離所述陰極160的一面接觸，所述第一子發光層141包括量子點發光材料及有機小分子發光材料，所述第二子發光層142包括有機小分子發光材料。
[0031]所述空穴傳輸層130包括聚(3，4-乙烯二氧噻吩)_聚苯乙烯磺酸(Poly(3，4-ethylened1xyth1phene):poly styrenesulfonate，PEDOT:PSS)或者P型金屬氧化物納米粒子。所述P型金屬氧化物納米粒子包括Mo03、Ni0、V205及Wo03的任意一種或者多種。優選地，所述空穴傳輸層130的厚度為40nmo
[0032]相較于現有技術，本發明的量子點發光器件100的發光層140包括量子點發光材料及有機小分子發光材料，且有機小分子發光材料填充量子點發光材料之間的間隙。因此，減小了量子點發光材料之間的間隙，減低了所述量子點發光器件100的漏電流，提高了量子點發光器件100的性能。進一步地，有機小分子發光材料可以自主發光來提高所述量子點發光器件100的發光亮度，且可以通過能量轉移的方式提高量子點的發光效率。
[0033]下面結合圖1及前面對所述量子點發光器件100的介紹，下面對本發明的量子點發光器件的制備方法進行介紹。請參閱圖2，圖2為本發明一較佳實施方式的量子點發光器件的制備方法的流程圖。所述量子點發光器件的制備方法包括但不僅限于以下步驟。
[0034]步驟S110，提供基板110，在所述基板110的表面形成陽極120。
[0035]步驟S120，在所述陽極120遠離所述基板110的表面涂布空穴傳輸材料以形成空穴傳輸層130。具體地，在一實施方式中，可以在所述陽極120遠離所述基板110的表面采用旋涂等方法空穴傳輸材料以形成所述空穴傳輸層130。
[0036]步驟S130，在所述空穴傳輸層130遠離所述陽極120的表面沉積量子點發光材料。所述量子點發光材料的形成也可以采用噴涂、旋涂、噴墨打印等方法，所述量子點發光材料厚度為10?40nmo
[0037]步驟S140，在所述量子點發光材料遠離所述空穴傳輸層的表面沉積有機小分子發光材料，所述有機小分子發光材料填充所述量子點發光材料的間隙，以形成發光層140。所述有機小分子發光材料的尺寸小于所述量子點發光材料，因此，所述部分有機小分子發光材料會填充量子點發光材料之間的間隙，從而使得所述發光層140同時包含量子點發光材料以及有機小分子發光材料。所述有機小分子發光材料的形成可以通過蒸鍍的方式沉積而成。
[0038]步驟S150，在所述發光層140遠離所述空穴傳輸層130的表面涂布電子傳輸材料以形成電子傳輸層150。
[0039]步驟S160，在所述電子傳輸層150遠離所述發光層140的表面形成陰極160。所述陰極160的形成可也通過蒸鍍的方式形成。
[0040]本發明還提供了一種液晶顯示裝置10，請參閱圖3，所述液晶顯示裝置10包括前述介紹的量子點發光器件100，在此不再贅述。所述液晶顯示裝置10可以包括但不僅限于為智能手機、互聯網設備(Mobile Internet Device，MID)，電子書，便攜式播放站(PlayStat1n Portable，PSP)或者個人數字助理(Personal Digital Assistant ,PDA)等便攜式電子設備，也可以為顯示器等。
[0041 ]以上所揭露的僅為本發明一種較佳實施例而已，當然不能以此來限定本發明之權利范圍，本領域普通技術人員可以理解實現上述實施例的全部或部分流程，并依本發明權利要求所作的等同變化，仍屬于發明所涵蓋的范圍。
【主權項】
