供信息記錄介質用基板使用的玻璃及化學強化玻璃的制作方法

專利名稱：供信息記錄介質用基板使用的玻璃及化學強化玻璃的制作方法
技術領域：
本發明涉及用作磁盤等信息記錄介質用基板的玻璃、由所述玻璃形成的信息記錄介質用基板和包括所述基板的信息記錄介質、以及它們的制造方法。本申請要求2006年6月8日申請的日本專利申請2006-159223號的優先權，這里特別公開引用了該日本專利申請的全部內容。
背景技術：
伴隨著電子技術、尤其是計算機所代表的信息相關技術的發展，磁盤、光盤、光磁盤等信息記錄介質的需求快速地增加。計算機等磁存儲裝置的主要構成要素是磁記錄介質和磁記錄再現用的磁頭。作為磁記錄介質，公知有軟盤和硬盤。其中，作為硬盤(磁盤) 用的基板材料，例如有鋁基板、玻璃基板、陶瓷基板、碳基板等，就實用性而言，根據尺寸和用途主要使用鋁基板和玻璃基板。但是，伴隨著筆記本電腦用硬盤驅動器的小型化和磁記錄的高密度化，對磁盤基板的表面平滑化和薄型化的要求更加嚴格，因此用加工性、強度、 剛度差的鋁基板來應對存在局限。因而，近年來出現了具有高強度、高剛度、高耐沖擊性、高表面平滑性的磁盤用玻璃基板(例如，參照日本專利文獻特公昭47-1949號公報、特開平 5-32431號公報、特開平10-1329號公報，這里特別公開引用它們的全部記載)。

發明內容
近年來，為了實現信息記錄介質的進一步的高記錄密度化(例如100G比特/英寸 2以上的高記錄密度化)而采用了垂直磁記錄方式。通過采用垂直磁記錄方式，能夠顯著地提高記錄密度。另一方面，為了實現高記錄密度化，需要使用于讀取的頭(例如，磁頭)與介質表面的距離(在為磁記錄介質的情況下稱為浮動高度(flying height))非常接近于8nm 以下。但是，如果基板表面的平滑性低，則基板表面的凹凸會反映在介質表面上，無法使所述頭與介質表面的距離接近，從而妨礙線記錄密度的提高。因此，為了應對采用垂直磁記錄方式引起的高記錄密度化，而要求具有比以往更高平滑性的信息記錄介質用玻璃基板。具體地說，例如基板的主表面的粗糙度要求小于等于0. 25nm，要求非常嚴格。另一方面，由于不允許信息記錄介質用玻璃基板附著異物，因此要實施充分的清洗。清洗的清洗劑可以使用酸、堿等。但是，如果構成基板的玻璃的化學耐久性(耐酸性、 耐堿性、耐水性)不夠優良，則即使在制造工序中做成了平滑的基板表面，也會產生表面粗糙。即使該表面粗糙非常微小，也難以實現垂直記錄方式的介質用基板所需級別的平滑性。 因此，為了提高信息記錄介質的線記錄密度，要求具有優良的化學耐久性的基板材料。然而，為了實現高記錄密度化，除了提高線記錄密度以外，還優選提高磁道密度。在圓盤狀的信息記錄介質中，在使介質繞中心軸高速旋轉的情況下，使距中心軸的距離稍稍變化，同時沿旋轉方向進行數據的記錄、讀取。所述的線記錄密度是旋轉方向的每單位長度能夠記錄多少數據的指標。與此相對，磁道密度與介質的矢徑方向的記錄密度相對應。 在圓盤狀的信息記錄介質中，預先根據距中心軸的距離來分配記錄數據的位置。但是，在磁道密度高的介質中，所述距離的很小的偏差也會導致錯誤。因此，安裝用于旋轉介質的旋轉軸的中心孔必須精密地形成在基板的中心，該孔的內徑尺寸公差也必須小。除此以外，磁盤的內周端面的尺寸誤差直接影響將磁盤嵌設在HDD的主軸馬達時的設置精度，因此也要求對磁盤的內徑尺寸誤差進行嚴格的精度管理。如果內徑尺寸誤差大，則有可能引起在磁盤被組裝到HDD等磁盤裝置之前實施的堆棧伺服(stacking servo)(向磁盤寫入伺服信息) 中產生機械誤差、或者引起磁盤堆棧時與主軸的嵌合不良。并且，當發生了這樣的不良情況時，無法進行數據的記錄/再現。尤其是，近年來，隨著信息的高記錄密度化的推進，磁盤的磁道間距離變小。具體地說，如果磁道間距離變小，例如磁道間距離(寫入磁道)小于等于0. 2 μ m，則只要基板稍稍偏離，信息的記錄磁道就會產生偏差，從而導致無法正確讀出信肩、ο對于Φ65ι πι(直徑65mm)基板，目前的內徑尺寸公差規格為20. 025mm士0. 025mm 以內，對于Φ48mm基板，目前的內徑尺寸公差規格為12. 025mm士0. 025mm以內。但是，伴隨
著高記錄密度化，預計今后規格會進一步嚴格。另一方面，信息記錄介質用玻璃基板在信息記錄介質的制造過程中和將所述介質裝入信息記錄裝置中時，有時會實施化學強化，以便不發生破損。在化學強化中，一般將包含堿成分的玻璃浸在包含離子半徑比所述堿成分大的堿的熔融鹽中，通過基板表面的堿離子與熔融鹽中的堿離子的離子交換，而在基板表面形成壓縮應力層。在化學強化時，將大量的基板依次浸在熔融鹽中進行離子交換，但隨著基板的處理個數變多，從玻璃中向熔融鹽釋放的堿離子的濃度增高。因此，即使處理條件穩定，在最初化學強化的基板與使用處理了多個基板后的熔融鹽進行化學強化的基板中，通過化學強化形成的應力分布也會稍有不同。玻璃基板由于化學強化形成的內部應力而在強化處理的前后會產生尺寸略微的變化。 因此，在應力分布稍有不同的基板之間，該尺寸變化也會產生偏差。如果產生這樣的尺寸變化的偏差，固然是一點點，也會導致在各個基板中中心孔的位置產生偏差或者中心孔的內徑尺寸公差變大。在被高記錄密度化的信息記錄介質中，即便是這樣一點點的偏差，有時也會產生無法進行數據記錄的問題。如果信息記錄介質的中心孔的內徑尺寸公差大，則在向中心孔放入固定機構而固定后，在工作過程中會由于沖擊而使介質移動，從而產生芯偏差。 即便該芯偏差非常微小，也會在垂直記錄型磁記錄介質等高記錄密度信息基板中演變成重大的問題。另外，為了使玻璃基板具有離子交換性和提高玻璃的熔融性，而使玻璃含有堿金屬。但是，根據堿金屬含量的不同，有時會從玻璃基板中析出上述堿金屬離子。在堿金屬離子析出后移動到玻璃基板的表面的情況下，該堿金屬離子會在形成磁性膜時的加熱工序時移動到表面而析出，或者侵蝕磁性膜，從而有使磁性膜的附著強度劣化的問題。在該情況下，本發明的第一目的在于提供耐酸性和耐堿性均優良的用于供信息記錄介質用基板使用的玻璃、以及通過該玻璃構成的信息記錄介質用玻璃基板。本發明的第二目的在于提供堿金屬成分的析出少、通過化學強化而能夠賦予優良的耐沖擊性的用于供信息記錄介質用基板使用的玻璃、以及通過該玻璃構成的信息記錄介質用玻璃基板。本發明的第三目的在于提供能夠實現平滑性非常高、表面非常干凈的信息記錄介質用基板的玻璃、以及通過該玻璃構成的信息記錄介質用玻璃基板。本發明的第四目的在于提供能夠制造化學耐久性高、清洗后也具有優良的表面平滑性的信息記錄介質用基板的玻璃。并且，本發明的目的也在于提供化學強化處理后的形狀穩定性高的玻璃基板材料。此外，本發明的目的還在于提供上述各信息記錄介質用玻璃基板的制造方法、以及包括所述玻璃基板的信息記錄介質及其制造方法。本發明涉及如下的供信息記錄介質用基板使用的玻璃(以下，稱為“玻璃I”)當以mol%表示時，包含總量為70 85%的SiOjP Al2O3,其中，SiO2的含量大于等于50%，Al2O3的含量大于等于3% ；總量大于等于10%的Li20、Na20以及K2O ；總量為1 6%的CaO和MgO，其中，CaO的含量比MgO的含量多；以及總量大于0%且小于等于 4% 的&02、!1 )2、Nb205、Ta205、La203J203 以及 TiR ；其中，Li2O,Na2O 以及 K2O 的總含量與 SiO2, A1203、ZrO2, HfO2, Nb2O5, Ta2O5, La203> Y2O3 以及 TiA 的總含量的摩爾比((Li20+N￡i20+K20)/(SiA+Al203+aO2+HfO2+Nb205+T￡i205+L￡i2 03+Y203+Ti02))小于等于 0. 28。根據一個方式，在所述玻璃中，SiO2的含量大于等于60mOl%，且SiOjP Al2O3的總含量大于等于75mol%。根據一個方式，在所述玻璃中，當以mol%表示時，CaO和MgO的總含量比SrO 和 BaO 的總含量多，ZrO2, HfO2, Nb2O5, Ta2O5, La203> Y2O3 以及 TiO2 的總含量與 Li2O, Na2O, K2O, MgO、CaO、SrO 以及 BaO 的總含量的摩爾比((& 2+Η 2+Ν 3205+ ^205+Ι^203+103+ 02) / (Li20+Na20+K20+Mg0+Ca0+Sr0+Ba0))大于等于 0. 0；35。根據一個方式，在所述玻璃中，當以mol%表示時，包含50 75 %的SW2 ；3 15%的Al2O3 ；5 15%的Li2O ；5 15%的Nei2O ；0 3%的K2O ；大于0. 5%且小于等于5% 的CaO ；大于等于0%且小于3%的MgO ；以及0. 3 4%的&02。本發明的另一方式涉及如下的供信息記錄介質用基板使用的玻璃(以下，稱為 “玻璃II”)當以m0l%表示時，包含50 75% 的 SiO2;3 15% 的 Al2O3;5 15% 的 Li2O;5 15%0 3%的1(20;大于0.5%且小于等于5%的CaO;大于等于0%且小于3%的MgO，其中，CaO的含量比MgO的含量多；以及0.3 4%的 ZrO2;
其中，Li2O, Na2O以及K2O的總含量與SiO2、Al2O3以及的總含量的摩爾比 ((Li20+Na20+K20) / (Si02+Al203+Zr02))小于等于 0. 28。本發明的其他方式涉及如下的供信息記錄介質用基板使用的玻璃(以下，稱為 “玻璃III”)包含從由Si02、Al203、Li20、Nei2O以及K2O構成的組中選出的一種以上的堿金屬氧化物、從由MgO、CaO、SrO以及BaO構成的組中選出的一種以上的堿土金屬氧化物、以及從由Zr02、Hf02、Nb205、T￡i205、L￡i203、l03以及TW2構成的組中選出的一種以上的氧化物，SiO2的含量大于等于50mol %，且SW2和Al2O3的總含量大于等于70mol %，所述堿金屬氧化物和所述堿土金屬氧化物的總含量大于等于Smol %，所述氧化物的總含量與所述堿金屬氧化物和所述堿土金屬氧化物的總含量的摩爾比((Zr02+Hf02+Nb205+Ta205+La203+Y203+Ti02) / (Li20+Na20+K20+Mg0+Ca0+Sr0+Ba0))大于等于0. 035。根據一個方式，在所述玻璃中，SiO2的含量大于等于60mOl%，且Si02*Al203的總含量大于等于75mol%。根據一個方式，在所述玻璃中，含有Li2O和Nii2O的至少一者，且Li2O和Nii2O的總含量小于24mol%。根據一個方式，在所述玻璃中，Li2O和Nei2O的總含量小于等于22mol%。根據一個方式，在所述玻璃中，當以mol%表示時，包含60 75 %的SW2 ；3 15 % 的 Al2O3 ；以及 0. 3 4 % 的 &02。本發明的其他方式涉及如下的用于供信息記錄介質用基板使用的化學強化用鋁硅酸鹽玻璃(以下，稱為“玻璃IV”)包含從由Li2CKNii2O以及K2O構成的組中選出的一種以上的堿金屬氧化物、從由MgO、CaO、SrO以及BaO構成的組中選出的一種以上的堿土金屬氧化物、以及從由Zr02、Hf02、Nb205、T￡i205、L￡i203、A03以及TW2構成的組中選出的一種以上的氧化物，Li2O 和 Nei2O 的總含量為 10 22mol %，ZrO2、HfO2、Nb2O5、Ta2O5, Lei2O3、Y2O3 以及 TiO2 的總含量大于 Omol % 且小于等于 4mol%,所述氧化物的總含量與所述堿土金屬氧化物的總含量的摩爾比((Zr02+Hf02+Nb20 5+Ta205+La203+Y203+Ti02) / (MgO+CaO+SrO+BaO))大于等于 0· 15。根據一個方式，在所述玻璃中，SiO2W含量大于等于50mOl%，且SiO2和Al2O3的總含量大于等于70mol%。根據一個方式，在所述玻璃中，SiO2和Al2O3的總含量大于等于75m0l%。根據一個方式，在所述玻璃中，Zr02、Hf02、Nb205、Ta205、La203J203以及TiR的總含量與 Li20、N￡i20、K20、Mg0、Ca0、Sr0 以及 BaO 的總含量的摩爾比((ZiO2+HfO2+Nb205+T￡i205+La 203+Y203+Ti02) / (Li20+Na20+K20+Mg0+Ca0+Sr0+Ba0))大于等于 0. 0；35。 根據一個方式，在所述玻璃中，當以mol %表示時，包含大于等于3 %的Al2O3 ；總量大于等于8%的Li20、N￡i20、K20、Mg0、Ca0、Sr0以及BaO ；以及總量大于0%且小于等于5% 的 MgO、CaO、SrO 以及 BaO。 本發明的其他方式涉及如下的供信息記錄介質用基板使用的玻璃(以下，稱為 “玻璃V”)包含從由Si02、Al203、Li20、Nei2O以及K2O構成的組中選出的一種以上的堿金屬氧化物、從由MgO、CaO、SrO以及BaO構成的組中選出的一種以上的堿土金屬氧化物、以及從由Zr02、Hf02、Nb205、T￡i205、L￡i203、l03以及TiO2構成的組中選出的一種以上的氧化物，并且具有當浸在保持為50°C的0. 5Vol%的硅氟酸(H2SiF)水溶液中的情況下腐蝕速率小于等于3. Onm/分的耐酸性；以及當浸在保持為50°C的1質量％的氫氧化鉀水溶液中的情況下腐蝕速率小于等于 0. Inm/分的耐堿性。根據一個方式，在所述玻璃中，SiO2W含量大于等于50mOl%，且SiO2和Al2O3的總含量大于等于70mol%。根據一個方式，在所述玻璃中，SiO2和Al2O3的總含量大于等于75m0l%。根據一個方式，所述玻璃具有如下的組成所述堿金屬氧化物和所述堿土金屬氧化物的總含量大于等于8mol%，并且，所述氧化物的總含量與所述堿金屬氧化物和所述堿土金屬氧化物的總含量的摩爾比((Zr02+Hf 02+Nb205+Ta205+La203+Y203+Ti02) / (Li20+Na20+K20+Mg0+Ca0+Sr0+Ba0))大于等于 0. 0；35。根據一個方式，在所述玻璃中，含有Li2O和Nii2O的至少一者，且Li2O和Nii2O的總含量小于等于24mol%。根據一個方式，在所述玻璃中，Li2O和Nei2O的總含量小于等于22mol%。根據一個方式，在所述玻璃中，當以mol%表示時，包含60 75 %的SW2 ；3 15% 的 Al2O3 ；以及總量為 0. 3 4% 的 ZrO2, HfO2, Nb2O5, Ta2O5, La203> Y2O3 以及 TiO2。本發明的其他方式涉及如下的供信息記錄介質用基板使用的玻璃(以下，稱為 “玻璃VI”)當以質量％表示時，包含57 75% 的 SiO2;5 20%的Al2O3,其中，SiOjnAl2O3的總量大于等于74% ；總量大于0%且小于等于 6% 的&02、!1 )2、Nb205、Ta205、La203J203 以及 TiR ；大于且小于等于9%的Li2O ；5 18%的Na2O,其中，質量比Li20/N￡i20小于等于0. 5 ；0 6%的1(20;0 4% 的 MgO;大于0%且小于等于5%的CaO，其中，MgO和CaO的總量小于等于5%且CaO的含量比MgO的含量多；以及總量為0 3%的 Sr0、Ba0 ；本發明的其他方式還涉及如下的供信息記錄介質用基板使用的玻璃(以下，稱為 “玻璃VII”)當以質量％表示時，包含57 75% 的 SiO2;5 20%的Al2O3,其中，SiOjPAl2O3的總量大于等于74% ；大于0%且小于等于5. 5%的&02 ；大于且小于等于9%的Li2O ；5 18%的Na2O,其中，質量比Li20/N￡i20小于等于0. 5 ；0 6%的1(20;
