柱和夾層絕緣膜23之間的空隙被絕緣焊膏填充。而且，印刷的介電焊膏在低于介電焊膏固化溫度的溫度下加熱，所以，通孔柱13和介電膜42之間的空隙被介電焊膏填充。于是，在通孔柱13和夾層絕緣膜23之間、在通孔柱13和介電膜42之間出現的空隙減少。而且，可以通過在低于絕緣焊膏固化溫度的溫度下加熱并簡單地固化印刷的介電焊膏，或者通過簡單地固化印刷的絕緣焊膏且在低于介電焊膏固化溫度的溫度下加熱，可以減少通孔柱13和夾層絕緣膜23之間、通孔柱13和介電膜42之間存在的空隙。就是說，印刷絕緣墨水的過程之后的加熱過程以及印刷介電悍膏的過程之后的加熱過程可以根據目標可靠性以及平板顯示器的成本而有選擇地添加。盡管在本實施例中用絲網印刷法形成通孔柱13,但是像某些其他實施例中一樣，可以替代地用分散器法和噴墨法形成通孔柱13。<實施例21>以下再次參照圖13A和13B說明實施例21。以與實施例17相同的方式，將三芳基胺聚合物作為活性層的有機TFT41形成在聚碳酸酯基片35上，且通孔柱13用絲網印刷法形成在源電極39上。通孔柱13的直徑為60pm,高度約為12|im。然后，夾層絕緣膜23用噴墨法形成在有機TFT41上。這里用來印刷的絕緣墨水包含聚乙烯醇縮丁醛、分散劑等，且粘性為5-50Pa-s。為了更具體地說明上述過程，定位極片35,同時用噴墨機的CCD攝像機讀取通孔柱13的對齊標記。然后，夾層絕緣膜23的印刷數據輸入到噴墨機，且從噴射頭噴射絕緣墨水來執行印刷。為了防止絕緣墨水印刷到通孔柱13的頭部，考慮到噴射頭的傾斜、墨水目標精度以及噴墨機的對齊精度，略大于通孔柱13外圓周的區域確定為非印刷區域(不印刷的區域)。在本實施例中，非印刷區域是通孔柱13外圓周內的區域和圍繞通孔柱13外圓周向外延伸20pm的區域。由于目標厚度的夾層絕緣膜23不能用噴墨法在一次噴射中形成，所以絕緣墨水兩次或者更多次噴射到相同的點，直到夾層絕緣膜23具有目標厚度。絕緣墨水以120。C加熱固化，完成夾層絕緣膜23。此后，以與實施例17相同的方式，下電極42用絲網印刷法形成在夾層絕緣膜23的表面上。然后，用噴墨法印刷介電膜42。這里用來印刷的介電墨水包含BaTi03填料、聚乙烯醇縮丁醛、分散劑等，且粘性為5-50Pas。為了更為具體地說明上述過程，定位基片35,同時用噴墨機的CCD攝像機讀取通孔柱13的對齊標記。然后，介電膜42的印刷數據輸入到噴墨機，且從噴射頭噴射介電墨水來執行印刷。為了防止介電墨水印刷到通孔柱13的頭部，基于噴射頭的傾^K墨水目標精度以及噴墨機的對齊精度，略大于通孔柱13外圓周的區域確定為非印刷區域(不印刷的區域)。在本實施例中，非印刷區域是通孔柱13外圓周內側的區域和圍繞通孔柱13外圓周向外延伸20(xm的區域。介電墨水在120。C下加熱固化，完成介電膜42。調節夾層絕緣膜23、下電極43以及介電膜42的厚度，使得通孔柱13的頭部延伸超過印刷的介電膜42的表面。可以通過墨水粘性、噴射次數、印刷速度等來調節夾層絕緣膜23和介電膜42的厚度，而可以通過焊膏粘性、網眼、刮板橡膠厚度、間隙、印刷壓力、沖角、印刷速度等來調節下電極43的膜厚度。然后，以與實施例17相同的方式，像素電極36用絲網印刷法形成在介電膜42的表面上。于是，形成活性矩陣驅動電路31。延伸出介電膜42的通孔柱13的頭部被像素電極36覆蓋。然后，包括微膠嚢28的電泳設備30連接到活性矩陣驅動電路31,于是形成包括有機TFT41的平板顯示器，其中所述微膠嚢包括石墨微粒26和Ti02微粒27。為了評估平板顯示器的圖像質量，以與實施例17相同的方式，通過將選定信號輸入到全部門電極40和將數據信號輸入到全部漏電極38,顯示全白、全黑和測試圖案。然后，發現黑色反射率為5°/。或更小、白色反射率為36%或者更高、且對比度為7或者更高。因此，發現平板顯示器的圖像質量較高。缺陷位少于10位。顯示完側視圖案后，切斷全部選定信號和數據信號，從而評估顯示圖像的記憶特性。測試圖案圖像的對比度在一天后沒有變差，并且確定記憶特性足以用作電子紙張。如上所述，根據本實施例的制造方法，在形成源電極39的通孔柱13后，夾層絕緣膜23用噴墨法形成。然后，形成下電極43，且介電膜"用噴墨法形成。調節夾層絕緣膜23、下電極43和介電膜42的膜厚度，使得通孔柱13的頭部延伸超過介電膜42的表面。因此，通過僅在通孔柱13上直接印刷和固化像素電極36,可以形成接觸電阻非常低的通孔(通孔柱13)，且和實施例17—樣，能在像素電極36上感生出高電勢。就是說，平板顯示器能產生高質量圖像。由于下電極43、介電膜42以及像素電極36形成電容，所以即使當通電的有機TFT41被斷電，像素電極36的電勢也可以被該電容保持。因此，本實施例的平板顯示器具有良好的記憶特性。當與本實施例一樣，夾層絕緣膜23和介電膜42不需要模式成形時，他們可以用噴墨法印刷，可以使用粘性相對較低的墨水。當這種墨水噴射到除略大于通孔柱13外圓周的非印刷區域外的區域時，噴射的墨水容易分布在源電極39上，且可以填充通孔柱13和墨水之間的空隙。因此，可以形成具有較高長期可靠性的平板顯示器。根據本實施例的制造方法，在形成有機半導體37后，通孔柱13、下電極43和像素電極36用絲網印刷法形成，且夾層絕緣膜23和介電膜42用噴墨法形成。就是說，在形成有機半導體37以后的過程中不包括影印法、干法蝕刻和激光鉆孔過程。因此，防止了有機TFT41熱或者等離子損壞，且可以保持開關特性。由于沒有使用影印法，所以可以使用可溶于有機溶劑的有機半導體材料。就是說，可以根據平板顯示器的特定用途，使用寬泛的材料。盡管在本實施例中，夾層絕緣膜23和介電膜42用噴墨法印刷，但是也可以替代地用噴射墨滴的分散器法來印刷夾層絕緣膜23和介電膜42。即使在這種情況下，也能實現相同的效果。而且，即使夾層絕緣膜23和介電膜42其中之一用實施例17的絲網印刷法印刷，也能實現相同的效果。盡管在本實施例中，絲網印刷法用來形成通孔柱13,但是分散器法和噴墨法也可以替代地用來形成通孔柱13。<實施例22>以與實施例21相同的方式，將三芳基胺聚合物作為活性層的有機TFT41形成在聚碳酸酯基片35上，且通孔柱13用絲網印刷法形成源電極39上。通孔柱13的直徑為60pm,高度約為12|im。然后，以與實施例21相同的方式，絕緣焊膏用噴墨法印刷。為了防止絕緣墨水印刷到通孔柱13的頭部，考慮到噴射頭的傾斜、墨水目標精度、噴墨機的對齊精度，略大于通孔柱13外圓周的區域確定為非印刷區域(不印刷的區域)。在本實施例中，非印刷區域是通孔柱13外圓周內側的區域和圍繞通孔柱13外圓周向外延伸20(im的區域。由于目標厚度的夾層絕緣膜23不能用噴墨法在一次噴射中形成，所以絕緣墨水兩次或者更多次噴射到相同的點，直到夾層絕緣膜23具有目標厚度。然后，印刷有絕緣墨水的聚碳酸酯基片35在低于絕緣墨水固化溫度(在本實施例中為12CTC)的溫度下加熱。在本實施例中，聚碳酸酯基片35在爐子中以50。C加熱IO分鐘。此后，在12(TC下加熱固化夾層絕緣膜23。然后，以與實施例21相同的方式，下電極43用絲網印刷法形成在夾層絕緣膜23的表面上。然后，介電膜42用噴墨法印刷在夾層絕緣膜23和下電極43上。在印刷介電膜42時，為了防止介電墨水印刷到通孔柱13的頭部，基于噴射頭的傾斜、墨水目標精度以及噴墨機的對齊精度，略大于通孔柱13外圓周的區域確定為非印刷區域(不印刷的區域)。在本實施例中，非印刷區域是通孔柱13外圓周內側的區域和圍繞通孔柱13外圓周向外延伸20|im的區域。然后，印刷有介電墨水(介電膜42)的聚碳酸酯基片35在低于介電墨水固化溫度(在本實施例中為120°C)的溫度下加熱。在本實施例中，聚碳酸酯基片35在爐子中以50。C加熱IO分鐘。然后以120。C加熱固化介電墨水，從而形成介電膜42。即使在固化介電墨水的過程之后，通孔柱13的頭部仍然延伸超過介電膜42的表面。然后，25(Vm的方形像素電極36用絲網印刷法印刷到介電膜42上，且在120。C下加熱固化。于是形成活性矩陣驅動電路31。然后，包括微膠嚢28的電泳設備30連接到活性矩陣驅動電路31，于是形成包括有機TFT41的平板顯示器，其中所述微膠嚢包括石墨微粒26和Ti02微粒27。在本實施例的平板顯示器上實施與實施例21相同的觀察和評估，且發現本實施例的平板顯示器能產生高質量圖像，且具有足以用作電子紙張的記憶特性。根據本實施例，通孔柱13印刷在源電極39上，且然后用噴墨法印刷夾層絕緣膜23。此后，聚碳酸酯基片35在低于夾層絕緣膜23(絕緣墨水)固化溫度的溫度下加熱。絕緣墨水的粘性因加熱而降低，所以絕緣墨水填充與通孔柱13交界處出現的空隙。固化夾層絕緣膜23后，下電極43形成在夾層絕緣膜23上，然后，用噴墨法印刷介電膜42,且聚碳酸酯基片35在低于介電膜42(介電墨水)固化溫度的溫度下加熱。介電墨水的粘性因加熱而降低，所以介電墨水填充與通孔柱交界處出現的空隙。