一種水培方式生產甘薯脫毒種苗的方法
【專利摘要】本發明涉及一種水培方式生產甘薯脫毒種苗的方法。本發明采用改良MS基本培養基和溫室水培快繁的方法，獲得健康和健壯的脫毒種苗，滿足蛭石、珍珠巖基質等無土栽培方式的需要，從而進行健康和高效的甘薯原原種生產。本發明不僅保持了組培苗原有的無病毒、無菌和無蟲的特點，而且創新了傳統的育苗技術，大大加快了脫毒種苗的生長速度，縮短了繁殖周期，生產成本大幅降低。水培苗生產操作程序簡單，根據生產需要可于4-6月大規模生產水培壯苗，由此解決了傳統育苗難以達到低成本、快速、規模化生產脫毒種苗的難題。
【專利說明】一種水培方式生產甘薯脫毒種苗的方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種水培方式生產甘薯脫毒種苗的方法。
【背景技術】
[0002]甘薯是無性繁殖作物，主要通過莖蔓、薯塊和秧苗進行繁殖，在栽培過程中易受病毒侵染。因此利用莖尖分生組織培養脫毒甘薯種苗是目前國際上防治甘薯病毒病、提高甘薯產量和品質唯一有效的方法。脫毒甘薯原原種具有品種純度高、無病毒，儲運性能好、增產效果明顯等優點，且薯塊大小均勻，表面光潔，商品性能好，市場售價高，經濟效益可觀。甘薯原原種的生產已成為甘薯種薯快繁的主要措施，通過水培方式對脫毒苗的剪尖扦插，加快脫毒甘薯繁殖速度，提高繁殖系數，提高生產效率，縮短生產周期，降低生產成本，具有重要經濟效益，同時水培生產既可減少外界不良條件的影響，又可人為控制植株生長，便于集中管理和研究利用。
[0003]目前關于甘薯脫毒試管苗快繁與壯苗技術的主要狀況為:將試管苗在溫室煉苗5-7d，然后按株距6cm，行距6cm栽植于蛭石與珍珠巖基質中，溫度控制在26±2°C左右，保持基質濕潤，濕度在80-85%，待苗長到15-20cm時，可以剪成2葉節扦插，以苗繁苗。
[0004]此技術是在溫室的基質上進行快繁和壯苗。但基質成本高，重復使用很難消毒徹底，感染病蟲害的可能性很大。基質栽植密度為400株/平方米，以苗還苗周期為15-20天，繁殖系數較低，生產周 期較長。所以基質栽培不能很好的進行快繁和壯苗。
【發明內容】
[0005]本發明要解決的技術問題是提供一種甘薯試管苗通過水培方式低成本快繁和壯苗的方法，使甘薯脫毒苗經過一段時間的水培后，再進行無土栽培，提高甘薯脫毒苗成活率，能夠大大加快脫毒種苗的生長速度，縮短繁殖周期，生產成本大幅降低。同時水培生產可減少外界不良條件的影響，又可人為控制植株生長，便于集中管理和研究利用。由此解決了傳統育苗難以達到低成本、快速、規模化生產脫毒種苗的難題。
[0006]本發明一種水培方式生產甘薯脫毒種苗的方法，其特征在于包括如下步驟:a.外植體處理:將選取的薯塊在溫室育苗，選取莖頂端長芽段，用自來水沖洗，經消毒處理；
b.莖尖分生組織培養:在工作臺上剝離莖尖，接種到MS加激素的培養基試管中培養，莖尖愈傷組織形成，轉入廣口瓶MS培養基上繼續培養，當幼苗長出時，進行病毒檢測；c.組培莖尖苗病毒檢測:組培莖尖苗經過病毒檢測，確認為無毒苗；d.試管苗繼代增殖培養:經過病毒檢測確信無病毒的試管苗，在無菌條件下將無毒苗切段，移入裝有MS培養基的廣口瓶中培養，經腋芽萌發，長成苗；e.溫室消毒:為防甘薯水培苗在生產過程中被病毒再浸染，溫室經過消毒，先對整個溫室進行熏蒸，再進行培養盤消毒；f.煉苗:篩選生根好、生長健壯的甘薯脫毒組培苗放在經過消毒的防蟲溫室，煉苗；g.誘導根原始體形成:將煉苗后的脫毒組培苗從組培瓶中取出，保留原有根系，再將組培苗栽于水培盤中的泡沫板上，水培盤中加入誘導根原始體形成的營養液；h.水培苗生根培養:將栽好的水培苗置于溫室中，出現根原始體后，將誘導根原始體的營養液換成生根營養液；1.水培苗生長培養:將栽好的水培苗置于溫室中水培苗，將生根營養液換成繼代增殖生長營養液水培苗增殖擴繁:水培苗在防蟲溫室培養，水培苗剪成2葉節扦插，以苗繁苗；k.水培移栽:脫毒苗移栽到蛭石或珍珠巖基質中。
[0007]本發明一種水培方式生產甘薯脫毒種苗的方法，其特征在于包括如下步驟:a.外植體處理:選擇適宜本地區大面積推廣的高產優質或有特殊用途的優良甘薯品種，將選取的薯塊在溫室育苗，當苗高20cm，選取莖頂端2cm長芽段，剪去肉眼可見葉片，用自來水沖洗，經70%酒精浸泡，再用0.1%升汞溶液消毒，5%次氯酸鈉溶液消毒處理，無菌水沖洗3遍；b.莖尖分生組織培養:在超凈工作臺上體視顯微鏡下剝離0.2-0.4mm的莖尖，接種到MS加激素的培養基試管中，在溫度28 °C條件下培養，25天后莖尖愈傷組織形成，轉入廣口瓶MS培養基上繼續培養50-60天，當幼苗長出5-7片葉時，進行病毒檢測；c.組培莖尖苗病毒檢測:組培莖尖苗經過病毒檢測，才能確認為無毒苗，病毒檢測用癥狀學診斷法和指示植物檢測法，先用癥狀學診斷法全面觀察組培莖尖苗的長勢長相，將長勢弱，葉片黃化、黃脈和花葉等癥狀明顯的帶毒苗淘汰去除，再用指示植物檢測法將生長可疑的莖尖苗嫁接在巴西牽牛上，15d后觀察結果，如有明脈、褪綠斑、花葉等癥狀，即為帶毒苗，淘汰去除，一般需要重復嫁接2次，未顯癥狀者，可確認為無毒苗；d.試管苗繼代增殖培養:經過病毒檢測確信無病毒的試管苗，在無菌條件下將5-7葉的無毒苗I葉I節切段，移入裝有MS培養基的廣口瓶中培養，在溫度28°C條件下培養，經3-5天腋芽萌發，30d后長成5-7片葉的成苗，不斷切段增殖培養，繁殖系數為3-5倍；e.溫室消毒:為防甘薯水培苗在生產過程中被病毒再浸染，溫室經過消毒，產品選用二氧化氯消毒劑，先對整個溫室進行熏蒸，熏蒸一個星期后，再進行培養盤消毒；f.煉苗:篩選生根好、生長健壯的甘薯脫毒組培苗放在經過消毒的防蟲溫室，于室溫、自然光下煉苗2-3天；g.誘導根原始體形成:將煉苗后的脫毒組培苗從組培瓶中取出，剪掉部分根系，保留原有根系2-3cm，用純凈水沖洗掉殘留培養基，再將組培苗栽于水培盤中的泡沫板上，水培盤中加入誘導根原始體形成的營養液；h.水培苗生根培養:將栽好的水培苗置于溫度26±2°C溫室中，自然光散射，5-7天出現根原始體后，將誘導根原始體的營養液換成生根營養液；1.水培苗生長培養:將栽好的水培苗置于溫度26±2°C溫室中，自然光散射，7-10天，水培苗根系長度達到2-3cm時，將生根營養液換成繼代增殖生長營養液；1.水培苗增殖擴繁:水培苗在防蟲溫室培養11-13天，水培苗長到15-18cm時，可以剪成2葉節扦插，以苗繁苗；k.水培移栽:當脫毒苗長到12-15cm時，移栽到蛭石或珍珠巖基質中。
