40中，在柔性襯底10的第二表面上形成第二鈍化層40。這里，柔性襯底10的第二表面指的是柔性襯底10的上表面，其與柔性襯底10的第一表面(即上表面)相對。第二鈍化層40的設置，能夠提高柔性襯底10的水氧阻擋能力，同時降低柔性襯底10的上表面的粗糙度。
[0028]進一步地，利用化學氣相沉淀或原子層沉積的方法在柔性襯底10的第二表面上形成第二鈍化層40。在本實施例中，第二鈍化層40可以由氮化硅、二氧化硅或者氧化鋁等材料制成，但本發明并不限制于此。需要說明的是，第二鈍化層40的厚度可以在50nm?150nm之間。
[0029]此外，需要注意的是，第一鈍化層30和第二鈍化層40可以采用相同的材料制成，例如二者均采用氮化硅制成，也可以采用不同的材料制成，例如，第一鈍化層30采用氮化硅制成，而第二鈍化層40采用二氧化硅制成。
[0030]本實施例提供的有機發光二極管(OLED)的基底及其制作方法，與現有技術的OLED的基底相比，能夠提高柔性襯底10的水氧阻擋能力，且還能降低柔性襯底10的上表面的粗糙度，同時又能提高柔性襯底10的散熱性。
[0031]圖3是根據本發明的實施例的有機發光二極管的結構示意圖。
[0032]參照圖3，根據本發明的實施例的有機發光二極管包括:柔性襯底10;在柔性襯底10的第一表面上的金屬層20;在金屬層20的背向柔性襯底10的第一表面的表面上的第一鈍化層30;在柔性襯底20的第二表面上的第二鈍化層40;依次在第二鈍化層40的背向柔性襯底20的第二表面的表面上的陽極層50、空穴注入層(Hole Inject Layer;HIL)60、空穴傳輸層(Ho Ie Transport 1^}^1';!11'1^)70、有機發光層(EML )80、電子傳輸層(ElectronTransport Layer;ETL)90、電子注入層(Electron Inject Layer;EIL)100及陰極層 110。
[0033]這里，第二鈍化層40的背向柔性襯底20的第二表面的表面指的是第二鈍化層40的上表面。
[0034]在本實施例中，陽極層50可以由氧化銦錫(ITO)制成，但本發明并不限制于此。陰極層110可以由導電金屬制成，但本發明并不限制于此。
[0035]雖然已經參照特定實施例示出并描述了本發明，但是本領域的技術人員將理解:在不脫離由權利要求及其等同物限定的本發明的精神和范圍的情況下，可在此進行形式和細節上的各種變化。
【主權項】
1.一種有機發光二極管的基底，其特征在于，包括: 柔性襯底(10); 金屬層(20)，形成在所述柔性襯底(10)的第一表面上； 第一鈍化層(30)，形成在所述金屬層(20)的背向所述第一表面的表面上； 第二鈍化層(40)，形成在所述柔性襯底(1)的第二表面上； 其中，所述第二表面與所述第一表面相對。2.根據權利要求1所述的有機發光二極管的基底，其特征在于，所述金屬層(20)通過濺射或者蒸鍍的方法形成。3.根據權利要求1或2所述的有機發光二極管的基底，其特征在于，所述第一鈍化層(30)和/或所述第二鈍化層(40)通過化學氣相沉淀或原子層沉積的方法形成。4.一種有機發光二極管的基底的制作方法，其特征在于，包括: 提供一柔性襯底(10); 在所述柔性襯底(10)的第一表面上形成金屬層(20); 在所述金屬層(20)的背向所述第一表面的表面上形成第一鈍化層(30); 在所述柔性襯底(10)的第二表面上形成第二鈍化層(40);其中，所述第二表面與所述第一表面相對。5.根據權利要求4所述的有機發光二極管的基底的制作方法，其特征在于，利用濺射或者蒸鍍的方法在所述柔性襯底(10)的第一表面上形成金屬層(20)。6.根據權利要求4或5所述的有機發光二極管的基底的制作方法，其特征在于，利用化學氣相沉淀或原子層沉積的方法在所述金屬層(20)的背向所述第一表面的表面上形成第一鈍化層(30)。7.根據權利要求4或5所述的有機發光二極管的基底的制作方法，其特征在于，利用化學氣相沉淀或原子層沉積的方法在所述柔性襯底(10)的第二表面上形成第一鈍化層(30)。8.一種有機發光二極管，其特征在于，包括: 柔性襯底(10); 在所述柔性襯底(1)的第一表面上的金屬層(20); 在所述金屬層(20)的背向所述第一表面的表面上的第一鈍化層(30); 在所述柔性襯底(10)的第二表面上的第二鈍化層(40); 依次在所述第二鈍化層(40)的背向所述第二表面的表面上的陽極層(50)、空穴注入層(60)、空穴傳輸層(70)、有機發光層(80)、電子傳輸層(90)、電子注入層(100)及陰極層(120);其中，所述第二表面與所述第一表面相對。9.根據權利要求8所述的有機發光二極管，其特征在于，其特征在于，所述金屬層(20)通過濺射或者蒸鍍的方法形成。10.根據權利要求8或9所述的有機發光二極管，其特征在于，所述第一鈍化層(30)和/或所述第二鈍化層(40)通過化學氣相沉淀或原子層沉積的方法形成。
【專利摘要】本發明公開了一種有機發光二極管的基底，其包括：柔性襯底(10)；金屬層(20)，形成在所述柔性襯底(10)的第一表面上；第一鈍化層(30)，形成在所述金屬層(20)的背向所述第一表面的表面上；第二鈍化層(40)，形成在所述柔性襯底(10)的第二表面上；其中，所述第二表面與所述第一表面相對。本發明還公開了一種有機發光二極管的基底的制作方法、有機發光二極管。本發明的有機發光二極管(OLED)的基底及其制作方法，與現有技術的OLED的基底相比，能夠提高柔性襯底的水氧阻擋能力，且還能降低柔性襯底的上表面的粗糙度，同時又能提高柔性襯底的散熱性。
【IPC分類】H01L51/56, H01L51/50
【公開號】CN105655494
【申請號】
【發明人】徐超
【申請人】深圳市華星光電技術有限公司
【公開日】2016年6月8日
【申請日】2016年3月18日