因此，在通孔柱13和夾層絕緣膜23之間、在通孔柱13和介電膜42之間留下空隙的頻率進一步降低。就是說，本實施例的平板顯示器較之實施例21的平板顯示器，具有更高的長期可靠性。在本實施例中，印刷的絕緣墨水在低于絕緣墨水固化溫度的溫度下加熱，所以通孔柱13和夾層絕緣膜23之間的空隙被絕緣墨水填充。而且，印刷的介電墨水在低于介電墨水固化溫度的溫度下加熱，所以通孔柱13和介電膜42之間的空隙被介電墨水填充。于是，通孔柱13和夾層絕緣膜23之間、通孔柱13和介電膜42之間出現的空隙減少。但是，可以通過在低于絕緣墨水固化溫度的溫度下加熱且簡單地固化印刷的介電墨水，或者在低于介電墨水固化溫度的溫度下加熱且簡單地固化印刷的絕緣墨水，可以減少通孔柱13和夾層絕緣膜23之間、通孔柱23和介電膜42之間出現的空隙。就是說，印刷絕緣墨水之后的加熱過程以及印刷介電墨水之后的加熱過程可以根據平板顯示器的目標可靠性以及成本來有選擇地添加。盡管在本實施例中，絲網印刷法用來形成通孔柱13,但是分散器法和噴墨法也可以像某些實施例中一樣替代地用來形成通孔柱13。在本實施例中，和實施例21—樣，夾層絕緣膜23和介電膜42可以用分散器法取代噴墨法來印刷。而且，夾層絕緣膜23和介電膜42其中之一可以和實施例21—樣，用絲網印刷法印刷。<實施例23>圖20是示意性地示出根據本發明的實施例23的多層布線結構910的截面圖。參照圖20,實施例23的多層布線結構910包括第一金屬布線元件92、夾層絕緣膜93、介電柱94和第二金屬布線元件95。第一金屬布線元件92用絲網印刷法形成在基片91的第一基本表面上。夾層絕緣膜92用絲網印刷法形成在基片91的第一基本表面91A上，從而覆蓋第一金屬布線元件92。介電柱94基本上為柱狀，且用絲網印刷法形成在第一金屬部線元件92上，從而延伸穿過夾層絕緣膜93。介電柱94的頂部部分94A相對于夾層絕緣膜93的第一基本表面93A向上延伸。換句話說，介電柱94的高度大于夾層絕緣膜93的厚度。第二金屬布線元件95用絲網印刷法形成在夾層絕緣膜93的第一基本表面93A上，從而覆蓋介電柱94的頂部部分94A。盡管圖20只示出了一個第一金屬布線元件92和一個第二金屬布線元件95,但是實際上可以有多于一個第一金屬部線元件92和多于一個第二金屬布線元件95。基片91用玻璃制成。第一和第二金屬部線元件92和95用銀(Ag)制成，且線寬為50(im。夾層絕緣膜93用硅基絕緣材料制成。介電柱94用鈦酸鋇(BaTi03)制成。第一金屬布線元件92的膜厚度約為6pm，而夾層絕緣膜93的膜厚度約為4nm。介電柱94的高度約為6|am,第二金屬布線元件95的膜厚度約為6|im。相應地，柱狀介電柱94的高度大于多層布線結構910中夾層絕緣膜93的厚度。在多層布線結構910中，第一金屬布線元件92、介電柱94以及第二金屬布線元件95形成電容。具體地說，第一金屬布線元件92和第二金屬布線元件95分別形成該電容的下電極和上電極。就是說，多層布線結構910是嵌入式電容性多層布線結構。每個下電極和上電極的面積是50idmx80|im。圖21A-21E圖示了制造圖20中的多層布線結構910的方法。參照圖21A-21E,第一金屬布線元件92用絲網印刷法形成在極片91上。這里用來絲網印刷的導電焊膏是Ag焊膏。該Ag焊膏包含Ag填料、丙烯酸樹脂、卡比醇縮醛等，且粘性處于150-250Pas范圍內。這里用來絲網印刷的絲網掩膜是不銹鋼網No.500，其乳膠厚度為8(im。寬度為50nm的第一金屬布線元件92用上述絲網掩膜和橡膠硬度為70的刮板印刷在基片91上。印刷以后，在爐子中以20(TC加熱30分鐘將Ag焊膏固化，從而完成第一金屬布線元件92(見圖21A的步驟A1)。然后，柱狀介電柱94用絲網印刷法形成在下電極(第一金屬布線元件92)上。這里用來絲網印刷的介電焊膏是BaTi03焊膏。該BaTi03焊膏包含BaTi03填料、丙烯酸樹脂、丁基卡比醇等，粘性處于200-300Pa's范圍內。這里用來絲網印刷的絲網掩膜是不銹鋼網No.500，其乳膠厚度為5pm。該絲網掩膜具有不被乳膠密封的噴射孔。該絲網掩膜的對齊標記與第一金屬布線元件92的對齊標記對齊。然后，用橡膠硬度為70的刮板將介電焊膏施加到第一金屬布線元件92上。此后，在爐子中以200。C加熱30分鐘將介電悍膏固化，從而在第一金屬布線元件92上得到介電柱94(見圖21B中的步驟B1)。介電柱94略^[鼓呈錐形，且高度約為6pm。然后，夾層絕緣膜93通過非接觸式絲網印刷法形成在第一金屬布線元件92上。這里用來絲網印刷的絕緣焊膏包括硅石填料、酚醛清漆環氧樹脂、環氧樹脂以及醋酸丁基溶纖劑酯等，且粘性處于50-150Pa's范圍內。這里用來絲網印刷的絲網掩膜920是不銹鋼網No.500,其乳膠厚度為lpm。絲網掩膜920具有被乳膠密封的非噴射區域921,其面積為110pmxl40jim。絲網掩膜920的對齊標記與基片上和介電柱94處于同一層的對齊標記對齊，所以非噴射區域921位于介電柱94的頂部94A。由于這里所用的印刷機具有±10|im的對齊精度，所以即使存在定位誤差，形成在第一金屬布線元件92上的介電柱94的頂部94A位于絲網掩膜920的非噴射區i或921內。絕緣焊膏930涂覆到絲網掩膜920上，然后施加到第一金屬布線元件92上，同時沿著箭頭911的方向移動橡膠硬度為60的刮板940(見圖21C中的步驟C1)。圖22示出了圖21C的步驟C1中，介電柱94和非噴射區域921的位置關系。參照圖22,介電柱94邊緣和非噴射區域921邊緣之間的距離OL的設計要求是20nm。因此，即使帶有一個側部的非噴射區域921存在定位誤差(±10pm),由于介電柱94的邊緣和非噴射區域921的邊緣之間的距離OL的設計值為20fim,所以介電柱94也能位于絲網掩膜920的非噴射區域921內。回過頭參照圖21C,在步驟C1中，絕緣焊膏930施加到第一金屬布線元件92。然后，在爐子中以20(TC加熱30分鐘將絕緣焊膏930固化，從而在基片91上獲得夾層絕緣膜93,其覆蓋第一金屬布線元件92(見圖21D中的步驟D1)。夾層絕緣膜93的膜厚度是4pm,介電柱94的高度為6fim。因此，介電柱94的頂部94A延伸超過夾層絕緣膜93為2|am。在200。C下加熱30分鐘時，絕緣焊膏930體積收縮很少，所以即使夾層絕緣膜93固化后，介電柱94的頂部94A仍然延伸超過夾層絕緣膜93為2jam。形成夾層絕緣膜93后，第二金屬布線元件95用絲網印刷法形成在夾層絕緣膜93上，從而覆蓋介電柱94的頂部94A。這里用來絲網印刷的導電焊膏是與印刷第一金屬布線元件92時相同的導電焊膏。這里用來絲網印刷的絲網掩膜是不銹鋼網No.500，其乳膠厚度為5jmi。絲網掩膜的對齊標記與基片上和介電柱94處于同一層的對齊標記對齊，所以第二金屬布線元件95位于介電柱94的頂部94A上。用上述絲網掩膜以及橡膠硬度為70的刮板施加寬度為501im的Ag焊膏。然后，在爐子中以200。C加熱30分鐘將所施加的Ag焊膏固化，從而獲得第二金屬布線元件95(見圖21E中的步驟E1)。第二金屬布線元件95的膜厚度約為6pm，延伸出夾層絕緣膜93的介電柱94的頂部94A覆蓋有第二金屬布線元件95。圖23A-23C更為詳細地圖示了圖21C中的步驟C1。參照圖23A-23C,絲網掩膜920定位成使得非噴射區域921位于介電柱94上。然后，在沿著箭頭911的方向移動刮板940的同時，絕緣焊膏930施加到基片91上。于是，圍繞介電柱94形成絕緣焊膏931，但是由于非噴射區域921，空隙912留在絕緣焊膏931和介電柱94之間。因此空隙912形成在絕緣焊膏931和介電柱94之間(見圖23A中的步驟Cl-l)。基本上，在非接觸式絲網印刷法中，在從基片91分開絲網掩膜920時，較大的剪切應力施加到焊膏上，所以焊膏的粘性降低。結果是，焊膏被鋪平。如果絕緣焊膏具有適當的粘性，則當絲網掩膜920從基片91分開時，絕緣焊膏930被流態化并且填充空隙912。本實施例所用的絕緣焊膏930的TI為2.2-4.0，該TI為粘性指標。利用BrookfiledHBTNo.14心軸，在10rpm和50rpm的情況下進行TI測量。當刮板940進一步沿著箭頭911的方向移動時，絕緣焊膏931和932圍繞介電柱94形成。絕緣焊膏931和932填充圍繞介電柱94的空隙(見圖23B中的步驟Cl-2)。當刮板940進一步沿著箭頭911的方向移動時，與介電柱94接觸的絕緣焊膏933形成在基片91上(見圖23C中的步驟Cl-3)。以此方式，盡管絲網掩膜920的非噴射區域921的尺寸大于介電柱94的尺寸，但是通過絲網掩膜920的噴射區域施加的絕緣焊膏931和932填充介電柱94和絕緣焊膏931、932之間的空隙，從而通過使用粘性適當的絕緣焊膏930，在基片91上形成與介電柱94接觸的絕緣焊膏933。