致發光單接觸面采用表面進行拋光處理，玻璃表面的表面粗糖 度Ra值小于20皿。
[0027] 在基板的制作過程中加入高折射率散射顆粒如二氧化鐵、氧化娃、氧化儀、氧化 錯、硫化鋒、氧化鐵、氧化侶、氧化鋒、氮化娃中的一種或是至少兩種的組合，形成含散射顆 粒的基板，在基板上制作陽極及發光功能層。基板中的高折射率散射顆粒通過散射光束，提 高器件出光效率，簡化制作工藝，降低器件生產成本。所述基板本體1可W為玻璃基板或聚 合物基板。
[0028] 玻璃基板的制作過程一般為配料、烙制、成形、退火等工序，本發明在配料的過程 中加入一定比例的二氧化鐵等高折射率散射顆粒，其他烙制、成形、退火等工藝不變。優選 加入表面拋光工藝，基板表面的表面粗糖度Ra值小于等于20nm，保證基板襯底平整度的同 時，使散射顆粒靠近基板表面，使得光束更容易從電極層進入基板。 陽〇29] 實施例1
[0030] 器件1 :本實施例基板為玻璃基板加入二氧化鐵高折射率散射顆粒，所述散射顆 粒的粒徑為0. 05-3 μ m，二氧化鐵為玻璃原料的5wt %，將玻璃原材料二氧化娃等與二氧化 鐵混合均勻后按照常規工藝制備得到基板。本實施例中基板本體1的折射率為1. 5,散射顆 粒2的折射率為2. 7。玻璃表面的表面粗糖度Ra值為20nm。
[0031] 基板之上制作器件，器件結構為：
[0032] IT0/NPB(20nm)/TCTA(30nm)/TCTA
[0033] (30nm) :Ir (卵y)3(15% ) :Ir(MD曲2acac(l% )/TCTA:Bebq2(5nm, I:l)/Bebci2
[0034] (20nm) :BD巧％ )/Bebciz(20nm)/LiF(0. 5nm)/Ag(150nm)。 陽0對 實施例2
[0036] 器件2 :本實施例基板為聚對苯二甲酸乙二醇醋聚合物基板加入氧化娃高折射率 散射顆粒，所述散射顆粒的粒徑為0. 05-3 μ m，氧化娃為聚合物基板原料的20wt %，將聚合 物基板原材料聚對苯二甲酸乙二醇醋聚合物與氧化娃混合均勻后按照常規工藝制備得到 基板。基板之上制作器件，器件結構同實施例1。玻璃表面的表面粗糖度Ra值為15nm。本 實施例中基板本體1的折射率為1. 8,散射顆粒2的折射率為1. 7。
[0037] 實施例3
[0038] 器件3 :本實施例基板為聚糞二甲酸乙二醇醋聚合物基板加入氧化儀、二氧化鐵 混合的高折射率散射顆粒，所述散射顆粒的粒徑為0. 05-3 μ m，氧化儀為聚合物基板原料的 45wt %，二氧化鐵聚合物基板原料的5wt %，將聚合物基板原材料聚糞二甲酸乙二醇醋聚合 物與氧化儀混合均勻后按照常規工藝制備得到基板.基板之上制作器件，器件結構同實施 例1。玻璃表面的表面粗糖度Ra值為9nm。本實施例中基板本體1的折射率為1. 6,散射顆 粒2的折射率為3. 0。
[0039] 實施例4
[0040] 器件4 :本實施例基板為聚苯硫酸聚合物基板加入氧化錯高折射率散射顆粒，所 述散射顆粒的粒徑為0. 05-3 μ m，氧化錯為聚合物基板原料的15 %，將聚合物基板原材料 聚苯硫酸聚合物與氧化錯混合均勻后按照常規工藝制備得到基板，基板之上制作器件，器 件結構同實施例1。玻璃表面的表面粗糖度Ra值為5nm。本實施例中基板本體1的折射率 為1. 7,散射顆粒2的折射率為2. 0。
[0041] 對比器件：對比例設置的器件與器件1的區別僅在于采用的基板中不含有高折射 率散射顆粒；基板之上制作器件，器件結構同實施例1。
[0042] 表1器件1-4性能測試結果
[0043]
[0044] 從表1可知，本發明的有機電致發光器件在基板中設置高折射率散射顆粒后，與 不滲雜高折射率散射顆粒的器件相比，亮度大幅提高。
[0045] 顯然，上述實施例僅僅是為清楚地說明所作的舉例，而并非對實施方式的限定。對 于所屬領域的普通技術人員來說，在上述說明的基礎上還可W做出其它不同形式的變化或 變動。運里無需也無法對所有的實施方式予W窮舉。而由此所引伸出的顯而易見的變化或 變動仍處于本發明的保護范圍之中。
【主權項】
1. 一種有機電致發光器件，包括基板和設置在基板本體上的有機電致發光單元，其特 征在于，所述基板包括基板本體（1)和設置在基板本體（1)中高折射率的散射顆粒（2)。2. 根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述散射顆粒（2)為基板本 體材料的5_50wt%。3. 根據權利要求2所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述散射顆粒（2)為基板本 體材料的15-20wt%。4. 根據權利要求2所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述散射顆粒（2)為二氧化 鈦、氧化硅、氧化鎂、氧化鋯、硫化鋅、氧化鈦、氧化鋁、氧化鋅、氮化硅中的一種或是至少兩 種的組合。5. 根據權利要求1-4任一所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述散射顆粒的粒 徑為 〇· 05-3 μπι。6. 根據權利要求1-4任一所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述散射顆粒的折 射率為1.7-3. 0。7. 根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述基板本體（1)為玻璃基 板或聚合物基板。8. 根據權利要求7所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述聚合物基板為聚對苯 二甲酸乙二醇酯基片或聚萘二甲酸乙二醇酯基片或聚苯硫醚基片。9. 根據權利要求8所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述基板本體（1)的折射率 為 1. 5-1. 8〇10. 根據權利要求9所述的有機電致發光器件，所述基板與有機電致發光單接觸面采 用表面拋光處理，基板表面的表面粗糙度Ra值小于等于20nm。
【專利摘要】本發明所述的一種有機電致發光器件，包括基板和設置在基板本體上的有機電致發光單元，所述基板包括基板本體和設置在基板本體中高折射率的散射顆粒，所述散射顆粒為基板本體材料的5-50wt％，散射顆粒的折射率為1.7-3.0，在保證了器件的高效率、高穩定性的同時，制作工藝簡單。
【IPC分類】H01L51/50, H01L51/52
【公開號】CN105655499
【申請號】
【發明人】董艷波, 張國輝, 王靜
【申請人】固安翌光科技有限公司
【公開日】2016年6月8日
【申請日】2014年12月2日