[0008]本發明一種水培方式生產甘薯脫毒種苗的方法，其特征在于包括如下步驟:a.外植體處理:選擇適宜本地區大面積推廣的高產優質或有特殊用途的優良甘薯品種，將選取的薯塊在溫室育苗，當苗高20cm，選取莖頂端2cm長芽段，剪去肉眼可見葉片，用自來水沖洗30min,經70%酒精浸泡2 5s,再用0.1 %升萊溶液消毒30s, 5%次氯酸鈉溶液消毒處理lOmin，無菌水沖洗3遍；b.莖尖分生組織培養:在超凈工作臺上體視顯微鏡下剝離0.2-0.4mm的莖尖，接種到MS加激素的培養基試管中，在溫度28°C，每日光照16h，光照強度1600Lx條件下培養，25天后莖尖愈傷組織形成，轉入廣口瓶中MS培養基上繼續培養50-60天，當幼苗長出5-7片葉時，進行病毒檢測；c.組培莖尖苗病毒檢測:組培莖尖苗經過病毒檢測，才能確認為無毒苗，病毒檢測用癥狀學診斷法和指示植物檢測法，先用癥狀學診斷法全面觀察組培莖尖苗的長勢長相，將長勢弱，葉片黃化、黃脈和花葉癥狀明顯的帶毒苗淘汰去除，再用指示植物檢測法將生長可疑的莖尖苗嫁接在巴西牽牛上，15天后觀察結果，如有明脈、褪綠斑、花葉癥狀，即為帶毒苗，淘汰去除，一般需要重復嫁接2次，未顯癥狀者，可確認為無毒苗；d.試管苗繼代增殖培養:經過病毒檢測確信無病毒的試管苗，在無菌條件下將5-7葉的無毒苗I葉I節切段，移入裝有MS培養基的廣口瓶中培養，在溫度28°C，每日光照16h，光照強度1600LX條件下培養，經3_5天腋芽萌發，30天后長成5-7片葉的成苗，切段增殖培養，繁殖系數為3-5倍；e.溫室消毒:為防甘薯水培苗在生產過程中被病毒再浸染，溫室經過消毒，產品選用二氧化氯消毒劑，先對整個溫室進行熏蒸，熏蒸一個星期后，再進行培養盤消毒；f.煉苗:篩選生根好、生長健壯的甘薯脫毒組培苗放在經過消毒的防蟲溫室，于室溫、自然光下煉苗2-3天；g.誘導根原始體形成:將煉苗后的脫毒組培苗從組培瓶中取出，剪掉部分根系，保留原有根系2-3cm，用純凈水沖洗掉殘留培養基，再將組培苗栽于水培盤中的泡沫板上，栽培密度833-1111株/平方米，株距3-4cm，行距3cm，水培盤中加入誘導根原始體形成的營養液；h.水培苗生根培養:將栽好的水培苗置于溫度26±2°C溫室中，自然光散射，5-7天出現根原始體后，將誘導根原始體的營養液換成生根營養液水培苗生長培養:將栽好的水培苗置于溫度26±2°C溫室中，自然光散射，7-10天，水培苗根系長度達到2-3cm時，將生根營養液換成繼代增殖生長營養液；j.水培苗增殖擴繁:水培苗在防蟲溫室培養11-13天，水培苗長到15-18cm時，可以剪成2葉節扦插，以苗繁苗；k.水培移栽:當脫毒苗長到12-15cm時，移栽到蛭石或珍珠巖基質中。
[0009]本發明一種水培方式生產甘薯脫毒種苗的方法，其特征在于:甘薯試管苗選為商薯19或徐薯22。
[0010]本發明一種水培方式生產甘薯脫毒種苗的方法，其特征在于:在步驟b中所述的將剝離的莖尖接種到MS加激素的培養基為MS+0.5mg/L6-BA+0.lmg/L IAA+0.5mg/L GA3的
培養基。
[0011]本發明一種水培方式生產甘薯脫毒種苗的方法，其特征在于:在步驟e中對整個溫室熏蒸消毒，產品選用北京產必潔仕牌二氧化氯消毒劑，先對整個溫室進行熏蒸，每個點用10片A片，加入50ml B劑，示溫室大小設點，660平方米的溫室可以設15-20個點進行熏蒸，熏蒸一個星期后，再進行培養盤消毒，方法是10片A劑加入500ml純凈水，待溶解后，再加入B劑50ml，等20min后，再加入4500ml純凈水混勻后開始擦培養盤消毒。
[0012]本發明一種水培方式生產甘薯脫毒種苗的方法，其特征在于所述的步驟g中的誘導根原始體形成的營養液是:將濃度為95mg/L的KNO3,82.5mg/L的NH4NO3,18.5mg/L 的 MgSO4.7Η20，8.5mg/L 的 KH2PO4, 22mg/L 的 CaCl2.2Η20，7.46mg/L Na2EDTA, 5.56mg/L FeSO4.7H20，混合制成營養液用于誘導根原始體的形成；所述的步驟h中的生根營養液是:將濃度為 475mg/L 的 KNO3,412.5mg/L 的 NH4NO3,92.5mg/L 的 MgSO4.7H20，42.5mg/L 的 KH2PO4,110mg/L 的 CaCl2.2Η20，7.46mg/L Na2EDTA, 5.56mg/L FeSO4.7Η20，6.69mg/L MnSO4.4H20 , 0.249mg/L KI,0.008mg/L CoCl2.6H20,2.58mg/L ZnSO4.7H20 , 0.008mg/LCuSO4.5H20,1.86mg/L H3BO4,0.075mg/L Na2MoO4.2H20，混合制成營養液用于水培苗生根；所述的步驟i中的繼代增殖生長營養液是:將濃度為855mg/L的KNO3, 742.5mg/L的NH4NO3,166.5mg/L 的 MgSO4.7Η20，76.5mg/L 的 KH2PO4,198mg/L 的 CaCl2.2Η20，22.38mg/L Na2EDTA,16.68mg/L FeSO4.7H20, 11.25mg/L MnSO4.4H20，0.415mg/L KI,0.013mg/L CoCl2.6H20,4.3mg/L ZnSO4.7Η20，0.013mg/L CuSO4.5Η20，3.lmg/L H3BO4,0.125mg/L Na2MoO4.2H20，混合制成營養液用于水培苗生長。