0 4% 的 MgO;大于0%且小于等于5%的CaO，其中，MgO和CaO的總量小于等于5%且CaO的含量比MgO的含量多；總量為O 3%的SrO、BaO ；以及0 的 Ti02。根據一個方式，在所述玻璃中，SiO2和Al2O3的總含量大于79%。根據一個方式，所述玻璃包含大于等于11%的Al2O315根據一個方式，所述玻璃包含0. 1 4%的MgO。根據一個方式，在所述玻璃中，Si02、Al203、Zr02、Li20、N￡i20、K20、Mg0以及 CaO 的總含量大于等于99%。根據一個方式，所述各玻璃還含有狗。本發明的其他方式涉及如下的用于供信息記錄介質用基板使用的化學強化玻璃 通過對所述玻璃實施化學強化處理而得到。本發明的其他方式涉及通過所述玻璃而構成的信息記錄介質用玻璃基板。根據一個方式，在所述玻璃基板中，主表面的粗糙度Ra小于0. 25nm。根據一個方式，所述玻璃基板被實施了化學強化處理。根據一個方式，所述玻璃基板的抗折強度大于等于10kg。根據一個方式，所述玻璃基板的厚度小于等于1mm。根據一個方式，所述玻璃基板的厚度大于等于0. 3mm。根據一個方式，所述玻璃基板為圓盤狀，中心部可以具有開口。本發明的其他方式涉及信息記錄介質用玻璃基板的制造方法，包括如下工序研磨加工工序，對所述玻璃進行鏡面研磨加工；以及清洗工序，在進行完鏡面加工之后，實施酸清洗和堿清洗。根據一個方式，所述制造方法還包括在所述研磨加工工序與清洗工序之間進行化學強化處理的工序。根據一個方式，連續地進行所述酸清洗和堿清洗。根據一個方式，進行所述酸清洗之后，進行堿清洗。本發明的其他方式涉及信息記錄介質，在所述信息記錄介質用玻璃基板上具有信息記錄層。根據一個方式，所述信息記錄介質是垂直磁記錄方式的磁記錄介質。根據一個方式，所述信息記錄介質在上述基板上依次具有軟磁性底層、非晶形底層、結晶性底層、垂直磁記錄層、保護層以及潤滑層。根據一個方式，所述信息記錄介質的記錄密度大于等于130(ibit/inCh2。本發明的其他方式涉及如下的信息記錄介質的制造方法通過所述方法來制造信息記錄介質用玻璃基板，在上述玻璃基板上形成信息記錄層。根據本發明，能夠提供耐酸性和耐堿性均優良的用于供信息記錄介質用基板使用的玻璃、通過所述玻璃構成的信息記錄介質用玻璃基板及其制造方法、以及包括所述基板的信息記錄介質及其制造方法。另外，根據本發明，能夠提供堿金屬成分的析出少、通過化學強化而能夠賦予優良的耐沖擊性的用于供信息記錄介質用基板使用的玻璃、以及通過所述玻璃構成的信息記錄介質用玻璃基板及其制造方法、以及包括所述基板的信息記錄介質及其制造方法。另外，根據本發明，能夠提供可以實現平滑性非常高、表面非常清潔的信息記錄介質用基板的玻璃、通過所述玻璃構成的信息記錄介質用玻璃基板及其制造方法、以及包括所述基板的信息記錄介質及其制造方法。另外，根據本發明，能夠提供可以應對例如磁道間距離小于等于0. 2 μ m、更優選小于等于0. 15 μ m、進一步優選小于等于0. 12 μ m這樣的高記錄密度化的具有優良的表面平滑性的玻璃制的信息記錄介質用基板及其制造方法、以及包括所述基板的信息記錄介質及其制造方法。


圖1是表示本發明的一個實施方式中的磁盤的構成的一個例子的圖；圖2是用于說明抗折強度的測定方法的圖。
具體實施例方式以下，對本發明進行更加詳細的說明。本發明涉及用于供信息記錄介質用基板使用的玻璃。本發明的用于供信息記錄介質用基板使用的玻璃(以下，也稱為“信息記錄介質基板用玻璃”)大致分為所述玻璃I VII這七種。以下，對這些玻璃依次進行說明。[玻璃I]玻璃I是如下的供信息記錄介質用基板使用的玻璃，當以mol%表示時，包含總量為70 85%的SiOjP Al2O3,其中，SiO2的含量大于等于50%，Al2O3的含量大于等于3% ；總量大于等于10%的Li2O, Na2O以及K2O ；總量為1 6%的CaO和MgO，其中，CaO的含量比MgO的含量多；以及總量大于0%且小于等于 4% 的&02、!1 )2、Nb205、Ta205、La203J203 以及 TiO2 ；其中，Li2O,Na2O 以及 K2O 的總含量與 SiO2, A1203、ZrO2, HfO2, Nb2O5, Ta2O5, La203> Y2O3 以及 TiA 的總含量的摩爾比((Li20+N￡i20+K20)/(SiA+Al203+aO2+HfO2+Nb205+T￡i205+L￡i2 03+Y203+Ti02))小于等于 0. 28。 根據玻璃I，可以提供耐酸性和耐堿性均優良的信息記錄介質用基板。以下，只要沒有特殊記載，在玻璃I的說明中，各成分的含量、總含量以mol%表示，含量之間的比率以摩爾比表示。玻璃I是氧化物玻璃，各成分的含量以換算成氧化物的值來表示。SiO2是玻璃的網目形成成分，并且是具有以下的作用的必須成分，即提高玻璃穩定性、化學耐久性尤其是耐酸性，降低基板的熱擴散，提高由輻射引起的基板的加熱效率。Al2O3也有助于玻璃的網目形成，具有提高玻璃穩定性、化學耐久性的作用。在玻璃I中，為了提高化學耐久性、尤其是耐酸性，使Si02*Al203的總含量大于等于70%，優選大于等于74%，更優選大于等于75%。考慮到玻璃的熔融性，使SiO2和Al2O3 的總含量小于等于85 %，優選小于等于80 %。
從改善玻璃穩定性方面出發，使SW2的含量大于等于50 %，優選大于等于55 %， 更優選大于等于60 %，進一步優選大于等于63 %，更進一步優選大于等于65 %。但是，如果過量導入SiO2,則會在玻璃中產生未熔解物，因此優選S^2量小于等于75%，更優選小于等于72 %，進一步優選小于等于70%。如果加工存在未熔解物的玻璃來制造基板，則有時未熔解物的一部分會露出到基板表面，形成突起。有這樣的突起的基板無法用作要求高平滑性的信息記錄介質用基板。因此，信息記錄介質用基板使用的玻璃的熔融性是很重要的特性。Al2O3的含量大于等于3%，優選大于等于5%，更優選大于等于7%。但是，如果過量導入Al2O3，則會降低玻璃的熔融性，因此Al2O3的含量優選小于等于15%，更優選小于等于 12%。Li2O, Na2O以及K2O是在提高熔融性和成形性并且增加熱膨脹系數、賦予適合于信息記錄介質用基板尤其是磁記錄介質用基板的熱膨脹特性方面有用的成分。另外，Li2O和 Na2O在用作化學強化玻璃的情況下成為承擔化學強化時的離子交換的成分。為得到這樣的效果，使Li2CKNii2O以及K2O的總含量大于等于10%。但是，如果堿金屬氧化物的量過剩，則會顯示出化學耐久性、尤其是耐酸性降低的傾向。因此，在玻璃I中，從提高化學耐久性的觀點出發，將Li20、Na20以及K2O的總含量的上限按照與Si02、Al203、&02、Hf02、Nb205、Ta205、 La2O3J2O3以及TiO2的總含量的關系來確定。后面將詳細敘述。為進一步提高化學耐久性， Li2O, Na2O以及K2O的總含量優選小于等于22%，更優選小于等于21. 5 %，進一步優選小于等于21 %，更進一步優選小于等于20 %。另外，為了獲得通過混合堿效應來降低、防止堿金屬成分的析出的效果，優選將 Li2O和Na2O作為玻璃成分而導入。從提高上述各特性出發，Li2O的含量優選的下限為5%，更優選的下限為6%，進一步優選的下限為7%，優選的上限為15%，更優選的上限為13%，進一步優選的上限為 10%。Na2O的含量優選的下限為5%，更優選的下限為7%，進一步優選的下限為10%，優選的上限為15%，更優選的上限為13%。另外，在將包含Li2O和Nii2O的玻璃作為化學強化玻璃而使用的情況下，直接有助于化學強化時的離子交換的玻璃成分是Li2O和Na2O,在熔融鹽中，有助于離子交換的某種堿離子是Na離子和/或K離子。隨著化學強化處理的基板的個數增加，熔融鹽中的Li離子濃度也會增加，如果大量地處理Li2O量與Na2O量的摩爾比(Li2(VNa2O)大于1. 04的玻璃，則熔融鹽中的Li離子濃度會顯著上升，有助于離子交換的堿離子和無助于離子交換的堿離子的平衡從處理開始時起會發生很大的變化。結果，隨著處理個數變多，處理開始時最佳的處理條件會偏離最佳范圍，如上所述，根據基板的不同在形狀上會產生偏差，從而導致基板的中心孔的內徑尺寸公差變大，并且有時也會產生壓縮應力層的形成不充分或者基板產生彎曲等問題。為了解決這樣的問題，優選Li2O量與Nii2O量的摩爾比(Li2CVNa2O)小于等于1. 04，更優選小于等于0. 936，進一步優選小于等于0. 832，更進一步優選小于等于 0.7904。K2O是具有提高熔融性、增大熱膨脹系數的作用的任意成分。K2O含量的優選的范圍為0 3%，更優選的范圍為0 2%，進一步優選的范圍為0 1%。如果少量導入K20， 則在對多個基板進行化學強化時，具有降低基板之間的壓縮應力層的離散(〃，7 # )的效果，因此在上述范圍內優選導入0. 1 %以上，更優選導入0. 2%以上。CaO和MgO具有改善熔融性、成形性以及玻璃穩定性、提高剛度和硬度、增大熱膨脹系數的作用。但是，由于過量的導入會降低化學耐久性，故使CaO和MgO的總含量為1 6%。CaO和MgO的總含量優選的下限為1. 5%，更優選的下限為2%，優選的上限為5. 5%， 更優選的上限為5%，進一步優選的上限為4%。另外，CaO和MgO有降低化學強化時的離子交換速度的功能。因此，在對通過適量導入了這些成分的玻璃構成的基板進行化學強化而批量生產化學強化玻璃基板時，能夠抑制由于過度的化學強化引起的基板的內外徑尺寸公差的增大。但是，如果過量導入這些成分，則離子交換速度會大幅度地降低，難以得到化學強化的效果。通過使CaO和MgO的總含量為上述范圍，也能夠得到化學強化的效果，并且能抑制基板的內外徑尺寸公差的增大。在玻璃I中，從進一步提高耐失透性、也提高化學耐久性的角度出發，使CaO的含量多于MgO的含量。從提高耐失透性或提高化學耐久性的角度出發，優選使MgO的含量與 CaO的含量的摩爾比(MgO/CaO)為0. 14 0. 97的范圍，更優選為0. 4 0. 97的范圍。CaO優選的含量大于0. 5%而小于等于5%，Ca0含量更優選的下限為0. 8%，進一步優選的下限為1%，更優選的上限為4%，進一步優選的上限為3%。MgO優選的含量大于等于0%而小于3%，MgO含量的優選的下限為0. 1%，更優選的下限為0.3%，進一步優選的下限為0.5%。優選的上限為2.5%，更優選為2%。另外， MgO的含量也可以在確定了 CaO的含量之后在上述優選的范圍內確定摩爾比(MgO/CaO)，從 CaO的含量和所述摩爾比來確定。與CaO和MgO相同，作為堿土金屬氧化物的SrO和BaO也具有提高熔融性、增大熱膨脹系數的作用。但是，由于SrO和BaO的添加，而有化學耐久性降低、玻璃的比重增加、原料成本增加的傾向。因此，優選CaO和MgO的總含量比SrO和BaO的總含量多。SrO和BaO的總含量優選為0 5 %，更優選為0 2 %，進一步優選為0 1 %。 SrO含量的優選的范圍為0 2 %，更優選的范圍為0 1%，進一步優選不導入SrO。BaO 含量的優選的范圍為0 2%，更優選的范圍為0 1%，進一步優選不導入BaO。ZrO2, HfO2, Nb2O5, Ta2O5, La203> Y2O3以及TW2具有提高化學耐久性、尤其是耐堿性的作用。但是，由于過量導入會惡化熔融性。因此，從維持熔融性且提高化學耐久性、尤其是耐堿性方面出發，使&02、HfO2, Nb2O5, Ta2O5, La203> Y2O3以及TW2的總含量大于0%而小于等于4%。所述總含量優選的下限為0. 3%，更優選的下限為0. 5%，進一步優選的下限為 0.7%,優選的上限為3 %，更優選的上限為2 %，進一步優選的上限為1.5%。為了進一步提高化學耐久性、尤其是耐堿性，優選具有改善熔融性但降低化學耐久性傾向的堿金屬氧化物和堿土金屬氧化物的總量與ZrO2、HfO2、Nb2O5、Ta2O5> La203> Y2O3及 TiO2的總含量的關系為如下范圍。即優選使ZrO2, HfO2, Nb2O5, Ta2O5, La203> Y2O3 以及 TiO2 的總含量與 Li2O, Na2O, K2O, MgO、CaO、SrO 以及 BaO 的總含量的摩爾比((& 2+Η 2+Ν 3205+ ^205+Ι^203+103+ 02) / (Li20+Na20+K20+Mg0+Ca0+Sr0+Ba0))大于等于0. 035，更優選大于等于0. 040。但是，如果所述摩爾比過大，則會顯示出熔融性降低和/或玻璃穩定性降低的傾向，因此優選使所述摩爾比小于等于0. 18，更優選小于等于0. 15，進一步優選小于等于0. 13，更進一步優選小于等于0. 12。ZrO2、HfO2、Nb2O5、Tei2O5、Lei2O3、^O3 以及 TW2 中，包含 TW2 的玻璃在浸在水中時有時會在玻璃表面附著玻璃與水的反應生成物，因此對于耐水性來說，其他成分較為有利。因此，從維持耐水性方面出發，優選使T^2的含量為0 2%，更優選為0 1%， 進一步優選為0 0. 5 %，尤其優選不導入TiO2。HfO2, Nb2O5, Ta2O5以及Lei2O3會增大玻璃的比重，增加基板的重量，因此從使基板輕量化方面出發，優選使Hf02、Nb2O5, Ta2O5以及Lii2O3的總含量為0 2%的范圍，更優選為 0 的范圍，進一步優選不導入 Hf02、Nb205、Ta2O5 UR La2O30 HfO2, Nb2O5, Ta2O5 以及 La2O3各自優選的含量為0 2 %，更優選的含量為0 1%，進一步優選不導入!1 )2、他205、 Ta2O5 以及 Lei2O3。