專利名稱：相對或接近相對的線端的光學臨近效應修正方法
技術領域：
本發明涉及半導體集成電路制造領域，特別是涉及相對或接近相對的線端的光學臨近效應修正(OPC)方法。
背景技術：
半導體集成電路設計過程中，為了方便布線，都會優先選擇直線，其中會有很多相對或者比較接近相對的線端(指線端與線端之間，在X、Y方向的距離大于等于設計規則處的最小間隙，且在X方向的距離小于1.5倍的最小間隙，如圖1所示)。但是，由于光學臨近效應(OPE, optical proximity effect)的存在，線端會產生很大的偏移，一般稱為線端縮短(line-endshortening)。考慮到光刻版制作后的 MEEF(mask error enhancementfactor，掩膜誤差增強因子)效應，OPC在修正兩個相對或者接近相對的線端的時候，只能將線端的長度進行一定程度的修正。例如，圖2中，兩個線端之間間隙的設計值為140納米，考慮了 MEEF因素后，MRC(Mask Rule Checking，掩膜規則檢查)設定光刻版上兩個線端之間的間隙的值必須大于等于116納米，線端在經過OPC修正之后，用軟件模擬從光刻版圖到晶圓的圖形轉移，得到兩個線端間隙的模擬值為218納米，從而導致了線端不能達到預想的長度。
發明內容
本發明要解決的技術問題是提供一種相對或接近相對的線端的光學臨近效應修正方法，它可以避開線端相對方向的MRC的限定，減小線端縮短的長度。為解決上述技術問題，本發明的相對或接近相對的線端的光學臨近效應修正方法，包括步驟:I)將所述線端分成多段；2)沿垂直于所述線端的方向，調整每一小段的位置，使所述線端偏離相對位置。所述線端偏離的方向與MRC限制的方向垂直。每一小段在垂直于線端方向的移動量小于等于線寬的25*%。在調整每一小段的位置的同時，還可以對每一小段的寬度進行調整。每一小段的寬度可以大于、等于或者小于原線端的寬度。本發明通過將相對或者接近相對的線端分成多段，然后在基于模型的光學臨近效應修正(Model Based 0PC)中，對線端修正片段的目標值進行調整，即對線端進行拐彎處理，從而避開了線端相對方向的MRC的限定，減小了線端縮短的長度。
圖1是兩個接近相對的線端的示意圖，線端之間X方向的距離必須大于等于最小設計規則中的最小間隙，且小于1.5倍的最小間隙。圖2是傳統的線端OPC修正方法示意圖；其中，⑴為設計圖形，⑵為OPC修正后的光刻版圖形，(3)為軟件模擬圖形。圖3是本實施例的線端OPC修正方法示意圖；其中，(I)為設計圖形，(2)為OPC修正后的光刻版圖形(3)為軟件模擬圖形。
具體實施例方式為對本發明的技術內容、特點與功效有更具體的了解，現結合圖示的實施方式，詳述如下:如圖3(1)所示，兩個相對的線端之間的間隙的設計值為140納米，線端寬度的設計值也是140納米，將這兩個線端分別分成2個修正片段，然后，將片段I沿垂直于線端的方向移動15納米，片段2相對于修正片段I再沿垂直于線端的方向移動15納米；同樣的，將片段I’沿垂直于線端的方向移動15納米，片段2’相對于片段I’再沿垂直于線端的方向移動15納米；兩個線端的修正片段的位置移動方向相反。上述設計圖形經OPC修正后，得到如圖3(2)所示的光刻版圖形。MRC設定光刻版上這兩個線端之間的間隙的值必須大于等于116納米。用EDA 軟件(例如,Mentor Graphics 的 calibre workbench 軟件，或其他 EDA 公司的OPC Simulation軟件)模擬從光刻版圖形到晶圓的圖形轉移，得到如圖3 (3)所示的模擬圖形，兩個線端間隙的模擬值為192納米。可見，相比于傳統的修正方法(圖2)，本實施例的修正方法在保持原來的MRC不變的情況下，很大程度上改善了線端縮短的程度。
權利要求
1.對或接近相對的線端的光學臨近效應修正方法，其特征在于，包括步驟: 1)將所述線端分成多段； 2)沿垂直于所述線端的方向，調整每一小段的位置，使所述線端偏離相對位置。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟2)中，線端偏離的方向與MRC限制的方向垂直。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟2)中，每一小段在垂直線端方向的移動量小于等于線寬的25%。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟2)中，還包括對每一小段的寬度進行調整。
全文摘要
本發明公開了一種相對或接近相對的線端的光學臨近效應修正方法，包括步驟1)將所述線端分成多段；2)沿垂直于所述線端的方向，調整每一小段的位置，使所述線端偏離相對位置。本發明通過將相對或者接近相對的線端分成多段，然后在基于模型的0PC修正中，對線端修正片段的位置進行調整，即對線端進行拐彎處理，從而避開了線端相對方向的MRC的限定，減小了線端縮短的長度。
文檔編號G03F1/36GK103091969SQ20111033503
公開日2013年5月8日 申請日期2011年10月28日 優先權日2011年10月28日
發明者陳福成 申請人:上海華虹Nec電子有限公司