[0013]本發明一種水培方式生產甘薯脫毒種苗的方法，其特征在于所述的步驟g中的誘導根原始體形成的營養液中可加入0.lmg/LNAA和0.15mg/LIBA混合溶液。
[0014]本發明一種水培方式生產甘薯脫毒種苗的方法，其特征在于:步驟g中的水培盤可用長1.3m，寬1.0m,高0.05m的塑料盤作為栽培盤，每盤放30-35L營養液，并有定植植株間距為3-4cm，行距為3cm的泡沫塑料板漂浮在營養液上；所述的步驟j中擴繁，Im2的培養盤一次生產833-1111株水培苗，13-15天一個周期，4_6月溫室生產水培苗，5_7月為移栽期，每培養盤出苗按5次計算，Im2的培養盤可生產水培苗4165-5555株。
[0015]本發明一種水培方式生產甘薯脫毒種苗的方法，其特征在于:步驟j中擴繁，水培苗長到15-18cm時，可以剪成2葉節扦插，以苗繁苗，剩余莖段繼續培養于生長營養液中，15天以后可以再次剪苗擴繁。
[0016]本發明的有益效果是:本發明提供一種甘薯試管苗通過水培方式低成本快繁和壯苗的方法對甘薯脫毒試管苗進行快繁和壯苗，利用水培方式高效生產脫毒甘薯種苗。包括脫毒試管苗的煉苗，水培苗根原始體的形成，水培苗生根、水培苗生長以及水培苗苗期的管理等幾個方面。實施期間，人為控制溫室溫度、濕度、光照，達到低成本、快速、規模化生產脫毒甘薯種苗及壯苗的目的。本發明采用改良MS基本培養基和溫室水培快繁的方法，獲得健康和健壯的脫毒種苗，滿足蛭石、珍珠巖基質等無土栽培方式的需要，從而進行健康和高效的甘薯原原種生產。本發明 不僅保持了組培苗原有的無病毒、無菌和無蟲的特點，而且創新了傳統的育苗技術，大大加快了脫毒種苗的生長速度，縮短了繁殖周期，生產成本大幅降低。水培苗生產操作程序簡單，解決了傳統育苗難以達到低成本、快速、規模化生產脫毒種苗的難題。水培苗生長健壯，移栽至基質等其他無土栽培成活率高。本發明水培條件容易滿足和控制，根據甘薯的習性和特征，可以人為的控制水培時間，滿足任何時候無土栽培所需要的健壯種苗，從而可以有效的把握好季節，提高甘薯原原種生產的效率，有利于甘薯新品種及脫毒種薯的快速推廣，盡早發揮新品種和脫毒種薯的增產效應。
【具體實施方式】
[0017]下面結合實施例對本發明進一步說明。
[0018]實施例1:本發明一種水培方式生產甘薯脫毒種苗的方法，包括如下步驟:a.外植體處理:選擇適宜本地區大面積推廣的高產優質或有特殊用途的優良甘薯品種，將選取的薯塊在溫室育苗，當苗高20cm，選取莖頂端2cm長芽段，剪去肉眼可見葉片，用自來水沖洗30min,經70%酒精浸泡25s,再用0.1 %升萊溶液消毒30s, 5 %次氯酸鈉溶液消毒處理lOmin，無菌水沖洗3遍；b.莖尖分生組織培養:在超凈工作臺上體視顯微鏡下剝離0.2-0.4mm的莖尖，接種到MS加激素的培養基試管中，在溫度28°C，每日光照16h，光照強度1600Lx條件下培養，25天后莖尖愈傷組織形成，轉入廣口瓶中MS培養基上繼續培養50-60天，當幼苗長出5-7片葉時，進行病毒檢測；c.組培莖尖苗病毒檢測:組培莖尖苗經過病毒檢測，才能確認為無毒苗，病毒檢測用癥狀學診斷法和指示植物檢測法，先用癥狀學診斷法全面觀察組培莖尖苗的長勢長相，將長勢弱，葉片黃化、黃脈和花葉癥狀明顯的帶毒苗淘汰去除，再用指示植物檢測法將生長可疑的莖尖苗嫁接在巴西牽牛上，15天后觀察結果，如有明脈、褪綠斑、花葉癥狀，即為帶毒苗，淘汰去除，一般需要重復嫁接2次，未顯癥狀者，可確認為無毒苗；d.試管苗繼代增殖培養:經過病毒檢測確信無病毒的試管苗，在無菌條件下將5-7葉的無毒苗I葉I節切段，移入裝有MS培養基的廣口瓶中培養，在溫度28°C， 每日光照16h，光照強度1600LX條件下培養，經3_5天腋芽萌發，30天后長成5-7片葉的成苗，切段增殖培養，繁殖系數為3-5倍；e.溫室消毒:為防甘薯水培苗在生產過程中被病毒再浸染，溫室經過消毒，產品選用二氧化氯消毒劑，先對整個溫室進行熏蒸，熏蒸一個星期后，再進行培養盤消毒；f.煉苗:篩選生根好、生長健壯的甘薯脫毒組培苗放在經過消毒的防蟲溫室，于室溫、自然光下煉苗2-3天；g.誘導根原始體形成:將煉苗后的脫毒組培苗從組培瓶中取出，剪掉部分根系，保留原有根系2-3cm，用純凈水沖洗掉殘留培養基，再將組培苗栽于水培盤中的泡沫板上，栽培密度833-1111株/平方米，株距3-4cm，行距3cm，水培盤中加入誘導根原始體形成的營養液；h.水培苗生根培養:將栽好的水培苗置于溫度26±2°C溫室中，自然光散射，5-7天出現根原始體后，將誘導根原始體的營養液換成生根營養液水培苗生長培養:將栽好的水培苗置于溫度26±2°C溫室中，自然光散射，7-10天，水培苗根系長度達到2-3cm時，將生根營養液換成繼代增殖生長營養液；j.水培苗增殖擴繁:水培苗在防蟲溫室培養11-13天，水培苗長到15-18cm時，可以剪成2葉節扦插，以苗繁苗；k.水培移栽:當脫毒苗長到12-15cm時，移栽到蛭石或珍珠巖基質中。
