專利名稱：一種薰衣草快速繁殖的方法
技術領域：
本發明屬于植物種苗快速繁殖技術領域，更具體涉及一種薰衣草快速繁殖的方法，適合于香料植物快速繁殖。
背景技術：
Lavandula Linn.薰衣草屬，唇形科。半灌木或小灌木，稀為草本。葉線形至披針形或羽狀分裂。輪傘花序具2 10花，通常在枝頂聚集成頂生間斷或近連續的穗狀花序。花藍色或紫色，具短梗或近無梗。約28種，分布于大西洋群島及地中海地區至索馬里，巴基斯坦及印度假我國僅栽培2種。花中含芳香油，是世界上重要的天然香料植物之一。由于其花穗提取的精油具有清新而芳香宜人的香氣，被廣泛地應用于多種日用化妝品中，是調香中重要的原料品種，亦是醫藥和化工的重要的原料之一；薰衣草自古就廣泛使用于醫療上，莖和葉都可入藥，有健 胃、發汗、止痛之功效，是治療傷風感冒、腹痛、濕疹的良藥；因其葉形花色優美典雅，藍紫色花序穎長秀麗，也是一種重要的觀賞植物。薰衣草原產于地中海沿岸、歐洲各地及大洋洲列島，后被廣泛栽種于英國及南斯拉夫，現美國的田納西州，曰本的北海道也有大量種植。新疆伊犁于1964年引進法國薰衣草，由于其優越的氣候條件和優良的品質，栽種培面積迅速擴大。2010年伊梨河谷地區栽培薰衣草面積達5400hm2，占全國薰衣草種植面積的90%左右,是全國最大的薰衣草種植基地，與法國的普羅旺斯、日本北海道的富良野稱為世界上三大薰衣草基地。伊犁與法國普羅旺斯天然香料少于產區域處于同一緯度，沙谷地帶三面環山，屬半干旱氣候區，氣候條件下和水土光熱資源適合薰衣草栽培，可生產出優質一流的芳香植物資源，伊犁薰衣草作為名貴天然香料作物成為世界八大頂級品種之一。薰衣草的繁殖以播種、扦插、和分株繁殖為主。但播種繁殖后代分離，不能保持優良品種的純度；扦插繁成活率低且需要大量的母本，不能滿足市場的需求；而且，長期的營養繁殖易出現品種退化現象。為此，采用植物組織培養技術，工廠化生產薰衣草的優良單株、品系和品種的種苗，一可以克服播種和扦插帶來的品種混雜、種性退化等問題，二可以不受自然氣候的影響全年生長優質種苗，還能在短期內加快薰衣草產業的更新換代，推動產業的快速發展，也能為進一步的育種研究提供材料和技術支持，對促進我國芳香植物產業的健康持續發展也具有重要的意義。目前，有關薰衣草組織培養已有報道，有通過莖尖、莖段獲得再生植株；中國專利號CN200410085334X —種薰衣草組織培養方法是用薰衣草葉片為外殖體誘導愈傷組織并進行懸浮培養獲得再生植株；中國專利號CN200610059350. O以薰衣草下胚軸為外植體分化出芽獲得再生植株。
發明內容
本發明的目的是在于提供了一種薰衣草快速繁殖的方法，方法簡便易行，操作方便，繁殖、生根速度快，根系健壯、成活率高。采用此種方法能快速繁殖出大量具有健壯、發達根系的薰衣草種苗，滿足了規模化種植的需求，為薰衣草優質種苗大規模生產及遺傳轉化體系的建立奠定基礎。為了達到上述目的，本發明采用以下技術措施本發明以薰衣草新梢為外植體，5-7天出芽后即可進行繼代培養，培養15 25天就可直接進行生根和煉苗，生根率可達98%以上。本發明與其它組培方法相比在誘導芽和繼代培養方面具有程序簡單、快速 的優點；在生根培養方面，由于生根和煉苗是同步進行的，把傳統的組織培養的生根、煉苗二個步驟合二為一，縮短了生產周期、提高了組培苗的成活率、降低了組培苗的生產成本。一種薰衣草快速繁殖的方法，其步驟是a、以薰衣草新梢作為外植體，將新梢切成2-3cm長的莖段，用濃度為O. 1%氯化汞消毒4-8分鐘，用無菌水沖洗3-4次，再將新梢段切成1-2芽一節，接入配制好的培養基中，這種培養基包括MS基本培養基和附加不同成份的物質；置于溫度為20-28°C，光照強度3000 lOOOOLx，每天光照12-16小時，培養5_7天，其側芽長出新梢，萌發率80% ；b、切取培養萌發的新梢，接入配制好的培養基中進行繼代培養，每15-25天擴繁一次;C、從擴繁的組培苗上切取3-5cm長的嫩梢插入全光照噴霧插床，直接進行生根和煉苗，30 40天后即可生根移栽。這種插床以砂或珍珠巖為基質。本發明提供了一種薰衣草種苗快速繁殖的高效體系，與現有技術相比，具有以下優點和效果，方法易行，操作方便，繁殖速度快，20天的增殖倍數達到4-5倍，一年一個芽可繁殖100萬株種苗。生根培養與一般的植物組織培養技術相比方法簡單易行，把生根和煉苗二個步驟合二為一，提高了組織培養苗的移栽成活率、降低了組織培養苗的生產成本。
