6g具有0.1N濃度的HC1水溶液， 且另外在室溫下攪拌混合物2小時以進行水解反應。然后將所得物的溫度提高至80°C并且 使所得物反應36小時以進行縮合和聚合反應，獲得二氧化硅-聚有機硅氧烷復合物，其中二 氧化硅位于核中且聚有機硅氧烷縮合和聚合為二氧化硅周圍的殼。以GPC方法測量獲得的 二氧化硅-聚有機硅氧烷，以確定其重均分子量為1800、PDI(多分散指數)為1.34、粘度為 7 · 2cPs (在 20°C 下）和pH為 6。
[0120]隨后，將335g丙二醇單甲基醚乙酸酯添加至二氧化硅-聚有機硅氧烷復合物用于 稀釋，且在60°C在60cmHg的減壓下蒸餾經稀釋的混合物以除去副產物，獲得分散在丙二醇 單甲基醚乙酸酯中的二氧化硅-聚有機硅氧烷復合物。
[0121] 向分散的二氧化硅-聚有機硅氧烷復合物添加1 %的乙酰乙酸鋁（基于二氧化硅-聚有機硅氧烷復合物的重量），以引起縮合反應，獲得氧化鋁交聯于其的二氧化硅-聚有機 硅氧烷復合物。
[0122] 薄膜晶體管的制造
[0123] 制備實施例1:通過使用根據實施例1的產物制造薄膜晶體管
[0124] 將鉬濺射在玻璃基底上，然后進行光刻法以形成柵電極。隨后，將實施例1中獲得 的聚有機硅氧烷旋涂于其上、在90°C下預退火2分鐘和使用具有240nm-400nm的波長區域的 200W高壓汞燈輻射96秒，然后在200°C下后退火1小時。
[0125] 然后將由化學式6表示的雜并苯衍生物二苯并噻吩[6，5-b:6'，5'-f ]噻吩并[3，2- b]噻吩(DBTTT)真空沉積于其上，形成有機半導體。隨后，將金(Au)濺射在有機半導體上，并 進行光刻法以形成源電極和漏電極，制造薄膜晶體管。
[0126] [化學式6]
[0127]
[0128] 制備實施例2:通過使用根據實施例2的產物制造薄膜晶體管
[0129] 根據與制備實施例1相同的方法制造薄膜晶體管，除了使用根據實施例2的納米顆 粒-聚有機硅氧烷復合物和熱交聯劑的縮合產物之外。
[0130] 評價
[0131]評價根據制備實施例1和制備實施例2的薄膜晶體管的特性。薄膜晶體管的特性包 括絕緣強度、電荷迀移率和I開/1關比。
[0132] 圖4是顯示根據制備實施例1的薄膜晶體管的絕緣強度的圖，圖5是顯示根據制備 實施例2的薄膜晶體管的絕緣強度的圖。
[0133] 參照圖4和5,根據制備實施例1和2的薄膜晶體管二者顯示良好的絕緣強度。即，當 電流密度在微安(μΑ)水平時，在根據制備實施例1和2的薄膜晶體管中的絕緣體的絕緣強度 在例如至約4兆伏(MV)水平的范圍內是足夠的。因此，根據制備實施例1和2的薄膜晶體管具 有高的電可靠性。
[0134] 圖6是顯示在根據制備實施例1的薄膜晶體管中的電荷迀移率的圖。圖7是顯示在 根據制備實施例2的薄膜晶體管中的電荷迀移率的圖。
[0135] 以下表1顯示根據制備實施例1和2的薄膜晶體管的電荷迀移率、開電流（導通電 流)值和關電流(關斷電流)值。
[0136] 表1
[0137]
[0138] 參照圖6和7以及表1，根據制備實施例1和2的薄膜晶體管顯示良好的電荷迀移率 和I開/1關比，并且由此可有效地用作有機絕緣體。
[0139] 盡管已經結合目前認為是實踐性的示例實施方式描述了本公開內容，但將理解本 公開內容不限于所公開的實施方式，而是相反地意圖涵蓋包括在所附權利要求的精神和范 圍之內的各種變型和等同布置。例如，盡管示例實施方式僅說明絕緣體和包括其的薄膜晶 體管，但本領域技術人員將理解由根據實施方式的組合物制備的經固化材料可有效地用于 多種制品和電子材料中。
【主權項】
