1.一種硼酸鎂晶須的表面改性方法，其特征在于，包括步驟：
A、將硼酸鎂晶須置于等離子設備中，并將所述等離子設備進行抽真空；
B、將非聚合性氣體引入所述等離子設備中，調節所述等離子設備至第一氣壓和第一放電功率，使所述非聚合性氣體在電場作用下放電產生第一等離子體，所述第一等離子體與所述硼酸鎂晶須的表面作用，所述硼酸鎂晶須的表面產生活性基團；
C、停止引入所述非聚合性氣體，同時將聚合性單體引入所述等離子設備中，調節所述等離子設備至第二氣壓和第二放電功率，使所述聚合性單體在電場作用下放電產生第二等離子體，所述第二等離子體與所述活性基團反應，獲得改性硼酸鎂晶須。
2.根據權利要求1所述的表面改性方法，其特征在于，在所述步驟A中，將所述等離子設備抽真空至其真空度為5Pa～10Pa。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟B中，所述第一壓強為40Pa～90Pa。
4.根據權利要求1所述的表面改性方法，其特征在于，在所述步驟B中，所述非聚合性氣體選自Ar、O2中的任意一種。
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟B中，所述第二放電功率為50W～100W。
6.根據權利要求1所述的表面改性方法，其特征在于，在所述步驟B中，所述等離子設備的放電時間為2min～5min。
7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟C中，所述第二壓強為20Pa～70Pa。
8.根據權利要求1所述的表面改性方法，其特征在于，在所述步驟C中，所述聚合性單體選自苯乙烯、丙烯酸、甲基丙烯酸甲脂和環己烷中的任意一種。
9.根據權利要求1所述的表面改性方法，其特征在于，在所述步驟C中，所述第二放電功率為30W～80W。
10.根據權利要求1所述的表面改性方法，其特征在于，在所述步驟C中，所述等離子設備的放電時間為2min～10min。