1.一種量子點發光器件，其特征在于，所述量子點發光器件包括基板、陽極、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層及陰極，所述陽極、所述空穴傳輸層、所述發光層、所述電子傳輸層及所述陰極設置在所述基板的同側，所述陽極與所述陰極相對且間隔設置，所述空穴傳輸層、所述發光層及所述電子傳輸層夾設在所述陽極與所述陰極之間，且所述空穴傳輸層的一面與所述陽極相連，所述發光層及所述電子傳輸層依次層疊設置在所述空穴傳輸層遠離所述陽極的一面，且所述電子傳輸層遠離所述發光層的一面與所述陰極相連，所述陽極用于提供空穴，所述空穴傳輸層用于將所述空穴傳輸至所述發光層，所述陰極用于提供電子，所述電子傳輸層用于將所述電子傳輸至所述發光層，所述空穴和所述電子在所述發光層中復合以發光，其中，所述發光層包括量子點發光材料及有機小分子發光材料，所述有機小分子發光材料填充所述量子點發光材料之間的間隙。2.如權利要求1所述的量子點發光器件，其特征在于，所述陽極遠離所述空穴傳輸層的一面設置在所述基板上，所述陽極為透明電極，所述陰極為金屬電極，所述空穴和所述電子在所述發光層中復合發出的光線自所述基板遠離所述陽極的表面出射。3.如權利要求2所述的量子點發光器件，其特征在于，所述陽極包括ITO，所述陰極包括AL.4.如權利要求3所述的量子點發光器件，其特征在于，所述陰極的厚度為100?150nm。5.如權利要求1所述的量子點發光器件，其特征在于，所述陰極遠離所述電子傳輸層的一面設置在所述基板上，所述陰極為透明電極，所述陽極為金屬電極，所述空穴和所述電子在所述發光層中復合發出的光線自所述基板遠離所述陰極的表面出射。6.如權利要求1所述的量子點發光器件，其特征在于，所述發光層包括層疊設置的第一子發光層及第二子發光層，所述第一子發光層的一面與在所述空穴傳輸層遠離所述陽極的一面接觸，所述第二子發光層的一面與所述電子傳輸層遠離所述陰極的一面接觸，所述第一子發光層包括量子點發光材料及有機小分子發光材料，所述第二子發光層包括有機小分子發光材料。7.如權利要求1所述的量子點發光器件，其特征在于，所述空穴傳輸層包括PEDOT: PSS或者P型金屬氧化物納米粒子，其中，所述P型金屬氧化物納米粒子包括Mo03、Ni0、V205及Wo03的任意一種或者多種。8.如權利要求1所述的量子點發光器件，其特征在于，所述空穴傳輸層的厚度為40nm。9.一種量子點發光器件的制備方法，其特征在于，所述量子點發光器件的制備方法包括: 提供基板，在所述基板的表面形成陽極； 在所述陽極遠離所述基板的表面涂布空穴傳輸材料以形成空穴傳輸層； 在所述空穴傳輸層遠離所述陽極的表面沉積量子點發光材料； 在所述量子點發光材料遠離所述空穴傳輸層的表面沉積有機小分子發光材料，所述有機小分子發光材料填充所述量子點發光材料的間隙，以形成發光層； 在所述發光層遠離所述空穴傳輸層的表面涂布電子傳輸材料以形成電子傳輸層； 在所述電子傳輸層遠離所述發光層的表面形成陰極。10.—種液晶顯示裝置，其特征在于，所述液晶顯示裝置包括如權利要求1?8任意一項所述的量子點發光器件。
【專利摘要】本發明提供一種量子點發光器件及其制備方法及液晶顯示裝置。量子點發光器件包括基板及設置在基板同側的陽極、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層及陰極，陽極與陰極相對且間隔設置，空穴傳輸層、發光層及電子傳輸層夾設在陽極與陰極之間，且空穴傳輸層的一面與陽極相連，發光層及電子傳輸層依次層疊設置在空穴傳輸層遠離陽極的一面，且電子傳輸層遠離發光層的一面與陰極相連，陽極用于提供空穴，空穴傳輸層用于將空穴傳輸至發光層，陰極用于提供電子，電子傳輸層用于將電子傳輸至發光層，空穴和電子在發光層中復合以發光，其中，發光層包括量子點發光材料及有機小分子發光材料，有機小分子發光材料填充量子點發光材料之間的間隙。
【IPC分類】H01L51/54, H01L51/50, G02F1/13357
【公開號】CN105655495
【申請號】
【發明人】徐超
【申請人】深圳市華星光電技術有限公司
【公開日】2016年6月8日
【申請日】2016年3月25日