1. 組合物，其包括熱交聯劑與由化學式I表示的化合物的水解和縮合聚合的產物之間 的縮合反應產物： 化學式1在化學式1中， r1、R2和R3獨立地為氨、取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C3-C20環烷基、取 代或未取代的C6-C20芳基、取代或未取代的C7-C20芳烷基、取代或未取代的C1-C20雜烷基、 取代或未取代的C2-C20雜環烷基、取代或未取代的C2-C20烘基、C1-C20烷氧基、徑基、面素、 簇基、或其組合，條件是Ri、R 2和R3的至少一個為C1-C20烷氧基、徑基、面素或簇基，優選Ri、R2 和R3獨立地為Cl-C6烷氧基， R4為氨或C1-C20烷基，優選R4為氨或甲基， Li和L3獨立地為取代或未取代的C1-C20亞烷基、取代或未取代的C6-C20亞芳基、取代或 未取代的C3-C20亞環烷基、取代或未取代的C2-C20亞締基、取代或未取代的C2-C20亞烘 基、-3-0-1?'-、-1?-畑-1?'-、-1?-(〔 = 0)-1?'-、或其組合，其中，1?和1?'獨立地為(：1-(：10控基，優 選Li和L3獨立地為C1-C20亞烷基，和 l2 為-0-(C = 0)-NR"-、-(C = 0)-NR"-、-0-、-C00-、或-S-，其中，R"為氨、或Cl-C6控基，優 選L2為-(C = O)-NR"-,其中，R"為氨、或Cl-C6控基。2. 根據權利要求1的組合物，其中所述熱交聯劑為至少一種選自侶、錯、鐵、儀、給和錫 的金屬的乙酸鹽化合物。3. 根據權利要求1的組合物，其中所述熱交聯劑為選自乙酷乙酸侶、乙酷乙酸錯、乙酷 乙酸鐵、乙酷乙酸儀、乙酷乙酸給和乙酷乙酸錫的至少一種。4. 根據權利要求1的組合物，其中W小于或等于40重量份、優選0.01-30重量份的量包 含所述熱交聯劑，基于100重量份所述由化學式1表示的化合物的水解和縮合聚合的產物。5. 根據權利要求1的組合物，其進一步包括通過化學鍵合連接于所述由化學式1表示的 化合物的水解和縮合聚合的產物的納米顆粒。6. 根據權利要求5的組合物，其中所述納米顆粒和所述由化學式1表示的化合物的水解 和縮合聚合的產物通過化學鍵合形成=維網絡結構。7. 根據權利要求5的組合物，其中所述納米顆粒和所述由化學式1表示的化合物的水解 和縮合聚合的產物形成核-殼結構。8. 根據權利要求5的組合物，其中所述納米顆粒包括選自二氧化娃、二氧化鐵、鐵酸領、 氧化錯、硫酸領、氧化侶、和氧化給的至少一種。9. 根據權利要求5的組合物，其中所述納米顆粒W小于或等于40重量份的量存在，基于 100重量份所述由化學式I表示的化合物的水解和縮合聚合的產物。10. 根據權利要求1的組合物，其進一步包括選自光引發劑、光致產酸劑和分散劑的至 少一種。11. 電子器件，其包括根據權利要求1-10任一項的組合物的經固化材料。12. 根據權利要求11的電子器件，其中所述電子器件為選自固體照明器件、顯示器件及 其組合的至少一種。13. 根據權利要求12的電子器件，其中所述固體照明器件是選自半導體發光二極管、有 機發光二極管、和聚合物發光二極管的至少一種，和其中所述顯示器件是選自電子紙、液晶 顯示器、有機發光二極管顯示器和量子點顯示器的至少一種。14. 薄膜晶體管，其包括： 柵電極； 與所述柵電極重疊的半導體； 布置在所述柵電極和所述半導體之間的絕緣體；W及 電連接于所述半導體的漏電極和源電極， 其中所述絕緣體包括根據權利要求1-10任一項的組合物的經固化材料。15. 權利要求14的薄膜晶體管，其中所述半導體為有機半導體。
【專利摘要】本發明涉及組合物、電子器件和薄膜晶體管。組合物包括熱交聯劑與由化學式1表示的化合物的水解和縮合聚合的產物之間的縮合反應產物。在化學式1中，取代基的定義與在【具體實施方式】中相同。此外，電子器件和薄膜晶體管包括所述組合物的經固化材料。化學式1。
【IPC分類】C08K3/36, C08G77/26, C08K3/22, H01L51/30, C08K9/10
【公開號】CN105646883
【申請號】
【發明人】李恩慶, 鄭知永, 樸正一, 崔雅凈
【申請人】三星電子株式會社
【公開日】2016年6月8日
【申請日】2015年12月1日