從維持玻璃穩定性、且得到上述期望的效果方面出發，優選使^O3的含量為0 2%的范圍，更優選為0 的范圍。進一步優選不導入&03。ZrO2具有很強的維持玻璃穩定性、且提高化學耐久性、尤其是耐堿性的作用，并且具有提高剛度、韌性且提高化學強化效率的作用。另外，與IO3相比，原料成本便宜，因此優選使^O2的含量與&02、HfO2, Nb2O5, Ta2O5, La203> Y2O3以及TiR的總含量的摩爾比(ZrO2/ (Zr02+Hf02+Nb205+Ta205+La203+Y203+TiO2))為 0· 5 1 的范圍，更優選為 0. 8 1 的范圍，進一步優選為0. 9 1的范圍，更進一步為0. 95 1的范圍，尤其優選為1。ZrO2的含量優選為大于等于0. 3 %，更優選為大于等于0. 5%，進一步優選為大于等于0.7%。另一方面，從維持玻璃穩定性良好的方面出發，&·02的含量優選為小于等于 4%,更優選為小于等于3%，進一步優選為小于等于2%，更進一步優選為小于等于1.5%。在上述的玻璃成分中，具有提高化學耐久性的作用的成分是Si02、A1203、ZrO2, HfO2, Nb2O5, Ta2O5, La2O3> Y2O3以及TiO2,容易降低化學耐久性的成分是Li20、Na2O以及K20。 因此，在玻璃 I 中，將 Li2O, Na2O 以及 K2O 的總含量與 SiO2, A1203、ZrO2, HfO2, Nb2O5, Ta2O5, La2O3^Y2O3 以及的總含量的摩爾比((Li20+Na20+K20)/(SiA+Al203+ZiO2+HfO2+Nb205+T￡i2 05+La203+Y203+Ti02))的上限限制為小于等于0. 28。所述摩爾比優選的范圍小于等于0. 27， 更優選的范圍小于等于0. 26。也可以根據需要向玻璃I中添加Sb2O3、SnO2、Ce&等澄清劑，但是在通過浮動法使玻璃成形的情況下，不優選添加Sb2O3，而優選添加SnO2、CeO2,更優選添加SnO2。作為以上說明的玻璃I優選的方式，當以mol%表示時，可以列舉出包含50 75% 的 Si02、3 15% 的 Al203、5 15% 的 Li20、5 15%的妝20、0 3%的1(20、大于 0. 5% 而小于等于5%的CaO、大于等于0%而小于3%的MgO以及0. 3 4%的^O2的玻璃。[玻璃II]玻璃II是如下的供信息記錄介質用基板使用的玻璃，當以mol%表示時，包含50 75% 的 SiO2;3 15% 的 Al2O3 ；5 15% 的 Li2O;5 15%0 3%的1(20;大于0.5%且小于等于5%的CaO;大于等于0%且小于3%的MgO，其中，CaO的含量比MgO的含量多；以及
0.3 4%的 ZrO2;其中，Li2O, Na2O以 及K2O的總含量與SiO2、Al2O3以及的總含量的摩爾比 ((Li20+Na20+K20) / (Si02+Al203+Zr02))小于等于 0. 28。根據玻璃II，可以提供耐酸性和耐堿性均優良的信息記錄介質用基板。以下，只要沒有特殊記載，在玻璃II的說明中，各成分的含量、總含量以mol%表示，含量之間的比率以摩爾比表示。玻璃II是氧化物玻璃，各成分的含量以換算成氧化物的值來表示。SiO2是玻璃的網目形成成分，并且是具有以下作用的必須成分，即提高玻璃穩定性、化學耐久性尤其是耐酸性，降低基板的熱擴散，提高由輻射引起的基板的加熱效率。從提高玻璃穩定性方面出發，使SiO2W含量大于等于50%，優選大于等于55%，更優選大于等于60 %，進一步優選大于等于63 %，更進一步優選大于等于65 %。但是，如果過量導入 SiO2，則在玻璃中會產生未熔解物，因此使S^2量小于等于75%，優選小于等于72%，更優選小于等于70%。如果加工存在未熔解物的玻璃來制造基板，則有時未熔解物的一部分會露出到基板表面，形成突起。有這樣的突起的基板無法用作要求高平滑性的信息記錄介質用基板。因此，信息記錄介質用基板使用的玻璃的熔融性是很重要的特性。Al2O3也有助于玻璃的網目形成，具有提高玻璃穩定性、化學耐久性的作用。為了得到這樣的效果，使Al2O3的含量大于等于3 %，優選大于等于5 %，更優選大于等于7 %。但是，如果過量導入Al2O3，則會降低玻璃的熔融性，因此使Al2O3的含量小于等于15%。優選小于等于12%。在玻璃II中，為了提高化學耐久性、尤其是耐酸性，優選使SiO2和Al2O3的總含量大于等于70 %，更優選大于等于74 %，進一步優選大于等于75 %。考慮到玻璃的熔融性，優選使SW2和Al2O3的總含量小于等于85%，更優選小于等于80%。Li2O, Na2O以及K2O是在提高熔融性和成形性且增加熱膨脹系數、賦予適合于信息記錄介質用基板尤其是磁記錄介質用基板的熱膨脹特性方面有用的成分。另外，Li2O和 Na2O在用作化學強化玻璃的情況下成為承擔化學強化時的離子交換的成分。從得到這樣的效果方面出發，使Li2O的含量為5 15%，使Nii2O的含量為5 15%，使K2O的含量為0 3%。Li2O的含量優選的下限為6%，更優選的下限為7%，優選的上限為13%，更優選的上限為10%。Nii2O的含量優選的下限為7%，更優選的下限為10%，優選的上限為13%。這樣通過將Li2O和Na2O作為玻璃成分而導入，也能夠得到通過混合堿效應來降低、防止堿金屬成分析出的效果。另外，在將包含Li2O和Nii2O的玻璃作為化學強化玻璃而使用的情況下，直接有助于化學強化時的離子交換的玻璃成分是Li2O和Na2O,在熔融鹽中，有助于離子交換的某種堿離子是Na離子和/或K離子。隨著化學強化處理的基板的個數增加，熔融鹽中的Li離子濃度也會增加，如果大量地處理Li2O量與Na2O量的摩爾比(Li2(VNa2O)大于1. 04的玻璃，則熔融鹽中的Li離子濃度會顯著上升，有助于離子交換的堿離子和無助于離子交換的堿離子的平衡從處理開始時起會發生很大的變化。結果，隨著處理個數變多，處理開始時最佳的處理條件會偏離最佳范圍，如上所述，根據基板而形狀會產生偏差，從而導致基板的中心孔的內徑尺寸公差變大，并且有時也會產生壓縮應力層的形成不充分或者基板產生彎曲等問題。為了解決這樣的問題，優選Li2O量與Na2O量的摩爾比(Li2(VNa2O)小于等于1. 04，更優選小于等于0. 936，進一步優選小于等于0. 832，更進一步優選小于等于0. 7904。如上所述，K2O是具有提高熔融性、增大熱膨脹系數的作用的任意成分。使1(20含量為0 3%，優選的范圍為0 2%，更優選的范圍為0 1%。如果少量導入K2O，則在對多個基板進行化學強化時，具有降低基板之間的壓縮應力層的離散的效果，因此在上述范圍內優選導入0. 以上，更優選導入0.2%以上。如果堿金屬氧化物的量過剩，則會顯示出化學耐久性、尤其是耐酸性降低的傾向。 因此，在玻璃II中，從提高化學耐久性的觀點出發，將Li20、Na2O以及K2O的總含量的上限以與Si02、Al203、以及的總含量的關系來確定。后面將詳細敘述。從進一步提高化學耐久性方面出發，Li2CKNii2O以及K2O的總含量優選小于等于22%，更優選小于等于21.5%， 進一步優選小于等于21 %，更進一步優選小于等于20 %。CaO和MgO具有改善熔融性、成形性以及玻璃穩定性、提高剛度和硬度、增大熱膨脹系數的作用。尤其是，CaO具有優良的改善熔融性、成形性以及玻璃穩定性的作用。但是， 無論對于哪種成分，若過量的導入均會降低化學耐久性，因此使CaO的含量大于0. 5%而小于等于5%。CaO含量優選的下限為0. 8%，更優選的下限為1 %，優選的上限為4%，更優選的上限為3%。MgO優選的含量大于等于0%而小于3%，MgO含量優選的下限為0. 1%，更優選的下限為0. 3%，進一步優選的下限為0. 5%。優選的上限為2. 5%，更優選為2%。在玻璃II中，從進一步提高耐失透性、也提高化學耐久性方面出發，使CaO的含量多于MgO的含量。從提高耐失透性或提高化學耐久性方面出發，優選使MgO的含量與CaO 的含量的摩爾比(MgO/CaO)為0. 14 0. 97的范圍，更優選為0. 4 0. 97的范圍。另外，MgO的含量也可以在確定了 CaO的含量之后在上述優選的范圍內確定摩爾比(MgO/CaO)，從CaO的含量和所述摩爾比來確定。從進一步改善玻璃的熔融性、成形性、耐失透性且提高化學耐久性方面出發，優選使CaO和MgO的總含量為1 6%。CaO和MgO的總含量優選的下限為1.5%，更優選的下限為2%，優選的上限為5.5%，更優選的上限為5%，進一步優選的上限為4%。另外，CaO 和MgO有降低化學強化時的離子交換速度的功能。因此，在對通過適量導入了這些成分的玻璃構成的基板進行化學強化而批量生產化學強化玻璃基板時，能夠抑制由于過度的化學強化引起基板的內外徑尺寸公差的增大。但是，如果過量導入這些成分，則離子交換速度會大幅度地降低，難以得到化學強化的效果。通過使CaO和MgO的總含量為上述范圍，能夠得到化學強化的效果，并能抑制基板的內外徑尺寸公差的增大。與CaO和MgO相同，作為堿土金屬氧化物的SrO和BaO也具有提高熔融性、增大熱膨脹系數的作用。但是，由于SrO和BaO的添加，而有化學耐久性降低、玻璃的比重增加、原料成本增加的傾向。因此，優選CaO和MgO的總含量比SrO和BaO的總含量多。SrO和BaO的總含量優選為0 5 %，更優選為0 2 %，進一步優選為0 1 %。 SrO含量優選的范圍為0 2%，更優選的范圍為0 1%，進一步優選不導入SrO。BaO含量優選的范圍為0 2%，更優選的范圍為0 1%，進一步優選不導入BaO。ZrO2具有很強的維持玻璃穩定性、且提高化學耐久性、尤其是耐堿性的作用，并且具有提高剛度、韌性且提高化學強化效率的作用。但是，由于過量導入會惡化熔融性。因此，從維持熔融性且提高化學耐久性、尤其是耐堿性方面出發，使^O2的含量為0. 3 4%。含量優選的下限為0. 5%，更優選的下限為0. 7%，優選的上限為3%，更優選的上限為 2%，進一步優選的上限為1.5%。在上述的玻璃成分中，具有提高化學耐久性的作用的成分是Si02、A1203、&02，容易降低化學耐久性的成分是Li2CKNii2O以及K20。因此，在玻璃II中，為了維持化學耐久性， 將Li20、Na20以及K2O的總含量與Si02、Al203以及^O2的總含量的摩爾比((Li20+Na20+K20) / (Si02+Al203+Zr02))的上限限制為小于等于0. 28。所述摩爾比優選的范圍小于等于0. 27， 進一步優選的范圍小于等于0. 26。所述摩爾比優選的下限為0. 1，更優選的下限為0. 15，進一步優選的下限為0.2。也可以根據需要向玻璃II中添加Sb203、SnO2, CeO2等澄清劑，但是在通過浮動法使玻璃成形的情況下，不優選添加Sb2O3，而優選添加SnO2、CeO2,更優選添加SnO2。[玻璃III]玻璃III是如下的供信息記錄介質用基板使用的玻璃，即包含從由Si02、Al203、Li20、Nei2O以及K2O構成的組中選出的一種以上的堿金屬氧化物、從由MgO、CaO、SrO以及BaO構成的組中選出的一種以上的堿土金屬氧化物、以及從由 ZrO2, HfO2, Nb2O5, Ta2O5, La203> Y2O3以及TiR構成的組中選出的一種以上的氧化物，SiO2的含量大于等于50mol %，且SW2和Al2O3的總含量大于等于70mol %，所述堿金屬氧化物和所述堿土金屬氧化物的總含量大于等于8mol%，所述氧化物的總含量與所述堿金屬氧化物和所述堿土金屬氧化物的總含量的摩爾比((Zr02+Hf02+Nb205+Ta205+La203+Y203+Ti02) / (Li20+Na20+K20+Mg0+Ca0+Sr0+Ba0))大于等于0. 035。根據玻璃III，可以提供耐酸性和耐堿性均優良的信息記錄介質用基板。以下，只要沒有特殊記載，在玻璃III的說明中，各成分的含量、總含量以mol%表示，含量之間的比率以摩爾比表示。玻璃III是氧化物玻璃，各成分的含量以換算成氧化物的值來表示。SiO2是玻璃的網目形成成分，并且是具有以下作用的必須成分，即提高玻璃穩定性、化學耐久性尤其是耐酸性，降低基板的熱擴散，提高由輻射引起的基板的加熱效率。Al2O3也有助于玻璃的網目形成，具有提高玻璃穩定性、化學耐久性的作用。在玻璃III中，為了提高化學耐久性、尤其是耐酸性，使SiO2和Al2O3的總含量大于等于70 %，優選大于等于75 %，更優選大于等于76 %。考慮到玻璃的熔融性，優選使SW2 和Al2O3的總含量小于等于85%，更優選小于等于80%。從改善玻璃穩定性方面出發，使SW2的含量大于等于50 %，優選大于等于60 %， 更優選大于等于63%，進一步優選大于等于65%。但是，如果過量導入SiO2,則在玻璃中會產生未熔解物，因此優選S^2量小于等于75%，更優選小于等于72%，進一步優選小于等于70%。如果加工存在未熔解物的玻璃來制造基板，則有時未熔解物的一部分會露出到基板表面，形成突起。有這樣的突起的基板無法用作要求高平滑性的信息記錄介質用基板。因此，信息記錄介質用基板使用的玻璃的熔融性是很重要的特性。Al2O3的含量優選的范圍大于等于3%，更優選的范圍大于等于5%，進一步優選大于等于7%。但是，如果過量導入Al2O3，則會降低玻璃的熔融性，因此Al2O3的含量優選小于等于15%，更優選小于等于12%。