[0019]實施例2:本發明一種水培方式生產甘薯脫毒種苗的方法，包括如下步驟:a.外植體處理:選擇適宜本地區大面積推廣的高產優質或有特殊用途的優良甘薯品種，將選取的薯塊在溫室育苗，當苗高20cm，選取莖頂端2cm長芽段，剪去肉眼可見葉片，用自來水沖洗30min,經70%酒精浸泡25s,再用0.1 %升萊溶液消毒30s, 5 %次氯酸鈉溶液消毒處理lOmin，無菌水沖洗3遍；b.莖尖分生組織培養:在超凈工作臺上體視顯微鏡下剝離0.2-0.4mm的莖尖，接種到MS加激素的培養基試管中，在溫度28°C，每日光照16h，光照強度1600Lx條件下培養，25天后莖尖愈傷組織形成，轉入廣口瓶中MS培養基上繼續培養50-60天，當幼苗長出5-7片葉時，進行病毒檢測；c.組培莖尖苗病毒檢測:組培莖尖苗經過病毒檢測，才能確認為無毒苗，病毒檢測用癥狀學診斷法和指示植物檢測法，先用癥狀學診斷法全面觀察組培莖尖苗的長勢長相，將長勢弱，葉片黃化、黃脈和花葉癥狀明顯的帶毒苗淘汰去除，再用指示植物檢測法將生長可疑的莖尖苗嫁接在巴西牽牛上，15天后觀察結果，如有明脈、褪綠斑、花葉癥狀，即為帶毒苗，淘汰去除，一般需要重復嫁接2次，未顯癥狀者，可確認為無毒苗；d.試管苗繼代增殖培養:經過病毒檢測確信無病毒的試管苗，在無菌條件下將5-7葉的無毒苗I葉I節切段，移入裝有MS培養基的廣口瓶中培養，在溫度28°C，每日光照16h，光照強度1600LX條件下培養，經3-5天腋芽萌發，30天后長成5-7片葉的成苗，切段增殖培養，繁殖系數為3-5倍；e.溫室消毒:為防甘薯水培苗在生產過程中被病毒再浸染，溫室經過消毒，產品選用二氧化氯消毒劑，先對整個溫室進行熏蒸，熏蒸一個星期后，再進行培養盤消毒；f.煉苗:篩選生根好、生長健壯的甘薯脫毒組培苗放在經過消毒的防蟲溫室，于室溫、自然光下煉苗2-3天；g.誘導根原始體形成:將煉苗后的脫毒組培苗從組培瓶中取出，剪掉部分根系，保留原有根系2-3cm，用純凈水沖洗掉殘留培養基，再將組培苗栽于水培盤中的泡沫板上，栽培密度833株/平方米，株距3cm，行距3cm，水培盤中加入誘導根原始體形成的營養液；h.水培苗生根培養:將栽好的水培苗置于溫度26±2°C溫室中，自然光散射，5-7天出現根原始體后，將誘導根原始體的營養液換成生根營養液；1.水培苗生長培養:將栽好的水培苗置于溫度26±2°C溫室中，自然光散射，7-10天，水培苗根系長度達到2-3cm時，將生根營養液換成繼代增殖生長營養液；j.水培苗增殖擴繁:水培苗在防蟲溫室培養11-13天，水培苗長到15-18cm時，可以剪成2葉節扦插，以苗繁苗；k.水培移栽:當脫毒苗長到12-15cm時，移栽到蛭石或珍珠巖基質中。甘薯試管苗選為商薯19。在步驟b中所述的將剝離的莖尖接種到MS加激素的培養基為MS+0.5mg/L6-BA+0.lmg/L IAA+0.5mg/L GA3的培養基。在步驟e中對整個溫室熏蒸消毒，產品選用北京產必潔仕牌二氧化氯消毒劑,先對整個溫室進行熏蒸,每個點用10片A片，加入50ml B劑，示溫室大小設點，660平方米的溫室可以設15-20個點進行熏蒸，熏蒸一個星期后，再進行培養盤消毒，方法是10片A劑加入500ml純凈水，待溶解后，再加入B劑50ml，等20min后，再加入4500ml純凈水混勻后開始擦培養盤消毒。步驟g中的誘導根原始體形成的營養液是:將濃度為 95mg/L 的 KNO3,82.5mg/L 的 NH4NO3,18.5mg/L 的 MgSO4.7H20，8.5mg/L的 KH2PO4, 22mg/L 的 CaCl2.2Η20，7.46mg/L Na2EDTA, 5.56mg/L FeSO4.7H20，混合制成營養液用于誘導根原始體的形成；所述的步驟h中的生根營養液是:將濃度為475mg/L的KNO3,412.5mg/L 的 NH4NO3,92.5mg/L 的 MgSO4.7Η20，42.5mg/L 的 KH2PO4,110mg/L 的 CaCl2.2Η20，
7.46mg/L Na2EDTA, 5.56mg/L FeSO4.7Η20，6.69mg/L MnSO4.4Η20，0.249mg/L ΚΙ,Ο.008mg/L CoCl2.6Η20，2.58mg/L ZnSO4.7H20，0.008mg/L CuSO4.5H20，1.86mg/L H3BO4,0.075mg/L Na2MoO4.2H20，混合制成營養液用于水培苗生根；所述的步驟i中的繼代增殖生長營養液是:將濃度為 855mg/L 的 KNO3, 742.5mg/L 的 NH4NO3,166.5mg/L 的 MgSO4.7H20，76.5mg/L的 KH2PO4,198mg/L 的 CaCl2.2H20, 22.38mg/L Na2EDTA, 16.68mg/L FeSO4.7H20, 11.25mg/L MnSO4.4H20，0.415mg/L ΚΙ,Ο.013mg/L CoCl2.6H20，4.3mg/L ZnSO4.7H20，0.013mg/LCuSO4.5H20，3.lmg/L H3BO4,0.125mg/L Na2MoO4.2H20，混合制成營養液用于水培苗生長。步驟g中的水培盤可用長1.3m,寬1.0m,高0.05m的塑料盤作為栽培盤，每盤放30-35L營養液，并有定植植株間距為3-4cm，行距為3cm的泡沫塑料板漂浮在營養液上；所述的步驟j中擴繁，Im2的培養盤一次生產833株水培苗，13-15天一個周期，4_6月溫室生產水培苗，5-7月為移栽期，每培養盤出苗按5次計算，Im2的培養盤可生產水培苗4165株。步驟j中擴繁，水培苗長到15-18cm時，可以剪成2葉節扦插，以苗繁苗，剩余莖段繼續培養于生長營養液中，15天以后可以再次剪苗擴繁。
[0020] 實施例3:本發明一種水培方式生產甘薯脫毒種苗的方法，包括如下步驟:a.外植體處理:選擇適宜本地區大面積推廣的高產優質或有特殊用途的優良甘薯品種，將選取的薯塊在溫室育苗，當苗高20cm，選取莖頂端2cm長芽段，剪去肉眼可見葉片，用自來水沖洗30min,經70%酒精浸泡25s,再用0.1 %升萊溶液消毒30s, 5 %次氯酸鈉溶液消毒處理lOmin，無菌水沖洗3遍；b.莖尖分生組織培養:在超凈工作臺上體視顯微鏡下剝離
