s的一端與驅動薄膜晶體管T2的柵極電連接，另一端與電源VDD電連接。圖2所示為應用于本公開實施例AMOLED的薄膜晶體管(TFT)陣列基板的像素驅動電路的存儲電容結構的示意圖。該存儲電容結構可用作圖5所示的陣列基板中的存儲電容器Cs，但本公開不限于此。例如，根據本公開的電容結構也可應用于其他TFT陣列基板。
[0046]如圖2所示，本公開的存儲電容結構是在基板上進行制作，通常同時制作多個存儲電容結構。所述存儲電容結構包括第一電極11、第二電極12、第一介電層21和第二介電層22。其中，第一電極11和第一介電層21相鄰設置，第二介電層22設置在第一介電層21的另一側，第二電極12設置在第二介電層22的另一側。換言之，第一介電層21的兩側分別是第一電極11和第二介電層22，第二介電層22的兩側分別是第一介電層21和第二電極
12ο
[0047]在一具體實施例中，第一電極11包括第一金屬，第一電極11上方的第一介電層21包括上述第一金屬的氧化物。例如，第一電極11的材料可以為金屬招(Al)，第一介電層21的材料可以為氧化鋁(Α1203)。第二電極12的材料不做限制，優選為金屬鉬(Mo)，然而本發明并不限制于此，只要是靶材的價格、產能、阻抗、線寬控制、taper控制能夠滿足要求的材料均是可行的，例如現有的工藝中，也可以使用鉬鋁鉬疊層結構、鈦鋁鈦疊層結構等材料。第二介電層22的材料可以為氮化硅(SiNx)。
[0048]在上述實施例中，第一電極11包括第一金屬，第一介電層21包括第一金屬的氧化物，特別是在一實施例中，第一電極11包括鋁，第一介電層21包括氧化鋁，由于氧化鋁僅接觸第一電極11和第二介電層22，并不會接觸到基板I，因此可以增加氧化鋁的介電系數，而不需要考慮其膜應力對基板I的影響。另外，第二介電層22的材料優選為氮化硅，因為氮化硅層接觸基板1，為了避免氮化硅的膜應力對基板I變形的影響，可以適當減小其介電系數。
[0049]以下具體描述本公開的存儲電容結構的加工步驟。圖3所示為為應用于本公開實施例AMOLED的薄膜晶體管(TFT)陣列基板的像素驅動電路的存儲電容結構的制作方法的流程圖。該電容結構引用于薄膜晶體管陣列基板，如圖3所示，本公開的存儲電容結構的制作方法包括如下步驟:
[0050]步驟SI，在基板I上形成第一電極11和第一介電層21，該第一電極11包括第一金屬，第一介電層21為該金屬的氧化物；在一實施例中，該第一金屬為金屬鋁；
[0051]其中，基板I通常為玻璃基板，但是也可以是陶瓷等，本公開并不做限制。結合圖4A、圖4B和圖4C所示，第一電極11和第一介電層21可以通過物理真空蒸鍍(PhysicalVapor Deposit1n，PVD)、氧化處理和刻蝕的步驟形成，簡單來說，如圖4A所示，步驟SI可以包括:
[0052]步驟S11，在PVD機臺上將鋁靶材用離子轟擊的方式沉積在基板I的一表面上，形成第一電極材料層11’，并在成膜后期在PVD機臺進行氧化處理，形成一層第一介電材料層21’，即在本實施例中的Al203薄膜；
[0053]步驟SI中形成厚度為160納米(nm)的第一電極材料層11’，通過控制離子注入工藝的參數，將第一電極材料層11’上表層厚度40nm的金屬鋁氧化形成氧化鋁，即形成第一介電材料層21’ ；
[0054]步驟S12，如圖4C所示，通過刻蝕的步驟，刻蝕掉多余部分，形成對應于每一個像素的第一電極11和第一介電層21。
[0055]步驟S2，結合圖4D所示，形成覆蓋在上述基板I上的第二介電層22，其中第二介電層22的材料可以為氮化硅(SiNx)、氧化硅、氮氧化硅的至少一種；
[0056]在這一步驟中，可以通過薄膜沉積的方式在基板I上形成覆蓋基板1、第一電極11和第一介電層21的氮化硅薄膜，作為第二介電層22。由于氮化硅薄膜既是作為存儲電容結構的介電層，又是作為第一電極11和后續加工的第二電極12的絕緣層，因此后續加工中并不會蝕刻掉氮化硅薄膜貼附在基板I上的部分；在一具體實施例中，所形成的第二介電層22的厚度為80nmo
[0057]步驟S3，結合圖4E所示，在第二介電層22的上方形成對應于第一電極11的第二電極12 ；
[0058]在這一步驟中，先使用PVD機臺在第二介電層22上沉積整面膜，然后在蝕刻多余的部分形成第二電極12。