如上所述，在玻璃III中，SiO2和Al2O3的總量含有得比較多。為了提高這樣的玻璃 III的熔融性，將從由Li2CKNii2O以及K2O構成的組中選出的一種以上的堿金屬氧化物和從由Mg0、Ca0、Sr0以及BaO構成的組中選出的一種以上的堿土金屬氧化物的總量導入8%以上。這些堿金屬氧化物和堿土金屬氧化物能夠提高玻璃的熔融性，并且使熱膨脹特性成為適于信息記錄介質用基板的范圍。但是，如果堿金屬氧化物和堿土金屬氧化物的上述總含量過量，則顯示出化學耐久性降低的傾向，因此優選Li20、Na2O, K2O, MgO、CaO, SrO以及BaO 的總含量小于等于M%，以維持化學耐久性。從改善熔融性且增大熱膨脹系數方面出發，所述總含量優選的范圍大于等于10%，更優選的范圍大于等于15%，進一步優選的范圍大于等于20%。ZrO2, HfO2, Nb2O5, Ta2O5, La203> Y2O3以及TW2具有提高化學耐久性、尤其是耐堿性的作用。但是，由于過量導入會惡化熔融性。因此，在玻璃III中，為了兼顧化學耐久性和熔融性，將上述氧化物的總含量通過其與改善熔融性但降低化學耐久性的堿金屬氧化物和堿土金屬氧化物的總量的關系來確定。即，ZrO2,HfO2, Nb2O5, Ta2O5, La203> Y2O3 以及 TiO2 的總含量與 Li2O, Na2O, K2O, MgO、CaO、SrO 以及 BaO 的總含量的摩爾比((Zr02+Hf02+Nb205+Ta205+La203+Y203+Ti02) / (Li20+Na20+K20+Mg0+Ca0+Sr0+Ba0))大于等于0. 035。由此，能夠維持熔融性且提高耐堿性。 所述摩爾比優選的范圍大于等于0. 040。如果所述摩爾比過大，則會顯示出熔融性降低或玻璃穩定性降低的傾向，因此所述摩爾比優選小于等于0. 18，更優選小于等于0. 15，進一步優選小于等于0. 13，更進一步優選小于等于0. 12。從進一步提高化學耐久性、尤其是耐堿性方面出發，ZrO2^HfO2, Nb2O5、Ta2O5, La2O3^ Y2O3以及TiA的總含量優選大于等于ο. 3 %，更優選大于等于0. 5 %，進一步優選大于等于 0.7%。另一方面，從良好地維持熔融性、玻璃穩定性方面出發，所述總含量優選小于等于 4%,更優選小于等于3%，進一步優選小于等于2%，更進一步優選小于等于1.5%。玻璃III中的ZrO2, HfO2, Nb2O5, Ta2O5, La203> Y2O3以及TiO2的含量的詳細情況和 ZrO2 的含量與 &02、HfO2, Nb2O5, Ta2O5, La203> Y2O3 以及 TiR 的總含量的摩爾比(ZrO2/ (ZrO2 +Hf02+Nb205+Ta205+La203+Y203+TiO2))如前面針對玻璃 I 所述的那樣。玻璃III的優選方式是含有Li2O和Nei2O的至少一者、且Li2O和Nei2O的總含量小于等于M%。Li2O和Na2O是進一步提高熔融性的成分。另外，在對玻璃III進行化學強化時，Li2O和Na2O是重要的成分。并且，提高熱膨脹系數、賦予適合于信息記錄介質用基板尤其是磁記錄介質用基板的熱膨脹特性的作用也很大。從得到通過混合堿效應來降低、防止堿金屬成分的析出的效果出發，優選將Li2O 和Na2O作為玻璃成分而導入。但是，如果過量導入Li2O和Na2O,則顯示出化學耐久性降低的傾向，因此Li2O和Nii2O的總含量優選限制為小于等于。從更進一步提高化學耐久性且降低、防止從玻璃基板中析出堿金屬離子方面出發，Li2O和Nii2O的總含量優選限制為小于等于22%。玻璃III中的Li2O和Na2O的含量、Li2O量與Na2O量的摩爾比(Li20/Na20)以及 K2O的含量的詳細情況如前面對玻璃I所述的那樣。MgO具有提高熔融性、剛度以及硬度、增大熱膨脹系數的作用。另外，通過使其與 CaO共存，也有提高玻璃的穩定性的效果。并且，還有減少化學強化時的離子交換速度的作用，因此如果適量導入還能夠控制離子交換速度，以不降低平坦性。但是，由于過量導入會降低化學耐久性，因此其含量優選大于等于0%而小于5%。MgO含量的優選下限為0. 1%, 更優選的下限為0. 3%，進一步優選的下限為0. 5%。另外，MgO含量優選小于3%，更優選小于等于2%。CaO具有提高剛度和硬度、增大熱膨脹系數、適量導入會改善耐失透性的作用。并且，與MgO相同，也具有控制化學強化時的離子交換速度的作用。但是，由于過量導入會降低化學耐久性，因此其含量優選0 5%。CaO含量更優選的下限為0. 1%，進一步優選的下限為0. 5%，更優選的上限為4%，進一步優選的上限為3%。玻璃III也與玻璃I相同，從進一步提高耐失透性、也提高化學耐久性方面出發， 優選CaO的含量比MgO的含量多。從提高耐失透性或提高化學耐久性方面出發，玻璃III 也與玻璃I相同，優選使MgO的含量與CaO的含量的摩爾比(MgO/CaO)為0. 14 0. 97的范圍，更優選為0. 4 0. 97的范圍。并且，從上述觀點出發，優選使MgO和CaO的總含量為1 6%。MgO和CaO的總含量優選的下限為1.5%，更優選的下限為2%，優選的上限為5.5%，更優選的上限為5%， 進一步優選的上限為4%。SrO和BaO也具有提高熔融性、增大熱膨脹系數的作用。但是，由于SrO和BaO的添加，而有化學耐久性降低、玻璃的比重增大、原料成本增加的傾向。因此，SrO和BaO的總含量優選為0 5%，更優選為0 2 %，進一步優選為0 1%。SrO的含量優選的范圍為 0 2%，更優選的范圍為0 1%，進一步優選不導入SrO。BaO的含量優選的范圍為0 2%，更優選的范圍為0 1%，進一步優選不導入BaO。綜合以上的觀點，玻璃III更優選的方式是以mo 1表示包含60 75%的Si02、3 15%的A1203、0. 3 4%的的玻璃，并且更優選的方式是具有上述組成且含有總量為 0. 3 4%的 ^OyHfOyNb2O5Ja2OpLa2O3、以及 TiO2 的玻璃，進一步優選的方式是如上所述分配了堿金屬氧化物、堿土金屬氧化物的各成分的
量的玻璃。另外，也可以根據需要向玻璃III中添加SId2O3、SnO2, CeO2等澄清劑，但是在通過浮動法使玻璃成形的情況下，不優選添加Sb2O3，而優選添加SnO2、CeO2,更優選添加SnO2。[玻璃IV]玻璃IV是如下的用于供信息記錄介質用基板使用的化學強化用鋁硅酸鹽玻璃， 即包含從由Li20、Na2O以及K2O構成的組中選出的一種以上的堿金屬氧化物、從由 MgO、CaO、Sr0以及BaO構成的組中選出的一種以上的堿土金屬氧化物、以及從由、HfO2、 Nb2O5、Ta2O5、La2O3、^O3以及TiO2構成的組中選出的一種以上的氧化物，Li2O 和 Nei2O 的總含量為 10 22mol%，ZrO2, HfO2, Nb2O5, Ta2O5, La203> Y2O3 以及 TiO2 的總含量大于 Omol %且小于等于 4mol%,所述氧化物的總含量與所述堿土金屬氧化物的總含量的摩爾比((Zr02+Hf02+Nb20 5+Ta205+La203+Y203+Ti02) / (Mg0+Ca0+Sr0+Ba0))大于等于 0· 15。玻璃IV是化學強化用玻璃、即實施了化學強化的玻璃，是包含化學強化所需要的Li2O和Nei2O的至少一者、優選包含Li2O和Na2O這兩者的玻璃，是能夠降低、防止堿金屬離子析出的鋁硅酸鹽玻璃。在為了降低、防止堿的析出而限制了 Li2O和Nii2O的總含量之后， 導入從由MgO、CaO, SrO以及BaO構成的組中選出的一種以上的堿土金屬氧化物，以不使熔融性降低。但是，這些堿土金屬氧化物具有妨礙化學強化時的離子交換的作用。另外，從通過化學強化來提高抗折強度方面出發，限制作為離子交換的對象的Li2O和Na2O的總含量也會起到消極作用。因此，在玻璃IV中，至少導入一種從由ZrO2、HfO2、Nb2O5、Tei2O5、Lei2O3 J2O3 以及TW2構成的組中選出的氧化物，該氧化物有促進離子交換且提高化學耐久性、尤其是耐堿性的作用。以下，只要沒有特殊記載，在玻璃IV的說明中，各成分的含量、總含量以mol%表示，含量之間的比率以摩爾比表示。玻璃IV是氧化物玻璃，各成分的含量以換算成氧化物的值來表示。Li2O和妝20是化學強化時的離子交換所需要的成分，并且也是在改善玻璃的熔融性、使熱膨脹系數成為適合于信息記錄介質用基板尤其是磁記錄介質用基板的范圍方面有效的成分。為了得到這樣的效果，使Li2O和WO的總含量大于等于10%，從降低、防止堿金屬離子的析出的觀點出發，使所述總含量小于等于22%。Li2O和Nii2O的總含量優選的下限為15%，優選的上限為21%。并且，從通過混合堿效應來降低、防止堿金屬成分的析出方面出發，優選均含有Li2O和Na2O。玻璃IV中的Li2O和Na2O的含量、Li2O量與Na2O量的摩爾比(Li20/Na20)、以及K2O 的含量的詳細情況如前面玻璃I中所述。ZrO2,HfO2,Nb2O5,Ta2O5,La2O3>Y2O3以及TW2具有促進化學強化時的堿離子交換且提高化學耐久性、尤其是耐堿性的作用。但是如果過量導入則熔融性會降低，有可能產生未熔解物。如上所述，如果在信息記錄介質用基板、尤其是磁記錄介質用基板使用的玻璃中包含未熔解物，則即使未熔解物非常微小，未熔解物的一部分也有可能露出到基板表面形成突起，從而損害基板表面的平滑性。因此，玻璃IV中，ZrO2、HfO2、Nb2O5、Tei2O5、Lei2O3、IO3以及TiO2的總含量大于0%且小于等于4%。所述總含量優選的上限為3%，更優選的上限為 2%，進一步優選的上限為1. 5%，優選的下限為0. 3%，更優選的下限為0. 5%，進一步優選的下限為0.7%。玻璃IV中的ZrO2, HfO2, Nb2O5, Ta2O5, La203> Y2O3以及TiO2的含量的詳細情況和 ZrO2 的含量與 &02、HfO2, Nb2O5, Ta2O5, La203> Y2O3 以及 TiR 的總含量的摩爾比(ZrO2/ (ZrO2 +Hf02+Nb205+Ta205+La203+Y203+TiO2))如前面玻璃 I 中所述。玻璃IV包含從由MgO、CaO, SrO以及BaO構成的組中選出的一種以上的堿土金屬氧化物。這些成分具有維持熔融性、調整熱膨脹系數的作用，另一方面也具有妨礙化學強化時的離子交換的作用。因此在玻璃IV中，通過保持具有促進化學強化時的離子交換且提高化學耐久性的作用的ZrO2、HfO2、Nb2O5、Tei2O5、Lei2O3 J2O3以及TW2的總含量與Mg0、Ca0、Sr0、 BaO的總含量的平衡，能夠進行良好的化學強化。具體地說，ZrO2, HfO2, Nb2O5, Ta2O5, La2O3^ Y2O3以及TiA的總含量與Mg0、Ca0、Sr0及BaO的總含量的摩爾比((ZiO2+HfO2+Nb205+T￡i205 +La203+Y203+Ti02) / (MgO+CaO+SrO+BaO))大于等于 0· 01δ。MgO,CaO,SrO以及BaO的總含量優選的范圍大于0%且小于等于5%。如果所述總量小于等于5%，則能夠良好地進行化學強化，從而能夠充分地提高基板的抗折強度。MgO、 CaO, SrO以及BaO的總含量優選的下限為0. 1%，更優選的下限為0. 5%，進一步優選的下限為1%，更進一步優選的范圍為1.5%，更優選的上限為4.5%，進一步優選的上限為4%。SiO2是作為鋁硅酸鹽玻璃的玻璃IV的網目形成成分，并且是具有以下的作用的必須成分，即提高玻璃穩定性、化學耐久性尤其是耐酸性，降低基板的熱擴散，提高由輻射引起的基板的加熱效率。Al2O3也有助于玻璃的網目形成，具有提高玻璃穩定性、化學耐久性的作用。在玻璃IV中，為了改善玻璃穩定性、提高化學耐久性、尤其是耐酸性，優選使SiA 和Al2O3的總含量大于等于70%。從進一步提高耐酸性方面出發，優選使所述總含量大于等于75%，進一步優選大于等于76%。考慮到玻璃的熔融性，優選使SW2和Al2O3的總含量小于等于85%，更優選小于等于80%。從改善玻璃穩定性方面出發，SiO2的含量優選大于等于50%，更優選大于等于 60%,進一步優選大于等于62%，更進一步優選大于等于65%。但是，如果過量導入SiO2, 則會在玻璃中產生未熔解物，因此優選使S^2量小于等于75%，更優選小于等于72%，進一步優選小于等于70%。如果加工存在未熔解物的玻璃而制造基板，則有時未熔解物的一部分會露出到基板表面，形成突起。有這樣的突起的基板無法用作要求高平滑性的信息記錄介質用基板。因此，信息記錄介質用基板使用的玻璃的熔融性成為重要的特性。Al2O3的含量優選的范圍大于0%，更優選的范圍大于等于3%，進一步優選的范圍大于等于5 %，更進一步優選的范圍大于等于7 %。但是，如果過量導入Al2O3，則會降低玻璃的熔融性，因此Al2O3的含量優選小于等于15%，更優選小于等于12%。從兼顧化學耐久性、尤其是耐堿性的改善和熔融性的維持方面出發，ZrO2, HfO2, Nb205>Ta2O5,La2O3^Y2O3 以及的總含量與 Li20、N￡i20、K20、Mg0、CaO、SrO 以及 BaO 的總含量的摩爾比((Ζι 2+Η 2+Ν 3205+ ^205+Ι^203+103+ 02) / (Li20+Na20+K20+Mg0+Ca0+Sr0+Ba0)) 優選大于等于0.035。所述摩爾比優選的范圍大于等于0.040。如果所述摩爾比過大，則會顯示出熔融性降低或玻璃穩定性降低的傾向，因此所述摩爾比優選小于等于0. 18，更優選小于等于0. 15，進一步優選小于等于0. 13，更進一步優選小于等于0. 12。MgO具有提高熔融性、剛度以及硬度、增大熱膨脹系數的作用。另外，通過使其與 CaO共存，也有提高玻璃的穩定性的效果。但是，由于過量導入會降低化學耐久性，因此其含量優選大于等于0%且小于5%。優選MgO含量小于3%，更優選小于等于2%。MgO含量優選的下限為0. 1%，更優選的下限為0. 3%，進一步優選的下限為0. 5%。CaO具有提高熔融性、剛度以及硬度、增大熱膨脹系數、適量導入會改善耐失透性的作用。但是，由于過量導入會降低化學耐久性，因此其含量優選0 5%。CaO含量更優選的下限為0. 1%，進一步優選的下限為0. 5%，更優選的上限為4%，進一步優選的上限為 3 % οSrO和BaO也具有提高熔融性、增大熱膨脹系數的作用。但是，由于SrO和BaO的添加，而有化學耐久性降低、玻璃的比重增加、原料成本增加的傾向。因此，SrO和BaO的總含量優選為0 5%，更優選為0 2 %，進一步優選為0 1%。SrO的含量優選的范圍為 0 2%，更優選的范圍為0 1%，進一步優選不導入SrO。BaO的含量優選的范圍為0 2%，更優選的范圍為0 1%，進一步優選不導入BaO。