0.2-0.4mm的莖尖，接種到MS加激素的培養基試管中，在溫度28°C，每日光照16h，光照強度1600Lx條件下培養，25天后莖尖愈傷組織形成，轉入廣口瓶中MS培養基上繼續培養50-60天，當幼苗長出5-7片葉時，進行病毒檢測；c.組培莖尖苗病毒檢測:組培莖尖苗經過病毒檢測，才能確認為無毒苗，病毒檢測用癥狀學診斷法和指示植物檢測法，先用癥狀學診斷法全面觀察組培莖尖苗的長勢長相，將長勢弱，葉片黃化、黃脈和花葉癥狀明顯的帶毒苗淘汰去除，再用指示植物檢測法將生長可疑的莖尖苗嫁接在巴西牽牛上，15天后觀察結果，如有明脈、褪綠斑、花葉癥狀，即為帶毒苗，淘汰去除，一般需要重復嫁接2次，未顯癥狀者，可確認為無毒苗；d.試管苗繼代增殖培養:經過病毒檢測確信無病毒的試管苗，在無菌條件下將5-7葉的無毒苗I葉I節切段，移入裝有MS培養基的廣口瓶中培養，在溫度28°C，每日光照16h，光照強度1600LX條件下培養，經3_5天腋芽萌發，30天后長成5-7片葉的成苗，切段增殖培養，繁殖系數為3-5倍；e.溫室消毒:為防甘薯水培苗在生產過程中被病毒再浸染，溫室經過消毒，產品選用二氧化氯消毒劑，先對整個溫室進行熏蒸，熏蒸一個星期后，再進行培養盤消毒；f.煉苗:篩選生根好、生長健壯的甘薯脫毒組培苗放在經過消毒的防蟲溫室，于室溫、自然光下煉苗2-3天；g.誘導根原始體形成:將煉苗后的脫毒組培苗從組培瓶中取出，剪掉部分根系，保留原有根系2-3cm，用純凈水沖洗掉殘留培養基，再將組培苗栽于水培盤中的泡沫板上，栽培密度1111株/平方米，株距3-4cm，行距3cm，水培盤中加入誘導根原始體形成的營養液；h.水培苗生根培養:將栽好的水培苗置于溫度26±2°C溫室中，自然光散射，5-7天出現根原始體后，將誘導根原始體的營養液換成生根營養液水培苗生長培養:將栽好的水培苗置于溫度26±2°C溫室中，自然光散射，7-10天，水培苗根系長度達到2-3cm時，將生根營養液換成繼代增殖生長營養液；j.水培苗增殖擴繁:水培苗在防蟲溫室培養11-13天，水培苗長到15-18cm時，可以剪成2葉節扦插，以苗繁苗；k.水培移栽:當脫毒苗長到12-15cm時，移栽到蛭石或珍珠巖基質中。甘薯試管苗選為徐薯22。在步驟b中所述的將剝離的莖尖接種到MS加激素的培養基為MS+0.5mg/L6-BA+0.lmg/L IAA+0.5mg/L GA3的培養基。在步驟e中對整個溫室熏蒸消毒，產品選用北京產必潔仕牌二氧化氯消毒劑,先對整個溫室進行熏蒸,每個點用10片A片，加入50ml B劑，示溫室大小設點，660平方米的溫室可以設15-20個點進行熏蒸，熏蒸一個星期后，再進行培養盤消毒，方法是10片A劑加入500ml純凈水，待溶解后，再加入B劑50ml，等20min后，再加入4500ml純凈水混勻后開始擦培養盤消毒。步驟g中的誘導根原始體形成的營養液是:將濃度為 95mg/L 的 KNO3,82.5mg/L 的 NH4NO3,18.5mg/L 的 MgSO4.7H20，8.5mg/L的 KH2PO4, 22mg/L 的 CaCl2.2Η20，7.46mg/L Na2EDTA, 5.56mg/L FeSO4.7H20，混合制成營養液用于誘導根原始體的形成；所述的步驟h中的生根營養液是:將濃度為475mg/L的KNO3,412.5mg/L 的 NH4NO3, 92.5mg/L 的 MgSO4.7Η20，42.5mg/L 的 KH2PO4,110mg/L 的 CaCl2.2Η20，
7.46mg/L Na2EDTA, 5.56mg/L FeSO4.7Η20，6.69mg/L MnSO4.4Η20，0.249mg/L ΚΙ,Ο.008mg/L CoCl2.6Η20，2.58mg/L ZnSO4.7H20，0.008mg/L CuSO4.5H20，1.86mg/L H3BO4,0.075mg/L Na2MoO4.2H20，混合制成營養液用于水培苗生根；所述的步驟i中的繼代增殖生長營養液是:將濃度為 855mg/L 的 KNO3, 742.5mg/L 的 NH4NO3,166.5mg/L 的 MgSO4.7H20，76.5mg/L的 KH2PO4,198mg/L 的 CaCl2.2H20, 22.38mg/L Na2EDTA, 16.68mg/L FeSO4.7H20, 11.25mg/L MnSO4.4H20，0.415mg/L ΚΙ,Ο.013mg/L CoCl2.6H20，4.3mg/L ZnSO4.7H20，0.013mg/LCuSO4.5H20，3.lmg/L H3BO4,0.125mg/L Na2MoO4.2H20，混合制成營養液用于水培苗生長。步驟g中的水培盤可用長1.3m,寬1.0m,高0.05m的塑料盤作為栽培盤，每盤放30-35L營養液，并有定植植株間距為3-4cm，行距為3cm的泡沫塑料板漂浮在營養液上；所述的步驟j中擴繁，Im2的培養盤一次生產1111株水培苗，13-15天一個周期，4_6月溫室生產水培苗，5-7月為移栽期，每培養盤出苗按5次計算，Im2的培養盤可生產水培苗5555株。步驟j中擴繁，水培苗長到15-18cm時，可以剪成2葉節扦插，以苗繁苗，剩余莖段繼續培養于生長營養液中，15天以后可以再次剪苗擴繁。在步驟g中的誘導根原始體形成的營養液中可加入