具體實施例方式實施例I :一種薰衣草快速繁殖的方法，其步驟是I、以薰衣草新梢作為外植體，將新梢切成3或4cm長的段，用濃度為O. 1%氯化汞消毒5或6或7或8或9或10分鐘，用無菌水沖洗3或4次。2、將新梢段切成I或2芽一節，接入配制好的培養基中，這種培養基包括MS基本培養基和附加不同成份的物質，其中附加成份為瓊脂6000-8000mg/L，糖20000-30000mg/L混配。3、光照培養，溫度為24或25或26或27或28°C，光強為3000或5000或8000或lOOOOLx,每天光照12或13或14或15或16小時的條件下培養5或6或7天，使側芽長出新梢；4、切取培養萌發的新梢，接入配制好的培養基中進行繼代培養，這種培養基包括MS基本培養基和附加不同成份的物質，其中附加成份為ΒΑ0. 2-4mg/L、ΚΤ0. 5-1. 0mg/L、ΝΑΑ0. 01-0. 4mg/L、IBA0. 1-0. 5mg/L、瓊脂 6000-8000mg/L，糖 20000-30000mg/L 混配；每 15或18或22或25天擴繁一次。5、從擴繁的組培苗上切取3或4或5cm長的嫩梢，扦插于全光照噴霧的插床中，這種扦插床以河砂或珍珠巖為基質；噴灌濃度為50或60或70或80或90或IOOppm的IBA或200ppm的生根粉，30或34或37或40天后可生根移栽。所述的MS基本培養基的成份(單位mg/L)
權利要求
1.一種薰衣草快速繁殖的方法，其步驟是 a.以薰衣草新梢作為外植體，將新梢切成2-3cm長的莖段,用濃度為O.1%氯化汞消毒4-8分鐘，用無菌水沖洗3-4次，再將新梢段切成1-2芽一節，接入配制好的培養基中，這種培養基包括MS基本培養基和附加不同成份的物質；置于溫度為20-28°C，光照強度3000 lOOOOLx，每天光照12-16小時，培養5_7天，其側芽長出新梢； b.切取培養萌發的新梢，接入配制好的培養基中進行繼代培養，每15-25天擴繁一次； c.從擴繁的組培苗上切取3-5cm長的嫩梢插入全光照噴霧插床，直接進行生根和煉苗，30 40天后即可生根移栽； 所述的MS基本培養基的成份，單位mg/L NH4NO,I(M)KNO31900CaCi2 · 2H；0440MgSO_丨· TH2O370KH2PO4170KI0.83Η；.ΒΟ 6.2MnSO4 · 4Η2022.3ZnSO.., · 7Η,08.6Na2MoO4 · 2Η00.25CiiSO4 · 5Η200.015CoCl2 · 6Η200.025FeSO4 · 7Η2027.8Na2 · EDTA · 2Η037.3肌醇100煙酸0.5鹽酸吡哆醇0.5鹽酸硫胺素0.1甘氨酸2 所述的附加成份BA0.2-4mg/LKT0.5-1.0 mg/LNAA0.0l-0.4mg/LIBA0.1-1.0 mg/L 瓊脂6000-8000mg/L糖20000-40000mg/L生根粉0.1-1.0 mg/L。
全文摘要
本發明公開了一種薰衣草快速繁殖的方法，其步驟a、以薰衣草新梢作為外植體，將新梢切成2-3cm長的莖段，用0.1%氯化汞消毒，用無菌水沖洗，再將新梢段切成1-2芽一節，接入配制好的培養基中，這種培養基包括MS 基本培養基和附加不同成份的物質；置于溫度為20-28℃，光照強度3000～10000Lx，每天光照12-16小時，培養5-7天，其側芽長出新梢；b、切取培養萌發的新梢，接入配制好的培養基中進行繼代培養，每15-25天擴繁一次；c、從擴繁的組培苗上切取3-5cm長的嫩梢插入全光照噴霧插床，直接進行生根和煉苗，30～40天后即可生根移栽；本發明方法易行，操作方便，繁殖、生根速度快，根系健壯、成活率高。
文檔編號A01H4/00GK102823492SQ20121027942
公開日2012年12月19日 申請日期2012年8月8日 優先權日2012年8月8日
發明者楊波, 李洪林 申請人:中國科學院武漢植物園