綜合以上的觀點，玻璃IV更優選的方式是以mol表示包含大于等于3%的A1203、 總量大于等于8%的Li20、N￡i20、K20、Mg0、Ca0、Sr0及BaO、以及總量大于0%且小于等于5% 的Mg0、Ca0、Sr0及BaO的玻璃，并且進一步優選如上所述分配了堿金屬氧化物、堿土金屬氧化物的各成分的量的玻璃。另外，也可以根據需要向玻璃IV中添加Sb2O3、SnO2、Ce&等澄清劑，但是在通過浮動法使玻璃成形的情況下，不優選添加Sb2O3，而優選添加SnO2、CeO2,更優選添加SnO2。[玻璃V]玻璃V是如下的供信息記錄介質用基板使用的玻璃，包含從由Si02、A1203、Li2O, Na2O以及K2O構成的組中選出的一種以上的堿金屬氧化物、從由MgO、CaO, SrO以及BaO構成的組中選出的一種以上的堿土金屬氧化物、以及從由&02、HfO2, Nb2O5, Ta2O5, La203> Y2O3 以及TiO2構成的組中選出的一種以上的氧化物，并且具有當浸在保持為50°C的0. 5Vol%的硅氟酸(H2SiF)水溶液中的情況下腐蝕速率小于等于3. Onm/分的耐酸性；以及當浸在保持為50°C的1質量％的氫氧化鉀水溶液中的情況下腐蝕速率小于等于 0. Inm/分的耐堿性。 玻璃V同時具有優良的耐酸性和耐堿性，因此由玻璃V構成基板，通過酸處理去除了作為玻璃表面的污物的有機物之后，通過堿處理防止異物的附著，由此能夠得到維持優良的平滑性且非常清潔的狀態的基板。另外，上述玻璃V具有如下的耐酸性，S卩當浸在保持為50°C的0.5% (Vol% )的硅氟酸(H2SiF)水溶液中的情況下腐蝕速率小于等于3. Onm/分，更優選小于等于2. 5nm/ 分，進一步優選小于等于2. Onm/分，尤其優選小于等于1. Snm/分。并且，上述玻璃V具有如下的耐堿性，即當浸在保持為50°C的1質量％的氫氧化鉀水溶液中的情況下腐蝕速率小于等于0. Inm/分，更優選小于等于0. 09nm/分，進一步優選小于等于0. OSnm/分。在本發明中，腐蝕速率通過每單位時間削去的玻璃表面的深度來定義。例如，在為玻璃基板的情況下，腐蝕速率為每單位時間削去的玻璃基板的深度。對于上述腐蝕速率的測定方法，沒有特別的限定，但是例如可以列舉出以下的方法。首先，將上述玻璃V加工成基板形狀(平板狀)，之后，為了制造不被腐蝕的部分而對上述玻璃基板的一部分實施遮蔽 (mask)處理，將該狀態的玻璃基板浸在上述硅氟酸水溶液或氫氧化鉀水溶液中。然后，在浸漬了單位時間后，將玻璃基板從上述各水溶液中提出，求出實施了遮蔽處理的部分與未實施的部分的差量(腐蝕之差)。由此可以求出每單位時間的腐蝕量(腐蝕速率)。以下，只要沒有特殊記載，在玻璃V的說明中，各成分的含量、總含量以mol %表示，含量之間的比率以摩爾比表示。玻璃V是氧化物玻璃，各成分的含量以換算成氧化物的值來表示。玻璃V優選的方式是鋁硅酸鹽玻璃，并且是SiO2的含量大于等于50%且SW2和 Al2O3的總含量大于等于70%的玻璃。SiO2是作為鋁硅酸鹽玻璃的上述玻璃的網目形成成分，并且是具有以下的作用的必須成分，即提高玻璃穩定性、化學耐久性尤其是耐酸性，降低基板的熱擴散，提高由輻射引起的基板的加熱效率。
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Al2O3也有助于玻璃的網目形成，具有提高玻璃穩定性、化學耐久性的作用。在上述玻璃中，為了改善玻璃穩定性且提高化學耐久性、尤其是耐酸性，優選使 SiO2和Al2O3的總含量大于等于70%。從進一步提高耐酸性方面出發，優選使所述總含量大于等于75%，進一步優選大于等于76%。考慮玻璃的熔融性，優選使SiO2和Al2O3的總含量小于等于85%，更優選小于等于80%。從改善玻璃穩定性且進一步提高耐酸性方面出發，SiO2的含量優選大于等于 50 %，更優選大于等于55 %，進一步優選大于等于60 %，再進一步優選大于等于63 %，更進一步優選大于等于65%。但是，如果過量導入SiO2,則在玻璃中會產生未熔解物，因此優選 SiO2量小于等于75%，更優選小于等于72%，進一步優選小于等于70%。如果加工存在未熔解物的玻璃而制造基板，則有時未熔解物的一部分會露出到基板表面，形成突起。有這樣的突起的基板無法用作要求高平滑性的信息記錄介質用基板。因此，信息記錄介質用基板使用的玻璃的熔融性成為重要的特性。玻璃V作為玻璃成分包含從由Li20、Na2O以及K2O構成的組中選出的一種以上的堿金屬氧化物、從由MgO、CaO、SrO以及BaO構成的組中選出的一種以上的堿土金屬氧化物、 以及從由&02、HfO2, Nb2O5, Ta2O5, La203> Y2O3以及TW2構成的組中選出的一種以上的氧化物。優選的是具有如下組成，即所述堿金屬氧化物和所述堿土金屬氧化物的總含量大于等于8mol%，所述氧化物(ZrO2、HfO2、Nb2O5、Tei2O5、Lei2O3 J2O3以及TiO2)的總含量與所述堿金屬氧化物和所述堿土金屬氧化物的總含量的摩爾比((ZiO2+Hf02+Nb205+Ta205+La203+Y203+Ti O2) / (Li20+Na20+K20+Mg0+Ca0+Sr0+Ba0))大于等于 0. 0；35。在上述鋁硅酸鹽玻璃中，Si02*Al203的總量含有得比較多。為了維持熔融性，而包含從由Li20、N￡i20以及K2O構成的組中選出的一種以上的堿金屬氧化物和從由Mg0、Ca0、 SrO以及BaO構成的組中選出的一種以上的堿土金屬氧化物。堿金屬氧化物和堿土金屬氧化物均是對增大熱膨脹系數使其成為適于信息記錄介質用基板尤其是磁記錄介質用基板的范圍有益的成分。但是，這些成分會顯示出使化學耐久性降低的作用，因此導入從由提高化學耐久性、尤其是耐堿性的作用強的Zr02、Hf02、Nb205、T￡i205、L￡i203、A03以及TW2構成的組中選出的一種以上的氧化物。但是，如果過量地導入ZrO2、HfO2、Nb2O5、Tei2O5、Lei2O3 J2O3以及TiO2，則會降低熔融性或者降低玻璃穩定性，因此優選通過與堿金屬氧化物和堿土金屬氧化物的平衡來確定導入量。具體地說，優選Zr02、HfO2, Nb2O5, Ta2O5, La203> Y2O3以及TW2 的總含量與 Li20、Na2O, K2O, MgO、CaO、SrO 以及 BaO 的總含量的摩爾比((ZiO2+Hf02+Nb205+T a205+La203+Y203+Ti02) / (Li20+Na20+K20+Mg0+Ca0+Sr0+Ba0))優選大于等于 0. 0；35。所述摩爾比更優選的范圍大于等于0. 040。如果所述摩爾比過大，則顯示出熔融性降低或玻璃穩定性降低的傾向，因此所述摩爾比優選小于等于0. 18，更優選小于等于0. 15，進一步優選小于等于0. 13，更進一步優選小于等于0. 12。從進一步提高化學耐久性尤其是耐堿性方面出發，ZrO2, HfO2, Nb2O5, Ta2O5, La2O3^ Y2O3以及TiA的總含量優選大于等于ο. 3 %，更優選大于等于0. 5 %，進一步優選大于等于 0.7%。另一方面，從良好地維持熔融性、玻璃穩定性方面出發，所述總含量優選小于等于 4%,更優選小于等于3%，進一步優選小于等于2%，更進一步優選小于等于1.5%。玻璃V 中的 ZrO2、HfO2、Nb2O5、Tei2O5、Lei2O3 J2O3 以及 TW2 的含量的詳細情況和 ^O2 的含量與灶02、HfO2, Nb2O5, Ta2O5, La203> Y2O3 以及 TiR 的總含量的摩爾比(ZrO2/ (Zr02+Hf02+Nb205+Ta205+La203+Y203+Ti02))如前面玻璃 I 中所述。玻璃V優選的方式是含有Li2O和Nei2O的至少一者，且Li2O和Nei2O的總含量小于等于對％，優選限制為小于等于22%的玻璃，Li2O和Na2O是進一步提高熔融性的成分，在對玻璃V進行化學強化時，也需要Li2O和Na20。并且，提高熱膨脹系數而賦予適合于信息記錄介質用基板尤其是磁記錄介質用基板的熱膨脹特性的作用也很大。從得到通過混合堿效應來降低、防止堿金屬成分的析出的效果出發，優選將Li2O 和Na2O作為玻璃成分而導入。但是，如果過量地導入Li2O和Na2O,則會顯示出化學耐久性降低的傾向，因此Li2O和妝20的總含量優選限制為小于等于，更優選限制為小于等于
22 % ο另外，從更進一步提高化學耐久性且降低、防止從玻璃基板中析出堿金屬離子方面出發，Li2O和Nii2O的總含量優選限制為小于等于22%。玻璃V中的Li2O和Na2O的含量、Li2O量與Na2O量的摩爾比(Li20/Na20)以及K2O 的含量的詳細情況如前面玻璃I中所述。MgO具有提高熔融性、剛度以及硬度、增大熱膨脹系數的作用。另外，通過使其與 CaO共存，也有提高玻璃的穩定性的效果。并且，還具有減少化學強化時的離子交換速度的作用，因此如果適量導入還能夠控制離子交換速度，以不降低平坦性。但是，由于過量導入會降低化學耐久性，因此其含量優選大于等于0%且小于5%。MgO含量的優選小于3%， 更優選的上限為2%，優選的下限為0. 1%，更優選的下限為0. 3%，進一步優選的下限為 0. 5%。CaO具有提高熔融性、剛度、硬度、增大熱膨脹系數、適量導入會改善耐失透性的作用。并且，與MgO相同，也具有控制化學強化時的離子交換速度的作用。但是，由于過量導入會降低化學耐久性，因此其含量優選0 5%。CaO含量更優選的下限為0. 1%，進一步優選的下限為0. 5%，更優選的上限為4%，進一步優選的上限為3%。SrO和BaO也具有提高熔融性、增大熱膨脹系數的作用。但是，由于SrO和BaO的添加，而有化學耐久性降低、玻璃的比重增加、原料成本增加的傾向。因此，SrO和BaO的總含量優選為0 5%，更優選為0 2 %，進一步優選為0 1%。SrO的含量優選的范圍為 0 2%，更優選的范圍為0 1%，進一步優選不導入SrO。BaO的含量優選的范圍為0 2%，更優選的范圍為0 1%，進一步優選不導入BaO。綜合以上的觀點，玻璃V更優選的方式是以mol表示包含60 75%的Si02、3 15% 的 Al2O3、總量為 0. 3 4% 的 ZrO2, HfO2, Nb2O5, Ta2O5, La203> Y2O3 以及 TiO2 的玻璃，并且進一步優選如上所述分配了堿金屬氧化物、堿土金屬氧化物的各成分的量的玻璃。另外，也可以根據需要向玻璃V中添加SId2O3、SnO2, CeO2等澄清劑，但是在通過浮動法使玻璃成形的情況下，不優選添加Sb2O3，而優選添加SnO2、CeO2,更優選添加SnO2。[玻璃 VI、VII]玻璃VI是如下的供信息記錄介質用基板使用的玻璃，當以質量％表示時，包含57 75% 的 SiO2;5 20%的Al2O3,其中，SiOjnAl2O3的總量大于等于74% ；總量大于0%且小于等于 6% 的&02、!1 )2、Nb205、Ta205、La203J203 以及 TiR ；大于且小于等于9%的Li2O ；
5 18%的Na2O,其中，質量比Li20/N￡i20小于等于0. 5 ；0 6%的1(20;0 4% 的 MgO;大于0%且小于等于5%的CaO，其中，MgO和CaO的總量小于等于5%且CaO的含量比MgO的含量多；以及總量為0 3% 的 SrO, BaO ；玻璃VII是如下的供信息記錄介質用基板使用的玻璃，當以質量％表示時，包含57 75% 的 SiO2;5 20%的Al2O3,其中，SiOjPAl2O3的總量大于等于74% ；大于0%且小于等于5. 5%的&02 ；大于且小于等于9%的Li2O ；5 18%的Na2O,其中，質量比Li20/N￡i20小于等于0. 5 ；0 6%的1(20;0 4% 的 MgO;大于0%且小于等于5%的CaO，其中，MgO和CaO的總量小于等于5%且CaO的含量比MgO的含量多；總量為0 3%的SrO、BaO ；以及0 的 Ti02。根據玻璃VI和VII，可以提供化學耐久性高、清洗后也具有優良的表面平滑性的信息記錄介質用基板。在玻璃VI中，通過總含量來規定&02、Hf02、Nb205、Ta205、La203 J2O3以及TiO2，在玻璃VII中，分別各自規定&02、Ti&的含量，而其他方面是相同的，因此以下對玻璃VI、VII 的組成一起進行詳細說明。玻璃VI、VII均是氧化物玻璃，各成分的含量以換算成氧化物的值來表示。只要沒有特殊記載，在玻璃VI、VII的說明中，玻璃成分的含量、所述含量的總量以質量％表示，含量之比用質量比表示。SiO2是玻璃的網目形成成分，并且是具有以下作用的必須成分，即提高玻璃穩定性、化學耐久性尤其是耐酸性，降低基板的熱擴散，提高由輻射引起的基板的加熱效率。如果其含量小于57%，則難以得到上述效果，從而達到上述目的。另一方面，如果大于75%， 則熔融性降低，玻璃中會產生未熔解物。因此，使S^2的含量為57 75%，優選為63 70%，更優選為63 68%。Al2O3也有助于玻璃的網目形成，具有提高玻璃穩定性、化學耐久性的作用。如果其含量小于5%，則難以得到上述效果，而如果大于20%，則熔融性降低，玻璃中會產生未熔解物。因此，使Al2O3的含量為5 20 %，優選為7 20 %，更優選為11 20 %，進一步優選為12 20%，再進一步優選為13 20%，更進一步優選為13 18%，再更進一步優選為13 16%。SiO2和Al2O3可以相互置換，但是從良好地維持玻璃穩定性和化學耐久性方面出發，使SiA和Al2O3的總含量大于等于74%。所述總量優選的范圍大于等于76%，更優選的范圍大于等于78%，進一步優選的范圍為大于79%的范圍，更進一步優選大于等于80%。在玻璃VI中，&02、HfO2, Nb2O5, Ta2O5, La203> Y2O3以及TW2是提高化學耐久性、尤其是耐堿性、提高剛度、韌性的成分。因此，使&02、HfO2, Nb2O5, Ta2O5, La203> Y2O3以及TW2 的總含量大于0%。但是，如果上述總含量大于6%，則玻璃穩定性降低、熔融性降低或比重增大，因此使&02、HfO2, Nb2O5, Ta2O5, La203> Y2O3以及TiR的總含量大于0%且小于等于 6%。所述總含量優選的范圍小于等于5. 5%，更優選的范圍小于等于4%，進一步優選的范圍小于等于3%。所述含量優選的下限為0. 1 %，更優選的下限為0. 2%，進一步優選的下限為0.5%，更進一步優選的下限為1%，再更進一步優選的下限為1.4%。ZrO2,HfO2,Nb2O5,Ta2O5,La2O3>Y2O3 以及 TW2 中，包含 TW2 的玻璃浸在水中時，玻璃表面有時會附著玻璃與水的反應生成物，因此對于耐水性而言，其他成分較為有利。因此， 從維持耐久性方面出發，TiA的含量優選為0 1 %，更優選為0 0. 5%，進一步優選為不導入Ti02。HfO2、Nb2O5、Tei2O5以及Lei2O3會增大玻璃的比重，增加基板的重量，因此從使基板輕量化方面出發，優選使Hf02、Nb2O5, Ta2O5以及Lii2O3的總含量為0 3%的范圍，更優選為 0 2%的范圍，進一步優選為0 的范圍，更進一步優選不導入。