0.lmg/LNAA 和 0.15mg/LIBA 混合溶液。[0021]實施例4:本發明選擇適宜恩施州大面積推廣的高產淀粉優良品種商薯19品種，將選取的薯塊在溫室育苗，當苗高20cm左右，選取莖頂端2cm長芽段，剪去肉眼可見葉片，用自來水沖洗30min，經70%酒精浸泡25s，再用0.1 %升汞溶液消毒30s，5%次氯酸鈉溶液消毒處理lOmin，無菌水沖洗3遍。在超凈工作臺上體視顯微鏡下剝離約0.2~0.4mm的莖尖，接種到MS+0.5mg/L6-BA+0.lmg/L IAA+0.5mg/L GA3培養基試管中。撥取莖尖100個，在溫度28°C，每日光照16h，光照強度1600Lx條件下培養。25d后莖尖愈傷組織形成，轉入廣口瓶MS培養基上繼續培養50-60d，當幼苗長出5-7片葉時，進行繼代，每個莖尖材料轉三瓶，形成多個株系，建立株系檔案，經過用癥狀學診斷法和指示植物檢測法檢測的株系未顯癥狀者，可確認為無毒苗。經檢測，商薯19有5個株系為無毒苗,其他帶有病毒的株系全部不要。在無菌條件下將5-7葉的無毒苗I葉I節切段，移入裝有MS培養基的廣口瓶中培養，生產脫毒組培苗。在溫度28°C，每日光照16h，光照強度1600Lx條件下培養。經3-5d腋芽萌發，30d后左右長成5-7片葉的成苗。可以不斷切段增殖培養，繁殖系數為3-5倍。
[0022]實施例5:本發明選擇適宜恩施州大面積推廣的高產淀粉優良品種徐薯22兩個品種，將選取的薯塊在溫室育苗，當苗高20cm左右，選取莖頂端2cm長芽段，剪去肉眼可見葉片，用自來水沖洗30min，經70%酒精浸泡25s，再用0.1 %升汞溶液消毒30s，5 %次氯酸鈉溶液消毒處理lOmin，無菌水沖洗3遍。在超凈工作臺上體視顯微鏡下剝離約0.2~ 0.4mm的莖尖，接種到MS+0.5mg/L6-BA+0.lmg/LIAA+0.5mg/L GA3培養基試管中。撥取莖尖100個，在溫度28°C，每日光照16h，光照強度1600LX條件下培養。25d后莖尖愈傷組織形成，轉入廣口瓶MS無激素培養基上繼續培養50-60d，當幼苗長出5-7片葉時，進行繼代，每個莖尖材料轉三瓶，形成多個株系，建立株系檔案，經過用癥狀學診斷法和指示植物檢測法檢測的株系未顯癥狀者，可確認為無毒苗。經檢測，徐薯22有3個株系為無毒苗,其他帶有病毒的株系全部不要。在無菌條件下將5-7葉的無毒苗I葉I節切段，移入裝有MS培養基的廣口瓶中培養，生產脫毒組培苗。在溫度28°C，每日光照16h，光照強度1600Lx條件下培養。經3-5d腋芽萌發，30d后左右長成5-7片葉的成苗。可以不斷切段增殖培養，繁殖系數為3-5倍。
[0023]實施例6:本發明選擇一間15平方米的溫室培養室進行甘薯水培苗生產。先用北京產必潔仕牌二氧化氯消毒劑10片A片，加入50ml B劑對整個溫室熏蒸消毒。熏蒸一個星期后，再對培養架和培養盤進行消毒，方法是10片A劑加入500ml純凈水，待溶解后，再加入B劑50ml，等20min后，再加入4500ml純凈水混勻后開始擦培養架、培養盤消毒。由于是小溫室培養室，所以培養盤也是用長33cm，寬25cm，深3.5cm的小培養盤。小溫室培養室環境控制在溫度28°C，光照強度為2000-30001x，光照時間16h/d，篩選生根好、生長健壯的徐薯22脫毒組培苗，揭開瓶蓋，煉苗2-3天；將煉苗后的脫毒脫毒組培苗從組培瓶中取出，剪掉部分根系，保留原有根系2-3cm，再將組培苗栽于水培盤中的泡沫板上，栽培密度833株/平方米，株距4cm，行距3cm，每盤栽60株，水培盤中加入誘導根原始體形成的營養液，共扦插10盤；5天出現根原始體后，將誘導根原始體的營養液換成生根營養液；又過4天，水培苗根系長度達到2-3cm時，將生根營養液換成繼代增殖生長營養液；水培苗在小溫室培養13天后，水培苗長到15-18cm時，剪2葉節扦插，以苗繁苗。剩余莖段繼續培養于生長營養液中，15天以后可以再次剪苗擴繁。新扦插的莖段又加入誘導根原始體形成的營養液，繼續生產。4-6月共扦插5次，共生產水培苗3000株。
[0024]實施例7:本發明選擇一間15平方米的溫室培養室進行甘薯水培苗生產。先用北京產必潔仕牌二氧化氯消毒劑10片A片，加入50ml B劑對整個溫室熏蒸消毒。熏蒸一個星期后，再對培養架和培養盤進行消毒，方法是10片A劑加入500ml純凈水，待溶解后，再加入B劑50ml，等20min后，再加入4500ml純凈水混勻后開始擦培養架、培養盤消毒。由于是小溫室培養室，所以培養盤也是用長33cm，寬25cm，深3.5cm的小培養盤。小溫室培養室環境控制在溫度28°C，光照強度為2000-30001X，光照時間16h/d，篩選生根好、生長健壯的商薯19脫毒組培苗，揭開瓶蓋，煉苗2-3天；將煉苗后的脫毒脫毒組培苗從組培瓶中取出，剪掉部分根系，保留原有根系2-3cm，再將組培苗栽于水培盤中的泡沫板上，栽培密度1111株/平方米，株距3cm，行距3cm，每盤栽70株，水培盤中加入誘導根原始體形成的營養液，共扦插24盤；5天出現根原始體后，將誘導根原始體的營養液換成生根營養液；又過3天，水培苗根系長度達到2-3cm時，將生根營養液換成繼代增殖生長營養液；水培苗在小溫室培養12天后，水培苗長到15-18cm時，剪2葉節扦插，以苗繁苗。剩余莖段繼續培養于生長營養液中，15天以后可以再次剪苗擴繁。新扦插的莖段又加入誘導根原始體形成的營養液，繼續生產。4-6月共扦插6次，共生產水培苗10080株。
[0025]實施例8:本發明選擇660平方米的溫室培養室進行甘薯水培苗生產。首先對溫室進行消毒，產品選用北京產必潔仕牌二氧化氯消毒劑。先對整個溫室進行熏蒸，每個點用10片A片，加入50ml B劑，設18個點進行熏蒸。熏蒸一個星期后，再進行培養盤消毒，方法是10片A劑加入500ml純凈水，待溶解后，再加入B劑50ml，等20min后，再加入4500ml純凈水混勻后開始擦培養盤消毒。用量示使用情況而定，現配現用。水培盤用長1.3m，寬
