專利名稱：一種提高甜葉菊組培增殖效率的技術的制作方法
技術領域：
本發明屬于植物組織培養技術，具體地說是在甜葉菊組織培養技術基礎上創造的高效增殖擴繁技術。
背景技術：
甜葉菊組織培養可以在短時間內提供大量的菊苗用于生產或科學研究。植物組織培養技術包含增殖和生根兩個階段。現有的植物組織培養增殖技術是將組培形成的植物增殖苗的單個莖段植入增殖培養基中進行叢芽誘導和培養，產生大量的新生苗，然后將這些新生苗再剪成單節的莖段用于進一步的擴大繁殖或進行生根處理，進而用于生產。在甜葉菊的增殖過程中，產生的叢芽和莖節越多，下一步培養可栽插的苗也越多，實現的繁殖效率 越聞。
發明內容
本發明就是提供一種通過接種時的剪葉和深插處理，在相同的組織培養條件下，用同樣的時間培養出更多組培苗的新技術。I.本發明的核心技術是在接種時剪去所有的葉片。2.組培培養基為腋芽誘導培養基，其配方為I. Omg · L_16-BA、0· Img · L^1NAA,
5.Og · L-1瓊脂粉和30g · L-1蔗糖的MS培養基。3.培養條件溫度為25±2°C，照度為20001x，光照時間為12h · cf1。4.每個組培瓶中接種4-5個甜葉菊莖段。5.莖段接入培養基時將莖節插入培養基。6.接種步驟是
①從增殖苗上剪取甜葉菊的枝條；
②將上述枝條上的葉片全部剪去；
③將剪去葉片的枝條截成單節的莖段；
④將上述截成的莖段接入培養基，莖段上的莖節要插入培養基內；
⑤完成接種后置于上述條件下進行培養。
圖I為剪葉培養與對照的效果對比圖。I為剪葉插入處理的叢芽誘導結果。2為未剪葉未插入處理的叢芽誘導結果。
具體實施例方式實施方式I
供試材料為“皖甜I號-18”。取長勢較一致的組培苗，除去頂端，剪成帶葉片和不帶葉片長約I. Ocm的2種莖段，所有的莖段都是單節的莖段。將上述莖段分別接種于腋芽誘導培養基上，接種方式分為4個處理
1.未剪葉插入保留莖段上的葉片，將莖節插入培養基；
2.剪葉插入剪去莖段上的葉片，將莖節插入培養基；
3.未剪葉未插入保留莖段上的葉片，僅將莖節以下的部分插入培養基，莖節外露與培養基之上(設為對照);
4.剪葉未插入剪去莖段上的葉片，僅將莖節以下的部分插入培養基，莖節外露與培養基之上;
每瓶接種4個莖段，每處理接種4瓶，3次重復。腋芽誘導培養基為含I. Omg · Ll-BA、0· Img · L-1NAAj. Og · L-1瓊脂粉和30g · L-1蔗糖的MS培養基，pH為6. O。培養溫度為 25±2°C，20001x光照12h · cf1的條件下培養。30天統計各處理的單株分枝數并將各分枝剪成含有一個節的莖段(注莖頂部Icm長度計為一個莖段)。單株分枝數=全部分枝數/株數
單株莖段數=全部莖段數/株數(注分枝頂部Icm長度計為一個莖段)
表I.不同莖段處理對“皖甜I號-18”甜葉菊增殖情況的比較
權利要求
1.一種甜葉菊高效組培增殖技術，其特征在于，接種時剪去所有的葉片，接種時將莖段上的莖節插入培養基內。
2.根據權利要求I所述的增殖技術，其特征在于，組培培養基為腋芽誘導培養基，其配方為5. Og · Γ1瓊脂粉和30g · Γ1蔗糖的MS培養基，BA和NAA用量因品種而異。
3.根據權利要求I所述的增殖技術，其特征在于，培養溫度為25±2°C，20001x光照12h · Cf1的條件下培養。
4.根據權利要求I所述的增殖技術，其特征在于，接種過程為 從增殖苗上剪取甜葉菊的枝條； 將上述枝條上的葉片全部剪去； 將剪去葉片的枝條截成單節的階段； 將上述截成的莖段接入權利要求2所述的培養基； 莖段上的莖節插入培養基之內； 完成接種后置于權利要求3所述的條件下進行培養。
5.根據權利要求4所述的增殖技術，其特征在于，每個組培瓶中接種4-5個甜葉菊莖段。
全文摘要
在利用甜葉菊的增殖培養基對甜葉菊的莖段進行叢芽誘導時，在接種前剪去莖上的葉片，再剪成單節的莖段。接種時將莖段的莖節插入培養基。經過這般處理，可以大幅度提高甜葉菊叢芽誘導的增殖率，大幅度增加分枝上的莖節數，大幅度提高快繁的效率。
文檔編號A01H4/00GK102907319SQ20121016828
公開日2013年2月6日 申請日期2012年5月28日 優先權日2012年5月28日
發明者何克勤, 胡能兵, 張子學, 崔廣榮, 林平 申請人:何克勤