Hf02、Nb205、Tei2O5以及La2O3各自優選的含量為0 3 %，更優選的含量為0 2 %，進一步優選為0 1 %，尤其優選不導入。從維持玻璃穩定性、且得到上述期望的效果方面出發，優選使IO3的含量為0 2%的范圍，更優選為0 的范圍。進一步優選不導入&03。ZrO2具有很強的提高化學耐久性、尤其是耐堿性的作用，并且具有提高剛度、韌性且提高化學強化的效率的作用。另外，與IO3相比，原料成本便宜，因此優選使^O2的含量與ZrO2, HfO2, Nb2O5, Ta2O5, La203> Y2O3以及TiO2的總含量的質量比為0. 8 1的范圍，更優選為0.9 1的范圍，進一步優選為0. 95 1，更進一步優選為1。在玻璃VII中，ZrO2是具有即便導入微量也可以提高化學耐久性、尤其是耐堿性、 提高剛度、韌性且提高化學強化的效率的作用的必須成分。但是，如果在被薄壁化的基板中過多地導入，則化學強化的效率會變得過高，形成過剩的壓縮應力層，容易產生基板的彎曲。因此，使&02的含量大于0%且小于等于5.5%。含量優選的范圍為0. 1 5. 5%。含量優選的下限為0. 2 %，更優選的下限為0. 5%，進一步優選的下限為1%， 更進一步優選的下限為1.4%，優選的上限為5%，更優選的上限為4%，進一步優選的上限為3%。Li2O, Na2O以及K2O這樣的堿金屬氧化物具有提高玻璃的熔融性并且提高熱膨脹系數、賦予適合于信息記錄介質用基板尤其是磁記錄介質用基板的熱膨脹特性的作用。在玻璃VI、VII中，上述堿金屬氧化物中，Li2O, Na2O為必須成分，K2O為任意成分。Li2O是除了上述作用以外還有助于化學強化時的離子交換的成分。導入多于1%。 但是，由于過量導入化學耐久性會降低，因此使其含量大于且小于等于9%。Li2O含量優選的下限為1.5%，更優選的下限為2%，優選的上限為7%，更優選的上限為5%，進一步優選的上限為4. 5%，更進一步優選的上限為4. 0%。Na2O也是除了上述作用以外還有助于化學強化時的離子交換的成分。導入大于等于5%。但是，如果導入大于18%則化學耐久性會降低，因此使其含量為5% 18%。Nii2O 含量優選的下限為6%，更優選的下限為7%，進一步優選的下限為8%，更進一步優選的下限為9%，優選的上限為17%，更優選的上限為16%，進一步優選的上限為15%。
但是，使Li2O量與Na2O量的比例(Li20/Na20)小于等于0. 5，優選小于等于0. 45，更優選小于等于0. 4，進一步優選小于等于0. 38。直接有助于化學強化時的離子交換的玻璃成分是Li2O和Na2O,在熔融鹽中，有助于離子交換的堿離子是Na離子和/或K離子。隨著化學強化處理的基板的個數增加，熔融鹽中的Li離子濃度也會增加，如果大量地處理(Li2O/ Na2O)大于0. 5的玻璃，則熔融鹽中的Li離子濃度會顯著上升，有助于離子交換的堿離子和無助于離子交換的堿離子的平衡從處理開始時就會發生很大變化。結果，隨著處理個數變多，處理開始時最佳的處理條件會偏離最佳范圍，如上所述，根據基板而形狀會產生偏差， 從而導致中心孔的內徑尺寸公差變大，并且也會產生壓縮應力層的形成不充分或者基板產生彎曲等問題。為了解決這樣的問題，將Li2CVNa2O設定在上述范圍。另外，從通過混合堿效應來降低、防止堿金屬成分的析出方面出發，優選均包含Li2O和Nii2O的玻璃。K2O也有作為所述堿金屬氧化物的作用，但是如果導入大于6 %，則化學耐久性會降低，因此使其含量為0 6 %，優選為0 3 %，更優選為0 2 %，進一步優選為0 1 %， 更進一步為0. 1 0. 9%。另外，如果少量導入K20，則在對多個基板進行化學強化時，有降低基板之間的壓縮應力層的離散的效果。從降低從基板中析出堿金屬成分且進一步提高化學耐久性方面出發，Li2CKNa2O以及K2O的總含量優選小于等于24mol %，更優選小于等于22mol %。MgO具有提高熔融性、剛度以及硬度、增大熱膨脹系數的作用。另外，通過使其與 CaO共存，也有提高玻璃的穩定性的效果。并且，還有減少化學強化時的離子交換速度的作用，因此如果適量導入也能夠控制離子交換速度，以不降低平坦性。但是，如果導入大于 4%，則會降低化學耐久性，因此使其含量為0 4%。MgO含量的優選下限為0. 1%，更優選的下限為0. 2%，優選的上限為3. 5%。CaO具有提高熔融性、剛度和硬度、增大熱膨脹系數、適量導入會改善耐失透性的作用。并且，與MgO相同，也具有控制化學強化時的離子交換速度的作用。但是，如果導入大于5%，則會降低化學耐久性，因此使其含量大于0%且小于等于5%。CaO含量優選的下限為0. 1 %，更優選的下限為0. 3%，進一步優選的下限為0. 5%，更進一步優選的下限為1 %， 優選的上限為4%，更優選的上限為3. 5%。另外，如果MgO和CaO的總含量大于5 %，則會降低化學耐久性，因此使MgO和CaO 的總量小于等于5%，優選小于等于4.5%，更優選小于等于4%。并且，為了改善耐失透性，使CaO的含量比MgO的含量多。從進一步提高化學耐久性方面出發，優選使MgO和CaO 作為玻璃成分而共存。并且，使MgO量與CaO量的比例(MgO/CaO)為0. 1 0. 9，更優選為 0. 3 0. 7，由此能夠更進一步提高化學耐久性，也能夠提高玻璃穩定性。Sr0、Ba0也具有提高熔融性、增大熱膨脹系數的作用，但是，會使化學耐久性降低， 玻璃的比重會增加，原料成本也會增加，因此使SrO、BaO的總含量為0 3%，優選為0 2%，更優選為0 1%。進一步優選不導入SrO。對于BaO也進一步優選不導入。在玻璃VII中，TiO2具有提高剛度的作用，但是由于過量導入會降低耐水性，因此使其含量為0 1%，優選為0 0.5%，更優選為不導入。在玻璃VI中的TiO2含量如前所述。ZnO也具有提高熔融性等與堿土金屬氧化物相同的作用，但是，由于過量導入會降低耐失透性。另外，有揮發性，在玻璃熔融時有時會侵蝕耐火物，因此其含量例如小于1%，優選為0 0. 9%，更優選為0 0. 5 %，進一步優選不導入。B2O3具有提高熔融性的作用，但有揮發性，在玻璃熔融時有時會侵蝕耐火物，因此其含量例如小于2 %，優選為0 1. 5 %，更優選為0 1 %，進一步優選為0 0. 4%，更進一步優選不導入。在玻璃VI中，為了增大剛度、提高化學耐久性，可以導入GdJb、Er、Nd、Dy、HoJm、 Tb、Rn、Pr。但是，如果過量導入，則會降低耐失透性或者比重和原料成本也會增加，因此其總含量例如小于2%，優選為0 1.8%，更優選為0 1.5%，進一步優選為0 1%，再進一步優選為0 0.8%。更進一步優選不導入。Ln2O3是鑭系金屬氧化物，玻璃VII中的含量為玻璃中所包含的鑭系金屬氧化物的總量。Ln2O3具有提高剛度、提高化學耐久性的作用，因此也可以以增大剛度、提高化學耐久性的目的導入。作為Ln，可以列舉出La、Gd、YJb、Er、Nd、Dy、Ho、Tm、Tb、Pm、Pr。但是，如果過量導入，則會降低耐失透性，或者比重和原料成本也會增加，因此其含量例如小于2%，優選為0 1.8%，更優選為0 1.5%，進一步優選為0 1%，再進一步優選為0 0.8%。 更進一步優選不導入。也可以將Sb2O3、Aii2O3、SnO2、CeA作為澄清劑而導入。但是，As2O3會增加對環境的負擔，因此尤其在經由浮動法制造基板的情況下優選不使用。與As2O3相同，SId2O3在經由浮動法制造基板的情況下也應該避免使用。但是，在通過模壓成形或澆鑄成形來制造作為基板的母材的玻璃成形品的情況下可以作為有效的澄清劑而使用。其添加量例如為0 1 %，優選為0 0. 7 %。與SId203、As2O3不同，Sn02、CeO2在經由浮動法制造基板的情況下也可以使用。其添加量例如為0 1.0%，優選為0 0.7%。在玻璃VII中，對于Al2O3和^O2的含量，優選考慮以下方面。如果大致區分玻璃 VII中的成分，可以分為Si02、Al203、Zr02、堿金屬氧化物、堿土金屬氧化物、及其他。SW2需要分配提高化學耐久性、提高基板的加熱效率所需要的量。對于堿金屬氧化物，為了調整膨脹系數、提高熔融性、進行化學強化，而分配必要量，對于堿土金屬氧化物，為了調整膨脹系數、提高熔融性、控制化學強化進行的速度，而分配必要量。對于剩下的A1203、ZrO2,從提高耐堿性且提高耐失透性方面出發，Al2O3含量與含量的比例(Al203/Zr02)優選小于等于 160，更優選小于等于100，進一步優選小于等于50，更進一步小于等于20。在玻璃I VII的含有SiA的方式中，可以通過使SiA的含量大于等于預定量來降低玻璃的熱擴散。在磁記錄介質等信息記錄基板中，在真空室內，通過濺射將包含信息記錄層的膜形成在基板上。因此，基板的加熱優選通過輻射來進行。如果由熱擴散小的玻璃構成基板，則吸收紅外線，熱量難以從發熱的基板中擴散，因此能夠提高加熱效率。并且，在葉片式成膜裝置中，將多個基板同步依次送往下一工序進行成膜，因此如果加熱位置加熱效率低，則該工序會降低整個工序的生產率。因此，在高的生產率之下制造信息記錄介質也優選提高基板的加熱效率。在玻璃I VII中，不僅降低基板的熱擴散，將吸收紅外線的添加物導入到玻璃中來玻璃的紅外線吸收也是有效的。作為這樣的紅外線吸收添加劑，可以例示出Fe、Cu、Co、 Yb、Mn、Nd、Pr、V、Cr、Ni、Mo、Ho、Ει·、 。 Fe、Cu、Co、Yb、Mn、Nd、Pr、V、Cr、Ni、Mo、Ho、Er 在玻璃中作為離子而存在，但是如果這些離子被還原，則有可能在玻璃中或表面上析出，從而損害基板表面的平滑性，因此其總含量應抑制在O 1%，優選為0 0. 5%，更優選為 0 0. 2%。！^e的導入量換算成!^e2O3，則優選小于等于1 %，更優選小于等于0. 5%，進一步優選小于等于0. 2 %，再進一步優選小于等于0. 1 %，更進一步優選小于等于0. 05 %。優選的下限量為0.01%，更優選的下限量為0.03%。尤其優選的范圍為0.03 0.02%。在使用上述添加劑的情況下，優選導入紅外線吸收大的狗。總之，這些添加劑導入微量就能夠得到效果，因此也可以使用包含作為雜質的這些添加劑的玻璃原料、例如硅原料。但是，即便是雜質也要求其量恒定，因此在選定原料時應留意上述方面。另外，狗與構成玻璃的熔融容器的一部分、攪拌棒、以及用于玻璃流動的管的鉬或鉬合金合金化而損壞所述容器、攪拌棒、管，因此在使用這些器具的情況下，優選抑制狗的添加量。在這樣的情況下，更優選不導入Fe2O3OPbO對環境的影響大，并會增加玻璃的比重，因此優選不導入。上述玻璃VI和VII由作為基本玻璃成分的Si02、A1203、ZrO2, Li2O, Na2O, K2O, MgO 以及CaO、以及根據需要而添加的澄清劑的成分而構成。由于添加上述成分以外的成分會增加比重或原料成分會上升等顯示出偏離最優的玻璃的傾向，因此優選使Si02、A1203、ZrO2, Li2O, Na2O, K2O, MgO以及CaO的總含量為99%以上，更優選實質上由上述成分構成。下面對所述玻璃I VII的制造方法進行說明。首先，為了得到需要的組成，而稱量氧化物、碳酸鹽、硝酸鹽、硫酸鹽、氫氧化物等玻璃原料，進行混合，成為調合原料。在耐火物爐內加熱該原料，例如在1400 1600°C的溫度內進行熔融、澄清、均勻化。這樣地制造出不含泡或未熔解物的均勻的熔融玻璃，并流出，成形為預定形狀，由此能夠得到所述玻璃。并且，本發明涉及對本發明的信息記錄介質基板用玻璃實施化學強化處理而得到的用于供信息記錄介質用基板使用的化學強化玻璃。上述化學強化玻璃具有前面說明的本發明的信息記錄介質基板用玻璃的特征。并且，如前面說明的那樣，根據本發明的信息記錄介質基板用玻璃，通過化學強化處理，能夠避免基板的形狀產生離散、基板的中心孔的內徑尺寸公差變大的問題。因而，通過對本發明的信息記錄介質基板用玻璃進行化學強化處理而得到的化學強化玻璃適合作為中心孔的內徑尺寸公差小、被高記錄密度化的信息記錄介質用基板。并且，通過實施化學強化處理而具有化學強化層，不但可以在信息記錄介質的制造、出廠過程中有效防止基板的破損，也能夠提高組裝到裝置后的可靠性。玻璃I VII的化學強化通過將例如加工成圓盤形狀的玻璃浸在堿熔融鹽中來進行。作為熔融鹽，可以使用硝酸鈉熔融鹽、硝酸鉀熔融鹽、或者所述二種熔融鹽的混合物。另外，如下地進行化學強化處理，即通過使玻璃基板與化學強化處理液(熔融鹽)接觸，將玻璃基板中所包含的一部分離子置換成比該化學強化處理液中所包含的上述離子大的離子， 對該玻璃基板進行化學強化。如果將玻璃浸在熔融鹽中，則玻璃表面附近的Li離子與熔融鹽中的Na離子、K離子進行離子交換，玻璃表面附近的Na離子與熔融鹽中的K離子進行離子交換，在基板表面形成壓縮應力層。另外，化學強化時的熔融鹽溫度優選成為玻璃的應變點高且比玻璃轉移溫度低、熔融鹽不會熱分解的溫度范圍。由于熔融鹽反復地使用，因此熔融鹽中的各堿離子濃度逐漸變化，并且Li、Na以外的玻璃成分也會熔解少許。結果，如上所述，處理條件偏離最佳范圍。如上所述可以通過調整構成基板的玻璃組成，來降低由這樣的熔融鹽的經時變化引起的化學強化的離散，而也可以通過將熔融鹽中的K離子的濃度設定得很高，來降低上述離散。另外，實施化學強化處理可以通過以下方法進行確認，即通過巴俾涅法來觀察玻璃的截面(切開處理層的面)而進行確認的方法；從玻璃表面測定堿離子 (例如，Li+、Na+、K+)的深度方向的分布的方法等。并且，本發明涉及通過所述玻璃I VII中的某一種構成的信息記錄介質用玻璃基板。本發明的信息記錄介質用玻璃基板如上所述由化學耐久性優良的玻璃I VII構成，因此在為了去除異物而進行清洗之后也能夠維持高的表面平滑性。并且，本發明的信息記錄介質用玻璃基板在化學強化處理后基板的形狀的離散少，因此中心孔的內徑尺寸公差變小，適合作為被高記錄密度化的信息記錄介質用基板。根據本發明，能夠得到例如滿足當前的內徑尺寸公差規格(士0. 025mm以內)的信息記錄介質，并且也能夠得到可與內徑尺寸公差士0. OlOmm以內這樣的更嚴的規格相對應的信息記錄介質。另外，根據例如如玻璃V那樣堿金屬成分的析出少的玻璃，能夠得到由化學強化弓I起的堿析出少、耐沖擊性優良的基板。作為信息記錄介質用基板的耐沖擊性的指標，一般使用抗折強度。根據本發明的信息記錄介質基板用玻璃，能夠得到具有例如IOkg以上、優選15kg以上，進一步20kg以上的抗折強度的信息記錄介質用玻璃基板。