由于用不銹鋼網No.500作為絲網掩膜20,使用橡膠硬度為60的刮板940，在沖角為70度的情況下，用絕緣焊膏30將夾層絕緣膜93印刷在基片91上，所以形成了膜厚度小于介電柱94的夾層絕緣膜93。如果沖角更小，則更大量的絕緣焊膏930通過絲網掩膜920的噴射區域施加到基片91上，因此夾層絕緣膜93的相對厚度增大。當沖角為70度時，夾層絕緣膜93的膜厚度小于介電柱94的高度。這里有不同網眼數的不銹鋼網。數目更接近500的不銹鋼網用于更小尺寸的介電4主94。通過選擇不銹鋼網的網眼數、沖角等，可以控制夾層絕緣膜93的厚度。在本實施例中，通過使用上述數目的不銹鋼網和通過使用上述沖角，形成了厚度小于介電柱94高度的夾層絕緣膜93。盡管在上述內容中，介電柱94的邊緣和帶有一個側部的非噴射區域921的邊緣之間的距離OL的設計值為20pm,但是距離OL可以在優選范圍內變化，該范圍如下所述那樣確定。用圖21A-21E中所示制造多層布線結構910的方法制備了多層布線結構910，其中距離OL在0-100^n范圍內變化，用于檢查目的。在每個多層布線結構910上檢查電容的容量以及絕緣焊膏和介電柱4之間存在的空隙。相對于距離OL,表1示出了容量以及空隙的存在。<表1><table>tableseeoriginaldocumentpage67</column></row><table>O:偏差<20%O:非常小或者沒有才企測到空隙x:偏差>20%x:;險測到空隙在表l中的"容量"欄，"0"表示實際容量偏離設計容量的值小于20%，而"x"表示實際容量偏離設計容量的值為20%或者更大。在"空隙"欄，"O"表示幾乎不存在空隙，而"x"表示存在空隙。超聲顯微鏡用來檢查空隙的存在。從表l的結果看出，當距離OL處于10-7(Him范圍內時，電容容量的偏差小于20%,而當距離OL處于80-100(im范圍內時，偏差為20%或者更大。當距離OL處于0-50pm范圍內時，幾乎不存在空隙，而當距離OL處于60-100pm范圍內時，存在空隙。當距離OL處于0-5pm范圍內時，容量偏差為20%或者更大的原因在于，因用來形成夾層絕緣膜93的絲網掩膜920有約±10(im的對齊誤差，所以夾層絕緣膜93形成在在介電柱94的頂部94A上。當距離OL處于80-100(im范圍內時，容量偏差為20%或者更大的原因是因為存在空隙。于是，當距離OL處于10-50pm范圍內時，可以制造帶有內電容的多層布線結構910，所述內電容具有偏離設計容量的較小偏差并且具有高的長期可靠性。因此，在本實施例中，在設定距離OL處于10-50)am范圍內的同時，制造多層布線結構910。以下內容說明熱影響測試結果。在制造完成圖20所示的多層布線結構910后，通過重復-65。C和200。C的熱循環一百次，向多層布線結構910施加熱影響。在施加熱影響之前和之后，側量所述容量，發現該容量變化為±5%。于是，可以用圖21A-21E所示的制造方法，制造帶有內電容的多層布線結構910，其內電容具有對抗熱影響的穩定性。如上所述，根據圖21A-21E所示的制造多層布線結構910的方法，柱狀介電柱94形成在第一金屬布線元件92上。然后，夾層絕緣膜93包圍介電柱94而形成。在最后的步驟中，第二金屬布線元件95形成覆蓋介電柱94的頂部94A。于是，介電柱94插置在第一和第二金屬布線元件92和95之間。以此方式，可以容易地形成小電容。尤其是，由于小點可以通過絲網印刷容易地形成，所以不難形成直徑為50[im的點。在實施例23中，由于點狀介電柱94用作電容的介電體，所以可以容易地形成尺寸約為50-100jim的電容。由于夾層絕緣膜93印刷成高度小于介電柱94的高度，所以介電柱94延伸超過夾層絕緣93的表面，而不會完全被夾層絕緣膜93覆蓋。相應地，僅通過在介電柱94上形成第二金屬布線元件95,就可以形成電容。因此，不像專利文件2中所公開的方法那樣，既不需要機械拋光過程，也不需要清潔過程，所以多層布線結構910的制造方法得以簡化。絕緣焊膏930用非噴射區域921略大于介電柱94的頂部94A的絲網掩膜920印刷，同時所述非噴射區域921基本上與介電柱94的頂部94A對齊。介電柱94和絕緣焊膏931和932之間的空隙可以在鋪平過程中，通過適當控制絕緣焊膏930的粘性而填充。因此，很少留下夾層絕緣膜93和介電柱94之間的空隙。相應地，可以形成長期可靠的電容。根據圖21A-21E所示的制造多層布線結構910的方法，由于第一金屬布線元件92、夾層絕緣膜93、介電柱94和第二金屬布線元件95都用絲網印刷法形成，所以帶有小電容的多層布線結構910可以以低成本形成。而且，根據圖21A-21E所示的制造多層布線結構910的方法，可以通過調節下電極(第一金屬布線元件92)和上電極(第二金屬布線元件95)的面積、介電柱94的相對介電常數以及介電柱94的高度來控制電容的容量。就是說，可以通過調節上述參數制造具有希望容量的各種電容。盡管在本實施例中，絲網印刷法用在多層布線結構910制造過程始終，但是相對低成本的噴墨法和分散器法也可以替代地用來形成第一和第二金屬布線元件92和95。盡管在本實施例中，包含BaTi03作為填料的介電焊膏用來形成介電柱94,但是包含Si02、PbO、ZnO、A1203、1102等作為填料的其他介電焊膏也可以替代地使用。盡管在本實施例中，Ag焊膏用作導電焊膏來形成第一和第二金屬布線元件92和95，但是Cu焊膏、Ni焊膏、Pt焊膏、Pd焊膏以及包括碳樹脂、導電聚合物樹脂等的其他導電焊膏可以替代地用來形成第一和第二金屬布線元件92和95。盡管在本實施例中，使用了包括酚醛清漆樹脂和環氧樹脂的絕緣焊膏，但是包括絕緣樹脂，諸如聚酰亞胺樹脂、酚醛樹脂、丙烯酸樹脂、聚乙烯樹脂等的其他絕緣焊膏可以替代地用來形成夾層絕緣膜93。而且，絕緣焊膏可以是熱固型的或者可以是光固型的。如果使用光固型絕緣焊膏，則在固化絕緣焊膏的過程中，紫外線輻射到絕緣焊膏上。盡管在本實施例中說明了帶內電容的多層布線結構910的制造方法，但是可以通過在第一和第二金屬布線元件之間形成通孔，而形成帶內電容的雙層布線結構，在所述雙層布線結構中，第一和第二金屬布線元件通過金屬填充的通孔而連接。通過重復圖21A-21E中的步驟A1-E1，可以形成三層或者更多層的帶內電容的多層布線結構。可以用本領域公知的方法來形成金屬填充的通孔。在實施例23中，介電柱94形成"中間體"。<實施例24>圖24是示意性地示出根據實施例24的多層布線結構100的截面圖。參照圖24，實施例24的多層布線結構100包括第一金屬布線元件102、介電膜103、金屬柱104、夾層絕緣膜105和第二金屬布線元件106。第一金屬布線元件102用絲網印刷法形成在基片101的第一基本表面IOIA上。介電膜103用絲網印刷法形成在第一金屬布線元件102上。金屬柱104基本上為柱形，且用絲網印刷法形成在介電膜103上。夾層絕緣膜105用絲網印刷法形成在基片IOI的第一基本表面IOIA上，從而覆蓋第一金屬布線元件102和介電膜103。第二金屬布線元件106用絲網印刷法形成在夾層絕緣膜105的第一基本表面105A上。盡管圖24僅示出了一個第一金屬布線元件102和一個第二金屬布線元件106,但是實際上可以有多于一個金屬布線元件102和多于一個第二金屬布線元件106。基片IOI有聚酰亞胺制成。每個第一和第二金屬布線元件102和106由銀(Ag)制成，且線寬為70|im。介電膜103由BaTi03制成。金屬柱104由Ag制成。夾層絕緣膜105由硅基絕緣材料制成。第一金屬布線元件102膜厚度約為6(im,而介電膜103尺寸為100pmxl00pm,且膜厚度約為lpm。金屬柱104的直徑為60pm,且高度約為14pm。夾層絕緣膜105的膜厚度約為Spm。第二金屬布線元件106的膜厚度為4-5pm。在多層布線結構100中，柱狀金屬柱104的高度大于夾層絕緣膜105的膜厚度與第二金屬布線元件106的膜厚度之和。而且，金屬柱104形成在第一金屬布線元件102和介電柱103上。因此，金屬柱104延伸穿過夾層絕緣膜105和第二金屬布線元件106，使得金屬柱104的頂部104A延伸出第二金屬布線元件106。在多層布線結構100中，第一金屬布線元件102、介電膜103以及金屬柱104形成電容。具體地說，第一金屬布線元件102和金屬柱104分別形成所述電容的下電極和上電極。就是說，多層布線結構IOO是電容嵌入式多層布線結構。圖25A至25F圖示了制造圖24中的多層布線結構的方法。參照圖25A-25F,第一金屬布線元件102用絲網印刷法形成在基片101上。這里用來絲網印刷的導電焊膏是Ag焊膏。所述Ag焊膏包括Ag填料、丙烯酸樹脂、卡比醇乙縮醛等，且粘性處于150-250Pa's范圍內。這里用來絲網印刷的絲網掩膜是不銹鋼網No.500，其乳膠厚度為8pm。