專利名稱：聚酰亞胺鈍化膜鈍化制備工藝的制作方法
技術領域：
本發明是關于硅基雙四象限光電探測器的光敏芯片制備工藝，具體主要涉及硅基雙四象限光電探測器的光敏芯片制備工藝中的聚酰亞胺膜鈍化制作工藝的改進技術。
背景技術：
近年來，隨著材料科學的不斷發展，探測器芯片的所謂軟錯誤、信號延遲、降低制造成本等因素使聚酰亞胺(PI)在微電子領域得到廣泛應用。在硅基光電探測器芯片制造過程中，為了提高器件的電學性能和可靠性，在光電探測器芯片表面常采用氮化硅、二氧化硅或磷硅玻璃(PSG)等有機材料來做鈍化保護膜。雖然這些材料的鈍化效果良好，但制造成本高，制備這些材料需要增加專用的設備。其次是在硅基光電探測器現有鈍化膜制備工藝中，由于灰塵、纖維、光刻版損壞、光刻版對位不準確等原因都有可能造成鈍化膜的破損。由于空氣中的灰塵和纖維等因素，鈍化膜制備工藝過程中將不可避免的引起鈍化膜的針孔，而鈍化膜破損將會導致Na+、潮氣等進入到探測器芯片內部，從而可能導致探測器的電學性能不合格。目前現有技術通常采用
圖1所示的的鈍化膜制備工藝，由于上述鈍化工藝長期一成不變，并且在實際的操作過程中，P1-5鈍化膜的制備工藝合格率較低，表I是sro-044器件在2009 2010年P1-5鈍化膜制作工藝的合格率統計，
表1 2009 2010年P1-5鈍化膜制備工藝合格率統計表
權利要求
1.一種聚酰亞胺鈍化膜制備工藝，其特征在于包括如下步驟:在曝光和顯影工序步驟之間增加顯影前鏡檢檢查、補正膠步驟，及時對曝光后的光刻膠進行檢查，對鈍化區域內正膠破損的芯片，用正膠覆蓋針孔和破損處，然后放入85°c的烘箱烘IOmin后進入下步工藝。
2.如權利要求1所述的種聚酰亞胺鈍化膜制備工藝，其特征在于，在涂正膠工序中，在涂有聚酰亞胺膠膜的芯片表面涂正光刻膠，第一次轉速2000rad/min，旋轉時間5s ;第二次轉速6800rad/min,旋轉時間8s。
3.如權利要求1所述的種聚酰亞胺鈍化膜制備工藝，其特征在于，在顯微鏡下檢查曝光后的光刻正膠(3)是否完整，如出現針孔(6)或正膠破損，則在不影響光刻圖形的前提下，用正膠覆蓋針孔(6)和破損處。
全文摘要
本發明提出的一種聚酰亞胺鈍化膜制備工藝，旨在提供一種工藝可靠，返工幾率低，合格率高，易于實現的硅基光電探測器芯片表面鈍化膜的制備工藝方法。本發明通過下述技術方案予以實現在曝光和顯影工序步驟之間增加顯影前檢查、補正膠步驟，及時對曝光后的光刻膠進行檢查，對鈍化區域內正膠破損的芯片，用正膠覆蓋針孔和破損處，然后放入85℃的烘箱烘10min后進入下步工藝。本發明在顯影前增加了一步“鏡檢、補正膠”工藝，雖然光刻工藝的操作步驟增多了，但是工藝質量得到很好的控制，有效消除了產生的工藝針孔，使PI-5鈍化膜制作工藝一次性合格率大幅提高，減少了返工的數量，降低了成本。
文檔編號G03F7/00GK103207520SQ201210566860
公開日2013年7月17日 申請日期2012年12月24日 優先權日2012年12月24日
發明者邱月瓴, 蘇潔梅, 劉期斌, 劉從吉, 周小燕, 劉小會, 王鷗, 胡衛英 申請人:西南技術物理研究所