增強光刻工藝窗口的光學鄰近修正方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及半導體制造工藝中的光學鄰近修正技術領域，具體來說，本發明涉及一種通過擴大孤立的散射條(scattering bar)來增強光刻工藝窗口(litho processwindow)的光學鄰近修正方法。
【背景技術】
[0002]隨著集成電路設計的高速發展，如何縮小版圖圖形光刻以后的變形和偏差，抑制光學鄰近效應的負面作用，進而提高芯片生產的成品率，對芯片制造業的發展起著關鍵的作用。針對這一問題，目前業界普遍采用的一種方法為光學鄰近修正(Optical ProximityCorrect1n, 0PC)，其通過改變原始版圖圖形的形狀來減小曝光所獲得的光刻圖形的偏差。
[0003]現有技術中，光學鄰近修正的過程一般包括:對原始版圖圖形進行光學模擬，獲得模擬圖形；通過對比所獲得的模擬圖形以及原始版圖圖形，對其中位置誤差不在允許范圍內的圖案進行標注，并采用一定的校正原則對原始版圖圖形中與所述標注位置的圖案進行校正，直至獲得符合設計要求的模擬圖形。
[0004]由于原始版圖圖形的布局風格隨設計者而變化，具有多樣性，直接對原始版圖圖形進行光學近鄰校正通常將獲得大量待標注和校正的圖案，從而使校正過程花費大量的人力和時間。為此，業界也有提出一些對校正原則進行改善的方法，例如:通過事先對線段、線端、拐角等簡單圖案的組成部分設定校正規則，使校正原則不僅包括一些簡單的校正方法，還可以包括這些特殊的校正規則的集合。當原始版圖中出現類似圖案時，將與圖案對應的所述校正規則應用于實際校正過程中，以減少實際校正過程的時間，從而提高校正效率，節約成本。
[0005]為了消除光學鄰近效應的影響，實際制造的光掩模版上的圖形與所希望得到的光刻圖形并不相同，光掩模版上的圖形經過了光學鄰近修正處理。此外隨著特征尺寸(Critical Dimens1n,CD)進入90nm以及更小范圍,掩模版上的圖形的線寬甚至只有光波長的1/3，除上述必要的光學鄰近修正處理以外，通常還需要在曝光圖形的周圍輔以設置次分辨率輔助圖形(Sub-Resolut1n Assistant Feature, SRAF)。這些次分辨率輔助圖形僅設置于光刻掩模版上，在實際曝光后其圖形并不會轉移至半導體器件，僅僅起到增加鄰近曝光圖形的聚焦深度，提高曝光精確度的作用。
[0006]接觸邏輯區域具有更為隨機和復雜的設計，例如對角的(diagonal)或者錯列的(staggered)結構。而散射條對于OPC收斂(convergence)以及光刻工藝窗口都是非常重要的。但現有的基于散射條的規則具有覆蓋各種復雜結構的限制。OPC完成之后，留下了大量具有不充分的光刻工藝窗口的熱點(hotspots)。
[0007]為此，現有技術中通常使用下面兩種方法來擴大光刻工藝窗口:
[0008]1.通過幾何特征(geometrical character)來選擇具有不充分的光刻工藝窗口的熱點，然后擴大它的目標尺寸。
[0009]2.優化散射條規則(寬度/長度/距尚(散射條與散射條之間的距尚，或者散射條與目標之間的距離))。
[0010]但是，當半導體芯片變得越來越大和越來越難以制造時，會產生數千個熱點。手動的調試并不是最終的解決方案。業內迫切需要一種擴大光刻工藝窗口的自動優化方法。
【發明內容】
[0011]本發明所要解決的一個技術問題是提供一種增強光刻工藝窗口的光學鄰近修正方法，能夠改進光學鄰近修正質量，具有更好的收斂性。
[0012]本發明所要解決的另一個技術問題是提供一種增強光刻工藝窗口的光學鄰近修正方法，能夠減少手動調試時間，加快OPC工藝菜單的開發。
[0013]本發明所要解決的再一個技術問題是提供一種增強光刻工藝窗口的光學鄰近修正方法，能夠明顯地改善光刻工藝窗口。
[0014]為解決上述技術問題，本發明提供一種增強光刻工藝窗口的光學鄰近修正方法，包括步驟:
[0015]A.提供待修正的原始圖形；
[0016]B.插入基于規則的散射條，作為原始散射條；
[0017]C.選擇出孤立的散射條并將其擴大，對該擴大規則進行精調；
[0018]D.執行光學鄰近修正；
[0019]E.檢查修正后的所述散射條是否在晶圓上顯影出來，若否，進入步驟F ;若是，則返回上述步驟C ;以及
[0020]F.輸出經過光學鄰近修正后的圖形。
[0021 ] 可選地，上述步驟C包括:
[0022]檢查所述散射條的每一條邊緣，搜索孤立的所述散射條的待調整邊緣；
[0023]將所述待調整邊緣向外擴展一數值C。
[0024]可選地，搜索孤立的所述散射條的待調整邊緣的方式為:
[0025]判斷每一條所述邊緣的寬度是否小于等于一數值a并且距離是否大于等于一數值b ;若是，則確定所述邊緣為待調整邊緣。
[0026]可選地，所述數值a、b、c均為所述擴大規則中可調整的參數。
[0027]可選地，所述擴大規則能被分類為一些小組，包括依據距離分類、依據長度分類、依據寬度分類和依據面積分類。
[0028]與現有技術相比，本發明具有以下優點:
[0029]本發明對孤立的散射條設置一擴大規則，通過擴大孤立的散射條，提高散射條的覆蓋范圍，達到增強光刻工藝窗口的目的。
[0030]本發明經實驗證明能夠明顯地增強光刻工藝窗口。此外，本發明不但能夠改進光學鄰近修正質量，使之具有更好的收斂性，而且能夠減少手動調試時間，加快OPC工藝菜單的開發。
【附圖說明】
[0031]本發明的上述的以及其他的特征、性質和優勢將通過下面結合附圖和實施例的描述而變得更加明顯，其中:
[0032]圖1為現有技術中的一種傳統的光學鄰近修正方法的流程圖；
[0033]圖2為本發明一個實施例的增強光刻工藝窗口的光學鄰近修正方法的流程圖；
[0034]圖3-1為本發明一個實施例的增強光刻工藝窗口的光學鄰近修正方法中原始散射條與調整后的散射條的對比示意圖；
[0035]圖3-2為圖3-1所示實施例的增強光刻工藝窗口的光學鄰近修正方法中原始散射條因工藝變化而使特征尺寸變化的量(PVband)的示意圖；
[0036]圖3-3為圖3-1所示實施例的增強光刻工藝窗口的光學鄰近修正方法中調整后的散射條因工藝變化而使特征尺寸變化的量(PVband)的示意圖；
[0037]圖4-1為本發明另一個實施例的增強光刻工藝窗口的光學鄰近修正方法中原始散射條與調整后的散射條的對比示意圖；
[0038]圖4-2為圖4-1所示實施例的增強光刻工藝窗口的光學鄰近修正方法中原始散射條因工藝變化而使特征尺寸變化的量(PVband)的示意圖；
[0039]圖4-3為圖4-1所示實施例的增強光刻工藝窗口的光學鄰近修正方法中調整后的散射條因工藝變化而使特征尺寸變化的量(PVband)的示意圖。
【具體實施方式】