寬度為7(Him的第一金屬布線元件102用上述絲網掩膜和橡膠硬度為70的刮板，以上述Ag焊膏印刷在基片101上。以Ag焊膏印刷完第一金屬布線元件102后，在爐子中以150。C加熱30分鐘將Ag焊膏固化，從而完成第一金屬布線元件102(見圖25A中的步驟A2)。然后，介電膜103用絲網印刷法形成在第一金屬布線元件102上。這里用來絲網印刷的介電焊膏是BaTi03焊膏，且其粘性處于50-100Pa's范圍內。這里用來絲網印刷的絲網掩膜是不銹鋼網No.380，其乳膠厚度處于O.l-l(am范圍內。lOOjumxlOOpm的介電膜103用上述絲網掩膜和橡膠硬度為80的刮板，以BaTi03焊膏印刷在第一金屬布線元件102上。在以BaTi03焊膏印刷完介電膜103后，在爐子中以150。C加熱30分鐘將BaTiO3焊膏固化，從而完成介電膜103(見圖25B中的步驟B2)。然后，柱狀金屬柱104用絲網印刷法形成在介電膜103上。這里用來絲網印刷的導電焊膏是Ag焊膏。所述Ag焊膏包含Ag填料、丙烯酸樹脂、丁基卡比醇等，且粘性處于200-300Pa's范圍內。這里用來絲網印刷的絲網掩膜是不銹鋼網No.500，其乳膠厚度為5pm。該絲網掩膜具有未被乳膠密封的直徑為60pm的噴射孔。絲網掩膜的對齊標記與介電膜103的對齊標記對齊。然后，Ag焊膏用橡膠硬度為70的刮板印刷到介電膜103上。此后，在爐子中以150。C加熱30分鐘將Ag坪膏固化，從而在介電膜03上實現金屬柱104(見圖25C中的步驟C2)。金屬柱104略微呈錐形，且高度約為14|im。然后，夾層絕緣膜105用非接觸式絲網印刷法形成在第一金屬布線元件102上。這里用來絲網印刷的絕緣焊膏包括硅石填料、酚醛清漆環氧樹脂、環氧樹脂、醋酸丁基溶纖劑酯等，且粘性處于50-150Pas范圍內。這里用來絲網印刷的絲網掩膜120是不銹鋼網No.500,其乳膠厚度為lpm。絲網掩膜120具有未被乳膠密封的直徑為120nm的非噴射區域122。絲網掩膜120的對齊標記與基片上和金屬柱104位于同一層的對齊標記對齊，所以非噴射區域122定位在金屬柱104的頂部104A上。由于這里所用的印刷機具有±10pm的對齊精度，所以即使存在對齊誤差，形成在第一金屬布線元件102上的金屬柱104的頂部104A也會定位在絲網掩膜120的非噴射區域122內。金屬柱140的邊緣和帶有一個側部的非噴射區域122的邊緣之間的距離OL是30|im。絕緣焊膏150涂覆到絲網掩膜120上，然后在沿著箭頭911的方向移動橡膠硬度為60的刮板140的同時，印刷到第一金屬布線元件102上(見圖25D中的步驟D2)。如實施例23所述，通過選擇不銹鋼網的網眼數、橡膠硬度、沖角等，絕緣焊膏的印刷厚度可以小于金屬柱104的高度。在實施例24中，絕緣焊膏的厚度為8fim，且金屬柱104的頂部104A延伸超過印刷的絕緣焊膏6pm。以與參照圖23A-23C所述的相同方式，當絲網掩膜120從基片101分開時，絕緣焊膏被鋪平，因為其粘性降低。于是，絕緣焊膏和金屬柱104之間的空隙被絕緣焊膏填充。在爐子中以15(TC加熱30分鐘將印刷的絕緣焊膏固化,從而在基片101上獲得夾層絕緣膜105，覆蓋第一金屬布線元件102和介電膜1G3(見圖25E中的步驟E2)。因為在150。C下加熱30分鐘時，絕緣焊膏體積收縮很小，所以即使在絕緣焊膏固化后，金屬柱104仍然延伸出夾層絕緣膜105的表面6pm。在形成夾層絕緣膜105后，第二金屬布線元件106用絲網印刷法形成在夾層絕緣膜105上。這里用來絲網印刷的導電焊膏與用來印刷第一金屬布線元件102的焊膏是相同的Ag焊膏。這里用來絲網印刷的絲網掩膜是不銹鋼網No.500,其乳膠厚度為5pm。該絲網掩膜的對齊標記與基片101上和金屬柱104位于同一層的對齊標記對齊，所以第二金屬布線元件106位于金屬柱104的頂部104A上。寬度為70(im的Ag焊膏用上述絲網掩膜和橡膠硬度為70的刮板來施力口。在爐子中以150。C加熱30分鐘將施加的Ag焊膏固化，從而獲得第二金屬布線元件106(見圖25F中的步驟F1)。由于第二金屬布線元件106的膜厚度處于4-5pm范圍內，所以金屬柱104的頂部104A延伸出第二金屬布線元件106。于是，完成了多層布線結構100的制造過程。如上所迷，根據圖25A-25F中所示的制造多層布線結構的方法，介電膜103形成在第一金屬布線元件102上。柱狀的金屬柱104形成在介電膜103上，然后夾層絕緣膜105圍繞金屬柱104形成。在最后的步驟中，第二金屬布線元件106形成使得金屬柱104的頂部104A延伸出第二金屬布線元件106。于是，介電膜103插置在第一金屬布線元件102和金屬柱104之間。以此方式，可以容易地形成小電容。而且，由于介電膜103的膜厚度可以制作地小于實施例23的介電柱93，所以可以形成高容量電容。由于印刷夾層絕緣膜105,使其高度小于金屬柱104的高度，所以金屬柱104延伸超過夾層絕緣膜105的表面，而不會完全被夾層絕緣膜105覆蓋。因此，可以僅在金屬柱104上形成第二金屬布線元件106來形成電容。因此，不像專利文件2中公開的方法那樣，既不需要機械拋光過程也不需要清潔過程，所以多層布線結構100的制造過程得以簡化。絕緣焊膏150用非噴射區域122略大于金屬柱104的頂部104A的絲網掩膜120印刷，同時非噴射區域122基本上與金屬柱104的頂部104A對齊。金屬柱104和絕緣焊膏之間的空隙可以在鋪平過程中，通過適當控制絕緣焊膏150的粘性而填充。于是，很少在夾層絕緣膜105和金屬柱104之間留下空隙。因此，可以形成長期可靠性高的電容。根據圖25A-25F中所示的多層布線結構的制造方法，由于第一金屬布線元件102、介電膜103、金屬柱104、夾層絕緣膜105以及第二金屬布線元件106都用絲網印刷法形成，所以帶小電容的多層布線結構可以以低成本形成。而且，根據圖25A-25F中所示的制造多層布線結構的方法，可以通過調節下電極(第一金屬布線元件102)和上電極(金屬柱104)的面積、介電膜103的相對介電常數以及介電膜103的厚度來控制電容的容量。就是說，通過調節上述參數，諸如下電極的面積，可以制造具有希望容量的各種電容。盡管在本實施例中，說明了帶內電容的多層布線結構IOO的制造方法，但是可以通過在第一和第二金屬布線元件之間形成通孔，而形成帶內電容的雙層布線結構，其中所述第一和第二金屬布線元件通過金屬填充的通孔而連接。可以通過重復圖25A-25F中的步驟A2-E2和F1來形成三層或多層帶內電容的多層布線結構。可以用本領域公知的方式形成金屬填充的通孔。在實施例24中，介電膜103和金屬柱104形成"中間體"。<實施例25>圖26是示意性地圖示根據實施例25的多層布線結構200的截面圖。參照圖26，實施例25的多層布線結構200包括第一金屬布線元件202和203、介電膜204、金屬柱205和206、夾層絕緣膜207以及第二金屬布線元件208和209。第一金屬布線元件202和203用絲網印刷法形成在基片201的第一基本表面201A上。介電膜204用絲網印刷法形成在第一金屬布線元件202上。金屬柱205基本上為柱狀，且用絲網印刷法形成在介電膜204上。金屬柱206基本上為柱狀，且用絲網印刷法形成在第一金屬布線元件20上。夾層絕緣膜207用絲網印刷法形成在基片201的第一基本表面201A上，^v而^f蓋第一金屬布線元件202和203以及介電膜204。第二金屬布線元件208和209用絲網印刷法分別形成在金屬柱205和206上。盡管圖26僅示出了兩個第一金屬布線元件202和203和兩個第二金屬布線元件208和209,但是實際上可以有多于兩個第一金屬布線元件202和203和多于兩個第二金屬布線元件208和209。基片201由聚酰亞胺制成。每個第一金屬布線元件202和203和第二金屬布線元件208和209由銀(Ag)制成，且線寬為70(im。介電膜204由BaTi03制成。金屬柱205和206由Ag制成。夾層絕緣膜207由硅基絕緣材料制成。每個第一金屬布線元件202和203的膜厚度約為4pm,而介電膜204的尺寸為100pmxlOO|im,且膜厚度約為lpm。金屬柱205的直徑為60pm,高度約為14(am。金屬柱206的直徑為80pm，高度約為14pm。夾層絕緣膜207的膜厚度約為8)am。每個第二金屬布線元件208和209的膜厚度約為4pm。在多層布線結構200中，柱狀的金屬柱205的高度大于夾層絕緣膜207的膜厚度與第二金屬布線元件208的膜厚度之和，且金屬柱205形成在第一金屬布線元件202和介電膜204上。因此，金屬柱205延伸穿過夾層絕緣膜207和第二金屬布線元件208,使得金屬柱205的頂部205A延伸出第二金屬布線元件208。柱狀的金屬柱206的高度大于夾層絕緣膜207的膜厚度與第二金屬布線元件209的膜厚度之和，且金屬柱206形成在第一金屬布線元件203上。