抗折強度可以作為如圖2所示在配置于保持器上的基板的中心孔放置鋼球、通過測力傳感器施加載荷、基板破壞時的載荷值而求出。可以使用例如抗折強度測定試驗機(島津才一卜^，7 (autograph)DDS-2000)進行測定。信息記錄介質根據記錄再現方式而有磁記錄介質、光磁記錄介質、光記錄介質等。 其中，作為要求高度的平坦性、平滑性的磁記錄介質用基板，本發明的基板尤為適用。磁記錄介質被稱為磁盤、硬盤等，適合于臺式電腦、服務器用計算機、筆記本電腦、移動電腦等的內部存儲裝置(固定盤等)、記錄再現圖像和/或語音的移動記錄再現裝置的內部存儲裝置、車載音響的記錄再現裝置等。對于本發明的基板，例如厚度小于等于1. 5mm，優選小于等于1. 2mm，更優選小于等于1mm，下限優選為0. 3mm。這樣薄壁化的基板通過通過化學強化容易產生彎曲，但是本發明的玻璃尤其是玻璃VI、VII通過各成分的平衡而被調整到難以產生因化學強化引起的彎曲的范圍，因此即便是進行化學強化處理后也能夠得到平坦性優良的薄壁基板。另外，本發明的基板為圓盤狀(disk狀)，中心部具有開口(中心孔)。根據本發明的玻璃，能夠降低化學強化處理后基板的形狀的離散，因此能夠批量生產中心孔的內徑尺寸公差小的圓盤狀基板。并且，本發明涉及信息記錄介質用玻璃基板的制造方法，該制造方法包括鏡面研磨工序，對本發明的信息記錄介質基板用玻璃進行鏡面研磨；以及清洗工序，在進行完鏡面研磨之后，實施酸清洗和堿清洗。所述制造方法適于作為本發明的基板的制造方法。以下， 對其具體的方式進行說明。首先，向耐熱性的模具澆鑄熔融玻璃，使圓柱狀的玻璃成形，進行退火后通過無心加工等對側面進行磨削，接著以預定厚度切成薄片，制造出薄壁圓盤狀的基板坯料。或者切斷流出的熔融玻璃，得到需要的熔融玻璃塊，將其在模壓成形模具中模壓成形，制造出薄壁圓盤狀的基板坯料。并且，將熔融玻璃流到浮槽，成形為片狀，進行退火后，挖出圓盤狀的基板坯料，制造出基板坯料。在這樣制造出的基板坯料設置中心孔，或者實施內外周加工、研磨、拋光，做成圓盤狀基板。然后，使用酸、堿等清洗劑對基板進行清洗、洗涮，之后使其干燥，根據需要實施上述的化學強化。另外，也可以在鏡面研磨加工工序后且清洗工序前進行化學強化處理。在上述的一連串的工序中，基板被暴露于酸、堿、水中，但是本發明的信息記錄介質基板用玻璃具有優良的耐酸性、耐堿性、耐水性，因此基板表面不會粗糙而能夠得到具有平坦且平滑的表面的基板。以下，對做出提高平滑性且附著物少的基板進行詳細說明。對于信息記錄介質用玻璃基板(磁盤用玻璃基板)，如上所述通過實施研磨、拋光來形成基板表面(主表面)的表面形狀，所述基板表面是用于記錄信息的面。但是，例如在拋光中，剛實施完拋光(鏡面研磨加工)后的上述主表面存在研磨磨粒或附著物。為了去除它們，在實施完鏡面研磨加工后，需要清洗上述主表面。另外，例如在實施完鏡面研磨加工后進行化學強化處理的情況下，通過該化學強化處理，而主表面的表面形狀會發生變化， 并且強化鹽會附著在上述主表面上，因此需要清洗。作為該清洗，列舉出酸清洗和/或堿清洗，很多情況下進行這兩種清洗。此時，如果信息記錄介質用玻璃基板的耐酸性和耐堿性差，則由于清洗會導致基板表面粗糙。另一方面，在為了防止由于清洗使基板表面粗糙而弱化清洗劑的情況下，附著在基板表面上的研磨磨粒、附著物、或強化鹽等無法充分去除。因此，為了減少包含研磨磨粒的附著物且提高基板表面的平滑性，而要求上述信息記錄介質用玻璃基板充分的耐酸性和耐堿性。近年來，記錄密度的高密度化正在進行，例如要求記錄密度為130(ibit/inCh2以上、更優選為200(ibit/inch2以上這樣的高記錄密度的信息記錄介質。為了進行高密度記錄化，而減小記錄再現頭相對于信息記錄介質的浮起量是有效的。因此，作為信息記錄介質用基板，優選使用表面平滑性高的基板。例如，為了制造記錄密度為130(ibit/inch2以上的信息記錄介質，信息記錄介質用玻璃基板的主表面的表面粗糙度(Ra)優選小于等于0. 25nm, 更優選小于等于0. 2nm，進一步優選小于等于0. 15nm。通過實現上述表面粗糙度，能夠進一步減小記錄再現頭相對于信息記錄介質的浮起量，因此能夠實現高記錄密度。另外，在本發明中，“主表面”是設置有信息記錄層的面或設定的面。由于這樣的面是信息記錄介質的表面中面積最大的面，因此被稱為主表面，在為圓盤狀的信息記錄介質的情況下，相當于磁盤的圓形狀的表面(有中心孔的情況下去除中心孔)。作為在上述鏡面研磨加工中使用的研磨磨粒，只要能夠使信息記錄介質用玻璃基板的主表面達到例如粗糙度Ra小于等于0. 25nm，則沒有進行特殊限定，但是更優選二氧化硅。并且，更優選使用該二氧化硅成為膠狀的膠狀二氧化硅通過進行酸性研磨或堿性研磨來制造玻璃基板的表面形狀。另外，在上述清洗中，酸性清洗主要在去除附著在基板表面上的有機物方面較為適合。另一方面，堿清洗在去除附著在基板表面上的無機物(例如，鐵)方面較為適合。艮口， 酸性清洗和堿清洗去除的對象不同，因此在制造信息記錄介質用玻璃基板方面優選兩者并用，并且，更優選連續進行酸性清洗工序和堿清洗工序。另外，從控制清洗后的玻璃基板上的電荷的觀點出發，進一步優選進行完酸清洗后進行堿清洗。以下，對上述信息記錄介質用玻璃基板所要求的耐酸性、耐堿性進行說明。上述玻璃基板優選包括當浸在保持為50°C的0. 5% (Vol% )的硅氟酸(H2SiF)水溶液中的情況
31下腐蝕速率小于等于3. Onm/分、更優選小于等于2. 5nm/分、進一步優選小于等于2. Onm/ 分、尤其優選1. Snm/分的耐酸性；以及當浸在保持為50°C的1質量％的氫氧化鉀水溶液中的情況下腐蝕速率小于等于0. Inm/分、更優選小于等于0. 09nm/分、進一步優選小于等于 0. 08nm/分的耐堿性。由于上述玻璃基板具有高的耐酸性和耐堿性，因此能夠制造出具有平滑的表面、 且附著在基板表面上的附著物的量減少了的玻璃基板。并且，作為構成該玻璃基板的玻璃， 例如列舉出玻璃V。并且，本發明涉及在所述信息記錄介質用玻璃基板上具有信息記錄層的信息記錄介質。另外，本發明涉及通過本發明的信息記錄介質用玻璃基板的制造方法來制造信息記錄介質用玻璃基板、并在所述玻璃基板上形成信息記錄層的信息記錄介質的制造方法。根據前面說明的本發明的玻璃，能夠制造出表面平滑性高、且化學強化處理后的形狀穩定性優良的基板。具有上述基板的信息記錄介質適于高密度記錄化。并且，能夠得到如上所述加熱效率高的基板，因此可以在高生產率的基礎上制造信息記錄介質。上述信息記錄介質通過恰當選擇信息記錄層而作為各種信息記錄介質而使用。作為這樣的介質，可以例示出磁記錄介質、光磁記錄介質、光記錄介質等。如上所述，本發明的信息記錄介質可以應對高記錄密度化，尤其是，能夠適于用作垂直磁記錄方式的磁記錄介質。根據垂直磁記錄方式的信息記錄介質，可以提供能夠進一步應對高記錄密度化的信息記錄介質。即，垂直磁記錄方式的磁記錄介質是記錄密度比以往的縱向磁記錄方式的磁記錄介質的面記錄密度(100GBit/(2. 5cm)2或其以上)更高的記錄密度(例如為ITBit/(2. 5cm)2)，因此能夠實現進一步的高密度記錄化。接著，具體說明本發明的信息記錄介質及其制造方法。本發明的信息記錄介質在上述信息記錄介質用基板上具有信息記錄層。例如通過在上述玻璃基板上依次設置底層、磁性層、保護層、潤滑層等，能夠制造出磁盤等信息記錄介質。信息記錄層可以根據介質的種類而恰當選擇，沒有特別限定，例如可以是Co-Cr 系(這里，所謂系意味著包含所標記的物質的材料)、Co-Cr-Pt系、Co-Ni-Cr系、Co-Ni-Pt 系、Co-Ni-Cr-Pt系、以及Co-Cr-I1a系等的磁性層。作為底層，可以采用Ni層、Ni-P層、Cr 層等。作為適于高記錄密度化的磁性層(信息記錄層)用的材料，可以特別列舉出CoCrPt 系合金材料、尤其是CoCrPtB系合金材料。并且，也優選!^ePt系合金材料。如果這些磁性層特別用作垂直磁記錄方式用的磁性材料則實用性高。CoCrPt系合金材料在300°C 500°C 的高溫、FePt系合金材料在500°C 600°C的高溫進行成膜或成膜后熱處理，由此能夠成為調整結晶取向性或結晶構造、適于高記錄密度化的構成。作為底層，可以使用非磁性底層和/或軟磁性底層。非磁性底層主要為了使磁性層的結晶粒(結晶grain)微細化或者以控制磁性層的結晶取向性的目的而設置。bcc系的結晶性的底層、例如Cr系底層有促進面內取向性的作用，因此優選面內(縱向)記錄方式用磁盤，hep系的結晶性的底層、例如Ti系底層、Ru系底層有促進垂直取向性的作用，因此可以用作垂直磁記錄方式用磁盤。另外，非晶形底層具有使磁性層的結晶粒微細化的作用。
軟磁性底層是主要用于垂直磁記錄盤的底層，具有促進磁頭向垂直磁記錄層(磁性層)的磁化模型記錄的作用。為了充分發揮作為軟磁性底層的作用，優選為飽和磁通量密度大、導磁率高的層。因此優選進行高溫的成膜或成膜后熱處理。作為這樣的軟磁性層材料，例如可以列舉出!^Ta系軟磁性材料、FeTaC系軟磁性材料等!^e系軟磁性材料。也優選Cdr系軟磁性材料、CoTaZr系軟磁性材料。作為保護層，可以使用碳膜等，為了形成潤滑層，可以使用全氟聚醚等潤滑劑。作為垂直磁記錄盤優選的方式可以列舉出在本發明的基板上依次形成軟磁性底層、非晶形的非磁性底層、結晶性的非磁性底層、垂直磁記錄層(磁性層)、保護層以及潤滑層的磁盤。在為垂直磁記錄方式的磁記錄介質的情況下，形成為基板狀的膜構成可以優選例示出在作為非磁性材料的玻璃基板上形成了垂直磁記錄層的單層膜、依次層積了軟磁性層和磁記錄層的二層膜、以及依次層積了硬磁性層、軟磁性層以及磁記錄層的三層膜等。其中，二層膜和三層膜比單層膜更適于高記錄密度化和磁矩的穩定維持，因此加以優選。根據本發明的信息記錄介質用玻璃基板，能夠恰當制造以每一平方英寸200千兆比特或其以上的面信息記錄密度進行記錄再現的磁盤。作為與每一平方英寸200千兆比特或其以上的面信息記錄密度相對應的磁盤，可以列舉出與垂直磁記錄方式相對應的磁盤。在硬盤驅動器中，在以每一平方英寸200千兆比特或其以上的面信息記錄密度進行信息的記錄再現的情況下，面對磁盤的主表面浮起移動、對信號進行記錄再現的磁頭相對于磁盤的浮起量為8nm或其以下的浮起量。與此相應的磁盤的主表面成為通常鏡面狀態。并且，磁盤的主表面通常需要使表面粗糙度Ra小于等于0. 25nm。根據本發明的信息記錄介質用玻璃基板，能夠恰當地制造出與浮起量為8nm或其以下的磁頭相對應的磁盤。在以每一平方英寸200千兆比特或其以上的面信息記錄密度進行信息的記錄再現的情況下，安裝在磁頭上的記錄再現元件有時采用被稱為Dynamic Flying Height(動態飛高)型磁頭(以下，Dra型磁頭)的浮起量能動控制型元件。在Di^H型磁頭中，通過加熱元件周圍，可以使磁頭的元件部熱膨脹，使磁頭與磁盤的間隙更進一步減小，因此需要使磁盤的主表面成為表面粗糙度Ra小于等于025nm的鏡面。根據本發明的信息記錄介質用玻璃基板，能夠恰當地制造出與Dra型磁頭相對應的磁
ο本發明的信息記錄介質用玻璃基板可以是非晶形玻璃。如果是非晶形玻璃，則能夠制造出表面粗糙度恰當的鏡面。以下，參照附圖來說明利用了本發明的信息記錄介質用玻璃基板的作為信息記錄介質的磁盤的一個實施方式。圖1表示本發明的一個實施方式中的磁盤10的構成的一個例子。在本實施方式中，磁盤10依次具有玻璃基板12、附著層14、軟磁性層16、底層18、微細化促進層20、磁記錄層22、保護膜24、以及潤滑層26。磁記錄層22作為用于對信息進行記錄再現的信息記錄層而發揮作用。另外，磁盤10也可以在軟磁性層16與底層18之間具有非晶形的種子層。種子層是用于提高底層18的結晶取向性的層。例如，在底層18為Ru的情況下，種子層是用于提高hep結晶構造的C軸取向性的層。
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玻璃基板12是用于形成磁盤10的各層的玻璃基板。作為該玻璃基板，可以利用上述本發明的信息記錄介質用玻璃基板。優選玻璃基板的主表面是表面粗糙度Ra小于等于0. 25nm的鏡面。優選是表面粗糙度Rmax小于等于3nm的鏡面。通過成為這樣的平滑鏡面，可以使作為垂直磁記錄層的磁記錄層22與軟磁性層 16之間的離開距離保持恒定。因此，可以在磁頭-磁記錄層22-軟磁性層16之間形成恰當的磁路。附著層14是用于提高玻璃基板12與軟磁性層16之間的附著性的層，形成在玻璃基板12與軟磁性層16之間。通過使用附著層14，可以防止軟磁性層16的剝離。作為附著層14的材料，例如可以使用含Ti材料。從實用上的觀點出發，附著層14的膜厚優選為 Inm 50nm。作為附著層14的材料，優選為非晶形材料。軟磁性層16是用于調整磁記錄層22的磁路的層。如果軟磁性層16由顯示出軟磁特性的磁性體形成，則沒有特別限制，例如優選具有頑磁力(He)為0.01 80奧斯特、 優選為0. 01 50奧斯特的磁特性。并且優選具有飽和磁通量密度(Bs)為500emu/CC 1920emu/cc的磁特性。作為軟磁性層16的材料，可以列舉出狗系、Co系等。例如，可以使用FeTaC系合金、FeTaN系合金、FeNi系合金、FeCoB系合金、FeCo系合金等!^e系軟磁性材料、CoTdr系合金、C0Nb&系合金等Co系軟磁性材料、或者!^eCo系合金軟磁性材料等。作為軟磁性層16的材料，優選非晶形材料。軟磁性層16的膜厚例如為30nm lOOOnm，更優選為50nm 200nm。如果小于30nm，則有時難以在磁頭-磁記錄層22-軟磁性層16之間形成恰當的磁路，如果大于 lOOOnm，則有時表面粗糙度會增加。另外，如果大于lOOOnm，則有時難以進行濺射成膜。底層18是用于控制微細化促進層20和磁記錄層22的結晶方向的層，例如包含釕 (Ru)。在本實施方式中，底層18由多個層形成。并且，在底層18中，包含與微細化促進層 20相接的界面的層通過Ru結晶粒子而形成。微細化促進層20是具有顆粒構造的非磁性層。在本實施方式中，微細化促進層20 由具有顆粒構造的非磁性的CoCrSiO材料形成。微細化促進層20具有由包含SiO的氧化物晶界部和被該晶界部劃分成的包含 CoCr的金屬粒子部構成的顆粒構造。磁記錄層22在微細化促進層20上依次具有強磁性層32、磁結合控制層34、交換能量控制層36。強磁性層32是具有顆粒構造的CoCrPtSiO層，作為磁性結晶粒子，具有 CoCrPt的結晶粒子。強磁性層32具有由包含SiO的氧化物晶界部和被該晶界部劃分成的包含CoCrPt 的金屬粒子部構成的顆粒構造。磁結合控制層34是用于控制強磁性層32與交換能量控制層36的磁結合的結合控制層。磁結合控制層34例如由鈀(Pb)或鉬(Pt)層形成。另外，磁結合控制層34的膜厚例如小于等于2nm，更優選0. 5 1. 5nm。交換能量控制層36是易磁化軸與強磁性層32為大致相同方向的磁性層 (Continuous層)。通過與強磁性層32的交換結合，交換能量控制層36可以提高磁盤10 的磁記錄特性。交換能量控制層36例如通過由鈷(Co)或其合金與鈀(Pd)的交互層積膜([CoX/Pd]n)或者鈷(Co)或其合金與鈀(Pd)的交互層積膜([CoX/Pt]n)形成的多層膜而構成，其膜厚優選為1 8nm。更優選為3 6nm。保護膜M是用于保護磁記錄層22以免受磁頭的沖擊的保護層。并且，潤滑層沈是用于提高磁頭與磁盤10之間的潤滑性的層。作為除了潤滑層沈、保護膜M以外的磁盤10的各層的制造方法，優選通過濺射法成膜。尤其是，如果通過DC磁控濺射法形成，則能夠進行均勻的成膜，因此加以優選。保護膜M優選例示出通過將碳化氫作為材料氣體的CVD法進行成膜。潤滑層沈可以通過浸漬(dip)法成膜。本方式優選與鏡面狀態的非晶形玻璃基板相接形成非晶形層(例如，附著層14)。 并且，優選使軟磁性層16成為非晶形材料。根據本發明，可以得到反映處于例如Ra小于等于0. 25nm的鏡面狀態的玻璃基板的表面粗糙度、例如Ra小于等于0. 25nm的鏡面狀態的磁