[0059]在一具體實施例中，所形成的第二電極12的材料為金屬鉬，其厚度為220nm。但是，本發明并不限制于此，只要是靶材的價格、產能、阻抗、線寬控制、taper控制能夠滿足要求的材料均是可行的，例如現有的工藝中，也可以使用鉬鋁鉬疊層結構、鈦鋁鈦疊層結構等材料。
[0060]由上述可知，本公開的薄膜晶體管(TFT)陣列基板的像素驅動電路的存儲電容結構及其制作方法具有如下優點:
[0061]1.本公開米用包括第一金屬的第一電極，并在第一電極上方設置包括第一金屬的氧化物的第一介電層，可以加工為具有較大的介電系數，從而可以提高本公開的存儲電容結構的電容值，優化了有源矩陣有機發光二極管陣列基板的性能；
[0062]2.在具體實施例中，第一電極的材料包括金屬鋁，第一介電層包括氧化鋁，鑒于氧化鋁已能提供足夠大的介電系數，氮化硅薄膜的介電系數可以相對于現有技術保持不變或適當減小，并不會影響存儲電容結構的電容值，也避免了因為氮化硅薄膜的膜應力過大影響基板的形變。
[0063]雖然已參照幾個典型實施例描述了本公開，但應當理解，所用的術語是說明和示例性、而非限制性的術語。由于本公開能夠以多種形式具體實施而不脫離本公開的精神或實質，所以應當理解，上述實施例不限于任何前述的細節，而應在所附權利要求所限定的精神和范圍內廣泛地解釋，因此落入權利要求或其等效范圍內的全部變化和改型都應為所附權利要求所涵蓋。
【主權項】
1.一種有源矩陣有機發光二極管陣列基板，其特征在于，包括: 第一基板；及 多個像素結構，位于所述第一基板上，所述像素結構包括: 開關薄膜晶體管； 驅動薄膜晶體管，所述開關薄膜晶體管用于驅動所述驅動薄膜晶體管； 存儲電容，與所述驅動薄膜晶體管電連接，并用以保存一數據信號，所述存儲電容包括: 第一電極，形成于所述第一基板上，所述第一電極包括第一金屬； 第一介電層，形成于所述第一電極上，所述第一介電層包括所述第一金屬的氧化物； 第二介電層，覆蓋于所述第一介電層和所述第一基板上；以及 第二電極，形成于所述第二介電層上；以及 有機發光二極管，受所述驅動薄膜晶體管驅動以及對應所述存儲電容保持的所述數據信號而發光。2.如權利要求1所述的有源矩陣有機發光二極管陣列基板，其特征在于，所述存儲電容的所述第一電極為金屬鋁，所述第一金屬的氧化物為氧化鋁。3.如權利要求1所述的有源矩陣有機發光二極管陣列基板，其特征在于，所述存儲電容的所述第二電極包括鉬。4.如權利要求1所述的有源矩陣有機發光二極管陣列基板，其特征在于，所述第二介電層包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅中的至少一種材料。5.如權利要求1所述的有源矩陣有機發光二極管陣列基板，其特征在于，所述基板為玻璃基板。6.如權利要求1所述的有源矩陣有機發光二極管陣列基板，其特征在于，所述第二電極包括金屬疊層結構。7.如權利要求6所述的有源矩陣有機發光二極管陣列基板，其特征在于，所述第二電極的金屬疊層結構包括鉬鋁鉬疊層結構。8.如權利要求6所述的有源矩陣有機發光二極管陣列基板，其特征在于，所述第二電極的金屬疊層結構包括鈦鋁鈦疊層結構。9.一種電容結構的制作方法，所述電容結構用于薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述制作方法包括以下步驟: 步驟SI，在基板上形成第一電極，所述第一電極包括第一金屬，并在所述第一電極上形成第一介電層，所述第一介電層包括所述第一金屬的氧化物； 步驟S2，在所述第一介電層和所述基板上形成第二介電層；以及 步驟S3，在所述第二介電層的上方形成第二電極。10.一種顯示器，其特征在于，包括如權利要求1-8所述的有源矩陣有機發光二極管陣列基板。
【專利摘要】本公開提出一種有源矩陣有機發光二極管陣列基板、電容結構的制作方法及顯示器，有源矩陣有機發光二極管陣列基板包括:第一基板及多個位于所述第一基板上的像素結構，像素結構包括:開關薄膜晶體管、驅動薄膜晶體管、存儲電容、有機發光二極管。存儲電容包括:第一電極，形成于所述第一基板上，所述第一電極包括第一金屬；第一介電層，形成于所述第一電極上，所述第一介電層包括所述第一金屬的氧化物；第二介電層，覆蓋于所述第一介電層和所述第一基板上；以及第二電極，形成于所述第二介電層上。
【IPC分類】H01L27/32, H01L51/56, H01L51/52
【公開號】CN105655497
【申請號】
【發明人】游方偉
【申請人】上海和輝光電有限公司
【公開日】2016年6月8日
【申請日】2014年11月14日