因此，金屬柱206延伸穿過夾層絕緣膜207和第二金屬布線元件209,使得金屬柱206的頂部206A延伸出第二金屬布線元件209。在多層布線結構200中，第一金屬布線原件202、介電膜204以及金屬柱205形成電容。具體地說，第一金屬布線元件202和金屬柱205分別形成所述電容的下電極和上電極。另外，在多層布線結構200中，第一金屬布線元件203、金屬柱206和第二金屬布線元件209形成多層布線結構，其中設置在上下側的第一和第二金屬布線元件203和209彼此相連。就是說，多層布線結構200是電容嵌入式的多層布線結構。圖27A至27F圖示了制造圖26中的多層布線結構200的方法。參照圖27A-27F,第一金屬布線元件202和203用絲網印刷法形成在基片201上。這里用來絲網印刷的導電焊膏是Ag焊膏。所述Ag焊膏包含Ag填料、丙烯酸樹脂、卡比醇縮醛等，且粘性處于150-250Pas范圍內。這里用來絲網印刷的絲網掩膜是不銹鋼網No.500，其乳膠厚度為8pm。寬度為70[im的第一金屬布線元件202和203用上述絲網掩膜和橡膠硬度為70的刮板，以上述Ag焊膏印刷在基片201上。以Ag焊膏印刷完第一金屬布線元件202和203后，在爐子中以150。C加熱30分鐘將Ag焊膏固化，從而形成第一金屬布線元件202和203(見圖27A中的步驟A3)。其上將要形成金屬柱206的第一金屬布線元件203的直徑為120pm。然后，介電膜204用絲網印刷法形成在第一金屬布線元件202上。這里用來絲網印刷的介電焊膏是BaTi03焊膏，其粘性處于50-100Pas范圍內。這里用來絲網印刷的絲網掩膜是不銹鋼網No.380,其乳膠厚度處于O.l-l(im范圍內。100|imxlOO(am的介電膜204用上述絲網掩膜和橡膠石更度為80的刮板，以上述BaTi03焊膏印刷在第一金屬布線元件202上。以BaTi03焊膏印刷完介電膜204后，在爐子中以150。C加熱30分鐘將BaTiO3焊膏固化，從而完成介電膜204(見圖27B中的步驟B3)。然后，柱狀的金屬柱205和金屬柱206用絲網印刷法同時分別形成在介電膜204和第一金屬布線元件203上。這里用來絲網印刷的導電焊膏是Ag焊膏。所述Ag焊膏包含Ag微粒、丙烯酸樹脂、丁基卡比出等，且粘性處于200-300Pa's范圍內。這里用來絲網印刷的絲網掩膜是不銹鋼網No.500，其乳膠厚度為5pm。所述絲網掩膜具有未被乳膠密封的直徑為60)Lim的噴射孔和直徑為80(im的另一噴射孔。直徑60jim的噴射孔用來形成金屬柱205，而直徑為80^m的噴射孔用來形成金屬柱206。絲網掩膜的對齊標記與介電膜204的對齊標記對齊。然后，Ag焊膏用橡膠硬度為70的刮板施加到介電膜204和第一金屬布線元件203上。此后，在爐子中以150。C加熱30分鐘將Ag焊膏固化，從而在介電膜204和第一金屬布線元件203上分別實現金屬柱205和206(見圖27C中的步驟C3)。每個金屬柱205和206的高度約為14pm。然后，夾層絕緣膜207用非接觸式絲網印刷法形成在第一金屬布線元件203和203上。這里用來絲網印刷的絕緣焊膏包括硅石填料、酚醛清漆環氧樹脂、環氧樹脂、醋酸丁基溶纖劑酯等，且粘性處于50-150Pas范圍內。這里用來絲網印刷的絲網掩膜260是不銹鋼網No.500,其乳膠厚度處于l-l(Vm范圍內。該絲網掩膜260具有被乳膠密封的直徑為100)im的非噴射區域261和直徑為120[im的另一非噴射區域262。絲網掩膜260的對齊標記與基片上和金屬柱205和206位于同一層的對齊標記對齊，所以非噴射區域261和262位于金屬柱205和206的頂部205A和206A上。由于這里所用的印刷機具有土10pm的對齊精度，所以即使存在對齊誤差，形成在介電膜204上的金屬柱205的頂部205A也會位于絲網掩膜206的非噴射區域261內。類似地，即使存在對齊誤差，形成在第一金屬布線元件203上的金屬柱206的頂部206A也位于絲網掩膜260的非噴射區域262內。金屬柱205的邊緣和非噴射區域261的邊緣之間的距離OL1以及金屬柱206的邊緣和非噴射區域262的邊緣之間的距離OL2每一個都是20(im。絕緣焊膏270涂覆到絲網掩膜260上，然后在沿著箭頭911的方向移動橡膠硬度為60的刮板240的同時，印刷到介電膜204和第一金屬布線元件203上(見圖27D中的步驟D3)。如實施例23所述，通過選擇不銹鋼網的網眼數目、橡膠硬度、沖角等，可以讓絕緣焊膏的印刷厚度小于金屬柱205和206的高度。在實施例25中，絕緣焊膏的厚度為8|im,且金屬柱205和206的每個頂部205A和206A都延伸超過印刷的絕緣焊膏6pm。如參照圖23A-23C所述，當絲網掩膜260從基片201分開時，絕緣焊膏被鋪平，因為其粘性降低。于是，絕緣焊膏和金屬柱205和206之間的空隙被絕緣焊膏填充。在爐子中以15(TC加熱30分鐘將印刷的絕緣焊膏固化，從而在基片201上實現夾層絕緣膜207，覆蓋第一金屬布線元件202和203以及介電膜204(見圖27E中的步驟E3)。因為在爐子中以150。C加熱30分鐘時，絕緣焊膏收縮很小，所以即使在絕緣焊膏固化后，每個金屬柱205和206仍然延伸超過夾層絕緣膜207的表面6fim。在形成夾層絕緣膜207后，第二金屬布線元件208和209用絲網印刷法形成在夾層絕緣膜207上。這里用來絲網印刷的導電焊膏與用來印刷第一金屬布線元件202和203的焊膏是相同的Ag焊膏。這里用來絲網印刷的絲網掩膜是不銹鋼網No.500，其乳膠厚度為5pm。絲網掩膜的對齊標記與基片上和金屬柱205和206位于同一層的對比標記對齊，所以第二金屬布線元件208和209分別位于金屬柱205和206的頂部205A和206A上。用上述絲網掩膜和橡膠硬度為70的刮板施加寬度為70(im的Ag焊膏。在爐子中以150。C加熱30分鐘將施加的Ag焊膏固化，從而實現第二金屬元件208和209(見圖27F中的步驟F2)。第二金屬布線元件208和209的膜厚度約為4pm，且金屬柱205和206的頂部205A和206A分別延伸出第二金屬布線元件208和209。于是，完成了多層布線結構200的制造過程。盡管在上述說明中，金屬柱205邊緣和非噴射區域261邊緣之間的距離0L1以及金屬柱206的邊緣和非噴射區域262的邊緣之間的距離0L2是20fim,但是距離0L1和OL2可以在優選范圍內變化，該范圍如下所述那樣確定。用圖27A-27F所示的制造多層布線結構200的方法制備多層布線結構200，該結構中，距離OL1和OL2在O-lOOpm的范圍內變化，用于4全查的目的。在每個多層布線結構200上，檢查電容的容量、金屬柱205附近的《隙存在、金屬柱205的接觸電阻以及金屬柱206附近的空隙存在。相對于0Ll=0L2OL，表2示出了電容的容量、金屬柱205附近的隙存在、金屬柱206的接觸電阻以及金屬柱206附近的空隙存在。<表2><table>tableseeoriginaldocumentpage78</column></row><table>0:偏差<20%x:偏差>20%x:導電失效△:接觸電阻增大O:接觸電阻<100O:非常小或者沒有O:非常小或者沒有檢測到空隙檢測到空隙x:;險測到空隙x:檢測到空隙在表2中的"電容容量，，欄，"O"表示實際容量偏離設計容量的值小于20%,而"x"表示實際容量偏離設計容量的值為20%或者更大。在"電容附近的空隙"欄和"通孔(金屬柱206)附近的空隙"欄，"0"表示幾乎不存在空隙，而"x"表示存在空隙。超聲顯微鏡用來檢查空隙的存在。而且，在"接觸電阻"欄，"0"表示接觸電阻小于10Q,這被認為是希望的范圍，或者換句話說，實現了良好的接觸電阻，而"△"表示接觸電阻電阻增大，"x"表示導電失步文。從表2中可以看出，當距離OL處于0-70^m范圍內時，電容的容量偏差小于20%,而當距離OL處于80-100)im范圍內時，偏差為20。/。或者更大。當距離OL處于0-50iam范圍內時，在電容和通孔(金屬柱206)附近幾乎不存在空隙，而當距離OL處于60-100pm范圍內時，存在空隙。當距離OL處于10-100pm范圍內時，實現了良好的接觸電阻。因此，當距離OL處于10-50(im范圍內時，可以制造帶內電容的多層布線結構200,其具有偏離設計容量較小的偏差、良好的接觸電阻以及較高的長期可靠性。因此，在本實施例中，在設定距離OL處于10-50pm范圍內的同時，制造多層布線結構200。以下說明熱影響測試結果。在制造了圖26的多層布線結構200后，通過重復-65。C和200。C的熱循環一百次，向多層布線結構200施加熱影響。在施加熱影響之前和之后，測試所述容量，發現存在很小的容量變化。還在用圖27A-27F所示的制造方法制成的位于撓性印刷板或者陶瓷基片上的多層布線結構200實施熱影響測試，發現存在很小的容量變化。