盤表面。本發明的信息記錄介質用基板(例如，磁盤基板)、信息記錄介質(例如，磁盤)的尺寸沒有特別限制，但是由于可以高紀錄密度化，因此能夠使介質和基板小型化。例如，適合作為公稱直徑2. 5英寸、或直徑更小(例如1英寸)的磁盤基板或磁盤。實施例以下，通過實施例更詳細地說明本發明。但是，本發明不限于實施例所示的方式。(1)熔融玻璃的制造為了能得到表1所示的例1、例1'、例2、例2'、例3、例3'、例4 15的組成的玻璃，稱量氧化物、碳酸鹽、硝酸鹽、氫氧化物等原料，進行混合成為調合原料。將該原料投入到熔融容器中，在1400 1600°C的范圍內加熱、熔融六小時后，進行澄清、攪拌，制造出不含未熔解物的均勻的熔融玻璃。另外，例1 4、例Γ 例3'、例7 15相當于玻璃 I IV、VI、VII，例5相當于玻璃III、IV、VI、VII，例6相當于玻璃I IV。(2)玻璃的成形接著，從管道中以恒定流量流出熔融玻璃，同時用模壓成形用的下模接住，并用切刀切斷流出的熔融玻璃，以在下模上得到預定量的熔融玻璃塊。然后，將載置有熔融玻璃塊的下模從管道下方直接運出，使用與下模相對的上模和體模將其模壓成形為直徑66mm、厚度1. 2mm的薄壁圓盤狀。冷卻到模壓成形品不變形的溫度之后，從模具中取出，進行退火， 得到基板坯料。另外，在上述成形中，使用多個下模將流出的熔融玻璃依次成形。(3)基板坯料的制造接著，通過下述方法A或B來制造圓盤狀的基板坯料。(方法A)將上述熔融玻璃從上部連續地澆鑄到設置有圓筒狀的通孔的耐熱性鑄模的通孔中，成形為圓柱狀后，從通孔的下側取出。將取出的玻璃進行退火后，使用多線切割機(ι 瓜”“-〃 一)在垂直于圓柱軸的方向上以一定間隔對玻璃進行切割加工，制造出圓盤狀的基板坯料。(方法B)將上述熔融玻璃流到浮槽上，成形為片狀的玻璃。接著，進行退火，之后從片玻璃中挖出圓盤狀的玻璃，得到基板坯料。
(4)基板的制造在由上述方法得到的基板坯料的中心打開通孔，對外周、內周進行磨削加工，對圓盤的主表面進行研磨、拋光(鏡面研磨加工)，做成直徑65mm、厚度0. 7mm的磁盤用基板。(5)清洗接著，使用酸、堿等清洗劑清洗這些基板，用純水洗涮后，使其干燥。放大觀察這些基板的表面，不能發現表面粗糙等，具有平滑的表面。(5)化學強化處理將干燥的基板浸在加熱到380°C的硝酸鈉、硝酸鉀的混合熔融鹽中240分鐘，進行化學強化，之后使其清洗、干燥。化學強化后的基板沒有發現因化學強化引起的彎曲，具有高的平坦性。并且，圓盤狀的玻璃基板的中心孔的內徑尺寸滿足20. 025mm士0. OlOmm以內的范圍，公差能夠比目前的內徑尺寸公差規格(公差士0.025mm)小。(6)磁盤的制造使用化學強化后的基板在基板上形成底層、軟磁性層、磁性層、潤滑層等，制造出垂直磁記錄方式的磁盤。評價方法1.液相溫度向鉬坩堝放入玻璃樣品，以預定溫度保持三個小時，從爐中取出冷卻，之后，通過顯微鏡觀察結晶析出的有無，將沒有發現結晶的最低溫度作為液相溫度(L.T.)。結果如表 1所示。液相溫度是玻璃穩定性、耐失透性的指標，作為信息記錄介質基板用玻璃優選的液相溫度如下的范圍小于等于1000°C，更優選小于等于970°C，進一步優選小于等于 950°C，更進一步優選小于等于930°C。下限沒有特別限定，但是考慮800°C以上為標準即可。2.酸腐蝕速率和堿腐蝕速率對例1 例4的玻璃以與上述⑴ ⑷相同的方法制造出基板。為了在被制造出的基板的一部分上制造不被腐蝕的部分，實施遮蔽處理，將該狀態的玻璃基板浸在保持為50°C的0. 5Vol%的硅氟酸水溶液或者保持為50°C的1質量％的氫氧化鉀水溶液預定時間。之后，激昂玻璃基板從上述各水溶液中提出，求出實施了遮蔽處理的部分與沒有實施的部分的差分(腐蝕之差)，通過將其除以浸漬時間，求出每單位時間的腐蝕量(腐蝕速率)。 結果如表2所示。[表 1]mol% 表示
權利要求
1.一種供信息記錄介質用基板使用的玻璃，當以mol%表示時，包含 50 75% 的 SiO2 ；3 15% 的 Al2O3 ； 5 15%的 Li2O ； 5 15%的 Na2O ； 0 3%的 K2O ；大于0. 5%且小于等于5%的CaO ；大于等于0%且小于3%的MgO，其中，CaO的含量比MgO的含量多；以及 0. 3 4%的 ZrO2 ；其中，Li20、Na2O以及K2O的總含量與SiO2、Al2O3以及的總含量的摩爾比 ((Li20+Na20+K20) / (Si02+Al203+Zr02))小于等于 0. 28。
2.一種供信息記錄介質用基板使用的玻璃，包含從由Si02、Al203、Li20、Na20以及K2O構成的組中選出的一種以上的堿金屬氧化物、從由Mg0、Ca0、Sr0以及BaO構成的組中選出的一種以上的堿土金屬氧化物、以及從由Zr02、Hf02、Nb205、Ta205、La203、Y203以及TiO2構成的組中選出的一種以上的氧化物，SiO2的含量大于等于50mol %，且SiO2和Al2O3的總含量大于等于70mol %， 所述堿金屬氧化物和所述堿土金屬氧化物的總含量大于等于8mol %， 所述氧化物的總含量與所述堿金屬氧化物和所述堿土金屬氧化物的總含量的摩爾比 ((Zr02+Hf02+Nb205+Ta205+La203+Y203+Ti02) / (Li20+Na20+K20+Mg0+Ca0+Sr0+Ba0))大于等于 0. 035。
3.如權利要求2所述的玻璃，其中，SiO2的含量大于等于60mol %，且SiO2和Al2O3的總含量大于等于75mol %。
4.如權利要求2或3所述的玻璃，其中，含有Li2O和Na2O的至少一者，且Li2O和Na2O的總含量小于24mol %。
5.如權利要求2至4中任一項所述的玻璃，其中， Li2O和Na2O的總含量小于等于22mol %。
6.如權利要求2至5中任一項所述的玻璃，其中， 當以mol%表示時，包含60 75% 的 SiO2 ； 3 15%的Al2O3 ；以及 0. 3 4%的 Zr02。
7.一種用于供信息記錄介質用基板使用的化學強化用鋁硅酸鹽玻璃，包含從由Li20、 Na2O以及K2O構成的組中選出的一種以上的堿金屬氧化物、從由MgO、CaO, SrO以及BaO構成的組中選出的一種以上的堿土金屬氧化物、以及從由&02、HfO2, Nb2O5, Ta2O5, La203、Y2O3 以及TiO2構成的組中選出的一種以上的氧化物，Li2O和Na2O的總含量為10 22mol %，ZrO2、HfO2、Nb2O5、Ta2O5、La2O3、Y2O3 以及 TiO2 的總含量大于 0mol%且小于等于 4mol%， 所述氧化物的總含量與所述堿土金屬氧化物的總含量的摩爾比((Zr02+Hf02+Nb205+Ta2 05+La203+Y203+Ti02) / (MgO+CaO+SrO+BaO))大于等于 0· 15。
8.如權利要求7所述的玻璃，其中，SiO2的含量大于等于50mol %，且SiO2和Al2O3的總含量大于等于70mol %。
9.如權利要求7或8所述的玻璃，其中， SiO2和Al2O3的總含量大于等于75mol %。
10.如權利要求7至9中任一項所述的玻璃，其中，ZrO2, HfO2, Nb2O5, Ta2O5, La203、Y2O3 以及 TiO2 的總含量與 Li2O, Na2O, K2O, MgO、 CaO、SrO 以及 BaO 的總含量的摩爾比((Zr02+Hf02+Nb205+Ta205+La203+Y203+Ti02) / (Li20+Na20+K20+Mg0+Ca0+Sr0+Ba0))大于等于 0. 035。
11.如權利要求7至10中任一項所述的玻璃，其中， 當以mol%表示時，包含大于等于3%的Al2O3 ；總量大于等于8%的Li20、Na20、K20、Mg0、Ca0、Sr0以及BaO ；以及總量大于0%且小于等于5%的MgO、CaO、SrO以及BaO。
12.—種供信息記錄介質用基板使用的玻璃，包含從由Si02、A1203、Li2O, Na2O以及K2O 構成的組中選出的一種以上的堿金屬氧化物、從由MgO、CaO、SrO以及BaO構成的組中選出的一種以上的堿土金屬氧化物、以及從由Zr02、Hf02、Nb205、Ta205、La203、Y203以及TiO2構成的組中選出的一種以上的氧化物，并且具有當浸在保持為50°C的0. 5Vol%的硅氟酸(H2SiF)水溶液中的情況下腐蝕速率小于等于3. Onm/分的耐酸性；以及當浸在保持為50°C的1質量％的氫氧化鉀水溶液中的情況下腐蝕速率小于等于 0. Inm/分的耐堿性。
13.如權利要求12所述的玻璃，其中，SiO2的含量大于等于50mol %，且SiO2和Al2O3的總含量大于等于70mol %。
14.如權利要求12或13所述的玻璃，其中， SiO2和Al2O3的總含量大于等于75mol %。
15.如權利要求12至14中任一項所述的玻璃，其中，具有如下的組成所述堿金屬氧化物和所述堿土金屬氧化物的總含量大于等于 8mol%，并且，所述氧化物的總含量與所述堿金屬氧化物和所述堿土金屬氧化物的總含量的摩爾比 ((Zr02+Hf02+Nb205+Ta205+La203+Y203+Ti02)/ (Li20+Na20+K20+Mg0+Ca0+Sr0+Ba0))大于等于 0. 035。
16.如權利要求12至15中任一項所述的玻璃，其中，含有Li2O和Na2O的至少一者，且Li2O和Na2O的總含量小于等于24mol %。
17.如權利要求12至16中任一項所述的玻璃，其中， Li2O和Na2O的總含量小于等于22mol %。
18.如權利要求12至17中任一項所述的玻璃，其中， 當以mol%表示時，包含·60 75% 的 SiO2 ；3 15%的Al2O3 ；以及總量為 0. 3 4% 的 ZrO2, HfO2, Nb2O5, Ta2O5, La203> Y2O3 以及 TiO20
19.一種供信息記錄介質用基板使用的玻璃，當以質量％表示時，包含 57 75% 的 SiO2 ；5 20%的Al2O3,其中，SiO2和Al2O3的總量大于等于74% ； 總量大于0%且小于等于6%的2102、!1 )2、恥205、13205、1^203、￥203 以及 TiO2 ； 大于且小于等于9%的Li2O; 5 18%的Na2O,其中，質量比Li20/Na20小于等于0. 5 ； 0 6%的 K2O ； 0 4%的 MgO ；大于0%且小于等于5%的CaO，其中，MgO和CaO的總量小于等于5%且CaO的含量比 MgO的含量多；以及總量為0 3%的Sr0、Ba0。
20.一種供信息記錄介質用基板使用的玻璃，當以質量％表示時，包含 57 75% 的 SiO2 ；5 20%的Al2O3,其中，SiO2和Al2O3的總量大于等于74% ； 大于0%且小于等于5. 5%的&02 ； 大于且小于等于9%的Li2O; 5 18%的Na2O,其中，質量比Li20/Na20小于等于0. 5 ； 0 6%的 K2O ； 0 4%的 MgO ；大于0%且小于等于5%的CaO，其中，MgO和CaO的總量小于等于5%且CaO的含量比 MgO的含量多；總量為0 3%的Sr0、Ba0 ；以及 0 的 Ti02。
21.如權利要求19或20所述的玻璃，其中， SiO2和Al2O3的總含量大于79%。
22.如權利要求19至21中任一項所述的玻璃，其中， 包含大于等于11%的ai2O3。
23.如權利要求19至22中任一項所述的玻璃，其中， 包含0. 1 4%的MgO。
24.如權利要求19至23中任一項所述的信息記錄介質基板用玻璃，其中， Si02、A1203、ZrO2, Li2O, Na2O, K2O, MgO 以及 CaO 的總含量大于等于 99%。
25.一種用于供信息記錄介質用基板使用的化學強化玻璃，通過對權利要求1至24中任一項所述的玻璃實施化學強化處理而得到。
全文摘要
本發明涉及供信息記錄介質用基板使用的玻璃及化學強化玻璃。根據本發明的一個方式能夠提供如下的供信息記錄介質用基板使用的玻璃當以mol％表示時，包含總量為70～85％的SiO2和Al2O3，(其中，SiO2的含量大于等于50％)，Al2O3的含量大于等于3％；總量大于等于10％的Li2O、Na2O以及K2O；總量為1～6％的CaO和MgO(其中，CaO的含量比MgO的含量多)；以及總量大于0％且小于等于4％的ZrO2、HfO2、Nb2O5、Ta2O5、La2O3、Y2O3以及TiO2；其中，Li2O、Na2O以及K2O的總含量與SiO2、Al2O3、ZrO2、HfO2、Nb2O5、Ta2O5、La2O3、Y2O3以及TiO2的總含量的摩爾比((Li2O+Na2O+K2O)/(SiO2+Al2O3+ZrO2+HfO2+Nb2O5+Ta2O5+La2O3+Y2O3+TiO2))小于等于0.28。
文檔編號C03C21/00GK102432171SQ20111026494
公開日2012年5月2日 申請日期2007年6月8日 優先權日2006年6月8日
發明者池西干男, 立和名一雄, 蜂谷洋一, 越阪部基延, 鄒學祿 申請人:Hoya株式會社