1.0m,高0.05m的塑料盤作為栽培盤，篩選生根好、生長健壯的商薯19和徐薯22脫毒組培苗，揭開瓶蓋，放在經過消毒 的防蟲溫室，于室溫、自然光下煉苗2-3天；將煉苗后的脫毒組培苗從組培瓶中取出，剪掉部分根系，保留原有根系2-3cm，用純凈水沖洗掉殘留培養基，再將組培苗栽于水培盤中的泡沫板上，栽培密度972株/平方米，株距3-4cm，行距3cm，水培盤中加入誘導根原始體形成的營養液，共扦插5盤；溫室溫度控制在26±2°C左右，自然光散射。將栽好的水培苗置于溫室中，6天左右出現根原始體后，將誘導根原始體的營養液換成生根營養液；又過3-4天，水培苗根系長度達到2-3cm時，將生根營養液換成繼代增殖生長營養液；水培苗在防蟲溫室培養11-13天，水培苗長到16cm時，可以剪成2葉節扦插，以苗繁苗。剩余莖段繼續培養于生長營養液中，15天以后可以再次剪苗擴繁。新扦插的莖段又加入誘導根原始體形成的營養液，繼續生產。4-6月共扦插5次，共生產水培苗48600多株。
[0026]實施例9:本發明將水培苗在40目以上防蟲網棚內栽植，蛭石或珍珠巖基質經過高溫消毒，當脫毒苗長到12-15cm時，按株距5cm，行距5cm移栽到蛭石或珍珠巖基質中，溫度控制在26±2°C左右，超過30°C，掀開塑料薄膜降溫，保持基質濕潤，濕度在80-85%，生產脫毒原原種。
【權利要求】
1.一種水培方式生產甘薯脫毒種苗的方法，其特征在于包括如下步驟:a.外植體處理:將選取的薯塊在溫室育苗，選取莖頂端長芽段，用自來水沖洗，經消毒處理；b.莖尖分生組織培養:在工作臺上剝離莖尖，接種到MS加激素的培養基試管中培養，莖尖愈傷組織形成，轉入廣口瓶MS培養基上繼續培養，當幼苗長出時，進行病毒檢測；c.組培莖尖苗病毒檢測:組培莖尖苗經過病毒檢測，確認為無毒苗；d.試管苗繼代增殖培養:經過病毒檢測確信無病毒的試管苗，在無菌條件下將無毒苗切段，移入裝有MS培養基的廣口瓶中培養，經腋芽萌發，長成苗；e.溫室消毒:為防甘薯水培苗在生產過程中被病毒再浸染，溫室經過消毒，先對整個溫室進行熏蒸，再進行培養盤消毒；f.煉苗:篩選生根好、生長健壯的甘薯脫毒組培苗放在經過消毒的防蟲溫室，煉苗；g.誘導根原始體形成:將煉苗后的脫毒組培苗從組培瓶中取出，保留原有根系，再將組培苗栽于水培盤中的泡沫板上，水培盤中加入誘導根原始體形成的營養液；h.水培苗生根培養:將栽好的水培苗置于溫室中，出現根原始體后，將誘導根原始體的營養液換成生根營養液水培苗生長培養:將栽好的水培苗置于溫室中水培苗，將生根營養液換成繼代增殖生長營養液；j.水培苗增殖擴繁:水培苗在防蟲溫室培養，水培苗剪成2葉節扦插，以苗繁苗；k.水培移栽:脫毒苗移栽到蛭石或珍珠巖基質中。
2.按照權利要求1所述的一種水培方式生產甘薯脫毒種苗的方法，其特征在于包括如下步驟:a.外植體處理:選擇適宜本地區大面積推廣的高產優質或有特殊用途的優良甘薯品種，將選取的薯塊在溫室育苗，當苗高20cm，選取莖頂端2cm長芽段，剪去肉眼可見葉片，用自來水沖洗，經70%酒精浸泡，再用0.1 %升汞溶液消毒,5%次氯酸鈉溶液消毒處理，無菌水沖洗3遍；b.莖尖分生組織培養:在超凈工作臺上體視顯微鏡下剝離0.2-0.4mm的莖尖，接種 到MS加激素的培養基試管中，在溫度28°C條件下培養，25天后莖尖愈傷組織形成，轉入廣口瓶MS培養基上繼續培養50-60天，當幼苗長出5-7片葉時，進行病毒檢測；c.組培莖尖苗病毒檢測:組培莖尖苗經過病毒檢測，才能確認為無毒苗，病毒檢測用癥狀學診斷法和指示植物檢測法，先用癥狀學診斷法全面觀察組培莖尖苗的長勢長相，將長勢弱，葉片黃化、黃脈和花葉等癥狀明顯的帶毒苗淘汰去除，再用指示植物檢測法將生長可疑的莖尖苗嫁接在巴西牽牛上，15d后觀察結果，如有明脈、褪綠斑、花葉等癥狀，即為帶毒苗，淘汰去除，一般需要重復嫁接2次，未顯癥狀者，可確認為無毒苗；d.試管苗繼代增殖培養:經過病毒檢測確信無病毒的試管苗，在無菌條件下將5-7葉的無毒苗I葉I節切段，移入裝有MS培養基的廣口瓶中培養，在溫度28°C條件下培養，經3-5天腋芽萌發，30d后長成5-7片葉的成苗，不斷切段增殖培養，繁殖系數為3-5倍；e.溫室消毒--為防甘薯水培苗在生產過程中被病毒再浸染，溫室經過消毒，產品選用二氧化氯消毒劑，先對整個溫室進行熏蒸，熏蒸一個星期后，再進行培養盤消毒；f.煉苗:篩選生根好、生長健壯的甘薯脫毒組培苗放在經過消毒的防蟲溫室，于室溫、自然光下煉苗2-3天；g.誘導根原始體形成:將煉苗后的脫毒組培苗從組培瓶中取出，剪掉部分根系，保留原有根系2-3cm，用純凈水沖洗掉殘留培養基，再將組培苗栽于水培盤中的泡沫板上，水培盤中加入誘導根原始體形成的營養液出.水培苗生根培養:將栽好的水培苗置于溫度26±2°C溫室中，自然光散射，5-7天出現根原始體后，將誘導根原始體的營養液換成生根營養液；1.水培苗生長培養:將栽好的水培苗置于溫度26±2°C溫室中，自然光散射，7-10天，水培苗根系長度達到2-3cm時，將生根營養液換成繼代增殖生長營養液；j.水培苗增殖擴繁:水培苗在防蟲溫室培養11-13天，水培苗長到15-18cm時，可以剪成2葉節扦插，以苗繁苗；k.水培移栽:當脫毒苗長到12-15cm時，移栽到蛭石或珍珠巖基質中。
3.按照權利要求1所述的一種水培方式生產甘薯脫毒種苗的方法，其特征在于包括如下步驟:a.外植體處理:選擇適宜本地區大面積推廣的高產優質或有特殊用途的優良甘薯品種，將選取的薯塊在溫室育苗，當苗高20cm，選取莖頂端2cm長芽段，剪去肉眼可見葉片，用自來水沖洗30min，經70%酒精浸泡25s，再用0.1 %升汞溶液消毒30s，5%次氯酸鈉溶液消毒處理lOmin，無菌水沖洗3遍；b.莖尖分生組織培養:在超凈工作臺上體視顯微鏡下剝離0.2-0.4mm的莖尖，接種到MS加激素的培養基試管中，在溫度28°C，每日光照16h，光照強度1600Lx條件下培養，25天后莖尖愈傷組織形成，轉入廣口瓶中MS培養基上繼續培養50-60天，當幼苗長出5-7片葉時，進行病毒檢測；c.組培莖尖苗病毒檢測:組培莖尖苗經過病毒檢測，才能確認為無毒苗，病毒檢測用癥狀學診斷法和指示植物檢測法，先用癥狀學診斷法全面觀察組培莖尖苗的長勢長相，將長勢弱，葉片黃化、黃脈和花葉癥狀明顯的帶毒苗淘汰去除，再用指示植物檢測法將生長可疑的莖尖苗嫁接在巴西牽牛上，15天后觀察結果，如有明脈、褪綠斑、花葉癥狀，即為帶毒苗，淘汰去除，一般需要重復嫁接2次，未顯癥狀者，可確認為無毒苗；d.