因此，可以用圖27A-27F所示的制造方法制造帶內電容的多層布線結構200,其對熱影響具有穩定性。如上所述，根據圖26的制造多層布線結構200的方法，介電膜204形成在第一金屬布線元件202上。柱狀的金屬柱205形成在介電膜204上，然后夾層絕緣膜207圍繞介電柱205形成。在最后的步驟中，第二金屬布線元件208形成使得金屬柱205的頂部205A延伸出第二金屬布線元件208。于是，介電膜204插置在第一金屬布線元件202和金屬柱205之間。以此方式，可以容易地形成小電容。而且，由于介電膜204的膜厚度可以制作成小于實施例23的介電柱94，所以可以形成高容量電容。而且，根據圖26的制造多層布線結構200的方法，柱狀金屬柱206形成在第一金屬布線元件203上。然后，夾層絕緣膜207圍繞金屬柱206形成。在最后的步驟中，第二金屬布線元件209形成使得金屬柱206的頂部206A延伸出第二金屬布線元件209。于是，第一金屬布線元件203和第二金屬布線元件209通過金屬柱206(金屬填充的通孔)而連接。基本上，絲網印刷更適合點印刷而不是孔印刷。盡管難于用絲網印刷法印刷直徑有100(im那樣大的孔，但是容易用絲網印刷法印刷直徑有50jam那樣大的點。因此，可以用絲網印刷法形成小于用相關領域的方法形成的通孔的通孔(金屬柱206),尤其是直徑為100(im或者更小的通孔(金屬柱206)。由于印刷夾層絕緣膜207,使其高度小于金屬柱205和206的高度，所以金屬柱205和206延伸超過夾層絕緣膜207的表面，而不會完全4皮夾層絕緣膜207覆蓋。因此，僅通過在金屬柱205和206上分別形成第二金屬布線元件208和209，可以形成電容和接觸電阻良好的通孔(金屬柱206)。因此，不象專利文件2中公開的方法那樣，既不需要機械拋光過程，也不需要清潔過程，所以多層布線結構200的制造過程得以筒化。由于通過實施一次絲網印刷，而同時形成金屬柱205和206,所以電容和導體填充的通孔可以用與實施例24相同的方法形成(見圖25A-25F)。因此，取消了形成用來連接上下金屬布線元件的通孔的過程和填充該通孔的過程。絕緣焊膏270用非噴射區域261和262分別略大于金屬柱205和206的頂部205A和206A的絲網掩膜260印刷，同時非噴射區域261和262基本上與金屬柱205和206的頂部205A和206A對齊。金屬柱205和206與絕緣焊膏270之間的空隙可以在鋪平過程中，通過適當控制絕緣焊膏的粘性來填充。因此，夾層絕緣膜207與金屬柱205和206很少留下空隙。因此，可以形成長期靠性高的電容。根據圖27A-27F所示的多層布線結構200的制造方法，由于第一金屬布線元件202和203、介電膜204、金屬柱205和206、夾層絕緣膜207和第二金屬布線元件208和209全部用絲網印刷形成，所以可以以低成本形成帶小電容的多層布線結構200。而且，才艮據圖27A-27F所示的多層布線結構的制造方法，可以通過下電極(第一金屬布線元件202)和上電極(金屬柱205)的面積、介電膜204的相對介電常數以及介電膜204的厚度，可以控制電容的容量。就是說，通過調節上述參數，諸如下電極的面積，可以制造具有希望容量的各種電容。可以通過重復圖27A-27F中的步驟A3-E3和F2來制造三層或者更多層的帶內電容的多層布線結構。在實施例25中，介電膜204和金屬柱205和206形成"中間體"。具體地il,金屬柱206形成"第一中間體"，而金屬柱205形成"第二中間體"。<經過纟務改的實施例〉圖28是示意性地圖示了包括圖26的多層布線結構的平板顯示設備300的截面圖。參照圖28，平板顯示設備300包括活性矩陣驅動電路310、電泳設備320、通用電極330和相對的基片340。活性矩陣驅動電路310包括基片311和多個TFT312。基片311由聚碳酸酯制成。TFT312形成在基片311上。電泳設備320包括微膠嚢321-323。每個微膠嚢321-323包括多個電泳微粒324。樣i膠嚢321-323與活性矩陣驅動電路310和通用電極330兩者接觸。通用電極330由ITO(氧化錫銦)制成，且形成在相對的電極340的基本表面340A上。通用電極330與電泳設備320接觸。相對的基片340由聚碳酸酯制成。圖29是圖示了圖28中的TFT312的截面圖。參照圖29，TFT312包括門電極3121、門絕緣膜3122、活性層3123、漏電極3124、源電極3125、下電極3126、介電膜3127、金屬柱3128和3129、夾層絕緣膜3130、像素電極3131以及鈍化膜3132。門電極3121形成在基片311的第一基本表面311A上。門絕緣膜3122形成在基片311的第一基本表面311A上，從而覆蓋門電極3121。活性層3123形成在門絕緣膜3122上，從而面對門電極3121。漏電極3124和源電極3125形成在門絕緣膜3122和活性層3123上。下電極3126形成在門絕緣膜3122上。介電膜3127形成在下電極3126上。金屬柱3128和3129分別形成在源電極3125和介電膜3127上。夾層絕緣膜3130形成在門絕緣膜3122上，從而覆蓋活性層3123、漏電極3124、源電極3125、下電極3126和介電膜3127，并且與金屬柱3128和3129接觸。夾層絕緣膜3130形成使得第一基本表面3130A低于金屬柱3128和3129的高度。就是說，金屬柱3128和3129的頂部3128A和3129A穿過夾層絕緣膜3130并延伸超過夾層絕緣膜3130的第一基本表面3130A。像素電極3131形成在夾層絕緣膜3130的第一基本表面3130A上，從而覆蓋金屬柱3128和3129的頂部3128A和3129A。鈍化膜3132形成在夾層絕緣膜3130的第一基本表面3130A上，從而覆蓋像素電極3131。門電極3121由鋁(Al)制成，而門絕緣膜3122由二氧化硅(Si02)制成。活性層3123由非晶態硅(a-Si)制成，且漏電極3124、源電才及3125和下電極3126由Al制成。介電膜3127由BaTi03制成，且金屬柱3128和3129由Ag制成。夾層絕緣膜3130由上述絕緣焊膏制成，而像素電極3131由Ag制成。鈍化膜3132由氮化珪(SiN)制成。在TFT312中，下電極3126、介電膜3127、金屬柱3129以及像素電極3131形成電容。因此，TFT312用作帶內電容的晶體管。以下說明制造平板顯示設備300的方法。Al濺射到聚碳酸酯制成的基片311上。濺射的Al通過影印法蝕刻而圖案化，使得門電極3121形成在基片311上。Si02通過等離子CVD沉積，使得門絕緣膜3122形成在基片311上，覆蓋門電極3121。a-Si膜通過等離子CVD形成在門絕緣膜3122上。然后a-Si通過影印法蝕刻被圖案化，從而形成活性層3123。然后，Al濺射到門絕緣膜3122上，覆蓋活性層3123。濺射的Al通過影印法蝕刻而被圖案化，從而形成漏電極3124、源電極3125以及下電極3126。利用這些步驟，120xl80個用a-Si制成的薄膜晶體管元件形成矩陣形式。然后，介電膜3127用絲網印刷法形成在下電極3126上。介電膜3127的尺寸為70(imx70|im,且膜厚度為lpm。這里用來以絲網印刷法形成介電膜3127的介電焊膏是BaTi03焊膏。絲網印刷的條件與上述條件相同。然后，金屬柱3128和3129用絲網印刷法分別形成在源電極3125和介電膜3127上。每個金屬柱3128和3129直徑為60pm。夾層絕緣膜3120以絲網印刷法用絕緣焊膏形成。這里用來以絲網印刷法形成夾層絕緣膜3130的絲網掩膜具有兩個非噴射區域，每一個區域直徑為100pm。在所述兩個非噴射區域與金屬柱3128和3129對齊的同時，施加絕緣焊膏。夾層絕緣膜3130具有膜厚度，使得第一基本表面3130A低于金屬柱3128和3129的頂部高度。接著，250|am的方形像素電極用絲網印刷法形成。SiN膜用cat-CVD形成到夾層絕緣膜3130上，覆蓋像素電極3131,從而實現鈍化膜3132。利用這些步驟，完成活性矩陣驅動電路310。然后，ITO膜通過濺射法形成在相對基片340的第一基本表面340A上。通過賊射法形成的ITO膜通過影印法蝕刻而被圖案化，從而形成通用電極330。包裹電泳微粒324的微膠嚢321-323涂覆到通用電極330上。涂覆有微膠嚢321-323的相對基片340放置在活性矩陣驅動電路310上，使得微膠嚢321-323與TFT312接觸。然后，施加環氧型密封劑，圍繞基片311和相對基片340密封。利用這些步驟，形成平板顯示設備300。平板顯示設備300的電泳設備320可以被活性矩陣驅動電路310驅動，并且與帶有僅通過影印法蝕刻形成的相同DR的驅動電路的電泳設備有相同的圖像質量。由于由下電極3126、介電膜3127以及金屬柱3129形成的電容在任意TFT312被斷電時，積累電荷，所以活性矩陣驅動電路310具有足以用作電子紙張的記憶特性。