試管苗繼代增殖培養:經過病毒檢測確信無病毒的試管苗，在無菌條件下將5-7葉的無毒苗I葉I節切段，移入裝有MS培養基的廣口瓶中培養，在溫度28°C，每日光照16h，光照強度1600LX條件下培養，經3-5天腋芽萌發，30天后長成5-7片葉的成苗，切段增殖培養，繁殖系數為3-5倍；e.溫室消毒:為防甘薯水培苗在生產過程中被病毒再浸染，溫室經過消毒，產品選用二氧化氯消毒劑，先對整個溫室進行熏蒸，熏蒸一個星期后，再進行培養盤消毒；f.煉苗:篩選生根好、生長健壯的甘薯脫毒組培苗放在經過消毒的防蟲溫室，于室溫、自然光下煉苗2-3天；g.誘導根原始體形成:將煉苗后的脫毒組培苗從組培瓶中取出，剪掉部分根系，保留原有根系2-3cm，用純凈水沖洗掉殘留培養基，再將組 培苗栽于水培盤中的泡沫板上，栽培密度833-1111株/平方米，株距3-4cm，行距3cm，水培盤中加入誘導根原始體形成的營養液；h.水培苗生根培養:將栽好的水培苗置于溫度26±2°C溫室中，自然光散射，5-7天出現根原始體后，將誘導根原始體的營養液換成生根營養液水培苗生長培養:將栽好的水培苗置于溫度26±2°C溫室中，自然光散射，7-10天，水培苗根系長度達到2-3cm時，將生根營養液換成繼代增殖生長營養液水培苗增殖擴繁:水培苗在防蟲溫室培養11-13天，水培苗長到15-18cm時，可以剪成2葉節扦插，以苗繁苗；k.水培移栽:當脫毒苗長到12-15cm時，移栽到蛭石或珍珠巖基質中。
4.根據權利要求1中所述的一種水培方式生產甘薯脫毒種苗的方法，其特征在于:甘薯試管苗選為商薯19或徐薯22。
5.根據權利要求3中所述的一種水培方式生產甘薯脫毒種苗的方法，其特征在于:在步驟b中所述的將剝離的莖尖接種到MS加激素的培養基為MS+0.5mg/L6-BA+0.lmg/LIAA+0.5mg/L GA3 的培養基。
6.根據權利要求3中所述的一種水培方式生產甘薯脫毒種苗的方法，其特征在于:在步驟e中對整個溫室熏蒸消毒，產品選用北京產必潔仕牌二氧化氯消毒劑，先對整個溫室進行熏蒸，每個點用10片A片，加入50ml B劑，示溫室大小設點，660平方米的溫室可以設15-20個點進行熏蒸，熏蒸一個星期后，再進行培養盤消毒，方法是10片A劑加入500ml純凈水，待溶解后，再加入B劑50ml，等20min后，再加入4500ml純凈水混勻后開始擦培養盤消毒。
7.根據權利要求3中所述的一種水培方式生產甘薯脫毒種苗的方法，其特征在于所述的步驟g中的誘導根原始體形成的營養液是:將濃度為95mg/L的KNO3,82.5mg/L的NH4NO3,18.5mg/L 的 MgSO4.7H20，8.5mg/L 的 KH2PO4, 22mg/L 的 CaCl2.2Η20，7.46mg/L Na2EDTA,5.56mg/L FeSO4.7H20,混合制成營養液用于誘導根原始體的形成；所述的步驟h中的生根營養液是:將濃度為47511^/1的謂03，412.5mg/L 的 NH4NO3,92.5mg/L 的MgSO4.7Η20，42.5mg/L 的 KH2PO4,110mg/L 的 CaCl2.2Η20，7.46mg/L Na2EDTA, 5.56mg/L FeSO4.7Η20，6.69mg/L MnSO4.4H20 , 0.249mg/L KI,0.008mg/L CoCl2.6H20,2.58mg/L ZnSO4.7H20 , 0.008mg/LCuSO4.5H20,1.86mg/L H3BO4,0.075mg/L Na2MoO4.2H20，混合制成營養液用于水培苗生根；所述的步驟i中的繼代增殖生長營養液是:將濃度為855mg/L的KNO3, 742.5mg/L的NH4NO3,166.5mg/L 的 MgSO4.7Η20，76.5mg/L 的 KH2PO4,198mg/L 的 CaCl2.2Η20，22.38mg/L Na2EDTA,16.68mg/L FeSO4.7H20, 11.25mg/L MnSO4.4H20，0.415mg/L KI,0.013mg/L CoCl2.6H20,4.3mg/L ZnSO4.7H20，0.013mg/L CuSO4.5H20，3.lmg/L H3BO4,0.125mg/L Na2MoO4.2H20，混合制成營養液用于水培苗生長。
8.根據權利要求7中所述的一種水培方式生產甘薯脫毒種苗的方法，其特征在于所述的步驟g中的誘導根原始體形成的營養液中可加入0.lmg/LNAA和0.15mg/LIBA混合溶液。
9.根據權利要求3中所述的一種水培方式生產甘薯脫毒種苗的方法，其特征在于:步驟g中的水培盤可用長 1.3m,寬1.0m,高0.05m的塑料盤作為栽培盤，每盤放30-35L營養液，并有定植植株間距為3-4cm，行距為3cm的泡沫塑料板漂浮在營養液上；所述的步驟j中擴繁，Im2的培養盤一次生產833-1111株水培苗，13-15天一個周期，4_6月溫室生產水培苗，5-7月為移栽期，每培養盤出苗按5次計算，Im2的培養盤可生產水培苗4165-5555株。
10.根據權利要求3中所述的一種水培方式生產甘薯脫毒種苗的方法，其特征在于:步驟I中擴繁，水培苗長到15-18cm時，可以剪成2葉節扦插，以苗繁苗。剩余莖段繼續培養于生長營養液中，15天以后可以再次剪苗擴繁。
【文檔編號】A01H4/00GK103960134SQ201410242577
【公開日】2014年8月6日 申請日期:2014年6月3日 優先權日:2014年6月3日
【發明者】程群, 徐怡, 瞿勇, 李衛東, 沈艷芬, 向極釬, 郭光耀, 陳家吉, 陳巧玲, 朱云芬 申請人:恩施土家族苗族自治州農業科學院