由于平板顯示設備300包括帶內電容的多層布線結構，所述電容通過金屬柱3128和3129相連，所以平板顯示設備300比具有電容、通孔和以影印法蝕刻形成的像素電極的平板顯示設備成本低。盡管電泳設備320在本實施例中用作平板顯示設備300的顯示設備，但是液晶顯示設備和EL(電熒光)等可以替代地用作平板顯示設備300的顯示設備。而且，多-SiTFT和有機半導體TFT等可以用作活性矩陣驅動電路310的TFT312。本發明不限于顯示設備、形成驅動電路的TFT以及二極管，而是包括使用任何上述多層布線結構910、100和200的對象。盡管在上述內容中，實施例23的多層布線結構910形成在玻璃基片上，且實施例24和25的多層布線結構100和200形成在聚酰亞胺基片上，但是多層布線結構910、100和200可以替代地形成在除玻璃和聚酰亞胺基片以外的陶瓷基片或者印刷板上。基本上，多層布線結構910、100和200形成在絕緣基片上。每個形成在印刷板或者陶瓷基片上的多層布線結構910、100和200形成"元件基片"。本法發明優選實施例的前述說明已經為圖示和說明的目的進行了陳述。這并非是窮舉或者限制本發明到所公開的精確形式，且根據上述教導顯然存在許多改動和變形。本發明的范圍由附帶的權利要求限定。本發明基于2005年3月14日向日特許廳提交的日本在先申請No.2005-070227、2005年5月17曰提交的No.2005-143590、和2005年10月21日提交的No.2005-306592,它們的全部內容通過引用方式包含在內。工業實用性本發明適用于帶小內電容的多層布線結構。本發明還適用于制造所述帶小內電容的多層布線結構的方法，但不增加拋光過程和清潔過程。而且，本發明適用于包括帶小內電容的多層布線結構的元件基片。本發明還適用于包括帶小內電容的多層布線結構的平板顯示設備。權利要求1.一種多層布線結構的制造方法，包括在第一金屬布線元件上形成通孔柱的步驟；使用非噴射區域略大于通孔柱頭部的絲網掩膜，在第一金屬布線元件上印刷夾層絕緣膜的步驟，使得夾層絕緣膜的上表面位于低于通孔柱頭部的高度，同時非噴射區域基本上與通孔柱的頭部對齊；固化夾層絕緣膜的步驟；在夾層絕緣膜上形成第二金屬布線元件的步驟，所述第二金屬布線元件與通孔柱接觸，使得第一金屬布線元件和第二金屬布線元件通過通孔柱而連接。2.如權利要求1所述的多層布線元件的制造方法，其特征在于，在基本上與通孔柱的頭部對齊時，所述絲網掩膜的非噴射區域圍繞所述通孔柱向外延伸10-50μm。3.—種多層布線結構的制造方法，包括在第一金屬布線元件上形成通孔柱的步驟；以噴墨法或者分散器法在第一金屬布線元件上印刷夾層絕緣膜的步驟，使得夾層絕緣膜的上表面位于低于通孔柱的頭部的高度；固化夾層絕緣膜的步驟；和在夾層絕緣膜上形成第二金屬布線元件的步驟，所述第二金屬布線元件與通孔柱接觸，使得第一金屬布線元件和第二金屬布線元件通過通孔柱而連接。4.如權利要求1所述的多層布線結構的制造方法，其特征在于，所述通孔柱通過絲網印刷法形成。5.如權利要求1所述的多層布線結構的制造方法，其特征在于，所述通孔柱通過分散器法形成。6.如權利要求I所述的多層布線結構的制造方法，其特征在于，所述通孔柱通過噴墨法形成。7.—種多層部件結構的制造方法，包括在第一金屬布線元件上形成通孔柱的步驟；使用非噴射區域略大于通孔柱頭部的絲網掩膜，在第一金屬布線元件上印刷夾層絕緣膜的步驟，使得夾層絕緣膜的上表面位于低于通孔柱頭部的高度，同時將非噴射區域基本上與通孔柱的頭部對齊；在低于夾層絕緣膜固化溫度的溫度下加熱夾層絕緣膜的步驟；固化夾層絕緣膜的步驟；在夾層絕緣膜上形成第二金屬布線元件的步驟，該第二金屬布線元件與通孔柱接觸，使得第一金屬布線元件和第二金屬布線元件通過通孔柱而連接。8.如權利要求7所述的多層布線結構的制造方法，其特征在于，在印刷所述夾層絕緣膜的步驟中，當基本上與所述通孔柱的頭部對齊時，所述絲網掩膜的非噴射區域圍繞帶有一個側部的所述通孔柱向外延伸10-50pm。9.一種多層布線結構的制造方法，包括在第一金屬布線元件上形成通孔柱的步驟；以噴墨法或者分散器法在第一金屬布線元件上印刷夾層絕緣膜的步驟，使得夾層絕緣膜的上表面位于低于通孔柱的頭部的高度；在低于夾層絕緣膜固化溫度的溫度下加熱夾層絕緣膜的步驟；固化夾層絕緣膜的步驟；和在夾層絕緣膜上形成第二金屬布線元件的步驟，所述第二金屬布線元件與通孔柱接觸，使得第一金屬布線元件和第二金屬布線元件通過通孔柱而連接。10.如權利要求7所述的多層布線結構的制造方法，其特征在于，所述通孔柱通過絲網印刷法形成。11.如權利要求7所述的多層布線結構的制造方法，其特征在于，所述通孔柱通過分散器法形成。12.如權利要求7所述的多層布線結構的制造方法，其特征在于，所述通孔柱通過噴墨法形成。13.—種多層布線結構，包括形成在第一金屬布線元件上的夾層絕緣膜；形成在夾層絕緣膜上的第二金屬布線元件；和形成在第一金屬布線元件上的通孔柱，該通孔柱延伸穿過夾層絕緣膜，使得第一金屬布線元件和第二金屬布線元件通過通孔柱連接；其中通孔柱的頭部延伸出夾層絕緣膜。14.如權利要求13所述的多層布線結構，其特征在于，延伸出所述夾層絕緣膜的所述通孔柱的頭部被所述第二金屬布線元件覆蓋。15.如權利要求13所述的多層布線結構，其特征在于，延伸出所述夾層絕緣膜的所述通孔柱的頭部延伸穿過所述第二金屬布線元件。16.—種印刷板，包括權利要求13所述的多層布線結構。17.—種陶瓷基片，包括權利要求13所述的多層布線結構。18.—種平板顯示器，包括活性矩陣驅動電路，其包括多個TFT,每個TFT包括有機半導體；覆蓋TFT的夾層絕緣膜；和布置在夾層絕緣膜上呈矩陣形式的多個像素電極；其中每個TFT的至少一個源電極和漏電極通過通孔柱連接到相應的像素電極，所述通孔柱的頭部延伸出夾層絕緣膜；和顯示設備，其形成在活性矩陣驅動電路上。19.如權利要求18所述的平板顯示器，其特征在于，延伸出所述夾層絕緣膜的所述通孔柱的頭部被相應的像素電極覆蓋。20.如權利要求19所述的平板顯示器，其特征在于，延伸出所述夾層絕緣膜的所述通孔柱的頭部延伸穿過相應的像素電極。21.如權利要求18所述的平板顯示器，其特征在于，所述顯示設備是電泳設備。22.—種平板顯示器的制造方法，包括在TFT的至少一個源電極和漏電極上形成通孔柱的步驟；使用非噴射區域略大于通孔柱頭部的絲網掩膜，印刷夾層絕緣膜的步驟，使得夾層絕緣膜的上表面位于第一通孔柱頭部的高度，同時將非噴射區域基本上與通孔柱的頭部對齊；固化夾層絕緣膜的步驟；和在夾層絕緣膜上以印刷法形成像素電極的步驟，其中的像素電極與通孔柱接觸。23.如權利要求22所述的平板顯示器的制造方法，進一步包括在印刷夾層絕緣膜的步驟和固化夾層絕緣膜的步驟之間，在低于夾層絕緣膜固化溫度的溫度下加熱夾層絕緣膜的步驟。24.如權利要求22所述的平板顯示器的制造方法，其特征在于，當基本上與所述通孔柱的頭部對齊時，所述絲網掩膜的非噴射區域圍繞帶有一個側部的通孔柱向外延伸10-50|im。25.—種平板顯示器的制造方法，包括在TFT的至少一個源電極和漏電極上形成通孔柱的步驟；以噴墨法或者分散器法印刷夾層絕緣膜的步驟，使得夾層絕緣膜的上表面位于低于通孔柱的頭部的高度；固化夾層絕緣膜的步驟；和在夾層絕緣膜上以印刷法形成像素電極的步驟，其中的像素電極與通孔柱接觸。26.如權利要求25所述的平板顯示器的制造方法，進一步包括在印刷所述夾層絕緣膜的步驟和固化所述夾層絕緣膜的步驟之間，在低于夾層絕緣膜固化溫度的溫度下加熱夾層絕緣膜的步驟。27.如權利要求22所述的平板顯示器的制造方法，其特征在于，所述通孔柱以絲網印刷法形成。28.如權利要求22所述的平板顯示器的制造方法，其特征在于，所述通孔柱以分散器法形成。29.如權利要求22所述的平板顯示器的制造方法，其特征在于，所述通孔柱以噴墨法形成。30.—種平板顯示器，包括活性矩陣驅動電路，所述活性矩陣驅動電路包括多個TFT，每個TFT包括有機半導體；覆蓋TFT的夾層絕緣膜；多個以所述順序堆疊在夾層絕緣膜上的下電極和介電膜；和在介電膜上布置成矩陣形式的多個像素電極；其中每個TFT的至少一個源電極和漏電極通過通孔柱連接到相應的像素電極，所述通孔柱的頭部延伸出介電膜；和下電極、介電膜和相應的l象素電極形成電容；和顯示設備，其形成在活性矩陣驅動電路上。31.如權利要求30所述的平板顯示器，其特征在于，延伸出所述介電膜的所述通孔柱的頭部被相應的像素電極覆蓋。32.如權利要求31所述的平板顯示器，其特征在于，延伸出所述介電膜的所述通孔柱的頭部延伸穿過相應的像素電極。33.如權利要求29所述的平板顯示器，其特征在于，所述顯示設備是電泳設備。34.—種平板顯示器的制造方法，包括在TFT的至少一個源電極和漏電極上形成通孔柱的步驟；使用非噴射區域略大于通孔柱頭部的第一絲網掩膜印刷夾層絕緣膜的步驟，同時將非噴射區域基本上與通孔柱的頭部對齊；固化夾層絕緣膜的步驟；和在夾層絕緣膜上以印刷法形成下電極的步驟；使用非噴射區域略大于通孔柱頭部的第二絲網掩膜印刷介電夾層絕緣膜的步驟，同時所述非噴射區域基本上與通孔柱的頭部對齊；固化介電膜的步驟；和在介電膜上以印刷法形成像素電極的步驟，所述像素電極與通孔柱接觸；其中夾層絕緣膜、下電極和介電膜的膜厚度經過調節，使得通孔柱延伸出介電膜。35.—種平板顯示器的制造方法，包括在TFT的至少一個源電極和漏電極上形成通孔柱的步驟；以噴墨法或者分散器法印刷夾層絕緣膜的步驟；固化夾層絕緣膜的步驟；在夾層絕緣膜上以印刷法形成下電極的步驟；使用非噴射區域略大于通孔柱頭部的第二絲網掩膜印刷介電夾層絕緣膜的步驟，同時將所述非噴射區域基本上與通孔柱的頭部對齊；固化介電膜的步驟；和在介電膜上以印刷法形成像素電極的步驟，所述像素電極與通孔柱接觸；其中夾層絕緣膜、下電極和介電膜的厚度經過調節，使得通孔柱延伸出介電膜。36.—種平板顯示器的制造方法，包括在TFT的至少一個源電極和漏電極上形成通孔柱的步驟；用非噴射區域略大于通孔柱的頭部的第一絲網掩膜印刷夾層絕緣膜的步驟，同時將所述非噴射區域基本上與通孔柱的頭部對齊；固化夾層絕緣膜的步驟；在夾層絕緣膜上以印刷法形成下電極的步驟；以噴墨法或者分散器法印刷介電膜的步驟；固化介電膜的步驟；和在介電膜上以印刷法形成像素電極的步驟，所述像素電極與通孔柱接觸；其中夾層絕緣膜、下電極和介電膜的膜厚度經過調節，使得通孔柱延伸出介電膜。37.—種平板顯示器的制造方法，包括在TFT的至少一個源電極和漏電極上形成通孔柱的步驟；以噴墨法或者分散器法印刷夾層絕緣膜的步驟；固化夾層絕緣膜的步驟；在夾層絕緣膜上以印刷法形成下電極的步驟；以噴墨法或者分散器法印刷介電膜的步驟；固化介電膜的步驟；和在介電膜上以印刷法形成像素電極的步驟，所述像素電極與通孔柱接觸；其中夾層絕緣膜、下電極和介電膜的厚度經過調節，使得通孔柱延伸出介電膜。38.如權利要求34所述的平板顯示器的制造方法，進一步包括在印刷夾層絕緣膜的步驟和固化夾層絕緣膜的步驟之間，在低于夾層絕緣膜固化溫度的溫度下加熱夾層絕緣膜的步驟。39.如權利要求34所述的平板顯示器的制造方法，進一步包括在印刷介電膜的步驟和固化介電膜的步驟之間，在低于介電膜固化溫度的溫度下加熱介電膜的步驟。40.如權利要求34所述的平板顯示器的制造方法，其特征在于，當基本上與所述通孔柱的頭部對齊時，所述第一絲網掩膜的非噴射區域圍繞帶有一個側部的通孔柱向外延伸10-50(im。41.如權利要求34所述的平板顯示器的制造方法，其特征在于，當基本上與所述通孔柱的頭部對齊時，所述第二絲網掩膜的非噴射區域圍繞帶一個側部的通孔柱向外延伸10-50μm。42.如權利要求34所述的平板顯示器的制造方法，其特征在于，所述通孔柱以絲網印刷法形成。43.如權利要求34所述的平板顯示器的制造方法，其特征在于，所述通孔柱以分散器法形成。44.如權利要求34所述的平板顯示器的制造方法，其特征在于，所述通孔柱以噴墨法形成。45.—種多層布線結構，包括第一金屬布線元件；形成在第一金屬布線元件上行的夾層絕緣膜；形成在夾層絕緣膜上的第二金屬布線元件；和延伸穿過夾層絕緣膜并連接到第一和第二金屬布線元件的中間體，其中所述中間體包括在第二金屬布線元件那一側延伸超過夾層絕緣膜表面的端部。46.如權利要求45所述的多層布線結構，其中所述中間體包括介電柱，其基本上為柱狀，且高度大于所述夾層絕緣膜的膜厚度。47.如權利要求45所述的多層布線結構，其中所述中間體包括介電膜，其形成與所述第一金屬布線元件接觸；和金屬柱，其基本上為柱狀，連接到所述介電膜和所述第二金屬布線元件，且高度大于所述夾層絕緣膜的膜厚度。48.如權利要求45所述的多層布線結構，其中所述中間體包括金屬柱，其基本上為柱狀，且高度大于所述夾層絕緣膜的膜厚度。49.如權利要求47所述的多層布線結構，所述金屬柱高度大于所述夾層絕緣膜的膜厚度與所述第二金屬布線元件的膜厚度之和。50.如權利要求45所述的多層布線結構，其中所述第一金屬布線元件包括第一和第二布線部分；所述第二金屬布線元件包括:第三和第四布線部分；所述中間體包括連接到所述第一和第三布線部分的第一中間體，所述第一中間體包括基本上為柱狀的第一金屬柱，和連接到所述第二和第四布線部分的第二中間體，所述第二中間體包括與所述第二布線部分接觸的介電膜和第二金屬柱，所述第二金屬柱通常為柱狀且連接到所述介電膜和所述第四布線部分；且每一個所述第一和第二金屬柱高度大于所述夾層絕緣膜的膜厚度。51.如權利要求50所述的多層布線結構，其中所述第一金屬柱的高度大于所述夾層絕緣膜的膜厚度與所述第三布線部分的膜厚度之和；以及所述第二金屬柱的高度大于所述夾層絕緣膜的膜厚度與所述第四布線部分的膜厚度之和。52.—種元件基片，包括絕緣基片；和形成在所述絕緣基片上的如權利要求45所述的多層布線結構。53.如權利要求52所述的元件基片是印刷板或者陶瓷基片。54.—種平板顯示設備，包括如權利要求45所述的多層布線結構。55.—種多層布線結構的制造方法，包括在基片上以絲網印刷法形成第一金屬布線元件的第一步驟；在第一金屬布線元件上以絲網印刷法形成中間體的第二步驟；在第一金屬布線元件上以絲網印刷法形成夾層絕緣膜的第三步驟，所述夾層絕緣膜的膜厚度小于中間體的高度；和在中間體和夾層絕緣膜上以絲網印刷法形成第二金屬布線元件的第四步驟。56.如權利要求55所述的形成多層布線結構的方法，其特征在于，在所述第二步驟中形成在所述第一金屬布線元件上的所述中間體是介電柱。57.如權利要求56所述的形成多層布線結構的方法，其特征在于，所述第二金屬布線元件形成在所述介電柱和所述夾層絕緣膜上，從而在所述第四步驟中覆蓋所述介電柱。58.如權利要求57所述的多層布線結構的制造方法，其特征在于，在所述第三步驟中，使用非噴射區域大于帶有一個側部的所述介電柱的頭部10-50um的絲網掩膜來形成所述夾層絕緣膜。59.如權利要求55所述的多層布線結構的制造方法，其中所述中間體包括與所述第一金屬布線元件接觸的介電膜；和基本上為柱狀且連接到所述介電膜和所述第二金屬布線元件的金屬柱；所述第二步驟包括第一子步驟；和在所述介電膜上以絲網印刷法形成所述金屬柱的第二子步驟；和在所迷第三步驟中，所述夾層絕緣膜形成低于所述金屬柱頂端的高度。60.如權利要求59所述的形成多層布線結構的方法，其特征在于，在所述第四步驟中，所述第二金屬布線元件形成使得所述金屬柱延伸穿過所述第二金屬布線元件。61.如權利要求59所述的多層布線結構的制造方法，其特征在于，在所述第三步驟中，使用非噴射區域大于帶一個側部的所述金屬柱頭部10-50pm的絲網掩膜形成所述夾層絕緣膜。62.如權利要求55所屬的多層布線結構的制造方法，其特征在于，所述第一金屬布線元件包括第一和第二布線部分；所述第二金屬布線元件包括第三和第四布線部分；所述中間體包括連接到所述第一和第三布線部分的第一中間體，所述第一中間體包括基本上為柱狀的第一金屬柱；和連接到所述第二和第四布線部分的第二中間體，所述第二中間體包括與所述第二布線部分接觸的介電膜；和通常為柱狀且連接到所述介電膜和所述第四布線部分的第二金屬柱；所述第二步驟包括在所述第二布線部分上以絲網印刷法形成所述介電膜的第一子步驟；和在所述第一布線部分和所述介電膜上以絲網印刷法分別形成所述第一金屬柱和所述第二金屬柱的第二子步驟；在所述第三步驟中，所述夾層絕緣膜形成低于所述第一和第二金屬柱頂端的高度；和在所述第四步驟中形成的所述第二金屬布線元件包"fe所述第三和第四布線部分。63.如權利要求62所述的多層布線結構的制造方法，其特征在于，所述第三和第四布線部分形成使得所述第一和第二金屬柱分別延伸穿過所述第三和第四布線部分。64.如權利要求59所述的多層布線結構的制造方法，其特征在于，在所述第三步驟中，使用第一非噴射區域大于帶一個側部的所述第一金屬柱頭部10-50|_im且第二非噴射區域大于帶一個側部的所述第二金屬柱頭部10-50|im的絲網掩膜來形成所述夾層絕緣膜。全文摘要本發明公開一種多層布線結構的制造方法。所述方法包括在第一金屬布線元件上形成通孔柱的步驟；使用非噴射區域略大于通孔柱頭部的絲網掩膜，在第一金屬布線元件上印刷夾層絕緣膜的步驟，使得夾層絕緣膜的上表面位于低于通孔柱頭部的高度，同時非噴射區域基本上與通孔柱的頭部對齊；固化夾層絕緣膜的步驟；在夾層絕緣膜上形成第二金屬布線元件的步驟，所述第二金屬布線元件與通孔柱接觸，使得第一金屬布線元件和第二金屬布線元件通過通孔柱而連接。文檔編號H05K3/46GK101176394SQ20068001646公開日2008年5月7日申請日期2006年3月2日優先權日2005年3月14日發明者川島伊久衛,村上明繁,秋山善一申請人:株式會社理光